JPS6250811A - 電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置 - Google Patents
電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置Info
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- JPS6250811A JPS6250811A JP61195136A JP19513686A JPS6250811A JP S6250811 A JPS6250811 A JP S6250811A JP 61195136 A JP61195136 A JP 61195136A JP 19513686 A JP19513686 A JP 19513686A JP S6250811 A JPS6250811 A JP S6250811A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
α)産業上の分野
この発明は光学の分野と、電磁放射線のビーム、例えば
レーザダイオードによって発生された光ビームをアナモ
フィックに整形し且つ偏向させるための方法に関係して
いる。更に詳しくは、この発明はビームを正確に90”
偏向させると共にそれの強度分布特性をアナモフィック
に変更するための方法及び装置に関係している。
レーザダイオードによって発生された光ビームをアナモ
フィックに整形し且つ偏向させるための方法に関係して
いる。更に詳しくは、この発明はビームを正確に90”
偏向させると共にそれの強度分布特性をアナモフィック
に変更するための方法及び装置に関係している。
b)従来の技術
ダイオードレーザの出現は長円断面のレーザビームを処
理する必要性を著しく拡大した。このようなレーザは、
非常に非対称的な活用領域を持っているので、1:2〜
1:4の範囲のビーム発散比を呈することがある。ビー
ムは集光レンズによってコリメートされるときその長円
性を保持する。
理する必要性を著しく拡大した。このようなレーザは、
非常に非対称的な活用領域を持っているので、1:2〜
1:4の範囲のビーム発散比を呈することがある。ビー
ムは集光レンズによってコリメートされるときその長円
性を保持する。
そして、ビームの長円性は、ビームが円形対物レンズに
より集束させられ得ろ効率に影響を及ぼす(通常効率を
減小させろ)0 従来、リットロー(Littrow)形プリズム(すな
わち、三面直角プリズム)を用いて長円ビームをアナモ
フィックに拡大してこれを更に円形にすることは普通に
行われてきた。ダイオードレーザの出力はTE状態にお
いて特に偏光しており、従ってフリメートされたビーム
はその短軸に平行に偏光している。第1図に示したよう
に、鋭角の一つがブルースター角で切断されているりブ
トロー形プリズムの斜辺面にブルースター角θ1でビー
ムが入射した場合、ビームは、nをプリズムの屈折率と
して、短軸の方向に係数nだけアナモフィックに拡大さ
れる。こ、れは、ダイオードレーザビームの長円率を減
小させるための良い方策ではあるが、ビームが不都合な
角度α(但し、α=2θIt −90°)だけ偏向させ
られるという見地からは不利である。普通のガラス製プ
リズムに対してはαは約23°である。多くの装置にと
っては、拡大されたビームが、入射ビームと同一線上に
ない場合これと平行であるか、又は拡大中にある好都合
な角度、例れば90°だけ偏向させられることが望まし
いO C)目的 前述の事柄を考慮して、この発明の目的は、電磁放射線
のビームをアナモフィックに整形する(すなわち、拡大
又は縮小する)と同時にこれを正確に90°の角度だけ
偏向させるための方法及び装置を提供することである。
より集束させられ得ろ効率に影響を及ぼす(通常効率を
減小させろ)0 従来、リットロー(Littrow)形プリズム(すな
わち、三面直角プリズム)を用いて長円ビームをアナモ
フィックに拡大してこれを更に円形にすることは普通に
行われてきた。ダイオードレーザの出力はTE状態にお
いて特に偏光しており、従ってフリメートされたビーム
はその短軸に平行に偏光している。第1図に示したよう
に、鋭角の一つがブルースター角で切断されているりブ
トロー形プリズムの斜辺面にブルースター角θ1でビー
ムが入射した場合、ビームは、nをプリズムの屈折率と
して、短軸の方向に係数nだけアナモフィックに拡大さ
れる。こ、れは、ダイオードレーザビームの長円率を減
小させるための良い方策ではあるが、ビームが不都合な
角度α(但し、α=2θIt −90°)だけ偏向させ
られるという見地からは不利である。普通のガラス製プ
リズムに対してはαは約23°である。多くの装置にと
っては、拡大されたビームが、入射ビームと同一線上に
ない場合これと平行であるか、又は拡大中にある好都合
な角度、例れば90°だけ偏向させられることが望まし
いO C)目的 前述の事柄を考慮して、この発明の目的は、電磁放射線
のビームをアナモフィックに整形する(すなわち、拡大
又は縮小する)と同時にこれを正確に90°の角度だけ
偏向させるための方法及び装置を提供することである。
d)構成
従来技術のものと同様に、この発明は、θBヲ・はぼブ
ルースター角とした場合、90°、θ詐及び(90°−
θB)の内角を持ったりブトロー形プリズムを利用して
いる。しかしながら、従来のものとは異なり、このよう
なプリズムは光ビームの光路において、ビームがブルー
スター角の(又はこれに近い)θ3角に対向したプリズ
ム面と交わり、(90°−03)角に対向したプリズム
面によって反射され、且つ90°(又はほぼ90°)で
プリズムの斜辺面と交わるように配置される。ビーム路
に対し℃プリズムをこのように配置することによって、
ビームはビームの方向に依存してアナモフィックに拡大
又は縮小され、且つ正確に90°だけ偏向させられる。
ルースター角とした場合、90°、θ詐及び(90°−
θB)の内角を持ったりブトロー形プリズムを利用して
いる。しかしながら、従来のものとは異なり、このよう
なプリズムは光ビームの光路において、ビームがブルー
スター角の(又はこれに近い)θ3角に対向したプリズ
ム面と交わり、(90°−03)角に対向したプリズム
面によって反射され、且つ90°(又はほぼ90°)で
プリズムの斜辺面と交わるように配置される。ビーム路
に対し℃プリズムをこのように配置することによって、
ビームはビームの方向に依存してアナモフィックに拡大
又は縮小され、且つ正確に90°だけ偏向させられる。
今度は図面について述べると、第2図はこの発明の基本
的発明概念を図解している。図示したように、鋭角θ3
及びαを持、つた(断面で示された)直角プリズムPは
光ビームBの光路に配置されている。プリズムPは通常
設計のものであって、屈折率n1及びブルースターの法
則、すなわちθ3= tan−1nによって定義されろ
角θ3に対する値を持っている。約1.5の屈折率を持
ったガラス製プリズムは約57°のブルースター角を生
じさせる。
的発明概念を図解している。図示したように、鋭角θ3
及びαを持、つた(断面で示された)直角プリズムPは
光ビームBの光路に配置されている。プリズムPは通常
設計のものであって、屈折率n1及びブルースターの法
則、すなわちθ3= tan−1nによって定義されろ
角θ3に対する値を持っている。約1.5の屈折率を持
ったガラス製プリズムは約57°のブルースター角を生
じさせる。
前に述べたように、こ、の形式のプリズムはアナモフィ
ックなビーム整形に使用されており、多数の参考文献、
例えば米国特許第4410237号に開示されている。
ックなビーム整形に使用されており、多数の参考文献、
例えば米国特許第4410237号に開示されている。
しかしながら、現在までのところ、そのようなプリズム
は第1図に関して上に説明した方法で使用されてきた。
は第1図に関して上に説明した方法で使用されてきた。
この発明によれば、プリズムPはビームBの光路におい
てビームがプリズムの底面10、すなわちプリズムのブ
ルースター角に対向したプリズム面にブルースター角θ
3で入射するように配置される。ビームBがダイオード
レーザの出力である場合のように平面偏光しており且つ
その偏光面が入射面に平行であると仮友すれば、ビーム
はほとんど無の又は皆無の光損失でプリズム/空気境界
面で屈折する。屈折したビームB′はプリズムの短い面
12、すなわち小さい方の鋭角αに対向したプリズム面
から全反射されて、反射ビームB″ がプリズムの斜辺
面14に直角にプリズムから出て来る。意外にも、ビー
ムBは入射ビームBに正確に垂直であることが判明した
0人カビームと出力ビームとの間のこの90”の関係は
多くの光学装置の設計に有効である。
てビームがプリズムの底面10、すなわちプリズムのブ
ルースター角に対向したプリズム面にブルースター角θ
3で入射するように配置される。ビームBがダイオード
レーザの出力である場合のように平面偏光しており且つ
その偏光面が入射面に平行であると仮友すれば、ビーム
はほとんど無の又は皆無の光損失でプリズム/空気境界
面で屈折する。屈折したビームB′はプリズムの短い面
12、すなわち小さい方の鋭角αに対向したプリズム面
から全反射されて、反射ビームB″ がプリズムの斜辺
面14に直角にプリズムから出て来る。意外にも、ビー
ムBは入射ビームBに正確に垂直であることが判明した
0人カビームと出力ビームとの間のこの90”の関係は
多くの光学装置の設計に有効である。
第3図を参照すれば察知されることであろうが、第2図
に示されたプリズム全体がビームのアナモフィックな拡
大又は縮小に使用されているわけではない。小さい方の
直角プリズム16を切り取って四面プリズムP′を残せ
ば、プリズムPの残りの部分は前と同様のアナモフィッ
クなビーム整形/偏向を行う。プリズム底面の長さが切
断前にLであると仮定すれば、残りの部分の長さは−i
n’tプリズムの屈折率として、L/n2より長いこと
を必要としない。ビームは一つの平面においてn(プリ
ズムの屈折率)の係数だけ拡大されて図示されているが
、ビームをプリズム中へ反対方向に導くことによってビ
ーム?’/n の係数だけアナモフィックに縮小する
ことができることは明らかであろO 前述の直角プリズムを他のプリズムと組み合わせて更に
複雑な操作を非常に簡潔に行うことができる。第4図は
二等辺直角プリズム(45°の鋭角を持っている)をプ
リズムPの斜辺面に光学的に結合して(例えば、接着貝
で)方向的な偏向のないアナモフィックなビーム拡大を
生じさせることのできろ方法を図解している。すなわち
、ビームB は到来ビームBに平行である。第5図に示
したように、二色性又は偏光ビームスプリッタキエ−7
”をプリズムPの斜辺に光学的に結合すれば、二つの平
行なビームA及びBi組み合わせると共にビームの一つ
Bをアナモフィックに拡大することができろ。第6図は
二つの直角プリズム金結合して直交ビームB及びCを組
み合わせると共にこれらのビームの一つ(ビームB)’
t−アナモフィックに拡大することを可能にする方法を
示しているqこの場合には、プリズムP、の側面がプリ
ズムP2の斜面に接着され℃いてそれらの間には適当な
干渉コーティングが施されている。もちろん、第5図及
び第6図に開示されたビーム組合せ技術のいずれかを用
いて逆反射ビームを入射ビームから分離すると同時に入
射ビームを拡大することもできろ0 上に述べたように、プリズム底面10に対向した角は光
損失を最小にするためにブルースター乃に切断されるこ
とが望ましい。プリズムが301゜60゛及び90゛の
角を持った標準リットロー形プリズムである場合には、
この発明を用いてアナモフィックなビーム拡大及び90
”の偏向を達成することがなお可能である。第7図に示
したように、このようなプリズム金量いる際には、入射
角θは(n=1.5に対して)90°の偏向を達成する
ために約55°でなければならない0この場合には、少
量のビームがプリズム底面によつ℃反射されて光学的損
失が生じることになろoしかしながら、ビームの拡大(
又は縮小)の量は第2図に示されたプリズムとほとんど
同じであろ0 第8図においては、この発明は感光性記録素子R1例え
ば光ディスク、上に情報を記録するための装置において
実施されたものとして示されている。−示のように、リ
ットロー形プリズム(又はその一部分)を用いてくダイ
オードレーザの出力ビームBt−、レンズ20により記
録素子上へ集束させる前に、正確に90°だけ偏向させ
ている。ビームBの強度は通常の方法で記録されるべき
情報により変調される。ビームBが長軸及び短軸のある
長円断面金持っていると仮定すれば、ビームの短軸が入
射平面、すなわち入射ビーム及び反射ビームが存在する
平面内にあるようにプリズムを配置することによってビ
ームをアナモフィックに拡太してビームの断面を更に円
形にすることかテキるO e)効果 前述の事柄から明らかなことであるが、この発明の有利
な技術的効果はビームを正確に90°だけ偏向させると
同時にそれを整形して所望の輪郭形状に一層厳密に近似
させるよ′うにすることである。
に示されたプリズム全体がビームのアナモフィックな拡
大又は縮小に使用されているわけではない。小さい方の
直角プリズム16を切り取って四面プリズムP′を残せ
ば、プリズムPの残りの部分は前と同様のアナモフィッ
クなビーム整形/偏向を行う。プリズム底面の長さが切
断前にLであると仮定すれば、残りの部分の長さは−i
n’tプリズムの屈折率として、L/n2より長いこと
を必要としない。ビームは一つの平面においてn(プリ
ズムの屈折率)の係数だけ拡大されて図示されているが
、ビームをプリズム中へ反対方向に導くことによってビ
ーム?’/n の係数だけアナモフィックに縮小する
ことができることは明らかであろO 前述の直角プリズムを他のプリズムと組み合わせて更に
複雑な操作を非常に簡潔に行うことができる。第4図は
二等辺直角プリズム(45°の鋭角を持っている)をプ
リズムPの斜辺面に光学的に結合して(例えば、接着貝
で)方向的な偏向のないアナモフィックなビーム拡大を
生じさせることのできろ方法を図解している。すなわち
、ビームB は到来ビームBに平行である。第5図に示
したように、二色性又は偏光ビームスプリッタキエ−7
”をプリズムPの斜辺に光学的に結合すれば、二つの平
行なビームA及びBi組み合わせると共にビームの一つ
Bをアナモフィックに拡大することができろ。第6図は
二つの直角プリズム金結合して直交ビームB及びCを組
み合わせると共にこれらのビームの一つ(ビームB)’
t−アナモフィックに拡大することを可能にする方法を
示しているqこの場合には、プリズムP、の側面がプリ
ズムP2の斜面に接着され℃いてそれらの間には適当な
干渉コーティングが施されている。もちろん、第5図及
び第6図に開示されたビーム組合せ技術のいずれかを用
いて逆反射ビームを入射ビームから分離すると同時に入
射ビームを拡大することもできろ0 上に述べたように、プリズム底面10に対向した角は光
損失を最小にするためにブルースター乃に切断されるこ
とが望ましい。プリズムが301゜60゛及び90゛の
角を持った標準リットロー形プリズムである場合には、
この発明を用いてアナモフィックなビーム拡大及び90
”の偏向を達成することがなお可能である。第7図に示
したように、このようなプリズム金量いる際には、入射
角θは(n=1.5に対して)90°の偏向を達成する
ために約55°でなければならない0この場合には、少
量のビームがプリズム底面によつ℃反射されて光学的損
失が生じることになろoしかしながら、ビームの拡大(
又は縮小)の量は第2図に示されたプリズムとほとんど
同じであろ0 第8図においては、この発明は感光性記録素子R1例え
ば光ディスク、上に情報を記録するための装置において
実施されたものとして示されている。−示のように、リ
ットロー形プリズム(又はその一部分)を用いてくダイ
オードレーザの出力ビームBt−、レンズ20により記
録素子上へ集束させる前に、正確に90°だけ偏向させ
ている。ビームBの強度は通常の方法で記録されるべき
情報により変調される。ビームBが長軸及び短軸のある
長円断面金持っていると仮定すれば、ビームの短軸が入
射平面、すなわち入射ビーム及び反射ビームが存在する
平面内にあるようにプリズムを配置することによってビ
ームをアナモフィックに拡太してビームの断面を更に円
形にすることかテキるO e)効果 前述の事柄から明らかなことであるが、この発明の有利
な技術的効果はビームを正確に90°だけ偏向させると
同時にそれを整形して所望の輪郭形状に一層厳密に近似
させるよ′うにすることである。
明らかに、二つ以上のプリズムを縦に配列して拡大係数
(n)t−乗算し、これにより所望の輪郭形状になお一
層厳密に近似させるようにすることかできる。
(n)t−乗算し、これにより所望の輪郭形状になお一
層厳密に近似させるようにすることかできる。
第1図は従来技術によって実施されたようなアナモフィ
ックなビーム拡大及び偏向方式を図解している。 第2図はこの発明のアナモフィックなビーム拡大及び偏
向概念を図解している。 第3図はこの発明の方法を実施するのに有効なプリズム
の一部分を示している。 第4図から第6図までは放射線のビームを偏向向させ且
つ組み合わせろためにこの発明の概念全具体化した種々
の光学系を示している。 第7図はこの発明の変形を図解している。 第8図はこの発明を具体化した記録装置を図解している
。 符号説明 P ・・・・ プリズム θ1・・・・ブルースター角 (外5名) FIG 1 FIG !
ックなビーム拡大及び偏向方式を図解している。 第2図はこの発明のアナモフィックなビーム拡大及び偏
向概念を図解している。 第3図はこの発明の方法を実施するのに有効なプリズム
の一部分を示している。 第4図から第6図までは放射線のビームを偏向向させ且
つ組み合わせろためにこの発明の概念全具体化した種々
の光学系を示している。 第7図はこの発明の変形を図解している。 第8図はこの発明を具体化した記録装置を図解している
。 符号説明 P ・・・・ プリズム θ1・・・・ブルースター角 (外5名) FIG 1 FIG !
Claims (3)
- (1)θ_Bをブルースターの角として、約90°、θ
_B及び(90°−θ_B)の内角を持つたプリズムを
電磁放射線のビームの光路に配置する段階を備えている
、前記の電磁放射線のビームをアナモフィックに整形し
且つ偏向させるための方法において、ビームが(a)θ
_B角に対向したプリズム面にほぼブルースター角で交
わり、(b)(90°−θ_B)角に対向したプリズム
面から反射し、且つ(c)90°角に対向したプリズム
面に交わるようにビームの光路に前記のプリズムを配置
して、これによりプリズムに入るビームがプリズムを出
るビームとは90°だけ角度的に変位させられるように
する段階を含んでいる前記の方法。 - (2)放射線のビームをアナモフィックに整形し且つ偏
向させるための装置であって、屈折率nの四面プリズム
を備えており、このプリズムが(a)θ_Bをブルース
ター角として、90°、90°、θ_B及び(180°
−θ_B)の内角を持ち、(b)収束線に沿って(90
°−θ_B)の角度で収束する二つの対向した面を持ち
、且つ(c)Lを前記の収束線と後記の平行な面の遠方
のものとの間の最短距離として、L/n^2の距離だけ
隔置されている二つの平行な面を持つている、前記の装
置。 - (3)電磁放射線のビームをアナモフィックに整形し且
つ偏向させるための光学系であって、(i)θ_Bをブ
ルースターの角として、約90°、θ_B及び(90°
−θ_B)の内角を持つたプリズム、(ii)入力ビー
ムを前記のプリズムに導くための装置、並びに(iii
)利用のために前記のプリズムからの出力ビームを受け
て導くための装置を備えている光学系において、ビーム
が(α)θ_B角に対向したプリズム面にほぼブルース
ター角で交わり、(b)(90°−θ_B)角に対向し
たプリズム面から反射し、且つ(c)90°角に対向し
たプリズム面に交わるように、ビームの光路に前記のプ
リズムが配置されていて、これによりプリズムに入るビ
ームがプリズムを出るビームとは90°だけ角度的に変
位させられる、前記の光学系。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/769,038 US4759616A (en) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams |
US769038 | 2001-01-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6250811A true JPS6250811A (ja) | 1987-03-05 |
Family
ID=25084239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61195136A Pending JPS6250811A (ja) | 1985-08-26 | 1986-08-20 | 電磁ビ−ムをアナモフイツクに整形し且つ偏向させるための方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4759616A (ja) |
JP (1) | JPS6250811A (ja) |
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6267514A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
WO1989008278A1 (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-08 | Fujitsu Limited | Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same |
US5294506A (en) * | 1991-03-28 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask |
US5329336A (en) * | 1992-07-06 | 1994-07-12 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5333035A (en) * | 1992-05-15 | 1994-07-26 | Nikon Corporation | Exposing method |
US5378585A (en) * | 1990-06-25 | 1995-01-03 | Matsushita Electronics Corporation | Resist composition having a siloxane-bond structure |
US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
US5411823A (en) * | 1992-12-18 | 1995-05-02 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, phase shift mask used in the same, and process of fabricating semiconductor integrated circuit device using the same |
US5415951A (en) * | 1992-04-27 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge |
US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
US5427876A (en) * | 1992-04-28 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask |
US5467166A (en) * | 1993-08-13 | 1995-11-14 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US5472811A (en) * | 1993-01-21 | 1995-12-05 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
US5499137A (en) * | 1991-09-06 | 1996-03-12 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
US5499076A (en) * | 1992-05-21 | 1996-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
US5508132A (en) * | 1991-04-15 | 1996-04-16 | Nikon Corporation | Photo mask |
US5541026A (en) * | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
US5546225A (en) * | 1991-08-22 | 1996-08-13 | Nikon Corporation | High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system |
US5578402A (en) * | 1990-06-21 | 1996-11-26 | Matsushita Electronics Corporation | Photomask used by photolithography and a process of producing same |
US5578421A (en) * | 1992-12-07 | 1996-11-26 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US5605775A (en) * | 1990-06-21 | 1997-02-25 | Matsushita Electronics Corporation | Photomask used by photolithography and a process of producing same |
US5621500A (en) * | 1995-05-25 | 1997-04-15 | Nikon Corporation | Method and apparatus for projection exposure |
US5621497A (en) * | 1994-04-06 | 1997-04-15 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method and projection exposure tool therefor |
US5631110A (en) * | 1994-07-05 | 1997-05-20 | Nec Corporation | Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer |
US5677757A (en) * | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
US5739898A (en) * | 1993-02-03 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5840445A (en) * | 1991-04-26 | 1998-11-24 | Sony Corporation | Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask |
US5866280A (en) * | 1995-09-18 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask and manufacturing method thereof |
US5879838A (en) * | 1996-06-21 | 1999-03-09 | Hyundai Electronics Industries Co. | Contact mask having guard ring patterns for manufacturing a semiconductor device |
US5888677A (en) * | 1996-12-20 | 1999-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device |
US6100961A (en) * | 1991-09-11 | 2000-08-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6211944B1 (en) | 1990-08-21 | 2001-04-03 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US6221540B1 (en) | 1991-10-30 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure apparatus |
US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6322957B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light exposure method |
JP2002156738A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nec Corp | パターン形成方法 |
KR20020064681A (ko) * | 2001-02-02 | 2002-08-09 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 위상시프팅 마스크 및 이 마스크를 이용하여 패턴을형성하는 방법 |
US6544721B1 (en) | 1998-06-16 | 2003-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
US6710855B2 (en) | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6812155B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-11-02 | Nec Electronics Corporation | Pattern formation method |
US7678510B2 (en) | 2004-09-14 | 2010-03-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mask for exposure and method of manufacturing the same |
KR20110008064A (ko) | 2008-03-31 | 2011-01-25 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법 |
KR20110013458A (ko) | 2008-05-09 | 2011-02-09 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3787282T2 (de) * | 1987-10-05 | 1994-03-31 | Philips Nv | Optischer Aufbau mit einer phasenstarr gekoppelten Laserdiodenzeile. |
US4929067A (en) * | 1989-01-03 | 1990-05-29 | Verbatim Corporation | Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams |
US5013136A (en) * | 1989-01-03 | 1991-05-07 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for anamorphically shaping and achromatically deflecting electromagnetic beams |
JPH02311816A (ja) * | 1989-05-27 | 1990-12-27 | Sharp Corp | ビーム変換装置 |
US5159491A (en) * | 1990-02-20 | 1992-10-27 | Eastman Kodak Company | Combination collimating lens and correcting prism |
ES2142803T3 (es) * | 1990-08-01 | 2000-05-01 | Diomed Ltd | Fuente luminosa de alta potencia. |
KR0152858B1 (ko) * | 1995-02-09 | 1998-12-15 | 구자홍 | 광폭조절장치 |
TW301719B (en) * | 1996-09-20 | 1997-04-01 | Ind Tech Res Inst | The beam shaper device |
JP4117856B2 (ja) * | 1997-12-12 | 2008-07-16 | 株式会社小松製作所 | 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム |
US6693745B1 (en) | 1999-09-14 | 2004-02-17 | Corning Incorporated | Athermal and high throughput gratings |
JP2001264696A (ja) | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Canon Inc | 照明光学系及びそれを備えた露光装置 |
JP2003347627A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Gigaphoton Inc | 紫外線レーザ装置 |
US6980358B2 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-27 | Coherent, Inc. | Turning prism for ultraviolet radiation |
KR20050074046A (ko) * | 2004-01-13 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 빔정형 프리즘 및 이를 채용한 광픽업 |
FR2910979B1 (fr) * | 2006-12-28 | 2009-04-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de prelevement d'une pluralite de parties d'un faisceau lumineux |
JP5621861B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2014-11-12 | 住友大阪セメント株式会社 | 光デバイス |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58132716A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ビ−ム径変換装置 |
JPS59195347A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘツド |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3195404A (en) * | 1960-10-20 | 1965-07-20 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Anamorphosing optical system |
US2810323A (en) * | 1953-10-28 | 1957-10-22 | Taylor Taylor & Hobson Ltd | Anamorphotic optical systems |
US3891308A (en) * | 1974-08-05 | 1975-06-24 | Liconix | Acoustooptic modulator |
US4081760A (en) * | 1976-06-03 | 1978-03-28 | Coherent, Inc. | Etalon laser mode selector |
US4063106A (en) * | 1977-04-25 | 1977-12-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical fiber Raman oscillator |
US4410237A (en) * | 1980-09-26 | 1983-10-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for shaping electromagnetic beams |
US4580879A (en) * | 1983-09-06 | 1986-04-08 | Storage Technology Partners Ii | In-line optical anamorphic beam expander/contractor |
US4623225A (en) * | 1984-06-29 | 1986-11-18 | Melles Griot, Irvine Company | Anamorphic prism for beam shaping |
-
1985
- 1985-08-26 US US06/769,038 patent/US4759616A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61195136A patent/JPS6250811A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58132716A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ビ−ム径変換装置 |
JPS59195347A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘツド |
Cited By (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0690506B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1994-11-14 | 株式会社日立製作所 | ホトマスク |
JPS6267514A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
WO1989008278A1 (en) * | 1988-02-26 | 1989-09-08 | Fujitsu Limited | Polarizing isolation apparatus and optical isolator using the same |
US5076675A (en) * | 1988-02-26 | 1991-12-31 | Fujitsu Limited | Polarizing separating device and optical isolator employing the same |
US5578402A (en) * | 1990-06-21 | 1996-11-26 | Matsushita Electronics Corporation | Photomask used by photolithography and a process of producing same |
US5605775A (en) * | 1990-06-21 | 1997-02-25 | Matsushita Electronics Corporation | Photomask used by photolithography and a process of producing same |
US5629113A (en) * | 1990-06-21 | 1997-05-13 | Matsushita Electronics Corporation | Photomask used by photolithography and a process of producing same |
US5554465A (en) * | 1990-06-25 | 1996-09-10 | Matsushita Electronics Corporation | Process for forming a pattern using a resist composition having a siloxane-bond structure |
US5547808A (en) * | 1990-06-25 | 1996-08-20 | Matsushita Electronics Corporation | Resist composition having a siloxane-bond structure |
US5378585A (en) * | 1990-06-25 | 1995-01-03 | Matsushita Electronics Corporation | Resist composition having a siloxane-bond structure |
US6211944B1 (en) | 1990-08-21 | 2001-04-03 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US7656504B1 (en) | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6710855B2 (en) | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US5294506A (en) * | 1991-03-28 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask |
US5508132A (en) * | 1991-04-15 | 1996-04-16 | Nikon Corporation | Photo mask |
US5840445A (en) * | 1991-04-26 | 1998-11-24 | Sony Corporation | Method of manufacturing a self-aligned phase-shifting mask |
US5541026A (en) * | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
US5546225A (en) * | 1991-08-22 | 1996-08-13 | Nikon Corporation | High resolution printing technique by using improved mask pattern and improved illumination system |
US6094305A (en) * | 1991-09-06 | 2000-07-25 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
US5499137A (en) * | 1991-09-06 | 1996-03-12 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus therefor |
US6392740B1 (en) | 1991-09-11 | 2002-05-21 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6100961A (en) * | 1991-09-11 | 2000-08-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6864959B2 (en) | 1991-09-11 | 2005-03-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6710854B2 (en) | 1991-09-11 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6377336B1 (en) | 1991-09-11 | 2002-04-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US6221540B1 (en) | 1991-10-30 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Photomask and projection exposure apparatus |
US5415951A (en) * | 1992-04-27 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge |
US5427876A (en) * | 1992-04-28 | 1995-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask |
US5333035A (en) * | 1992-05-15 | 1994-07-26 | Nikon Corporation | Exposing method |
US5499076A (en) * | 1992-05-21 | 1996-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
US6020109A (en) * | 1992-06-10 | 2000-02-01 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
US5932395A (en) * | 1992-06-10 | 1999-08-03 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
US5329336A (en) * | 1992-07-06 | 1994-07-12 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5851703A (en) * | 1992-12-07 | 1998-12-22 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US5656400A (en) * | 1992-12-07 | 1997-08-12 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US5578421A (en) * | 1992-12-07 | 1996-11-26 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US7115344B2 (en) | 1992-12-07 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US6013398A (en) * | 1992-12-07 | 2000-01-11 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US6733953B2 (en) | 1992-12-07 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corp. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US6087074A (en) * | 1992-12-07 | 2000-07-11 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US6258513B1 (en) | 1992-12-07 | 2001-07-10 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US6383718B2 (en) | 1992-12-07 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Photomask and pattern forming method employing the same |
US5411823A (en) * | 1992-12-18 | 1995-05-02 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, phase shift mask used in the same, and process of fabricating semiconductor integrated circuit device using the same |
US5472811A (en) * | 1993-01-21 | 1995-12-05 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
US5739898A (en) * | 1993-02-03 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US5467166A (en) * | 1993-08-13 | 1995-11-14 | Nikon Corporation | Projection exposure method and apparatus |
US5677757A (en) * | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5621497A (en) * | 1994-04-06 | 1997-04-15 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method and projection exposure tool therefor |
US5631110A (en) * | 1994-07-05 | 1997-05-20 | Nec Corporation | Process of fabricating photo-mask used for modified illumination, projection aligner using the photo-mask and method of transferring pattern image from the photo-mask to photo-sensitive layer |
US5621500A (en) * | 1995-05-25 | 1997-04-15 | Nikon Corporation | Method and apparatus for projection exposure |
US5866280A (en) * | 1995-09-18 | 1999-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask and manufacturing method thereof |
US5879838A (en) * | 1996-06-21 | 1999-03-09 | Hyundai Electronics Industries Co. | Contact mask having guard ring patterns for manufacturing a semiconductor device |
US5888677A (en) * | 1996-12-20 | 1999-03-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device |
US6322957B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light exposure method |
US6544721B1 (en) | 1998-06-16 | 2003-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Multiple exposure method |
JP2002156738A (ja) * | 2000-11-17 | 2002-05-31 | Nec Corp | パターン形成方法 |
US6800402B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-10-05 | Nec Electronics Corporation | Phase-shifting mask and method of forming pattern using the same |
KR20020064681A (ko) * | 2001-02-02 | 2002-08-09 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 위상시프팅 마스크 및 이 마스크를 이용하여 패턴을형성하는 방법 |
US7419767B2 (en) | 2001-02-02 | 2008-09-02 | Nec Electronics Corporation | Phase-shifting mask and method of forming pattern using the same |
US6812155B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-11-02 | Nec Electronics Corporation | Pattern formation method |
US7678510B2 (en) | 2004-09-14 | 2010-03-16 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mask for exposure and method of manufacturing the same |
KR20110008064A (ko) | 2008-03-31 | 2011-01-25 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법 |
US8367279B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-02-05 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing the same |
KR20110013458A (ko) | 2008-05-09 | 2011-02-09 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
KR20160134864A (ko) | 2008-05-09 | 2016-11-23 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4759616A (en) | 1988-07-26 |
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---|---|---|
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JPH0412039B2 (ja) | ||
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