JPS6252511A - 光半導体モジユ−ル - Google Patents
光半導体モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS6252511A JPS6252511A JP19276485A JP19276485A JPS6252511A JP S6252511 A JPS6252511 A JP S6252511A JP 19276485 A JP19276485 A JP 19276485A JP 19276485 A JP19276485 A JP 19276485A JP S6252511 A JPS6252511 A JP S6252511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical
- optical isolator
- isolator
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光アイソレータを内臓した光半導体モジュールであって
、光半導体モジュールに内臓した光アイソレータを、光
ファイバに近接配置された第３のレンズと、第２のレン
ズ間に配置変えして光半導体モビュールを小形化した。
、光半導体モジュールに内臓した光アイソレータを、光
ファイバに近接配置された第３のレンズと、第２のレン
ズ間に配置変えして光半導体モビュールを小形化した。
本発明は、光アイソレータを内臓した光半導体モジュー
ルに係り、とくに光アイソレータを含む光学系の配置変
えを行ない、小形を図った光半導体モジュールに関する
。
ルに係り、とくに光アイソレータを含む光学系の配置変
えを行ない、小形を図った光半導体モジュールに関する
。
近年、光ファイバは光通信装置、光学測定器等に多く活
用され、光ファイバを接続する光コネクタ等の光部品の
開発が盛んに行なわれているが、他方光ファイバと光半
導体素子とを結合した光半導体モジュールの開発も盛ん
である。ところで光アイソレータを内臓した光半導体モ
ジュールは、レーザ半導体チップに近接した第１のレン
ズと、焦点距離の長い第２のレンズ間に光アイソレータ
を配置した構成の光半導体モジュールは大形となるので
、小形の光半導体モジュールの開発が強く要望されてい
る。
用され、光ファイバを接続する光コネクタ等の光部品の
開発が盛んに行なわれているが、他方光ファイバと光半
導体素子とを結合した光半導体モジュールの開発も盛ん
である。ところで光アイソレータを内臓した光半導体モ
ジュールは、レーザ半導体チップに近接した第１のレン
ズと、焦点距離の長い第２のレンズ間に光アイソレータ
を配置した構成の光半導体モジュールは大形となるので
、小形の光半導体モジュールの開発が強く要望されてい
る。
第２図は、従来の光半導体モジュールを説明する側断面
図である。
図である。
図において、金属たとえばステンレス鋼等からなり、レ
ーザ半導体チップ１を収納する位置に第１のレンズ嵌入
孔８１を設けたフランジ状の筐体８に、レーザ半導体チ
ップ１を収納固着し、第１のレンズ嵌入孔８１に第１の
レンズ２を嵌入固着する。
ーザ半導体チップ１を収納する位置に第１のレンズ嵌入
孔８１を設けたフランジ状の筐体８に、レーザ半導体チ
ップ１を収納固着し、第１のレンズ嵌入孔８１に第１の
レンズ２を嵌入固着する。
そして金属たとえばステンレス鋼等からなり、光アイソ
レータ挿入孔９１を穿設した筺体９内に、磁石７内に収
容されたＹＩＧ （イントリュウム・アイアン・ガーネ
ット）３２の両側に設けた偏向プリズム３１．３２から
なる光アイソレータ３を収納し。
レータ挿入孔９１を穿設した筺体９内に、磁石７内に収
容されたＹＩＧ （イントリュウム・アイアン・ガーネ
ット）３２の両側に設けた偏向プリズム３１．３２から
なる光アイソレータ３を収納し。
さらに金属たとえばステンレス鋼等からなり、一端に第
２のレンズ嵌入孔１０１を設けたフランジ状の筺体１０
の、第２のレンズ嵌入孔１０１に焦点距離の比較的長い
第２のレンズ４を嵌着し、他の端部に、金属たとえばス
テンレス鋼等からなり、一端に第３のレンズ嵌入孔１１
１ と他端に光フアイバ貫通孔１１２を形成し、この光
ファイバ貫１通孔１１２に光ファイハロを挿入し、第３
のレンズ嵌入孔１１１に第３のレンズ５を嵌着したフェ
ルール１１を嵌入した筐体ＩＯに、光アイソレータ３を
収納した筺体９の開口部側を当接し、この筺体９の他の
端部に筐体８の第１のレンズ２を嵌着した側を当接した
状態で、光軸合わせを行なって一体的にレーザ溶接等で
接着する。
２のレンズ嵌入孔１０１を設けたフランジ状の筺体１０
の、第２のレンズ嵌入孔１０１に焦点距離の比較的長い
第２のレンズ４を嵌着し、他の端部に、金属たとえばス
テンレス鋼等からなり、一端に第３のレンズ嵌入孔１１
１ と他端に光フアイバ貫通孔１１２を形成し、この光
ファイバ貫１通孔１１２に光ファイハロを挿入し、第３
のレンズ嵌入孔１１１に第３のレンズ５を嵌着したフェ
ルール１１を嵌入した筐体ＩＯに、光アイソレータ３を
収納した筺体９の開口部側を当接し、この筺体９の他の
端部に筐体８の第１のレンズ２を嵌着した側を当接した
状態で、光軸合わせを行なって一体的にレーザ溶接等で
接着する。
このように構成された光半導体モジュールにおいて、レ
ーザ半導体チップ１から出射した順方向光１２（実線で
示す）は第１のレンズ２と光アイソレータ３を通過した
のち、第２のレンズ４および第３のレンズ５で集束され
て、光ファイバ６に入射する。ところが、レーザ半導体
チップ１から出射された順方向光１２（実線で示す）は
全部入射されず、一部が逆方向光１３（点線で示す）と
なって第３のレンズ５と第２のレンズ４および光アイソ
レータ３を通り、偏向プリズム３１で分散される。
ーザ半導体チップ１から出射した順方向光１２（実線で
示す）は第１のレンズ２と光アイソレータ３を通過した
のち、第２のレンズ４および第３のレンズ５で集束され
て、光ファイバ６に入射する。ところが、レーザ半導体
チップ１から出射された順方向光１２（実線で示す）は
全部入射されず、一部が逆方向光１３（点線で示す）と
なって第３のレンズ５と第２のレンズ４および光アイソ
レータ３を通り、偏向プリズム３１で分散される。
ところが、光アイソレータ３を第１のレンズ２と第２の
レンズ４の間に配置する構造では、第１のレンズ２と第
２のレンズ４との間にａなる間隔が必要であり、第２の
レンズ４と第３のレンズ５との間隔もｄが必要である。
レンズ４の間に配置する構造では、第１のレンズ２と第
２のレンズ４との間にａなる間隔が必要であり、第２の
レンズ４と第３のレンズ５との間隔もｄが必要である。
この状態でレーザ半導体チップ１からの出射光を効率よ
く光ファイバ６に入射せしめるには、第２のレンズ４に
焦点距離の長いレンズを使用しなければならないので、
無駄な空間を要し大形になる構造である。
く光ファイバ６に入射せしめるには、第２のレンズ４に
焦点距離の長いレンズを使用しなければならないので、
無駄な空間を要し大形になる構造である。
上記従来の光半導体モジュールにあっては、光アイソレ
ータ３を第１のレンズ２と第２のレンズ４の間に配置し
ているため、無駄な空間を要し大形になるので、装置の
小形化を妨げるという問題点があった。
ータ３を第１のレンズ２と第２のレンズ４の間に配置し
ているため、無駄な空間を要し大形になるので、装置の
小形化を妨げるという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決して小形化を実現した光
半導体モジュールを提供するものである。
半導体モジュールを提供するものである。
すなわち、レーザ半導体チップ１と、光ファイバ６とを
結合せしめる光学系を構成する３個のレンズと、光アイ
ソレータ３と、これらを固定支持する筐体８〜ＩＯおよ
び第２の【／ンズ保持部材１５とからなる光半導体モジ
ュールの、前記光アイソレータ３を光ファイバ６に近接
する第３のレンズ５と、第２のレンズ４との間に設置し
たことによって解決される。
結合せしめる光学系を構成する３個のレンズと、光アイ
ソレータ３と、これらを固定支持する筐体８〜ＩＯおよ
び第２の【／ンズ保持部材１５とからなる光半導体モジ
ュールの、前記光アイソレータ３を光ファイバ６に近接
する第３のレンズ５と、第２のレンズ４との間に設置し
たことによって解決される。
上記光半導体モジュールは、光アイソレータを光ファイ
バに近接する第３のレンズと、第２のレンズとの間に設
置したことによって、第１のレンズと第２のレンズの間
隔が小さくなり、光アイソレータと第３のレンズとの間
隔も小さくでき、小形化が可能である。
バに近接する第３のレンズと、第２のレンズとの間に設
置したことによって、第１のレンズと第２のレンズの間
隔が小さくなり、光アイソレータと第３のレンズとの間
隔も小さくでき、小形化が可能である。
第１図は、本発明の一実施例を説明する側断面図で、第
２図と同等の部分については同一符号を付している。
２図と同等の部分については同一符号を付している。
図において、金属たとえばステンレス鋼等からなり、レ
ーザ半導体チップｌを収納する位置に第１のレンズ嵌入
孔８１を設けたフランジ状の筺体８に、レーザ半導体チ
ップ１を収納固着し、第１のレンズ嵌入孔８１に第１の
レンズ２を嵌入固着する。
ーザ半導体チップｌを収納する位置に第１のレンズ嵌入
孔８１を設けたフランジ状の筺体８に、レーザ半導体チ
ップ１を収納固着し、第１のレンズ嵌入孔８１に第１の
レンズ２を嵌入固着する。
そして金属たとえばステンレス鋼等からなり、第２のレ
ンズ嵌入孔１５１を設けたフランジ状の第２のレンズ保
持部材１５の、第２のレンズ嵌入孔１５１に焦点距離の
比較的短い第２のレンズ４を嵌着する。そして金属たと
えばステンレス鋼等からなり、光アイソレータ挿入孔９
１を穿設した筺体９内に、磁石７内に収容されたＹＩＧ
（イントリュウム・アイアン・ガーネット）３２の両
側に設けた偏向プリズム３Ｌ ３２からなる光アイソレ
ータ３を収納し、さらに金属たとえばステンレス鋼等か
らなり、端部に、金属たとえばステンレス鋼等からなり
、一端に第３のレンズ嵌入孔１１１と他端に光フアイバ
貫通孔１１２を形成し、この光フアイバ貫通孔１１２に
光ファイハロを挿入し、第３のレンズ嵌入孔１１１に第
３のレンズ５を嵌着したフェルール１１を嵌入した筺体
１０に、光アイソレータ３を収納した筐体９の開口部側
を当接し、この筺体９の他の端部に第２のレンズ保持部
材１５を介して、筺体８の第１のレンズ２を嵌着した側
を当接した状態で、光軸合わせを行なって一体的にレー
ザ溶接等で接着する。
ンズ嵌入孔１５１を設けたフランジ状の第２のレンズ保
持部材１５の、第２のレンズ嵌入孔１５１に焦点距離の
比較的短い第２のレンズ４を嵌着する。そして金属たと
えばステンレス鋼等からなり、光アイソレータ挿入孔９
１を穿設した筺体９内に、磁石７内に収容されたＹＩＧ
（イントリュウム・アイアン・ガーネット）３２の両
側に設けた偏向プリズム３Ｌ ３２からなる光アイソレ
ータ３を収納し、さらに金属たとえばステンレス鋼等か
らなり、端部に、金属たとえばステンレス鋼等からなり
、一端に第３のレンズ嵌入孔１１１と他端に光フアイバ
貫通孔１１２を形成し、この光フアイバ貫通孔１１２に
光ファイハロを挿入し、第３のレンズ嵌入孔１１１に第
３のレンズ５を嵌着したフェルール１１を嵌入した筺体
１０に、光アイソレータ３を収納した筐体９の開口部側
を当接し、この筺体９の他の端部に第２のレンズ保持部
材１５を介して、筺体８の第１のレンズ２を嵌着した側
を当接した状態で、光軸合わせを行なって一体的にレー
ザ溶接等で接着する。
このように構成された光半導体モジュールにおいて、レ
ーザ半導体チップｌから出射した順方向光１２（実線で
示す）は第１のレンズ２と第２のレンズ４および光アイ
ソレータ３を通過したのち、第３のレンズ５で集束され
て、光ファイハロに入射する。ところが、レーザ半導体
チップ１から出射された順方向光１２（実線で示す）は
全部入射されず、一部が逆方向光１３（点線で示す）と
なって第３のレンズ５および光アイソレータ３を通り、
偏向プリズム３１で分散される。
ーザ半導体チップｌから出射した順方向光１２（実線で
示す）は第１のレンズ２と第２のレンズ４および光アイ
ソレータ３を通過したのち、第３のレンズ５で集束され
て、光ファイハロに入射する。ところが、レーザ半導体
チップ１から出射された順方向光１２（実線で示す）は
全部入射されず、一部が逆方向光１３（点線で示す）と
なって第３のレンズ５および光アイソレータ３を通り、
偏向プリズム３１で分散される。
しかしながら、従来の構造と異なって光アイソレータ３
を第２のレンズ４と第３のレンズ５の間に配置する構造
では、第１のレンズ２と第２のレンズ４との間がＣと小
さくでき、第２のレンズと第３のレンズの間隔がｄとな
る。そして第２のレンズ４を焦点距離の若干短いレンズ
を使うと、レーザ半導体チップ１から出射した順方向光
１２が光ファイハロに効率よく結合できる。
を第２のレンズ４と第３のレンズ５の間に配置する構造
では、第１のレンズ２と第２のレンズ４との間がＣと小
さくでき、第２のレンズと第３のレンズの間隔がｄとな
る。そして第２のレンズ４を焦点距離の若干短いレンズ
を使うと、レーザ半導体チップ１から出射した順方向光
１２が光ファイハロに効率よく結合できる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば光半導
体モジュールの小形化が実現でき、高密度実装が可能と
なり装置の小形化に極めて有効である。
体モジュールの小形化が実現でき、高密度実装が可能と
なり装置の小形化に極めて有効である。
第１図は、本発明の一実施例を説明する側断面図、
第２図は、従来の光半導体モジュールを説明する側断面
図である。
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ半導体チップ（１）と、光ファイバ（６）とを結
合せしめる光学系を構成する３個のレンズと、光アイソ
レータ（３）と、これらを固定支持する筐体（８）、（
９）、（１０）のおよび第２のレンズ保持部材（１５）
とからなる光半導体モジュールにおいて、 前記光アイソレータ（３）を光ファイバ（６）に近接す
る第３のレンズ（５）と、第２のレンズ（４）との間に
設置したことを特徴とする光半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192764A JPH0766095B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光半導体モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192764A JPH0766095B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光半導体モジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252511A true JPS6252511A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0766095B2 JPH0766095B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=16296652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192764A Expired - Lifetime JPH0766095B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光半導体モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766095B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5074682A (en) * | 1988-03-02 | 1991-12-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser module and positioning method thereof |
| JP2019191312A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | スタンレー電気株式会社 | レーザモジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192608U (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60192764A patent/JPH0766095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192608U (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5074682A (en) * | 1988-03-02 | 1991-12-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser module and positioning method thereof |
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2019191312A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | スタンレー電気株式会社 | レーザモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766095B2 (ja) | 1995-07-19 |
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