JPS6253450B2 - - Google Patents

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JPS6253450B2
JPS6253450B2 JP55126556A JP12655680A JPS6253450B2 JP S6253450 B2 JPS6253450 B2 JP S6253450B2 JP 55126556 A JP55126556 A JP 55126556A JP 12655680 A JP12655680 A JP 12655680A JP S6253450 B2 JPS6253450 B2 JP S6253450B2
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JP
Japan
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glass
doped silica
silica glass
sio
geo
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JP55126556A
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Shoichi Sudo
Hiroyuki Suda
Fumiaki Hanawa
Motohiro Nakahara
Nobuo Inagaki
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はドープトシリカガラスの製造方法に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing doped silica glass.

従来、主としてGeO2を含むドープトシリカガ
ラスは第1図に示す製造工程(いわゆるスートプ
ロセス)により製造されていた。第1図はこの製
造工程を示すブロツク図であり、図中の各ブロツ
クにおいて、Aはガラス形成原料、Bはガラス微
粒子、Cは多孔質ガラス体、Dは透明ガラス体を
示す。a,b,cはそれぞれの工程において施す
処理を示し、aは火炎加水分解反応、bは焼結、
cは高温溶融の各処理を表わしている。
Conventionally, doped silica glass mainly containing GeO 2 has been manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 1 (so-called soot process). FIG. 1 is a block diagram showing this manufacturing process, and in each block in the figure, A indicates a glass forming raw material, B indicates glass fine particles, C indicates a porous glass body, and D indicates a transparent glass body. a, b, and c indicate the treatments performed in each step, where a is flame hydrolysis reaction, b is sintering,
c represents each high-temperature melting process.

この第1図より明らかなように、GeO2を含む
ドープトシリカガラスは、SiCl4、GeCl4等のガラ
ス形成原料Aを火炎加水分解aして、SiO2
GeO2のガラス微粒子Bを形成せしめ、これを焼
結bして多孔質ガラス体Cとし、その後、高温溶
融cして透明ガラス体D(ドープトシリカガラ
ス)を形成せしめるものであつた。
As is clear from FIG. 1, doped silica glass containing GeO 2 is produced by flame hydrolysis of glass forming raw materials A such as SiCl 4 and GeCl 4 .
GeO 2 glass particles B were formed, sintered to form a porous glass body C, and then melted at a high temperature to form a transparent glass body D (doped silica glass).

このような製造方法を具体化したものとして
は、たとえば第2図に示す装置を用いた気相軸付
け法(いわゆるVAD法)がある。第2図はVAD
法によるドープトシリカガラスの製造装置の概略
断面図であり、1は合成トーチ、2は火炎流、3
はガラス微粒子、4は多孔質ガラス体、5は回転
引上げ装置、6は発熱体、7はドープトシリカガ
ラス体を示す。
A concrete example of such a manufacturing method is, for example, a vapor deposition method (so-called VAD method) using an apparatus shown in FIG. Figure 2 shows VAD
1 is a schematic cross-sectional view of an apparatus for manufacturing doped silica glass by the method, in which 1 is a synthesis torch, 2 is a flame stream, and 3 is a
4 is a porous glass body, 5 is a rotary pulling device, 6 is a heating element, and 7 is a doped silica glass body.

ガラス形成原料供給管11およびH2―O2ガス
供給管12に接続した合成トーチ1より、
SiCl4、GeCl4等のガラス形成原料及びH2・O2
不活性ガスで形成されるO2―H2火炎流2を吹き
出させ、前記ガラス形成原料を火炎加水分解し、
ガラス微粒子3とする。同時に、このガラス微粒
子3を同じ火炎流2により焼結し、多孔質ガラス
体4を形成せしめ、これを回転引上げ装置5によ
り回転させながら引上げ、発熱体6により、1500
〜1600℃に加熱溶融して透明なドープトシリカガ
ラス体7とするものである。
From the synthesis torch 1 connected to the glass forming raw material supply pipe 11 and the H2 - O2 gas supply pipe 12,
Glass forming raw materials such as SiCl 4 and GeCl 4 and H 2 O 2 ,
blowing out an O 2 -H 2 flame stream 2 formed of an inert gas to flame-hydrolyze the glass-forming raw material;
Let it be glass fine particles 3. At the same time, the glass particles 3 are sintered by the same flame stream 2 to form a porous glass body 4, which is pulled up while being rotated by a rotary pulling device 5, and is pulled up by a heating element 6 for 1500
A transparent doped silica glass body 7 is obtained by heating and melting at ~1600°C.

このような従来のドープトシリカガラスの製造
方法(スートプロセス)において、単位時間当り
のガラス形成原料供給量を増加し、ドープトシリ
カガラスの製造速度を向上せしめようとした場
合、火炎加水分解反応によるガラス微粒子の合成
効率が低下するという欠点があつた。また、ガラ
ス微粒子の合成、GeO2の添加および焼結とを同
時にかつ同一の熱源によつて行なうため、ガラス
形成原料供給量を増加すると、焼結が不十分とな
り、多孔質ガラス体を形成するのが困難になると
いう欠点があつた。本発明者らの検討によると、
上記のような制限によりスートプロセスによるド
ープトシリカガラスの製造方法では、単位時間当
りの製造量を毎時500g以上にすることは困難で
あり、また製造効率も80%が上限であつた。
In such a conventional manufacturing method (soot process) for doped silica glass, when trying to increase the supply amount of glass forming raw materials per unit time and improve the manufacturing speed of doped silica glass, flame hydrolysis reaction The disadvantage was that the synthesis efficiency of glass fine particles was lowered. In addition, since the synthesis of glass particles, addition of GeO 2 and sintering are performed simultaneously and using the same heat source, increasing the amount of glass forming raw materials supplied will result in insufficient sintering, resulting in the formation of a porous glass body. The disadvantage was that it was difficult to According to the inventors' study,
Due to the above-mentioned limitations, in the soot process method for producing doped silica glass, it is difficult to increase the production amount per unit time to 500 g or more per hour, and the production efficiency has also been limited to 80%.

また上記のガラス製造速度の向上におけるスー
トプロセスの欠点を回避するために、火炎温度を
高め、ガラス微粒子から直接透明なガラス体を製
造する方法(いわゆる直接ガラス化法)を採用し
た場合、GeO2が透明ガラス体中に添加できず、
ドープトシリカガラスが得られなかつた。
In addition, in order to avoid the drawbacks of the soot process in improving the glass production speed mentioned above, if a method is adopted in which the flame temperature is increased and a transparent glass body is directly produced from glass particles (the so-called direct vitrification method), GeO 2 cannot be added to the transparent glass body,
No doped silica glass was obtained.

本発明はこのような欠点を除去することを目的
とするものであり、詳しくは、良質のドープトシ
リカガラスを高速で、効率良く製造しえる方法を
提供することを目的とするものである。
The object of the present invention is to eliminate such drawbacks, and more specifically, it is an object of the present invention to provide a method that can efficiently produce high-quality doped silica glass at high speed.

したがつて、本発明によるドープトシリカガラ
スの製造方法は、水晶粉またはSiO2ガラス微粒
子粉を、500〜1000℃の温度において、SiCl4
H2Oと反応して、SiO2と固溶体を形成しうるドー
パントを生成可能なガラス状添加剤;及び水蒸
気;を含むドープトシリカガラス形成ガスに曝し
てSiO2―ドーパント固溶体を形成せしめた後、
透明ガラス化することを特徴とするものである。
Therefore, in the method for producing doped silica glass according to the present invention, quartz crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder is mixed with SiCl 4 at a temperature of 500 to 1000°C;
After exposure to a doped silica glass-forming gas containing a glassy additive capable of reacting with H 2 O to form a dopant capable of forming a solid solution with SiO 2 and water vapor to form a SiO 2 -dopant solid solution. ,
It is characterized by being made into transparent glass.

本発明によるドープトシリカガラスの製造方法
によれば、水晶粉、SiO2ガラス微粒子をSiCl4
ガス状添加剤、水蒸気(H2O)を含むドープトシ
リカガラス形成ガスに曝らし、ドーパントを添加
した後、高温溶融して透明なドープトシリカガラ
スを製造するものであり、ガラス粒子の生成、ド
ーパントの添加及び透明ガラス化を別々の工程
で、それぞれ適切な条件下で行ない、前述のよう
な種々の要因により製造速度が制限されないた
め、単位時間当りの製造速度を著しく向上できる
利点がある。またガラス形成原料として水晶粉を
用いることができるため、安価なドープトシリカ
ガラスを製造でき、更に、ドープトシリカガラス
中のドーパント濃度分布が均一となるため、たと
えばこのドープトシリカガラスを用いて光フアイ
バーを製造した場合、低損失のものが得られると
言う利点がある。
According to the method for producing doped silica glass according to the present invention, crystal powder and SiO 2 glass particles are mixed with SiCl 4 ,
Doped silica glass is exposed to a doped silica glass forming gas containing gaseous additives and water vapor (H 2 O), and after adding dopants, it is melted at high temperature to produce transparent doped silica glass, and the production of glass particles , dopant addition and transparent vitrification are performed in separate steps under appropriate conditions, and the production speed is not limited by the various factors mentioned above, which has the advantage of significantly increasing the production speed per unit time. . In addition, since crystal powder can be used as a raw material for forming glass, it is possible to manufacture inexpensive doped silica glass.Furthermore, since the dopant concentration distribution in doped silica glass is uniform, for example, using this doped silica glass, When optical fiber is manufactured, it has the advantage of having low loss.

本発明を更に詳しく説明する。 The present invention will be explained in more detail.

第3図は本発明によるドープトシリカガラスの
製造方法を説明するためのブロツク図であり、
A1は水晶粉またはSiO2ガラス微粒子粉、B1はド
ーパント含有の水晶粉またはSiO2ガラス微粒子
粉、C1はドープトシリカガラス体を示す。(a1)、
(b1)はそれぞれ工程処理を表わし、(a1)は500〜
1000℃の温度下でドープトシリカガラス形成原料
ガスに曝す工程、(b1)は透明ガラス化工程を示
す。
FIG. 3 is a block diagram for explaining the method for manufacturing doped silica glass according to the present invention.
A 1 is quartz powder or SiO 2 glass fine particle powder, B 1 is dopant-containing quartz powder or SiO 2 glass fine particle powder, and C 1 is doped silica glass body. ( a1 ),
(b 1 ) represents the process treatment, and (a 1 ) is 500~
The step of exposing to the doped silica glass forming raw material gas at a temperature of 1000° C. (b 1 ) shows the transparent vitrification step.

まず水晶粉またはSiO2ガラス微粒子粉A1のい
ずれか、あるいはその混合物を用意し、これに、
前述の(a1)処理を施す。
First, prepare either crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder A 1 , or a mixture thereof, and add
The above-mentioned (a 1 ) process is performed.

(a1)工程 ドープトシリカガラス形成ガスは上述のように
水晶粉またはSiO2ガラ微粒子粉A1表面に、第4
図に示すように、ドーパント―SiO2固溶体を形
成せしめるためのものである。即ち水晶粉や
SiO2ガラス微粒子粉を500〜1000℃の温度下で、
たとえばSiCl4、GeCl4、H2Oのガスに曝らした場
合、第4図に示すように、水晶粉やガラス微粒子
粉41の表面に、SiO2と固溶したGeO2を含む
SiO2―GeO2固溶体ガラス層42が形成される。
この結果、1500〜1700℃の高温溶融に際しても
GeO2は蒸発せず、ガラス体中に添加されて、
GeO2ドープトシリカガラスが得られる。
(a 1 ) Step Doped silica glass forming gas is applied to the surface of crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder A 1 as described above.
As shown in the figure, this is for forming a dopant-SiO 2 solid solution. In other words, crystal powder
SiO2 glass fine particle powder at a temperature of 500~1000℃,
For example, when exposed to gases such as SiCl 4 , GeCl 4 , and H 2 O, as shown in FIG.
A SiO 2 —GeO 2 solid solution glass layer 42 is formed.
As a result, even when melting at a high temperature of 1500 to 1700℃,
GeO 2 does not evaporate, but is added into the glass body,
GeO 2 doped silica glass is obtained.

上述のように、ドープトシリカガラス形成ガラ
スに曝す温度は500〜1000℃であるが、500℃未満
であると、水晶粉、およびSiO2ガラス微粒子粉
表面に、SiO2と固溶したGeO2等の酸化物は得ら
れず、結晶酸化物(たとえば結晶GeO2)が生成さ
れる。この結晶酸化物(たとえばGeO2)は高温、
溶融に際して蒸発しやすく、この場合にはドープ
トシリカガラスは得られない。また、曝らす温度
が1000℃を越えた場合、GeO2等のドーパントを
含むガラス層が形成されない。
As mentioned above, the temperature at which the doped silica glass-forming glass is exposed is 500 to 1000°C, but if it is less than 500°C, GeO 2 dissolved in solid solution with SiO 2 will be formed on the surface of the crystal powder and the SiO 2 glass fine particle powder. Such oxides are not obtained, but crystalline oxides (eg, crystalline GeO 2 ) are produced. This crystalline oxide (e.g. GeO 2 ) is exposed to high temperatures,
It tends to evaporate during melting, and doped silica glass cannot be obtained in this case. Furthermore, if the exposure temperature exceeds 1000° C., a glass layer containing a dopant such as GeO 2 will not be formed.

ドープトシリカガラス形成ガス中のガス状添加
剤はH2Oと反応してSiO2と固溶体を形成しえる酸
化物を生成可能なものであればいかなるものでも
よい。たとえばGeCl4、POCl3、PCl3、TiCl8
BBr3、BCl3等の一種以上を用いることができ
る。POCl3を単独で用いる場合、P2O5ドープトシ
リカガラスとなる。
The gaseous additive in the doped silica glass forming gas may be any gaseous additive capable of reacting with H 2 O to form an oxide that can form a solid solution with SiO 2 . For example, GeCl 4 , POCl 3 , PCl 3 , TiCl 8 ,
One or more types of BBr 3 , BCl 3 , etc. can be used. When POCl 3 is used alone, it becomes P 2 O 5 doped silica glass.

このように、表面反応を利用してドーパント
(たとえばGeO2)を固溶添加すると、水晶粉、お
よびガラス微粒子粉中のドーパント(たとえば
GeO2)濃度を均一にすることができる。
In this way, when a dopant (e.g. GeO 2 ) is added as a solid solution using a surface reaction, the dopant (e.g. GeO 2 ) in quartz crystal powder and glass fine particle powder is
GeO 2 ) concentration can be made uniform.

このドープトシリカガラス形成ガス中に、
SiCl4、H2O、及びガス状添加剤のほか脱水剤と
してCl2、SOCl2等を混在させることができる。
この場合、水晶粉またはSiO2ガラス微粒子粉末
A1中のOH基、H2O分子を除去しえる。
In this doped silica glass forming gas,
In addition to SiCl 4 , H 2 O, and gaseous additives, Cl 2 , SOCl 2 , etc. can be mixed as a dehydrating agent.
In this case, crystal powder or SiO2 glass fine particle powder
The OH group and H 2 O molecule in A 1 can be removed.

(b1)工程 このように形成されたドーパント含有水晶粉ま
たはSiO2微粒子粉B1を加熱溶融(たとえば、
1500〜1700℃に加熱)し、透明ガラス化する。こ
の透明ガラス化に際しては、水晶粉またはSiO2
微粒子粉B1より直接透明ガラス化してもよく、
また一度多孔質ガラス焼結体を形成させた後、溶
融脱泡して透明なドープトシリカガラスを製造す
ることもできる。即ち、透明ガラス化における形
態、条件等は本発明において限定されるものでは
ない。
(b 1 ) Step The dopant-containing crystal powder or SiO 2 fine particle powder B 1 formed in this way is heated and melted (for example,
(heated to 1500-1700℃) to make it transparent vitrified. For this transparent vitrification, crystal powder or SiO 2
Fine particle powder B 1 may be directly made into transparent glass.
Moreover, after a porous glass sintered body is once formed, it can be melted and degassed to produce transparent doped silica glass. That is, the form, conditions, etc. for transparent vitrification are not limited in the present invention.

加熱手段としては、O2―H2炎のほかプラズマ
炎、高温電気炉等が有効に使用しえるが、これに
限定されないのは明かである。
As a heating means, in addition to O 2 --H 2 flame, plasma flame, high-temperature electric furnace, etc. can be effectively used, but it is obvious that the heating means is not limited thereto.

次に実施例を説明する。 Next, an example will be described.

実施例 第5図はドーパント添加工程に用いる装置の概
略図であり、図中、51は回転容器、52は水晶
粉またはSiO2ガラス微粒子粉である。また第6
図はドーパント含有の水晶粉またはSiO2ガラ微
粒子粉の透明ガラス化する工程に用いる装置の一
例の概略図であり、図中、61は合成トーチ、6
2は火炎、63はドープトシリカガラス、64は
回転引下げ台である。
Embodiment FIG. 5 is a schematic diagram of an apparatus used in the dopant addition process, in which 51 is a rotating container and 52 is quartz powder or SiO 2 glass fine particle powder. Also the 6th
The figure is a schematic diagram of an example of an apparatus used in the process of transparently vitrifying dopant-containing crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder. In the figure, 61 is a synthesis torch;
2 is a flame, 63 is doped silica glass, and 64 is a rotary pull-down table.

まず回転容器51中に1000メツシユの水晶粉
(25μmφ)または1〜10μmのSiO2ガラス微粒
子粉を入れ、温度800℃において、SiCl410モル
%、GeCl410モル%、H2O50モル%、残部不活性
ガスのドープトシリカガラス形成ガスに約5分間
曝して、前記水晶粉ないしSiO2ガラス微粒子粉
にGeO2を添加した。
First, 1000 meshes of crystal powder (25 μmφ) or SiO 2 glass fine powder of 1 to 10 μm were placed in the rotating container 51, and at a temperature of 800° C., 10 mol% of SiCl 4 , 10 mol% of GeCl 4 , 50 mol% of H 2 O, GeO 2 was added to the quartz crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder by exposing it to a doped silica glass forming gas with the remainder being an inert gas for about 5 minutes.

この粉末を第6図のトーチ61より火炎62と
共に噴射して、1500〜1700℃の温度で高温溶融
し、回転引下げ台63上に透明なドープトシリカ
ガラスを得た。このドープトシリカガラスの含有
量は約10Wt%であつた。また、このGeO2含有量
は、第5図の工程で曝らす時間を変えることによ
つて、容易に調整できる。ドープトシリカガラス
の製造速度は毎時1000gであつた。
This powder was injected together with a flame 62 from a torch 61 in FIG. 6, and was melted at a high temperature of 1500 to 1700°C to obtain transparent doped silica glass on a rotary pull-down table 63. The content of this doped silica glass was about 10 Wt%. Moreover, this GeO 2 content can be easily adjusted by changing the exposure time in the process shown in FIG. The production rate of doped silica glass was 1000 g/hr.

この本発明によるドープトシリカガラスの製造
方法では、単位時間当りの製造量を制限する要因
はなく、第5図の装置を大型化して、大量に
GeO2添加の水晶粉またはSiO2ガラス微粒子を製
造し、第6図の装置によつて溶融すれば、毎時
1000〜5000gのドープトシリカガラスの製造が可
能である。
In the method for producing doped silica glass according to the present invention, there is no factor that limits the production amount per unit time, and the apparatus shown in FIG. 5 can be enlarged to produce large quantities.
If GeO 2 -added crystal powder or SiO 2 glass particles are manufactured and melted using the apparatus shown in Figure 6, the
It is possible to produce 1000-5000 g of doped silica glass.

また、第6図の装置では溶融にO2―H2炎を用
いているため、ドープトシリカガラス体63中に
は、多量のOH基(光フアイバの伝送損失増加の
要因となる)が含まれる。そこで本発明によつて
OH基含有量の少ないドープトシリカガラスを製
造するには、まず、GeO2添加工程において、
SiCl4、GeCl4、H2Oと共にCl2、SOCl2等の脱水剤
を供給して、水晶粉およびSiO2ガラス微粒子中
のOH基、H2O分子を除去し、次いで、プラズマ
炎や高温電気炉等で透明ガラス化すればよい。
In addition, since the apparatus shown in FIG. 6 uses an O 2 - H 2 flame for melting, the doped silica glass body 63 contains a large amount of OH groups (which causes an increase in optical fiber transmission loss). It can be done. Therefore, with the present invention,
To produce doped silica glass with low OH group content, first, in the GeO 2 addition step,
A dehydrating agent such as Cl 2 or SOCl 2 is supplied together with SiCl 4 , GeCl 4 , or H 2 O to remove OH groups and H 2 O molecules in the crystal powder and SiO 2 glass particles, and then plasma flame or high temperature It can be made into transparent glass using an electric furnace or the like.

また、本実施例で、GeO2添加後の水晶粉また
はSiO2ガラス微粒子粉から第6図のように直接
高温溶融して透明なドープトシリカガラス体を製
造せず、一度多孔質ガラス焼結体を形成した後、
溶融、脱泡して透明なドープトシリカガラス体を
製造することも可能である。
In addition, in this example, a transparent doped silica glass body was not manufactured by directly melting the crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder after adding GeO 2 at high temperature as shown in FIG. After forming the body,
It is also possible to produce a transparent doped silica glass body by melting and defoaming.

以上説明したように、本発明は、水晶粉、また
はSiO2ガラス微粒子粉をSiCl4、気状添加剤、
H2Oを含む雰囲気に曝らして、ドーパントを添加
した後、高温、溶融して透明なドープトシリカガ
ラスを製造するものであるから、単位時間当りの
製造速度を極めて向上できる利点があるほか、原
料として水晶粉を用いることができるため、安価
な光フアイバを製造できる利点がある。また、ド
ーパント(たとえばGeO2)の添加が均一に行なわ
れるため、最終的に得られるドープトシリカガラ
ス中のGeO2濃度の均一性が良く、低損失な光フ
アイバが作製できる利点がある。
As explained above, the present invention combines quartz crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder with SiCl 4 , gaseous additives,
Since transparent doped silica glass is manufactured by exposing it to an atmosphere containing H 2 O, adding dopants, and then melting it at a high temperature, it has the advantage of significantly increasing the manufacturing speed per unit time. Since crystal powder can be used as a raw material, there is an advantage that an inexpensive optical fiber can be manufactured. Further, since the dopant (eg, GeO 2 ) is added uniformly, the GeO 2 concentration in the doped silica glass finally obtained has good uniformity, and there is an advantage that an optical fiber with low loss can be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、スートプロセスによるGeO2ドープ
トシリカガラスの製造工程を示すブロツク図、第
2図は、VAD法に用いる装置の概略図、第3図
は、本発明によるドープトシリカガラスの製造工
程を示すブロツク図、第4図は、表面にSiO2
GeO2層が形成された水晶粉、またはSiO2ガラス
微粒子粉の断面図、第5図及び第6図は本発明の
方法を実施するための装置の一例の概略図であ
る。 1……合成トーチ、2……火炎流、3……ガラ
ス微粒子、4……多孔質ガラス体、5……回転引
上げ装置、6……発熱体、7……ドープトシリカ
ガラス体、51……回転容器、52……水晶粉ま
たはSiO2ガラス微粒子粉、61……合成トー
チ、62……火炎、63……ドープトシリカガラ
ス体、64……回転引下げ台。
Figure 1 is a block diagram showing the manufacturing process of GeO 2 doped silica glass by the soot process, Figure 2 is a schematic diagram of the equipment used in the VAD method, and Figure 3 is the manufacturing process of doped silica glass according to the present invention. Figure 4, a block diagram showing the process, shows SiO 2 -
5 and 6 are schematic diagrams of an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Synthesis torch, 2...Flame flow, 3...Glass particles, 4...Porous glass body, 5...Rotary pulling device, 6...Heating element, 7...Doped silica glass body, 51... ... Rotating container, 52 ... Crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder, 61 ... Synthetic torch, 62 ... Flame, 63 ... Doped silica glass body, 64 ... Rotating pull-down table.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 水晶粉またはSiO2ガラス微粒子粉を500〜
1000℃の温度において、SiCl4;H2Oと反応して
SiO2と固溶体を形成しうるドーパントを生成可
能なガス状添加剤;及び水蒸気;を含むドープト
シリカガラス形成ガスに曝して、SiO2―ドーパ
ント固溶体を形成せしめた後、透明ガラス化する
ことを特徴とするドープトシリカガラスの製造方
法。
1 Crystal powder or SiO 2 glass fine particle powder 500~
At a temperature of 1000℃, SiCl 4 ; reacts with H 2 O.
After forming a SiO 2 -dopant solid solution by exposing it to a doped silica glass forming gas containing a gaseous additive capable of producing a dopant capable of forming a solid solution with SiO 2 and water vapor, transparent vitrification is performed. Characteristic method for producing doped silica glass.
JP12655680A 1980-09-11 1980-09-11 Preparation of doped silica glas Granted JPS5751144A (en)

Priority Applications (8)

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