JPS6250811A - 電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置 - Google Patents

電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置

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JPS6250811A
JPS6250811A JP61195136A JP19513686A JPS6250811A JP S6250811 A JPS6250811 A JP S6250811A JP 61195136 A JP61195136 A JP 61195136A JP 19513686 A JP19513686 A JP 19513686A JP S6250811 A JPS6250811 A JP S6250811A
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prism
angle
brewster
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shaping
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 α)産業上の分野 この発明は光学の分野と、電磁放射線のビーム、例えば
レーザダイオードによって発生された光ビームをアナモ
フィックに整形し且つ偏向させるための方法に関係して
いる。更に詳しくは、この発明はビームを正確に90”
偏向させると共にそれの強度分布特性をアナモフィック
に変更するための方法及び装置に関係している。
b)従来の技術 ダイオードレーザの出現は長円断面のレーザビームを処
理する必要性を著しく拡大した。このようなレーザは、
非常に非対称的な活用領域を持っているので、1:2〜
1:4の範囲のビーム発散比を呈することがある。ビー
ムは集光レンズによってコリメートされるときその長円
性を保持する。
そして、ビームの長円性は、ビームが円形対物レンズに
より集束させられ得ろ効率に影響を及ぼす(通常効率を
減小させろ)0 従来、リットロー(Littrow)形プリズム(すな
わち、三面直角プリズム)を用いて長円ビームをアナモ
フィックに拡大してこれを更に円形にすることは普通に
行われてきた。ダイオードレーザの出力はTE状態にお
いて特に偏光しており、従ってフリメートされたビーム
はその短軸に平行に偏光している。第1図に示したよう
に、鋭角の一つがブルースター角で切断されているりブ
トロー形プリズムの斜辺面にブルースター角θ1でビー
ムが入射した場合、ビームは、nをプリズムの屈折率と
して、短軸の方向に係数nだけアナモフィックに拡大さ
れる。こ、れは、ダイオードレーザビームの長円率を減
小させるための良い方策ではあるが、ビームが不都合な
角度α(但し、α=2θIt −90°)だけ偏向させ
られるという見地からは不利である。普通のガラス製プ
リズムに対してはαは約23°である。多くの装置にと
っては、拡大されたビームが、入射ビームと同一線上に
ない場合これと平行であるか、又は拡大中にある好都合
な角度、例れば90°だけ偏向させられることが望まし
いO C)目的 前述の事柄を考慮して、この発明の目的は、電磁放射線
のビームをアナモフィックに整形する(すなわち、拡大
又は縮小する)と同時にこれを正確に90°の角度だけ
偏向させるための方法及び装置を提供することである。
d)構成 従来技術のものと同様に、この発明は、θBヲ・はぼブ
ルースター角とした場合、90°、θ詐及び(90°−
θB)の内角を持ったりブトロー形プリズムを利用して
いる。しかしながら、従来のものとは異なり、このよう
なプリズムは光ビームの光路において、ビームがブルー
スター角の(又はこれに近い)θ3角に対向したプリズ
ム面と交わり、(90°−03)角に対向したプリズム
面によって反射され、且つ90°(又はほぼ90°)で
プリズムの斜辺面と交わるように配置される。ビーム路
に対し℃プリズムをこのように配置することによって、
ビームはビームの方向に依存してアナモフィックに拡大
又は縮小され、且つ正確に90°だけ偏向させられる。
今度は図面について述べると、第2図はこの発明の基本
的発明概念を図解している。図示したように、鋭角θ3
及びαを持、つた(断面で示された)直角プリズムPは
光ビームBの光路に配置されている。プリズムPは通常
設計のものであって、屈折率n1及びブルースターの法
則、すなわちθ3= tan−1nによって定義されろ
角θ3に対する値を持っている。約1.5の屈折率を持
ったガラス製プリズムは約57°のブルースター角を生
じさせる。
前に述べたように、こ、の形式のプリズムはアナモフィ
ックなビーム整形に使用されており、多数の参考文献、
例えば米国特許第4410237号に開示されている。
しかしながら、現在までのところ、そのようなプリズム
は第1図に関して上に説明した方法で使用されてきた。
この発明によれば、プリズムPはビームBの光路におい
てビームがプリズムの底面10、すなわちプリズムのブ
ルースター角に対向したプリズム面にブルースター角θ
3で入射するように配置される。ビームBがダイオード
レーザの出力である場合のように平面偏光しており且つ
その偏光面が入射面に平行であると仮友すれば、ビーム
はほとんど無の又は皆無の光損失でプリズム/空気境界
面で屈折する。屈折したビームB′はプリズムの短い面
12、すなわち小さい方の鋭角αに対向したプリズム面
から全反射されて、反射ビームB″ がプリズムの斜辺
面14に直角にプリズムから出て来る。意外にも、ビー
ムBは入射ビームBに正確に垂直であることが判明した
0人カビームと出力ビームとの間のこの90”の関係は
多くの光学装置の設計に有効である。
第3図を参照すれば察知されることであろうが、第2図
に示されたプリズム全体がビームのアナモフィックな拡
大又は縮小に使用されているわけではない。小さい方の
直角プリズム16を切り取って四面プリズムP′を残せ
ば、プリズムPの残りの部分は前と同様のアナモフィッ
クなビーム整形/偏向を行う。プリズム底面の長さが切
断前にLであると仮定すれば、残りの部分の長さは−i
n’tプリズムの屈折率として、L/n2より長いこと
を必要としない。ビームは一つの平面においてn(プリ
ズムの屈折率)の係数だけ拡大されて図示されているが
、ビームをプリズム中へ反対方向に導くことによってビ
ーム?’/n  の係数だけアナモフィックに縮小する
ことができることは明らかであろO 前述の直角プリズムを他のプリズムと組み合わせて更に
複雑な操作を非常に簡潔に行うことができる。第4図は
二等辺直角プリズム(45°の鋭角を持っている)をプ
リズムPの斜辺面に光学的に結合して(例えば、接着貝
で)方向的な偏向のないアナモフィックなビーム拡大を
生じさせることのできろ方法を図解している。すなわち
、ビームB は到来ビームBに平行である。第5図に示
したように、二色性又は偏光ビームスプリッタキエ−7
”をプリズムPの斜辺に光学的に結合すれば、二つの平
行なビームA及びBi組み合わせると共にビームの一つ
Bをアナモフィックに拡大することができろ。第6図は
二つの直角プリズム金結合して直交ビームB及びCを組
み合わせると共にこれらのビームの一つ(ビームB)’
t−アナモフィックに拡大することを可能にする方法を
示しているqこの場合には、プリズムP、の側面がプリ
ズムP2の斜面に接着され℃いてそれらの間には適当な
干渉コーティングが施されている。もちろん、第5図及
び第6図に開示されたビーム組合せ技術のいずれかを用
いて逆反射ビームを入射ビームから分離すると同時に入
射ビームを拡大することもできろ0 上に述べたように、プリズム底面10に対向した角は光
損失を最小にするためにブルースター乃に切断されるこ
とが望ましい。プリズムが301゜60゛及び90゛の
角を持った標準リットロー形プリズムである場合には、
この発明を用いてアナモフィックなビーム拡大及び90
”の偏向を達成することがなお可能である。第7図に示
したように、このようなプリズム金量いる際には、入射
角θは(n=1.5に対して)90°の偏向を達成する
ために約55°でなければならない0この場合には、少
量のビームがプリズム底面によつ℃反射されて光学的損
失が生じることになろoしかしながら、ビームの拡大(
又は縮小)の量は第2図に示されたプリズムとほとんど
同じであろ0 第8図においては、この発明は感光性記録素子R1例え
ば光ディスク、上に情報を記録するための装置において
実施されたものとして示されている。−示のように、リ
ットロー形プリズム(又はその一部分)を用いてくダイ
オードレーザの出力ビームBt−、レンズ20により記
録素子上へ集束させる前に、正確に90°だけ偏向させ
ている。ビームBの強度は通常の方法で記録されるべき
情報により変調される。ビームBが長軸及び短軸のある
長円断面金持っていると仮定すれば、ビームの短軸が入
射平面、すなわち入射ビーム及び反射ビームが存在する
平面内にあるようにプリズムを配置することによってビ
ームをアナモフィックに拡太してビームの断面を更に円
形にすることかテキるO e)効果 前述の事柄から明らかなことであるが、この発明の有利
な技術的効果はビームを正確に90°だけ偏向させると
同時にそれを整形して所望の輪郭形状に一層厳密に近似
させるよ′うにすることである。
明らかに、二つ以上のプリズムを縦に配列して拡大係数
(n)t−乗算し、これにより所望の輪郭形状になお一
層厳密に近似させるようにすることかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術によって実施されたようなアナモフィ
ックなビーム拡大及び偏向方式を図解している。 第2図はこの発明のアナモフィックなビーム拡大及び偏
向概念を図解している。 第3図はこの発明の方法を実施するのに有効なプリズム
の一部分を示している。 第4図から第6図までは放射線のビームを偏向向させ且
つ組み合わせろためにこの発明の概念全具体化した種々
の光学系を示している。 第7図はこの発明の変形を図解している。 第8図はこの発明を具体化した記録装置を図解している
。 符号説明 P ・・・・ プリズム θ1・・・・ブルースター角 (外5名) FIG 1 FIG !

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)θ_Bをブルースターの角として、約90°、θ
    _B及び(90°−θ_B)の内角を持つたプリズムを
    電磁放射線のビームの光路に配置する段階を備えている
    、前記の電磁放射線のビームをアナモフィックに整形し
    且つ偏向させるための方法において、ビームが(a)θ
    _B角に対向したプリズム面にほぼブルースター角で交
    わり、(b)(90°−θ_B)角に対向したプリズム
    面から反射し、且つ(c)90°角に対向したプリズム
    面に交わるようにビームの光路に前記のプリズムを配置
    して、これによりプリズムに入るビームがプリズムを出
    るビームとは90°だけ角度的に変位させられるように
    する段階を含んでいる前記の方法。
  2. (2)放射線のビームをアナモフィックに整形し且つ偏
    向させるための装置であって、屈折率nの四面プリズム
    を備えており、このプリズムが(a)θ_Bをブルース
    ター角として、90°、90°、θ_B及び(180°
    −θ_B)の内角を持ち、(b)収束線に沿って(90
    °−θ_B)の角度で収束する二つの対向した面を持ち
    、且つ(c)Lを前記の収束線と後記の平行な面の遠方
    のものとの間の最短距離として、L/n^2の距離だけ
    隔置されている二つの平行な面を持つている、前記の装
    置。
  3. (3)電磁放射線のビームをアナモフィックに整形し且
    つ偏向させるための光学系であって、(i)θ_Bをブ
    ルースターの角として、約90°、θ_B及び(90°
    −θ_B)の内角を持つたプリズム、(ii)入力ビー
    ムを前記のプリズムに導くための装置、並びに(iii
    )利用のために前記のプリズムからの出力ビームを受け
    て導くための装置を備えている光学系において、ビーム
    が(α)θ_B角に対向したプリズム面にほぼブルース
    ター角で交わり、(b)(90°−θ_B)角に対向し
    たプリズム面から反射し、且つ(c)90°角に対向し
    たプリズム面に交わるように、ビームの光路に前記のプ
    リズムが配置されていて、これによりプリズムに入るビ
    ームがプリズムを出るビームとは90°だけ角度的に変
    位させられる、前記の光学系。
JP61195136A 1985-08-26 1986-08-20 電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置 Pending JPS6250811A (ja)

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Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6267514A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd ホトマスク
WO1989008278A1 (en) * 1988-02-26 1989-09-08 Fujitsu Limited Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same
US5294506A (en) * 1991-03-28 1994-03-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask
US5329336A (en) * 1992-07-06 1994-07-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5333035A (en) * 1992-05-15 1994-07-26 Nikon Corporation Exposing method
US5378585A (en) * 1990-06-25 1995-01-03 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
US5411823A (en) * 1992-12-18 1995-05-02 Hitachi, Ltd. Exposure method, phase shift mask used in the same, and process of fabricating semiconductor integrated circuit device using the same
US5415951A (en) * 1992-04-27 1995-05-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5424552A (en) * 1991-07-09 1995-06-13 Nikon Corporation Projection exposing apparatus
US5427876A (en) * 1992-04-28 1995-06-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask
US5467166A (en) * 1993-08-13 1995-11-14 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US5472811A (en) * 1993-01-21 1995-12-05 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5499137A (en) * 1991-09-06 1996-03-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus therefor
US5499076A (en) * 1992-05-21 1996-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
US5508132A (en) * 1991-04-15 1996-04-16 Nikon Corporation Photo mask
US5541026A (en) * 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
US5546225A (en) * 1991-08-22 1996-08-13 Nikon Corporation High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system
US5578402A (en) * 1990-06-21 1996-11-26 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5578421A (en) * 1992-12-07 1996-11-26 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US5605775A (en) * 1990-06-21 1997-02-25 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5621500A (en) * 1995-05-25 1997-04-15 Nikon Corporation Method and apparatus for projection exposure
US5621497A (en) * 1994-04-06 1997-04-15 Hitachi, Ltd. Pattern forming method and projection exposure tool therefor
US5631110A (en) * 1994-07-05 1997-05-20 Nec Corporation Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer
US5677757A (en) * 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5840445A (en) * 1991-04-26 1998-11-24 Sony Corporation Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask
US5866280A (en) * 1995-09-18 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask and manufacturing method thereof
US5879838A (en) * 1996-06-21 1999-03-09 Hyundai Electronics Industries Co. Contact mask having guard ring patterns for manufacturing a semiconductor device
US5888677A (en) * 1996-12-20 1999-03-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device
US6100961A (en) * 1991-09-11 2000-08-08 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6211944B1 (en) 1990-08-21 2001-04-03 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US6221540B1 (en) 1991-10-30 2001-04-24 Nikon Corporation Photomask and projection exposure apparatus
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6322957B1 (en) 1998-03-26 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Light exposure method
JP2002156738A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Nec Corp パターン形成方法
KR20020064681A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 위상시프팅 마스크 및 이 마스크를 이용하여 패턴을형성하는 방법
US6544721B1 (en) 1998-06-16 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
US6710855B2 (en) 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6812155B2 (en) 2002-01-17 2004-11-02 Nec Electronics Corporation Pattern formation method
US7678510B2 (en) 2004-09-14 2010-03-16 Fujitsu Microelectronics Limited Mask for exposure and method of manufacturing the same
KR20110008064A (ko) 2008-03-31 2011-01-25 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법
KR20110013458A (ko) 2008-05-09 2011-02-09 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3787282T2 (de) * 1987-10-05 1994-03-31 Philips Nv Optischer Aufbau mit einer phasenstarr gekoppelten Laserdiodenzeile.
US4929067A (en) * 1989-01-03 1990-05-29 Verbatim Corporation Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams
US5013136A (en) * 1989-01-03 1991-05-07 Eastman Kodak Company Method and apparatus for anamorphically shaping and achromatically deflecting electromagnetic beams
JPH02311816A (ja) * 1989-05-27 1990-12-27 Sharp Corp ビーム変換装置
US5159491A (en) * 1990-02-20 1992-10-27 Eastman Kodak Company Combination collimating lens and correcting prism
ES2142803T3 (es) * 1990-08-01 2000-05-01 Diomed Ltd Fuente luminosa de alta potencia.
KR0152858B1 (ko) * 1995-02-09 1998-12-15 구자홍 광폭조절장치
TW301719B (en) * 1996-09-20 1997-04-01 Ind Tech Res Inst The beam shaper device
JP4117856B2 (ja) * 1997-12-12 2008-07-16 株式会社小松製作所 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム
US6693745B1 (en) 1999-09-14 2004-02-17 Corning Incorporated Athermal and high throughput gratings
JP2001264696A (ja) 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP2003347627A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Gigaphoton Inc 紫外線レーザ装置
US6980358B2 (en) * 2003-09-29 2005-12-27 Coherent, Inc. Turning prism for ultraviolet radiation
KR20050074046A (ko) * 2004-01-13 2005-07-18 삼성전자주식회사 빔정형 프리즘 및 이를 채용한 광픽업
FR2910979B1 (fr) * 2006-12-28 2009-04-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif de prelevement d'une pluralite de parties d'un faisceau lumineux
JP5621861B2 (ja) * 2013-02-21 2014-11-12 住友大阪セメント株式会社 光デバイス

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58132716A (ja) * 1982-02-02 1983-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ビ−ム径変換装置
JPS59195347A (ja) * 1983-04-20 1984-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ヘツド

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3195404A (en) * 1960-10-20 1965-07-20 Optische Ind De Oude Delft Nv Anamorphosing optical system
US2810323A (en) * 1953-10-28 1957-10-22 Taylor Taylor & Hobson Ltd Anamorphotic optical systems
US3891308A (en) * 1974-08-05 1975-06-24 Liconix Acoustooptic modulator
US4081760A (en) * 1976-06-03 1978-03-28 Coherent, Inc. Etalon laser mode selector
US4063106A (en) * 1977-04-25 1977-12-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical fiber Raman oscillator
US4410237A (en) * 1980-09-26 1983-10-18 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for shaping electromagnetic beams
US4580879A (en) * 1983-09-06 1986-04-08 Storage Technology Partners Ii In-line optical anamorphic beam expander/contractor
US4623225A (en) * 1984-06-29 1986-11-18 Melles Griot, Irvine Company Anamorphic prism for beam shaping

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58132716A (ja) * 1982-02-02 1983-08-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ビ−ム径変換装置
JPS59195347A (ja) * 1983-04-20 1984-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ヘツド

Cited By (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690506B2 (ja) * 1985-09-20 1994-11-14 株式会社日立製作所 ホトマスク
JPS6267514A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd ホトマスク
WO1989008278A1 (en) * 1988-02-26 1989-09-08 Fujitsu Limited Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same
US5076675A (en) * 1988-02-26 1991-12-31 Fujitsu Limited Polarizing separating device and optical isolator employing the same
US5578402A (en) * 1990-06-21 1996-11-26 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5605775A (en) * 1990-06-21 1997-02-25 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5629113A (en) * 1990-06-21 1997-05-13 Matsushita Electronics Corporation Photomask used by photolithography and a process of producing same
US5554465A (en) * 1990-06-25 1996-09-10 Matsushita Electronics Corporation Process for forming a pattern using a resist composition having a siloxane-bond structure
US5547808A (en) * 1990-06-25 1996-08-20 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
US5378585A (en) * 1990-06-25 1995-01-03 Matsushita Electronics Corporation Resist composition having a siloxane-bond structure
US6211944B1 (en) 1990-08-21 2001-04-03 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US7656504B1 (en) 1990-08-21 2010-02-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with luminous flux distribution
US6252647B1 (en) 1990-11-15 2001-06-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6710855B2 (en) 1990-11-15 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US5294506A (en) * 1991-03-28 1994-03-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Photomask
US5508132A (en) * 1991-04-15 1996-04-16 Nikon Corporation Photo mask
US5840445A (en) * 1991-04-26 1998-11-24 Sony Corporation Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask
US5541026A (en) * 1991-06-13 1996-07-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and photo mask
US5424552A (en) * 1991-07-09 1995-06-13 Nikon Corporation Projection exposing apparatus
US5546225A (en) * 1991-08-22 1996-08-13 Nikon Corporation High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system
US6094305A (en) * 1991-09-06 2000-07-25 Nikon Corporation Exposure method and apparatus therefor
US5499137A (en) * 1991-09-06 1996-03-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus therefor
US6392740B1 (en) 1991-09-11 2002-05-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6100961A (en) * 1991-09-11 2000-08-08 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
US6864959B2 (en) 1991-09-11 2005-03-08 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6710854B2 (en) 1991-09-11 2004-03-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6377336B1 (en) 1991-09-11 2002-04-23 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6221540B1 (en) 1991-10-30 2001-04-24 Nikon Corporation Photomask and projection exposure apparatus
US5415951A (en) * 1992-04-27 1995-05-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge
US5427876A (en) * 1992-04-28 1995-06-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a photomask
US5333035A (en) * 1992-05-15 1994-07-26 Nikon Corporation Exposing method
US5499076A (en) * 1992-05-21 1996-03-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
US5691115A (en) * 1992-06-10 1997-11-25 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US6020109A (en) * 1992-06-10 2000-02-01 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5932395A (en) * 1992-06-10 1999-08-03 Hitachi, Ltd. Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices
US5329336A (en) * 1992-07-06 1994-07-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5851703A (en) * 1992-12-07 1998-12-22 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US5656400A (en) * 1992-12-07 1997-08-12 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US5578421A (en) * 1992-12-07 1996-11-26 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US7115344B2 (en) 1992-12-07 2006-10-03 Renesas Technology Corp. Photomask and pattern forming method employing the same
US6013398A (en) * 1992-12-07 2000-01-11 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US6733953B2 (en) 1992-12-07 2004-05-11 Renesas Technology Corp. Photomask and pattern forming method employing the same
US6087074A (en) * 1992-12-07 2000-07-11 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US6258513B1 (en) 1992-12-07 2001-07-10 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US6383718B2 (en) 1992-12-07 2002-05-07 Hitachi, Ltd. Photomask and pattern forming method employing the same
US5411823A (en) * 1992-12-18 1995-05-02 Hitachi, Ltd. Exposure method, phase shift mask used in the same, and process of fabricating semiconductor integrated circuit device using the same
US5472811A (en) * 1993-01-21 1995-12-05 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
US5739898A (en) * 1993-02-03 1998-04-14 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5467166A (en) * 1993-08-13 1995-11-14 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
US5677757A (en) * 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5621497A (en) * 1994-04-06 1997-04-15 Hitachi, Ltd. Pattern forming method and projection exposure tool therefor
US5631110A (en) * 1994-07-05 1997-05-20 Nec Corporation Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer
US5621500A (en) * 1995-05-25 1997-04-15 Nikon Corporation Method and apparatus for projection exposure
US5866280A (en) * 1995-09-18 1999-02-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask and manufacturing method thereof
US5879838A (en) * 1996-06-21 1999-03-09 Hyundai Electronics Industries Co. Contact mask having guard ring patterns for manufacturing a semiconductor device
US5888677A (en) * 1996-12-20 1999-03-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device
US6322957B1 (en) 1998-03-26 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Light exposure method
US6544721B1 (en) 1998-06-16 2003-04-08 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
JP2002156738A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Nec Corp パターン形成方法
US6800402B2 (en) 2001-02-02 2004-10-05 Nec Electronics Corporation Phase-shifting mask and method of forming pattern using the same
KR20020064681A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 위상시프팅 마스크 및 이 마스크를 이용하여 패턴을형성하는 방법
US7419767B2 (en) 2001-02-02 2008-09-02 Nec Electronics Corporation Phase-shifting mask and method of forming pattern using the same
US6812155B2 (en) 2002-01-17 2004-11-02 Nec Electronics Corporation Pattern formation method
US7678510B2 (en) 2004-09-14 2010-03-16 Fujitsu Microelectronics Limited Mask for exposure and method of manufacturing the same
KR20110008064A (ko) 2008-03-31 2011-01-25 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법
US8367279B2 (en) 2008-03-31 2013-02-05 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing the same
KR20110013458A (ko) 2008-05-09 2011-02-09 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
KR20160134864A (ko) 2008-05-09 2016-11-23 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US4759616A (en) 1988-07-26

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