JPS62503064A - テトラフルオロホウ酸塩を用いるイオン注入 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 テトラフルオロホウ酸塩を用いるイオン注入発明の分野 この発明は一般にイオン注入に関し、かつより特定的にはイオン注入技術を用い る半導体装置の製造に関するものである。

発明の背景 イオン注入は、選択された区域の選択された深さおよび濃度まで原子を固体材料 に注入するための、周知のかつ広く用いられる方法である。イオン注入加速装置 は、アイソトープ分離器に類似するが、典型的には付加された加速段階、および 所望の透過および濃度を引き起こすようにイオンのビームを正確に置きかつイオ ンのビームのエネルギおよび流動を制御するだめのフィールド制御を有する。イ オン化されるべき選択された化学的原素の原子は、低圧での気体の放電における 電子との衝突によりイオン化され、かつオリフィスを介して、それらが電界によ り中間のエネルギ、典型的には１０ｋｅＶから３０ｋｅＶまで加速される高い真 空領域内に通過し、そこでそれらはｅ　／　ｍの比、すなわち質量に対する電荷 の比に基づいた磁界により分析される。選択されたイオンビームは分析器の隙間 を通過し、かつイオンは所望のエネルギまで加速され、かつビームは再焦点合わ せフィールドを通過し、典型的には４重のレン再焦点合わせフィールドを通過し 、典型的には４重のレンズが走査システムにより偏向され、かつ規定された穴に より平行にされかつターゲットを打ち当てるのを可能にされる。イオンがターゲ ットの格子に透過するとき、それらは格子の原子との衝突を介してエネルギを失 い、かつターゲットの一部として静止するようになる。当然、特定のイオン注入 システムとシステムとの間に非常に多くの変化があるが、上記の原理は一般にイ オン注入方法に当てはまる。

イオン注入技術は中でも、米国特許第２，７５０，５４１号、第２．７８７．５ ６４号および第２，８４２，４６６号に開示されていて、それはここで援用され る。イオン注入方法はまた、多くのテキスト、百科辞典および科学雑誌に述べら れる、たとえば半導体技術百科事典（ＥＮＣＹＣＬＯＰＥＤ１八ＯＦ　ＳＥＭＩ ＣＯＮＩ）ＩＪｃＴＯＲＴＥＣ）ＩＮＯＬＯＧＹ）の３９７頁から４１０頁、［ イオン注入（Ｉｏｎ　Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）　Ｊ　、ジョン・ウィリー・ アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ　）　（１９８４）およ びそこで述べられた多数の引用例を参照されたい、またカーク・オスマー化学技 術］ンサイス百科事典（Ｋｊｒｋ　Ｏｔｈｍｅｒ　Ｃ０ＮＣｌ５Ｅ　ＥＮＣＹＣ ＬＯＰＥＤＩＡ　ＯＦ　ＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＴＥＣ）ＩＮＯＬＯＧＹ　）の６６ ６頁以下の「イオン注入（Ｉｏｎ　Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）　Ｊ　。

ジョン・ウィリー・アンド・サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗ口ｅｙ　＆　５ｏｎｓ　）（ １９８５）、およびＪ、に、ヒルフオーネン（Ｊ、に、Ｈｉｒｖｏｎｅｎ）編集 のイオン注入（ＩＯＮ　ＩＭＰＬＡＮＴＡＴＩＯＮ）　、アカデミツク・プレス ・インコーホレーテッド（Ａｃａｄｅｍｉｃ　Ｐｒｅｓｓ、１ｎｃ、）（１９８ ０）を参照されたい。イオン注入の装置および方法が完璧に述べられかつ半導体 産業で広く用いられるので、当業者はこれらの方法および装置に通じていて、か つ詳細のために多くの優れた雑誌、テキストおよび特許明細書のいずれも参照す ることができる。装置の特定の品目を提供される製造者用マニュアルは、所与の １個の装置に関する詳細のための最良の源である。

この発明は、イオンソース材料としての化学薬品の特定の部類の利用に関し、か つその結果修正された方法、すなわちそれがイオンの新規なソースを利用するた めに修正される方法に関するものである。

イオンは、イオン注入装置に定期的に導入される。これは一般に、注入装置を冷 却し、少なくとも幾分かの大気露呈に高い真空を開放し、イオンソース材料の新 たな装入物を容器に導入し、装置を閉ざし、イオン注入室および加速装置室を高 い真空までポンプ動作し、かつ装置を再び動作させる。この手順は、非常に高価 な１個の装置における生産の損失と時間の無駄により、必然的に極めて高価であ る。

イオン注入装置は、しばしば１００万ドル以上の費用がかかり、かつ売れる製品 における投資を埋め合わせるために生産時間を最大限度にすることが必要である 。

イオン注入装置は設計および動作において非常に正硼で、優美でかつ複雑である が、イオンソース材料の導入は比較的簡単で、大部分は手動である。基本的に、 イオンソース材料の装入物は、先行技術により、そのとき閉鎖されているソース 気化器の小さな部屋に単に押し出され、注がれまたは落とされ、その後システム 全体は周知の回転および油拡散真空ポンプを用いてポンプダウンされる。考慮中 の型のソース気化器は、様々な製造業者により販売され、そのうちの１つはＮｏ 　ｖ　ａ　ＮＶ　−１０（ＴＭ）シリーズソース気化器として述べられる。しか しながら、これは単なる例示でありかつ他のソース気化器が当業者に周知である 。

１０年以上、イオン注入は半導体装置、特に大規模集積回路の産業上の処理にお ける主な工程であワた、たとえば半導体のイオン注入（ＩＯＮ　ＩＭＰＬＡＮＴ ＡＴＩＯＮ　ＩＮ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ８）　、編集者サートウェル（ ｓａｒｔｗｅ＋　１　）他、ブレナム・プレス（Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ）　 、ニューヨーク（１９７７）を参照されたい。この発明が存在しかつそれが改良 点となるのはこの技術の範囲内である。

発明の要約 この発明は、上記のイオン注入方法における改良であり、改良点はイオンソース 材料として金属へロホウ酸塩化合物を導入することを含む。

この発明の方法および製造において用いられる化合物は、Ｍ　（ＢＸ、　）。

を含み、そこではＭはアルカリまたはアルカリ土類金属であ、す、Ｂはホウ素で あり、Ｘは弗素、塩素またはヨウ素であり、かつｎはＭのイオン電子価である。

最も好ましい化合物は、Ｌ　ｉＢ　Ｆ　４　、フルオロホウ酸リチウムである。

一般的に、フルオロホウ酸塩が好ましいが、大部分の応用に対しては、弗素の種 類のすべての利点を所有するわけではないが、他のハロホウ酸塩が均等物である と考えられてもよい。一般に、好ましい化合物はリチウム、ナトリウム、マグネ シウム、カリウム、カルシウムおよびテトラフルオロホウ酸亜鉛である。真空で 約１００℃から５００℃までの温度で気化し、かつかなり純粋な形で利用可能で ありまたは製造され得るモノ−、ジー、およびトリー原子価の金属テトラハロホ ウ酸塩が均等物であると考えられてもよい。同様に、テトラハロホウ酸アンモニ ウムが限定された応用に対して均等物であると考えられてもよいが、この化合物 の蒸気圧は一般に用いられる応用に対してはあまりに高すぎる。

この発明は、（ａ）イオン注入器具に、有効なイオン注入ビームを形成するのに 充分な速度で、およそ１００℃から５００℃の温度範囲で、およそ１０−”）ル から１０−５　トルの真空の下で蒸発する金属テトラフルオロホウ酸塩を蒸発さ せ、（ｂ）ホウ素をイオン化し、（Ｃ）ホウ素イオンを加速し、（ｄ）ターゲッ トに注入されるべきホウ素イオンを電磁的に選択し、かつ（ｅ）選択されたイオ ンのビームを加速しかつターゲット上の予め定められた点または場所に向ける工 程を含む改良された方法として述べられてもよい。

この発明の製造品は、イオン注入装置のイオンソース気化器に装入物を挿入する ための手段に固定されたイオンソース気化器で受取られるような形状にされかつ 寸法にされたテトラハロフルオロホウ酸塩の装入物を含む。製造、貿昌および商 業の品目として、この発明はこのように、例示の形で、金属テトラハロホウ酸塩 、好ましくはテトラフルオロホウ酸リチウムの装入物と、イオン注入器具のソー ス気化器で受取られるための大きさおよび形に装入物を形作る装入物形成手段と 、装入物形成手段の少なくとも一部分を包囲しかつソース気化器のウェルに装入 物形成手段を位置づけるための包囲手段とを組合わせて含む。

図面の簡単な説明 第１図は、この発明の、ソース気化器の一部分を示す、製造品、イオン注入器具 のソース気化器への導入のための装入物の好ましい形の透視展開図である。

第２図は、この発明の製造品を部分的に断面で示す、拡大されかつ部分的に切り 取られた側面図である。

第３図は、この発明の、装入物コンテナがブレークシールを含む、製造品の代わ りの実施例の部分側面図である。

第４図は、この発明の製造品の他の代わりの実施例である。

好ましい実施例の説明 この発明は、製造品の形で、イオン注入装置のソース気化器にイオンソース材料 を与えるための装置を含み、例示のソース気化器は第１図において１０で示され 、周知の形状の本体およびイオンソース材料の装入物を受取るように形作られ、 設計されかつ適合されたウェル１２を含む。ウェル１２は、深さが約２２ｍｍ、 直径が１６ｍｍであり、かつ一般に円筒形の形状である。第１図で示された製造 品２０は、この発明の１つの特徴であり、イオンソース材料をソース気化器に与 えるための手段を提供する。

次に第２図を参照すると、好ましい、完全な製造品が示される。アセンブリ２０ は装入物形成装置２２を含み、それはイオンソース材料の装入物２４をその所望 の形状で保持し、かつそれを汚染から保護する。装入物形成装置２２は、好まし くは石英から形成されるが、成る低温の応用に対しては、それは不活性重合体ま たは硼珪酸塩のガラスから形成されてもよい。装入物形成装置２２は、第１図の 実施例では、気化器のウェルで緩く受取られるような形状にされかつ寸法にされ た開放上部直角円筒形容器である。

装入物形成装置は、包囲２６で受取られ、それは、非常にきちんと合う封止リン グを含み、かつ装入物形成装置２２の外部の円筒形の壁に対して封止し、装入物 形成装置２２が力を与えて包囲２６において封止の関係でその壁と相互に移動す るのを可能にする開口２８を有する一般的円筒形受取本体を含む。

包囲２６は一般に、適当な不活性重合体、好ましくはたとえばテフロン（ＴＭ） のようなフルオロカーボンまたはフルオロクロロカーボンの重合体から形成され た中空の円筒の形であり、それは自動注油でありかつ水晶、ガラスまたは金属で 優れた封止を形成する。包囲２６の円筒の一端部は、エンドキャップ３０を含み 、それはそこから摺動的に、順にプランジャまたはピストンの一部であるシャフ ト３４を受取る通路３２を存し、３６で示されるように末端部分は一般に円盤状 の形状で、かつ包囲２６の内壁に対して封止を形成する。包囲アセンブリ２６な いし３６がそれから、ピストンおよび円筒の配列として述べられてもよく、そこ では円筒は包囲２６により形成されかつピストンはシャフトまたはプランジャ３ ４および円盤状ピストン３６により形成される。プランジャの溝の「０」リング ３８は、ピストンの過度の移動に対して停止を形成する。包囲はまた、好ましい 形では封止フランジ４０を含み、それは出荷および貯蔵の間、保護円筒４２の内 部に装入物形成装置および包囲を位置づけ、かつ円筒が開放された後円筒４２の 壁で封止を維持する。

製造品はいくらの保護エンベロープを含んでもよいが、好ましい実施例ではアセ ンブリ２０の全体がガラスまたは水晶の円筒形の管４２で利用する前に貯蔵され 、出荷されかつ扱われ、それは両方の端部で密閉され、不活性大気においてアセ ンブリ２０を内部に包囲し、かつ管が容易に破損されるのを可能にし、示される ように上方部分４６が除去されるのを可能にし、かつアセンブリ２２の除去を可 能にするスクライブマーク（ｓｃｒｉｂｅ　ｍａｒｋ　）　４４を含む。リドン （Ｔ　Ｍ　）多硫化物のような半剛性の、自動注油の重合体から形成された保護 リング４８は、この発明の所望であるが非臨界的特徴である。このリングは好ま しくは、安全で完全な破損を確実にするようにスクライブ４４内に拡がる突出部 を含む。

最終的に、アセンブリ２２の全体およびその保護管４２は、単に例として５６で 示されるような、いかなる便利な方法でも封止される、ミラー（Ｔ　Ｍ　）　ポ リテレフタレートの層５２および気相成長されたアルミニウム５４のような金属 から形成された水分および蒸気不浸透の撓み性のあるパッケージ５０に含まれる 不活性大気に包まれる。

第３図は、例外的に汚染に感応する、または所与の最後の純度保護であるべきイ オンソース材料の装入物を形成しかつロードするための、この発明のアセンブリ の大いに所望の代わりのものを示す。このアセンブリ１２０では、装入物形成装 置１２２は、装入物の形および大きさでイオンソース材料１２４を密封する水晶 （または、いくつかの例では重合体または硼珪酸塩）１・Ｊ止１２３を含むこと を除くと、すべての本質的特徴において装置２２と同じである。

包囲１２６ないし１３０は、包囲２６ないし３０に関して述べられたものと同じ であり、かつピストン１３４ないし１３６はピストン１３４ないし１３６に関し て述べられたものと同じであるが、ピストン１３６の末端側に限界点１３７の付 加構造を有し、かつピストンの偶発的な動きを妨げるように付加的「０」リング 停止１３９を含んでもよい。

述べられる動作は、第１の「０」リング１３９が除去されかつ限界点１３７が円 筒におけるピストンの動きの初期の段階でブレークシール１２３に接触しかつ破 ｌ員するということを除けば、この実施例に対して第２図のそれと同様である。

第４図は、他の代わりの実施例を示す。このアセンブリ２２０では、装入物形成 装置２２２がブレークシール２２３を含みかつ装置１２２ないし１２３と同じで ある。装入物形成装置は、前に述べられた実施例における開口２８および１２８ に関して述べられるように、２２８で封止する円筒形包囲部分２２６で受取られ る。相対的回転を妨げるように熱ソース気化器１０と係合するために、突出部ま たはキー１２９がこの実施例で設けられてもよい。包囲部分は、外部の糸、なら びに装入物形成装置と係合するための内部構造２３２およびブレ−クシール２２ ３と接触しかつ破裂させるための限界点２３３を含むキャップ２３０を含む。必 要ではないが、包囲部分２２６まで滑りまたは螺旋状に回る底部または末端キャ ップ２４０を含み、保護の余分量を与えることが時に望ましい。アセンブリ全体 はそのとき、述べられたようにガラスまたは水晶の管およびエンベロープにおい て包囲され、または第４図で示されたようにパッケージ５０ないし５６に関して 述べられた構造の２５６で封止された気相障壁エンベロープ２５０で単に包囲さ れてもよい。

この発明の重要な特徴は、アセンブリ２０．１２０または２２０の構成要素とし て金属テトラハロホウ酸塩の装入物を含むことであり、かつこの発明の一面、実 際非常に重要な面は、イオンソースが金属テトラハロホウ酸塩の蒸発により得ら れる改良されたイオン注入方法にある。

（ａ）ソース材料を気化し、（ｂ）ソース材料の少なくとも１つの構成要素をイ オン化し、（ｃ）結果として生じるイオンを加速し、（ｄ）ターゲットにおいて 注入されるべきイオンを電磁的に選択し、かつ（ｅ）選択されたイオンのビーム を加速しかつターゲット上の予め定められた点または場所に向けるという一般的 ］二程により、イオン注入の方法を行なうことが習慣的である。この発明の改良 点は、ソース材料を気化する第１の工程およびソース材料を与える予備的工程に あり、かつより特定的にはイオンソース気化器を脅るための製造品の形状、構造 、動作、機能および設計にある。

この発明の重要性および重大性を理解するための背景として、非常に実際的で経 済的ないくつかの要因、および技術的重要性が順に簡単に述べられる。

イオン注入器具は非常に高価であり、典型的には１００万ドルまたはそれ以上の 費用がかかり、かつダウン時間または非生産時間が経済的穏当のために避けられ かつ可能な限り最少にされなければならない。イオンソース材料を再装入するた めに器具を閉じる必要があるときは必ず、ダウン時間が生じる。先行技術の多く の例では、ソース気化器は、擦られなければならず、かつ重みづけられたまたは 測定された量のイオンソースがソース気化器のウェル内に導入される。大部分の 例では、これは、いくつかが極端に有害でありまたはそうでなければ危険である 試薬の汚染および試薬の拡がりを妨げるようにクリーンルームまたはグローブボ ックス内にソース気化器が導入されることを必要とする。グローブボックスで働 く人々は、これが非常に時間のかかる、かつ不都合な動作であることを認識する 。

ソース気化器内に装入物がロードされた後、高い真空および約１００℃から３０ ０℃までの周囲動作温度で動作する器具は、ポンプダウンされかつ動作温度にさ れなければならず、そのすべては実質的期間がかかる。たとえば、分光写真機お よび加速室は１０−５　トルと同じ低さの真空で動作する。広範囲にわたるガス 抜き動作を必要とする、または揮発性の不純物を導入する装入物の導入は、イオ ン注入器具の開始を意味深長に遅くし得る。さらに、もしたとえば器具が３００ ℃以上の高温で動作するのを必要とされるならば、器具を安定した動作温度にす るために付加的時間が必要とされ、かつ付加的ポンプ動作時間が必要とされを減 じ、開始時間を最少にし、かつ走行時間を延長する方法を見つけることが、ゴー ルの後大いに探求されかつ産業上長い間必要であると感じられていた。

安全性もまた、非常に重要な考慮すべき事柄である０イオンソースををすること が望ましく、それは極端なまたは異常な警戒または過度の危険を安全に扱われる ことが可能であり、かつ使い果たされると、すべての残留物または無害で容易に 除去されかつ安全に扱われる残留物のいずれも残さない。

これらのおよび他の望ましい、長い間要求され、かつ予期しない結果が、（ａ） イオン注入器具に、有効なイオン注入ビームを形成するのに充分な速度で、およ そ１００℃から４００℃までの温度範囲でおよそｉｏ−”　トルから１０−５　 トルまでの真空の下で蒸発する金属テトラフルオロホウ酸塩を蒸発させ、（ｂ） ホウ素をイオン化し、（Ｃ）ホウ素イオンを加速し、（ｄ）ターゲットで注入さ れるべきホウ素イオンを電磁的に選択し、かつ（ｅ）選択されたイオンのビーム を加速しかつターゲット上の予め定められた点または場所に向ける工程を含む改 良された方法により達成される。

製造品は、以下の態様で用いられる。まず、一旦ソース気化器が装入物を受取る ように用意されると、品目２０．１２０または２２０がその保護パッケージから 取られ、用いられるパッケージの形に依存する。品目は、第１図で示されるよう にソース気化器においてウェル１２と隣接したソース規定装置２２とともに位置 づけられ、その末端はそのときウェル内に挿入されかつ品目２０はソース気化器 に対してきらんと押圧される。第１図および第２図の実施例の場合は、ピストン が押圧され、装入物形成装置および装入物をウェル内に強制し、かつ品目１２０ の場合は利用のためにこのように装入物を開放する封止１２３を破損する。

品目２２０は、リッド２３０が封止２２３を破損するようにされることを除けば 、基本的に同じように扱われる。これにはほんの数秒しかかからずかつ通常のか つ従来の態様で気化器がイオン注入器具に固定され、かつイオン注入器具が正常 な動作に戻される。走行が完了すると、装入物形成装置は残余のＭＦ、またはＭ ２Ｆ”ガラスを含み、かつ単にコンテナに注がれかつ特定の設備および材料に適 用し得る規則により配置される。

この発明の方法の最も有利でかつ大いに好ましい形は、方法の第１の工程として テトラフルオロホウ酸リチウムを蒸発させることを含み、かつこれは方法を最良 に例示するものとして選択される。

金属テトラフルオロホウ酸塩および特にテトラフルオロホウ酸リチウムが、（ｉ ）ホウ素イオンの特にかつ予期しないほど純粋なソースおよび（ｉ　ｉ）実質的 に不活性なガラスを形成するように分解しかつイオン化される。反応は以下のよ うに２段階で述べられる、すなわちＬｉＢＦ４−−−→　ＬｉＦ　（ガラス）＋ ＢＦ。

２８Ｆ、　−−−→　２Ｂ”＋３Ｆ２ である。

ＬｉＦはソース気化器から容易にかつ安全に除去されるガラスの形であり、全く 危険でない量の弗素ガスが真空システムを介して除去され、かつホウ素イオンの ビーム、選択された　Ｂまたは１１Ｂのいずれかがターゲット内に注入される。

リチウムおよび弗素の質量に対する装入物（ｅ／ｍ）の比が低いために、イオン 装入物材料は長い走行寿命を有する、すなわち所与の重さに対して、大部分のイ オンソース材料の場合よりも多くのホウ素イオンが利用可能である。

残留物がガラスであり、本質的に不活性でかつ不揮発性であるので、それは容易 にかつ安全に扱われる。

テトラフルオロホウ酸リチウムが蒸発するので、約１０−３の真空の下で約９０ ℃ないし１５０℃で、器具に対すがすばやく再ストアされる。

Ｂ＋イオンの高い注入電流は、すばやくかつ容易に達成される。たとえば、１１ Ｂ＋の１ｍａないし３ｍａの電流が繰返し得られた。

ソース材料は相対的に不活性で、安全に扱われる材料なので、ＢＦ、のようなか なり反応的でかつ有毒なガスを用いるための極端な注意および高い危険性が避け られる。発生されるＢＦ、は、器具の内部ではマイクログラムの二であり、かつ ほとんどすぐに分解され、こうして健康または安全性の危険はない。

これらの利点の大部分は、ハロゲンたとえば塩素および臭素の分子量がより高い 場合、ｅ　／　ｍの比がより低くなるため走行寿命がより低くなることを除けば 、一般に金属テトラハロホウ酸塩を用いて得られる。同様に、ナトリウムおよび カリウムの類似物はテトラフルオロホウ酸リチウムよりも短い走行寿命を有する 。すべての種類を用いてすべての利点が得られるわけではないが、この発明は一 般に金属テトラハロホウ酸塩、主として第■属および第■属の金属のホウ酸塩、 かつ好ましくはアルカリおよびアルカリ土類金属の利用を企図するが、所望の範 囲で蒸発するテトラフルオロホウ酸亜鉛および他の遷移金属テトラハロボウ酸塩 のホウ酸塩もまた企図されている。

製造、貿易および商業の品目として、この発明は金属テトラハロホウ酸塩の、好 ましくはテトラフルオロホウ酸リチウムの装入物と、イオン注入器具のソース気 化器で受取られるｔ；めの大きさおよび形に装入物を形作る装入物形成手段と、 装入物形成手段の少なくとも一部分を包囲しかつソース気化器のウェルに装入物 形成手段を位置づけるための包囲手段とを組合わせて含む。

この発明は半導体産業に関して、かつ半導体材料、たとえばシリコン内に注入さ れた硼素の製造において述べられたが、この発明はたとえばベアリング、切削道 具、およびその地間種類のものに腐食または磨耗抵抗表面を形成する際に一般に 応用可能である。

さらに、この発明は組成物、構造および形状の特定の材料によって述べられたが 、これらは（フルオロホウ酸塩を除いて）単に例示のものであり、かつこれらが 非臨界的であるように、上で述べられた実例および原理の均等物を逸脱すること なく、この発明の範囲、概念および請求の範囲内で多くの変更が可能である。

産業上の応用 この発明は、表面の特性がイオン注入により修正される、半導体装置、切削道具 、ベアリングおよび他の金属物の製造において、その最も直接的でかつ即時の応 用を見つける。

手続補正店（方式） 昭和６２年９月１６ワａ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. １．サブストレート内にホウ素を注入する方法において、それがホウ素イオンの ビームを発生し、かつ電界および磁界の影響の下でサブストレートで前記ビーム を指示することを含み、ホウ素イオンのビームを発生する工程が金属テトラハロ ホウ酸塩の装入物を蒸発させることを含む改良。
2. ２．装入物が本質的に第Ｉ属または第ＩＩ属の金属のテトラハロホウ酸塩からな る、請求の範囲第１項に記載の方法。
3. ３．装入物が本質的に、アルカリまたはアルカリ土類金属のテトラハロホウ酸塩 からなる、請求の範囲第２項に記載の方法。
4. ４．装入物が本質的に、アルカリまたはアルカリ土類金属のテトラフルオロホウ 酸塩からなる、請求の範囲第３項に記載の方法。
5. ５．装入物が本質的に、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラフルオロホウ酸 ナトリウム、テトラフルオロホウ酸カルシウムまたはテトラフルオロホウ酸カリ ウムからなる、請求の範囲第４項に記載の方法。
6. ６．装入物がフルオロホウ酸リチウムである、請求の範囲第４項に記載の方法。
7. ７．製造、貿易および商業の品目として、テトラハロホウ酸金属の装入物と、イ オン注入器具のソース気化器で受取られるための大きさおよび形に装入物を形作 る装入物形成手段と、装入物形成手段の少なくとも一部分を包囲しかつソース気 化器のウェルに装入物形成手段を位置づけるための包囲手段との組合わせ。
8. ８．装入物が本質的に、第Ｉ属または第ＩＩ属の金属のテトラハロホウ酸塩から なる、請求の範囲第７項に記載の品目。
9. ９．装入物が本質的に、アルカリまたはアルカリ土類金属のテトラフルオロホウ 酸塩からなる、請求の範囲第７項に記載の品目。
10. １０．装入物が本質的に、アルカリまたはアルカリ土類金属のテトラフルオロホ ウ酸塩からなる、請求の範囲第７項に記載の品目。
11. １１．装入物が本質的に、テトラフルオロホウ酸リチウムからなる、請求の範囲 第７項に記載の品目。
12. １２．（ａ）イオン注入器具に、有効なイオン注入ビームを形成するのに充分な 速度で、およそ１００℃から４００℃までの温度範囲で、およそ１０−３トルか ら１０−５トルまでの真空の下で蒸発する金属テトラハロホウ酸塩を蒸発させ、 （ｂ）ホウ素をイオン化し、（ｃ）ホウ素イオンを加速し、（ｄ）ターゲットに 注入されるべきホウ素イオンを電磁的に選択し、かつ（ｅ）選択されたイオンの ビームを加速しかつターゲット上の予め定められた点または場所に向ける工程を 含む改良された方法のイオン注入。
13. １３．テトラハロホウ酸塩が本質的に第Ｉ属または第ＩＩ属の金属のテトラハロ ホウ酸塩からなる、請求の範囲第１２項に記載の方法。
14. １４．テトラハロホウ酸塩が本質的に、アルカリまたはアルカリ土類金属のテト ラフルオロホウ酸塩からなる、請求の範囲第１２項に記載の方法。
15. １５．テトラハロホウ酸塩が本質的に、テトラフルオロホウ酸リチウム、テトラ フルオロホウ酸ナトリウム、テトラフルオロホウ酸カルシウムまたはテトラフル オロホウ酸カリウムからなる、請求の範囲第１２項に記載の方法。
16. １６．テトラハロホウ酸塩がフルオロホウ酸リチウムである、請求の範囲第１２ 項に記載の方法。