JPS60109260A - 補償された多結晶シリコン抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高信頼性及び再現性を有する多結晶シリコン
抵抗素子に係る。

［従来技術］ 多結晶シリコンを抵抗素子として用いることは、集積回
路の製造に於て周知である。例えば、米国特許第４２８
５１１７号明細書は、絶縁ゲート型ＦＥＴ及びそれに関
連する負荷抵抗素子の両方を含む集積回路の製造方法に
ついて記載している。

その方法は、負荷抵抗素子のために多結晶シリコン層を
用い、導電率修正物質即ちドーパントを拡散することに
より多結晶シリコンの負荷抵抗素子の抵抗を制御してい
る。日本特開昭５５−８２４５８号明細書は、抵抗率を
増加させるために多結晶シリコンに窒素又は酸素を注入
することについて記載している。米国特許第３５７０１
１４号明細書は、燐又は硼素のいずれかを注入すること
により多結晶シリコンの抵抗率を減少させることについ
工記載しており、又アクセプタ又はドナーのドーパント
不純物を選択的に注入することにより多結晶シリコンの
導電型を選択的に制御することについても記載している
。

Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａ　１ｉｅｄ　Ｐｈ　５ｉｃｓ
　第４６巻、１９７５年、第５２４７頁乃至第５２５４
頁に於ける、５ｅｔｏによる、”Ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆＰｏｌｙｃｒｙ
ｓｔａｌｌｉｎｅ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ｆｉｌｍｓ”と題
する論文は、ドーピング濃度に対する多結晶シリコンの
抵抗率の依存性について記載している。その依存性の勾
配は極めて急峻であり、従って抵抗率の値を厳密に制御
するためには製造中に極めて多くの配慮が成されねばな
らない。更に、温度に於ける小さな変化は抵抗率に大き
な変化を生じ、即ち抵抗の温度係数が極めて大きい。

それらの特性は、多結晶シリコン抵抗素子の使用に於て
問題を生じる。多結晶シリコン抵抗素子の製造中の材料
及び処理に於ける小さなそして恐らく制御不可能な変化
は、多結晶シリコンの抵抗に大きな変化を生ゼしめる。

許容される収率を維持すべき場合には、設計は広範囲の
抵抗を許すものでなければならない。そのような広範囲
の抵抗は、高性能の装置に適合しない。更に、多結晶シ
リコン抵抗素子を含む装置は、極めて広範囲の温度に於
て動作することが予測される。大きな抵抗の温度係数は
、抵抗に大きな変化を生ぜしぬる。

従って、設計が広範囲の抵抗を許すものでなければなら
ず、又は動作温度が著しく制限される。

それらの抵抗率の変化を制御するためには、電気の伝導
のメカニズムを理解する必要がある。前述の５ｅｔｏに
よる論文は、多結晶シリコンに於ける電気伝導は、多結
晶シリコンの粒界に於けるトラップ状態によって制御さ
れると結論している。

ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ、第ＥＤ−２８巻、１９８１
年、第８１８頁乃至第８３０頁に於ける、Ｌｕ等による
、”　Ｍｏｄｅｌｉｎｇ　ａｎｄＯｐｔｉｍｉｚａｔｉ
ｏｎ　ｏｆ　Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｐｏ１ｙｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ　Ｒｅ５ｉｓｔｏｒｓ”
と題する論文は、電気伝導のモデル及び温度効果につい
て論じている。

集積回路に於て用いられているもう１つの型の抵抗素子
は、例えばシリコンの如き半導体の抵抗素子である。シ
リコン抵抗素子も同様に、半導体の性質のために、抵抗
の温度係数が大きい。米国特許第３６８３３０６号明細
書は、抵抗率の温度依存性を低下させる方法について記
載している。

その方法は、シリコン中に、２つの型のドーノベント、
即ち硼素又は燐の如きアクセプタ又はドナーのドーパン
ト及び錫の如き電気的に不活性のドーパン１−を導入し
ている。それらの２つのドーパントの間には、補償は何
ら存在しない。しかしながら、その電気的に不活性のド
ーパントは更に散乱を生ぜしぬる。Ｉｏｎ　Ｉｍ　１ａ
ｎｔａｔｉｏｎ　１ｎｉｎ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｓ　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、　Ｂｅｒｌ、
ｉｎ。

１９７１年、第３５７頁乃至３６１頁に於ける、Ｎ１ｃ
ｈｏｌａｓ等による、”Ｎｅｗ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ
　ｆｏｒＩｍｐｒｏｖｉｎｇ　Ｉｌｉｇｈ　Ｖａｌｕｅ
　Ｉｏｎ　Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　Ｒｅ５ｉｓｔｏｒｑ”
と題する論文は、電気的に活性のドーパント及び電気的
に不活性のドーパントを用いている、同様なダブル・ド
ーピングについて記載している。

多結晶シリコン抵抗素子の信頼性を増すためにイオン注
入を用いることは、多結晶シリコンの電気伝導のメカニ
ズムが単結晶シリコンの場合と極めて異なるために、従
来に於ては確実性を有していなかった。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、高い信頼性及び再現可能な抵抗を有し
、抵抗率の温度係数が小さい多結晶シリコン抵抗素子を
提供することである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、絶縁層と、所定の幅及び２つの接点領域間の
所定の長さを有する上記絶縁層上の多結晶シリコン層と
、上記多結晶シリコン層中に上記長さに亘り実質的に均
一に含まれている所定のアクセプタ濃度のＰ型ドーパン
トと、上記多結晶シリコン層中に上記長さに亘り実質的
に均一に含まれている所定のドナー濃度のＮ型ドーパン
トとを有し、上記アクセプタ濃度と上記ドナー濃度との
差である正味ドーパント濃度を有している、補償された
多結晶シリコン抵抗素子を提供する。

［実施例］ 多結晶シリコンは異なる寸法の微結晶より成る。

各微結晶は、成る一定の結晶方向を有しており、粒界、
即ち配列の乱れた略１ｎｍの厚さの原子層を経て、隣接
する微結晶に結合している。多結晶半導体に於ける電気
伝導のメカニズム及びエネルギ帯の構造は、粒界によっ
て修正される。最も広く受入れられている電気伝導のメ
カニズムは、前述のＬｕ等による論文に記載されている
如き、キャリア・トラップ・モデルである。粒界は、多
結晶シリコンの微結晶の本質的（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）
フェルミ準位に関してエネルギＥＴに配置されたキャリ
ア・トラップ位置を含む。そのトラップ位置の密度は、
表面電荷Ｑｒ／ａ＆として測定される。単結晶シリコン
のエネルギ帯構造は、粒界の近傍を除けば、多結晶シリ
コンの場合も同じである。多結晶シリコンがＮ型又はＰ
型の材料をドープされた場合、中性のトラップがそれら
のキャリアをトラップすることにより帯電し、従って粒
界の近傍に於て多結晶シリコンの微結晶が空乏化する。

その結果、帯電したトラップにより、電位障壁Ｖ、が粒
界の近傍に形成される。空乏層の幅はトラップされた電
荷の量により変化する。従って、多結晶シリコシの有効
キャリア濃度及び導電率が粒界効果によって著しく低下
する。電気伝導のメカニズムは、粒界の電位よりも高い
エネルギを有する有効キャリアの熱電子放出から主に生
じるものと考えられる。多結晶シリコンに於けるキャリ
アの移動度の最小値及びシート抵抗Ｒｓの急峻な勾配は
、その電位障壁の存在によるものである。

シート抵抗は、多結晶シリコンの薄膜に特に有用な抵抗
率の測定値である。それは、単位幅及び単位高さの所与
の厚さの被膜の抵抗である。シート抵抗はΩ又はΩ／口
として表わされる。

イオン注入量に対するＲ６の最大の感度は中間のドーピ
ング・レベル（２Ｘ　１０１″乃至１０１９／ｄ）に於
て生じ、それは、それらの濃度に於て、粒界のトラップ
位置が未だ飽和されておらず、電位障壁の高さが未だ増
加しているためである。この濃度の範囲はＲｓの値の高
い抵抗素子に用いられる範囲である。より高いドーピン
グ・レベルに於ては１粒界が飽和され、空乏層の幅及び
電位障壁の高さの両方が減少して、注入量に対するＲ８
の感度が低下する結果となる。従来技術に従って多結晶
シリコンに硼素をイオン注入することにより幾つかの多
結晶シリコン抵抗素子を形成し、それらのシート抵抗を
測定してみた結果が、第２図に於て線１０．１２．１４
及び１６により、ドーピング濃度の逆数の関数として、
多結晶シリコン抵抗素子の４つの異なる成長条件につい
てプロットされている。その多結晶シリコンは、２つの
異なる厚さ、即ち線１０．１２及び１６により表わされ
ている抵抗素子に於ては３００ｎｍ、そして線１４によ
り表わされている抵抗素子に於ては４００ｎｍの厚さに
付着された。それらの各抵抗素子は、第１図に示されて
いる如きアニール温度及びアニール時間でアニールされ
た。Ｌｕ等及び５ｅｔｏも同様なプロットを示しており
、彼等はより広い範囲の濃度に亘って実験的にシート抵
抗を測定している。第２図に示されているドーピング濃
度の範囲は、集積回路に於ける多くの適用例に特に望ま
しい、より高いシート抵抗を与える範囲である。ドーピ
ング濃度に於ける係数２の変化は、シート抵抗に於て略
１０の係数の変化を生じることが理解される。このドー
ピング濃度に対する大きな依存性は、多結晶シリコン抵
抗素子の製造に於けるシート抵抗の制御を困難にする。

多結晶シリコンに於ける電気伝導のメカニズムを理解す
ることは、ドーピング濃度の変化に対する感度がより低
いシート抵抗を有する多結晶シリコン抵抗素子を得るた
めに役立つものと考えられる。この場合も、電気伝導の
基本的メカニズムは同様である。しかしながら、多結晶
シリコンに於けるドーピングを補償すること、即ちＮ型
ドーパント及びＰ型ドーパントの両方を用いて、それら
の２つのドーピング・レベルの間の差である正味のドー
ピング濃度を得ることが提案される。その結果１粒界の
トラップが両種のキャリア、即ち電子及び正孔で帯電さ
れる。単結晶シリコンに於ける補償の効果は、電気伝導
特性が主として正味の即ち補償されたビーピング・レベ
ルにより決定されるので、余り大きくない。しかしなが
ら、多結晶シリコンに於ては、両種のキャリアが粒界に
於てトラップされている場合には、一方のドーピング濃
度が他方のドーピング濃度よりもどれだけ高いかによっ
て正味のドーピングの効果が決定されるとしても、粒界
に於ける有効障壁高さが補償されたドーピングによって
低下する。電気伝導は粒界に於ける電位の高さに極めて
敏感であるので、僅かな電位の低下も、正味ドーピング
濃度に対するシート抵抗の感度を著しく修正させる。

本発明の有効性を証明するために、従来技術による多結
晶シリコン抵抗素子と同様な、更に２つの多結晶シリコ
ン抵抗素子が形成され、それらの特性は第２図に於て線
１８及び２０により示されている。しかしながら、それ
らの２つの抵抗素子に於ては、アクセプタ・ドーパント
である硼素をイオン注入することによりバックグラウン
ド・ドーピングが施されてから、反対導電型のドナー・
ドーパントである燐を用いて更にイオン注入が施された
。その処理については後に詳述する。線１８により特性
が示されている一方の抵抗素子には。

２　Ｘ　１０１ｇ／ｉのバックグラウンド・ドーピング
が施された。それから、反対導電型の第２のイオン注入
が行われて、５Ｘ１０”／ｃ＋／及び１０１ｇの正味ド
ーピング濃度が得られた。線１８は、それらの２つの実
験点に基づいてプロットされている。

その多結晶シリコンの厚さ及びアニール条件は、線１２
により表わされている補償されてい。ない抵抗素子の場
合と同一であった。第２図にプロットされている正味ド
ーピング濃度Ｎｔ、−Ｎｏは、バックグラウンド・ドー
ピングと第２のイオン注入により導入されたドーピング
とめ差である。第２図から理解される如く、正味ドーピ
ング濃度に対するシート抵抗の依存性は、補償を用いる
ことによって著しく減少する。他方の補償された多結晶
シリコン抵抗素子は、５　Ｘ　１０”／ｄのバックグラ
ウンド・ドーピングを用いて形成され、その抵抗率の特
性は線２０により表わされている。その多結晶シリコン
の厚さ及びそのアニール条件は、線１４により表わされ
ている補償されていない抵抗素子の場合と同様である。

この場合にも、ドーピング濃度に対する依存性が減少し
ている。更に、これらの実験は、バックグラウンド・ド
ーピングの増加がドーピング濃度に対するシート抵抗の
依存性を減少させることを示している。

更に、第３図に於て正味ドーピング濃度の関数として示
されている抵抗率特性を有する、５つの補償された多結
晶シリコン抵抗素子を用いて比較が行われた。それらの
中の第１多結晶シリコン抵抗素子に於ては、厚さ３００
ｎｍの多結晶シリコン層が基板上に付着された。アクセ
プタ・ドーパン１〜をイオン注入する事により、７．３
Ｘ１０”／ｄのバックグラウンド・ドーピングが施され
た。

更に、ドナー・ドーパントの第２イオン注入が行われて
、第３図に示されている正味ドーピング濃度が生じた。

松に、その試料は、１０００℃で８１分間アニールされ
た。曲線２２は、それらの実験的に測定された点をプロ
ットしている。第３図から理解される如く、ドーピング
濃度に対するシート抵抗の依存性はゆるい勾配を有して
いる。第２多結晶シリコン抵抗素子は、アクセプタ・ド
ーパン１−によるバックグラウンド・ドーピングが９゜
Ｉ　Ｘ　１０１″／ｄに増加された以外は、曲線２２の
場合と同様にして形成された。それらの結果は曲線２４
によりプロットされている。第３多結晶シリコン抵抗素
子は２　Ｘ　１０１９／ｃＪのバックグラウンド・ドー
ピングが用いられた以外は、同様にして形成され、その
抵抗値特性は曲線２６により示されている。それらの３
本の曲線２２．２４及び２６から理解される如く、バッ
クグラウンド・ドーピングに於ける増加は、所与の正味
ドーピング濃度に関してシート抵抗を低下させるととも
に、正味ドーピング濃度に対するシート抵抗の依存性を
低下させる傾向を有する。

第４多結晶シリコン抵抗素子は、該抵抗素子への接触を
容易にするために該抵抗素子の接点領域に於て更に硼素
を用いたイオン注入が行われた以外は１曲線２６の場合
と同様にして形成された。

それらは又、更に９００℃で３０分間アニールされた。

この抵抗素子の抵抗値特性は曲線２８により示されてお
り、この曲線２８は、更に施された接点領域に於けるイ
オン注入がシート抵抗に小さな影響しか与えないことを
示している。第５多結晶シリコン抵抗素子は、アクセプ
タ・ドーパントによる５　Ｘ　１０”／ａｉ？のバック
グラウンド・ドーピングを用いて形成され、９５０℃で
６４分間アニールされた。この抵抗素子にも、接点領域
に於けるイオン注入及びアニーリングが更に施された。

その抵抗値特性は曲線３０により示されている。

この曲線３０は、第２図の曲線２０の場合と同じ試料に
関する特性を示している。

前述の如く、ドーピング濃度に対する抵抗率の依存性の
低下は、製造中に於ける抵抗素子の制御性を増加させる
だけでなく、温度に対しても僅かに小さい又は少くとも
同等の抵抗率の依存性を生じるべきである。集積回路は
典型的には広範囲の動作温度に亘って動作するように設
計されているため、抵抗率の温度係数が大きいと、設計
の問題が生じる。第４図は、曲線３２に於ては、補償さ
れていない多結晶シリコン抵抗素子に於ける抵抗率の温
度係数をシート抵抗の関数として示しており、曲線３４
に於ては、補償された多結晶シリコン抵抗素子の幾つか
の例の場合を示している。第４図にプロットされている
如く、抵抗率の温度係数は、２５乃至１２５℃に於て測
定されたシート抵抗に於ける百分率の変化である。補償
された抵抗素子に於ける抵抗率の温度係数は、補償され
ていない抵抗素子の場合よりも幾分小さいことが解る。

次に、多結晶シリコン抵抗素子を製造するための１つの
方法について述べる寸その方法は、前述の実験のために
用いられた抵抗素子を製造するために用いられた。しか
しながら、本発明は、この方法により製造された多結晶
シリコン抵抗素子のみに限定されることはない。

第５図は、補償された多結晶シリコン抵抗素子の製造に
於ける初期の工程を示している。単結晶シリコンのスラ
イスが基板４０として用いられ、基板４０が熱酸化され
てベース酸化物層即ち絶縁層４２が形成され、そのベー
ス酸化物層４２上に多結晶シリコン抵抗素子が設けられ
る。ベース酸化物層４２上に、多結晶シリコン層４４が
低圧の化学的気相付着により付着される。前述の例に於
ては、多結晶シリコン層４４の厚さは３００乃至４００
ｎｍの範囲である。多結晶シリコン層４４上に、キャッ
ピング酸化物４６が熱酸化又は他の手段により成長され
る。キャッピング酸化物４６は、多結晶シリコン層４４
を保護するために設けられる。それから、２つのイオン
注入が行われる。

各々のイオン注入は、キャッピング酸化物４６を経て下
の多結晶シリコン層４４にドーピングを施す。それらの
イオン注入の一方に於てはＰ型ドーパントそして他方に
於てはＮ型ドーパントが用いられ、この場合には、硼素
及び燐が用いられている。前述の抵抗素子の製造に於て
は、燐のドーピングの前に高濃度の硼素のバックグラウ
ンド・ドーピングが行われたが、イオン注入の順序は重
要でないように思われる。米国特許第３９０９３０５号
明細書に記載されている如き、シュアル・イオン注入装
置を用いて１両方のイオンを同時に注入することも可能
である。正味ドーピング濃度、従って正味キャリア密度
を決定するのは２つのドーパント濃度の差であるので、
２つのイオン注入の注入量は重要である。従来技術に於
て行われているイオン注入は、注入量を１％以内に制御
することができ、これは本発明の実施に於て適合する。

例えば、１０にΩ／口のシート抵抗を有する多結晶シリ
コン抵抗素子が望まれる場合には、補償されていない多
結晶シリコン抵抗素子は８　Ｘ　１０１１１／ｄの近傍
のドーピングを要する。しかしながら、このドーピング
の範囲に於ては、補償されていない多結晶シリコン抵抗
素子に於けるＲ８の変化が極めて大きいことが解った。

しかしながら、補償された多結晶シリコン抵抗素子に同
一のシート抵抗値を得たい場合には、硼素９　、　Ｉ　
Ｘ　１０’！／ａ＋？及びＲ２，９ｘ　１０”／ａ＃　
（第２図（７１曲線２４を参照）のドーピング濃度が用
いられる。これらのドーピング・レベルに於ては、ドー
ピング濃度に対するＲｓの感度に関する制御の問題は何
ら生じない。それから、イオン注入された多結晶シリコ
ン及びそれに関連する構造体が、イオン注入により導入
された損傷を除くためにアニールされる。

典型的なアニール条件については、第２図及び第３図に
関連して既に述べた。

この時点に於て、多結晶シリコン抵抗素子の抵抗特性は
設定されている。しかしながら、抵抗素子を画定しそし
てそれに接点を設けることが未だ残されている。第１図
に示されている如く、多結晶シリコン抵抗素子の横方向
の広がりを限定する第１フオトレジスト・パターンが設
けられる。次に、反応性イオン・エツチングにより、キ
ャッピング酸化物４６及び多結晶シリコン層４４が除去
されて、多結晶シリコン抵抗素子の広がりが物理的に限
定される。それから、第１フオトレジスト・パターンが
剥離される。

次に、窒化物層４８がチップ全体に付着される。

窒化物層４８の目的の１つは、先のイオン・エツチング
に於て露出された多結晶シリコン層４４の壁を覆うこと
である。次に、多結晶シリコン抵抗素子の両端に接点領
域を画成する第２フオトレジスト・パターンが設けられ
る。それから、比較的多い注入量のバックグラウンド・
ドーパントが、多結晶シリコン抵抗素子の２つの端部に
於ける上面に於て、窒化物層４８及びキャッピング酸化
物４６を経て、２つの接点領域５０及び５２．中にイオ
ン注入される。それらの接点領域５０及び５２に於ける
最終的ドーピング濃度は１０”／ｃＪよりも高くなるべ
きである。それらの接点領域に於けるイオン注入の後、
フォトレジスト・パターンにより覆われていない接点領
域５０及び５２の近傍に於ける窒化物層４８及ｑキヤツ
ピング酸化物４６が第２反応性イオン・エツチングによ
り除去される。このエツチングは、次に接点が形成され
るように、多結晶シリコン層４４の接点領域５０及び５
２を露出させる。それから、フォトレジスト・パターン
が剥離される。接点領域に於けるイオン注入の効果は、
２つの接点領域５０及び５２に信頼性のあるオーム接点
を設けることである。

それから、チップに第２７二−リング、即ち接点領域に
於けるイオン注入により導入された損傷を除去するため
の接点アニーリングが施される。

その接点アニーリングの条件は、一般的には、初めのア
ニーリングの条件に対応する。接点を形成する準備とし
てイオン注入が行われていない場合には、上記接点アニ
ーリングが必要でないことはもちろんである。接点アニ
ーリングの後、チップ全体が、緩衝されたＨＦエツチン
グ剤中に浸漬される。最終的な一連の工程に於て、電気
接点５４及び５６が、電子銃による蒸着又はスパッタリ
ングを用いて白金を付着することにより形成される。

それから、白金の電気接点５４及び５６が焼結されて、
薄い珪化白金（ＰｔＳｉ）層が形成される。次に、電気
的接続のために、アルミニウム・リード５８及び６０が
付着されるにのようにして、装置の製造が完了し、該装
置は使用及び測定可能な状態になる。

上記技術を用いた場合には、所与のドーピング濃度に於
けるシート抵抗の変化は小さく、２乃至３％の標準偏差
を有することが解った。

以上に於ては、正味のドーピングがＰ型になるように、
より高濃度の硼素のバックグラウンド・ドーピング及び
より低濃度の燐のドーピングを用いて補償された多結晶
シリコン抵抗素子について述べたが、本発明による補償
された多結晶シリコン抵抗素子はより高いＰ型の濃度で
なくより高いＮ型の濃度を用いても制造することができ
る。更に、硼素−砒素及び硼素−アンチモンの如き組合
せが用いられるように、ドーピングの種を変更すること
も可能である。

［発明の効果］ 本発明によれば、高い信頼性及び再現可能な抵抗を有し
、抵抗率の温度係数が小さい多結晶シリコン抵抗素子が
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は完成された本発明による補償された多結晶シリ
コン抵抗素子を示す縦断面図、第２図は従来技術による
多結晶シリコン抵抗素子及び本発明による多結晶シリコ
ン抵抗素子の両方のシート抵抗を正味ドーピング濃度の
逆数の関数として対数目盛で示しているプロット、第３
図は異なるバックグラウンド・ドー・ピング濃度を有す
る５つの補償された多結晶シリコン抵抗素子に於けるシ
ート抵抗を正味ドーピング濃度の関数として対数目盛で
示しているプロン１−１第４図は補償されていない多結
晶シリコン抵抗素子及び本発明による補償された多結晶
シリコン抵抗素子の両方に於ける抵抗の温度係数をシー
ト抵抗の関数として示しているプロット、第５図は部分
的に製造された補償された多結晶シリコン抵抗素子を示
す縦断面図である。 ４０・・・・単結晶シリコン基板、４２・・・・ベース
酸化物層（絶縁層）、４４・・・・多結晶シリコン層、
４６・・・・キャッピング酸化物、４８・・・・窒化物
層、５０．５２・・・・接点領域、５４．５６・・・・
電気接点、５８．６０・・・・アルミニウム・リード゛
。 出願人　インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 代理人　弁理士　岡　１）　次　生 （外１名） 第２図 シート抵１九　（ｋへ１０１ 第４図 手続補正窃：（方式） 昭和５９年１０月ｌン日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５９年　特許願　第１２２１５９号２、発明の名称 補償された多結晶シリコン抵抗素子 ３、補正をする者 １事件との関係　特許出願人 ４、代理人 ６、補正の対象 （１）　明細書の発明の詳細な説明の欄７、補正の内容 （１）明、ｌ１ｌｌ書第２頁第２０行目にｒＪｏｕｒｎ
ａｌ　ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｊとある
のを、「ジャーナル・オン・アプライド・フィジックス
（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）　Ｊと訂正する。 （２）明細書第３頁第１〜３行目に［に於ける、５ａｔ
ｏによる・・・・・・と題する論文）とあるのを。 「の論文」と訂正する。 （３）明細書第４頁第９〜１０行目にｒＩＥＥＥＴｒａ
ｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌａｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖ
ｉｃｅｓＪとあるのを、［アイイーイーイー・トランザ
クションズ・オン・エレクトロン・ディバイスイズ（Ｉ
ＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｅｌａｃｔ
ｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ）Ｊと訂正する。 （４）明細書節４亘第】１〜１３行目に「に於ける、　
Ｌｕ等による・・・・・・と題する論文」とあるのを、
「の論文」と訂正する。 （５）明細書第５頁第７〜１０行目にｒ　Ｉｏｎ・・・
・・・。 Ｂｅｒｌｉｎ　ｒ　Ｊとあるのを、［ベルリンのスブリ
ンガー発行、半導体のイオン注入に関する第２回国際会
議の議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ２
ｎｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ　ｏｎ　ＩｏｎＩｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ　ｉｎ　
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−
Ｖｅｒｌａｇ、Ｂｅｒｌｉｎ、）Ｊと訂正する。 （６）明細書第５頁第１１〜１４行目に「に於ける、・
・・・・・と題する１文」とあるのを、「の論文」と訂
正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁層と、所定の幅及び２つの接点領域間の所定の長さ
   を有する上記絶縁層上の多結晶シリコン層と、上記多結
   晶シリコン層中に上記長さに亘り実質的に均一に含まれ
   ている所定のアクセプタ濃度のＰ型ドーパントと、上記
   多結晶シリコン層中に上記長さに亘り実質的に均一に含
   まれている所定のドナー濃度のＮ型ドーパントとを有し
   、上記アクセプタ濃度と上記ドナー濃度との差である正
   味ドーパント濃度を有している、補償された多結晶シリ
   コン抵抗素子。