JPS625331B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS625331B2 JPS625331B2 JP13490280A JP13490280A JPS625331B2 JP S625331 B2 JPS625331 B2 JP S625331B2 JP 13490280 A JP13490280 A JP 13490280A JP 13490280 A JP13490280 A JP 13490280A JP S625331 B2 JPS625331 B2 JP S625331B2
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- JP
- Japan
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- solution
- space
- substrate
- epitaxial growth
- liquid phase
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 15
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシヤル成長装置に関する
ものである。
ものである。
スライド方式の液相エピタキシヤル成長装置は
半導体レーザや高輝度LEDの作製に欠かせない
ものであるが、従来は第１図に示すように、基板
１を支持する基板ホルダー３上にスライドボート
２がのつており、スライドボート２は成長用溶液
ａ，ｂ，……………を収納する溶液だめＡ，Ｂ…
…………及び、この溶液だめを分離する隔壁，
，，……………から構成されている。但し第
１図はボートの断面図であり、実際の溶液だめ
Ａ，Ｂ，……………の側面には側壁があり、した
がつて溶液ａ，ｂ，……………はスライド方向の
２方を隔壁，，，……………で、他の２方
の側面を側壁で囲まれていることになる。ところ
でこの種のボートでは、成長用基板１は基板ホル
ダー３の上に１枚しか置くことができず、使用後
の溶液を廃液だめ４に棄ててしまうようになつて
いるため、その溶液の使用効率が悪く、大量生産
に向いていない。
半導体レーザや高輝度LEDの作製に欠かせない
ものであるが、従来は第１図に示すように、基板
１を支持する基板ホルダー３上にスライドボート
２がのつており、スライドボート２は成長用溶液
ａ，ｂ，……………を収納する溶液だめＡ，Ｂ…
…………及び、この溶液だめを分離する隔壁，
，，……………から構成されている。但し第
１図はボートの断面図であり、実際の溶液だめ
Ａ，Ｂ，……………の側面には側壁があり、した
がつて溶液ａ，ｂ，……………はスライド方向の
２方を隔壁，，，……………で、他の２方
の側面を側壁で囲まれていることになる。ところ
でこの種のボートでは、成長用基板１は基板ホル
ダー３の上に１枚しか置くことができず、使用後
の溶液を廃液だめ４に棄ててしまうようになつて
いるため、その溶液の使用効率が悪く、大量生産
に向いていない。
本発明は、従来における上述のような欠点を除
くため１度の成長で少くとも３枚以上の基板の上
に液相エピ成長することができる新しいスライド
式液相エピタキシヤル成長装置を提供しようとす
るものである。以下に図面を用い本発明の実施例
を説明する。第２図ａ，ｂは本発明の一実施例で
あるエピタキシヤル成長装置を示す。このうち図
ａはスライドボートを、また図ｂは基板ホルダー
を各々示している。スライドボートは図ａに示す
ようにグラフアイトで構成された隔壁，，
，……………と同じくグラフアイトからなる溶
液だめＡ，Ｂ，……………からできている。この
スライドボートが従来のものと違う点は、隔壁
，，，……………の長さが溶液だめＡ，
Ｂ，……………とほぼ同じ長さであり、かつ溶液
だめＡ，Ｂ，……………の側壁が、スライド方向
に可動であることである。一方、基板ホルダーは
図ｂに示すように、廃液だめ４と、基板１を固定
する基板固定筒５から成つている。この基板固定
筒５の縦横の長さa2，b2は、溶液だめＡ，Ｂの縦
横の長さa1，b1とほぼ等しくしておき（a1a2、
b1b2）、かつ固定筒５の内部の縦横の長さa2′，
b2′は、スライドボートの隔壁，，，……
………の縦横の長さa1′，b1′より若干大きくして
おき、筒の内部の隔壁が滑れる程度にしておく。
即ちa2′＝a1′＋Δ１、b2′＝b1′＋Δ２でΔ１及びΔ
２は10μｍ程度の大きさとする。基板１は基板固
定筒５の下部だけでなくその側壁にも固定でき、
従つて少くとも３枚固定することができる。また
成長用溶液を溶液だめＡ，Ｂ，……………にそれ
ぞれ充分に充填しておけば、基板固定筒５の上部
にも基板を固定して液相成長させることも可能で
ある。以下にこの装置を用いて液相成長を行なわ
せる方法について述べる。
くため１度の成長で少くとも３枚以上の基板の上
に液相エピ成長することができる新しいスライド
式液相エピタキシヤル成長装置を提供しようとす
るものである。以下に図面を用い本発明の実施例
を説明する。第２図ａ，ｂは本発明の一実施例で
あるエピタキシヤル成長装置を示す。このうち図
ａはスライドボートを、また図ｂは基板ホルダー
を各々示している。スライドボートは図ａに示す
ようにグラフアイトで構成された隔壁，，
，……………と同じくグラフアイトからなる溶
液だめＡ，Ｂ，……………からできている。この
スライドボートが従来のものと違う点は、隔壁
，，，……………の長さが溶液だめＡ，
Ｂ，……………とほぼ同じ長さであり、かつ溶液
だめＡ，Ｂ，……………の側壁が、スライド方向
に可動であることである。一方、基板ホルダーは
図ｂに示すように、廃液だめ４と、基板１を固定
する基板固定筒５から成つている。この基板固定
筒５の縦横の長さa2，b2は、溶液だめＡ，Ｂの縦
横の長さa1，b1とほぼ等しくしておき（a1a2、
b1b2）、かつ固定筒５の内部の縦横の長さa2′，
b2′は、スライドボートの隔壁，，，……
………の縦横の長さa1′，b1′より若干大きくして
おき、筒の内部の隔壁が滑れる程度にしておく。
即ちa2′＝a1′＋Δ１、b2′＝b1′＋Δ２でΔ１及びΔ
２は10μｍ程度の大きさとする。基板１は基板固
定筒５の下部だけでなくその側壁にも固定でき、
従つて少くとも３枚固定することができる。また
成長用溶液を溶液だめＡ，Ｂ，……………にそれ
ぞれ充分に充填しておけば、基板固定筒５の上部
にも基板を固定して液相成長させることも可能で
ある。以下にこの装置を用いて液相成長を行なわ
せる方法について述べる。
第３図ａは基板ホルダー６の基板固定筒５中に
スライドボート７の隔壁を挿入してセツトした
状態すなわち成長開始前の状態を示す。この場
合、各溶液だめＡ，Ｂ，Ｃ中には液相成長に必要
な溶液，，がそれぞれ充填されている。こ
の状態で全体の温度を上げ、一定温度に保つた
後、スライドボート７を左方向にスライドさせて
第３図ｂに示すように、溶液が基板１の直上に
来るようにする。この際、溶液だめＡの側壁は基
板固定筒５の側壁により係止されて隔壁上を右
方へスライドし、溶液だけが固定筒５の中へ入
つていく。この状態で溶液が降温すると固定筒
５の２方の側壁及び下部に固定された基板１上に
エピタキシヤル成長がおこる。次に更にボート６
を左方へ移動すると、第３図Ｃに示すように、基
板１上には隔壁が位置して、溶液は隔壁に
押されて廃液だめ４中に捨てられる。この時溶液
は隔壁に押されて溶液だめＢからＡへ移る。
次に再びスライドボート７を左へ移すと今度は第
３図ｄに示すように基板１上に溶液が来て再度
図ｂに示したのと同じ状態になり液相成長が可能
となる。この時溶液は溶液だめＣからＢへ移つ
ている。このようにして順次、溶液を前の溶液だ
めに移動させることにより、連続液相エピ成長が
できる。
スライドボート７の隔壁を挿入してセツトした
状態すなわち成長開始前の状態を示す。この場
合、各溶液だめＡ，Ｂ，Ｃ中には液相成長に必要
な溶液，，がそれぞれ充填されている。こ
の状態で全体の温度を上げ、一定温度に保つた
後、スライドボート７を左方向にスライドさせて
第３図ｂに示すように、溶液が基板１の直上に
来るようにする。この際、溶液だめＡの側壁は基
板固定筒５の側壁により係止されて隔壁上を右
方へスライドし、溶液だけが固定筒５の中へ入
つていく。この状態で溶液が降温すると固定筒
５の２方の側壁及び下部に固定された基板１上に
エピタキシヤル成長がおこる。次に更にボート６
を左方へ移動すると、第３図Ｃに示すように、基
板１上には隔壁が位置して、溶液は隔壁に
押されて廃液だめ４中に捨てられる。この時溶液
は隔壁に押されて溶液だめＢからＡへ移る。
次に再びスライドボート７を左へ移すと今度は第
３図ｄに示すように基板１上に溶液が来て再度
図ｂに示したのと同じ状態になり液相成長が可能
となる。この時溶液は溶液だめＣからＢへ移つ
ている。このようにして順次、溶液を前の溶液だ
めに移動させることにより、連続液相エピ成長が
できる。
なお、以上の実施例では基板固定筒５の形を四
角形にしたが、この形を六角形とか八角形などの
多角形にし、スライドボートもそれに応じた形に
することにより、より多くの基板上への液相成長
を一度に実現することも可能である。
角形にしたが、この形を六角形とか八角形などの
多角形にし、スライドボートもそれに応じた形に
することにより、より多くの基板上への液相成長
を一度に実現することも可能である。
以上のように本発明によれば、複数の基板上に
同時に液相エピタキシヤル成長を行なわせること
が可能となり量産性を高めることが容易となる。
同時に液相エピタキシヤル成長を行なわせること
が可能となり量産性を高めることが容易となる。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長装置の
断面図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例である
液相エピタキシヤル成長装置の斜視図で、このう
ち同図ａは上記成長装置の一つの要部をなすスラ
イドボートを示し、また同図ｂは同成長装置の他
の要部をなす基板ホルダーを示す。第３図ａ，
ｂ，ｃ，ｄは上記成長装置を用いエピタキシヤル
成長を行なわせる時の状況を示す図である。 １……基板、２，７……スライドボート、３，
６……基板ホルダ、４……廃液だめ、５……基板
固定筒、Ａ，Ｂ，Ｃ……溶液だめ、，，，
……隔壁。
断面図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例である
液相エピタキシヤル成長装置の斜視図で、このう
ち同図ａは上記成長装置の一つの要部をなすスラ
イドボートを示し、また同図ｂは同成長装置の他
の要部をなす基板ホルダーを示す。第３図ａ，
ｂ，ｃ，ｄは上記成長装置を用いエピタキシヤル
成長を行なわせる時の状況を示す図である。 １……基板、２，７……スライドボート、３，
６……基板ホルダ、４……廃液だめ、５……基板
固定筒、Ａ，Ｂ，Ｃ……溶液だめ、，，，
……隔壁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液相エピタキシヤル成長を行なう基板が内壁
面上に保持される筒状体を有する基板ホルダー
と、溶液保持用の空間部を有するとともに上記筒
状体に摺動自在に挿通され、上記空間部が上記筒
状体内に位置したときには上記筒状体内への溶液
の保持を可能とするよう構成された摺動体と、上
記摺動体に摺動自在に嵌合し上記空間部のまわり
に位置したとき上記空間部への溶液の溜めを可能
とするよう構成された液溜め用枠状体とを有する
ことを特徴とする液相エピタキシヤル成長装置。 ２ 複数の空間部が空間部の長さとほぼ同一長さ
の距離を置いて摺動体の摺動方向に配列されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液相エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490280A JPS5759318A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Liquid phase epitaxial growth device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490280A JPS5759318A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Liquid phase epitaxial growth device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5759318A JPS5759318A (en) | 1982-04-09 |
| JPS625331B2 true JPS625331B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15139187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13490280A Granted JPS5759318A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Liquid phase epitaxial growth device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5759318A (ja) |
-
1980
- 1980-09-27 JP JP13490280A patent/JPS5759318A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5759318A (en) | 1982-04-09 |
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