JPS62500483A - ゾ−ン プレ−トを使用するマスク−ウェ−ハ整合 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ゾーン　プレートを使用するマスク−ウェーハ整合発明の背景 本発明は集積回路デバイスの製造、よシ詳細には集積回路デバイスの整合の際の 改良されたマスク−ウェーハ整合を達成するだめの技術に関する。

Ｘ−線リソゲラフイーはデバイスの＃１線パターンを達成するための有望なアプ ローチとして意欲的に開発されている。Ｘ−線パターンニング　システムの高精 密マスク−ウェーハ整合を実現する有望な方法は、合衆国特許第４，３２６，８ ０５号に説明されるように、マスク及びウェーハ上のゾーン　プレートの使用、 及びコリメート　レーザー　ビームによるマスク及びウェーハ　ゾーン　プレー トの照射を含む。

実際には、レーザー　ビーム照射ゾーン　プレートによって生成される強度及び 場合によってはこの重心の位置はマスク−ウェーハ間隔の変化に伴って変化する 。通常、この強度の変化はこの整合プロセスを複雑にする。

また、映像光スポットの重心の位置の変化によって必然的に整合エラーが発生す る。本発明はこの影響を減少することを目的とする。

発明の要約 本発明によると、マスク上のゾーン　プレートを照射するのに採用される光の一 部のみがマスク−ウェーハ間を通じて伝播し、ウェーハから反射しマスク　ゾー ンプレート上に当たることが許される。これはマスク上の個々のゾーン　プレー ト上に局所化されたブロッキング層を形成することによって達成される。この層 はマスクゾーン　プレートによるウェーハから反射される光に起因するマスクの 表面上に干渉像スポットが生成されるのを効果的に防止する。これが防止されな い場合、あるいは少なくとも実質的に減少されない場合は、この干渉作用はマス ク　ゾーン　プレートによって集められる像スポットの好ましくない強度あるい は位置の変動を起こす。

本発明のもう１つの特徴によると、窒化ホウ素／ポリイミド　マスク構造の窒化 ホウ素層の表面がマスク構造から離れて置かれるウェーハ上のゾーン　プレート を照射するのに使用される光の波長の所で非反射性を示す層が被覆される。これ はウェーハ　ゾーン　プレートによって映像される光スポットとマスクから反射 される光の間の干渉作用を減少させる。これはまた、マスクから反射される光に 起因する背景変動を減少することによって光スポツト対背景ノイズ比の安定性を 向上させる。この干渉作用が除去あるいは実質的に減少されない場合は、この干 渉作用によって、整合プロセスの際に、ウェーハゾーン　プレートによって生成 される像に好ましくない強度の変動が発生する。

本発明のもう一面によると、前述のマスク構造内のポリイミド層はいわゆる１７ ４波長厚を持つように設計される。この結果、この層の上面及び下面からの反射 が互いに破壊的に干渉する。結果として、マスクのポリイミド層から反射される 干渉光の正味量が最小限にされる。

これが最小限にされないと、この反射光も整合プロセスの際にウェーハ　ゾーン 　プレートによって生成される像に好ましくない強度変動を与える。

図面の簡単な説明 第１図はゾーン　プレートを含む周知のマスク／つ工−ハ　アセンブリの部分を 表わす断面図を示し；第２図及び第３図は本発明の一面を具現する一例としての マスクの部分の断面図を示し； 第４図は第２図あるいは第３図に示されるマスクの部分の平面図を示し；そして 第５図は本発明の２つの追加の特徴を含む断面図を示す。

Ｖｏｌ、　７１．　随５．１９８３年５月、ページ６４０−６５６に掲載の論文 〔１−μｍ　ＮＭＯ３へのシステム　アプローチ（ＡＳｙｓｔｅｍ　Ａｐｐｒｏ ａｃｈ　ｔｏ　１　／ＪＦＦＩ　ＮＭＯ３）　：）　に説明されるごとく、周知 のＸ−線リソゲラフイー　システムに使用されるＸ−線波長は４．３６−オング ストローム　ユニット（Ａ）パラジウム線である。第１図にはこのシステムに使 用されるマスク構造が示される。

周知のマスクはポリイミド材の２−μｍの厚さの層１２にて被覆されたいわゆる 窒化ホウ素（実際ては原子百分率にて約２０：５ニア５のホウ素、窒素及び水素 ）の４−ミクロン（μｍ）厚の膜１０から構成される。

膜１０及び層１２はシリコンの環状リング１４によって支持される。一方、リン グ１４はパイレックス　ガラスから製造される硬い環状リング１６にエポキシ結 合される。Ｘ−線吸収体（６０００人の金で被覆された３００への及び８００へ のタンタル）が層１２の下面に沈殿され、次に電子ビーム露出システムを使用し て集積回路デバイスの１つのレベルに対する形状を描くようにパターン化される 。３層吸収体においては、ゾーン　プレート整合マークも同様に描かれる。

膜１０及び層１２は本質的に４．３６人のＸ線に対して透明である。これに加え て、これらは整合の最中にマスク／ウェーハ　アセンブリ上にゾーン　プレート 　マークを照射するのに使用される光に対しても透明である。

第１図はマスク構造上に描かれた単一ゾーン　プレート整合マークの部分を示す 。ここに示される部分は円形領域１８及び環状領域２０を含む。（これら領域は それぞれ実際には好ましくは、上述の３層の金属化層から製造されるが、これら 領域は簡略の目的で、第１図には個々が単一の層のみを含むように示される。） 実際のゾーン　プレート整合マークは領域１８及び２０を包囲する一連の間隔を 置かれた同心円リングを含む。実際には、示されるマスク構造上に数個のこのよ うなマークが含まれる。

第１図には集積回路デバイスの１つのレベル内に含まれる形状のＸ線吸収体部分 ２１及び２３も簡単に示される。第１図には標準ウェーハ２２の部分も示される 。−例として、ウェーハ２２の上面とマスク構造の層１２の下面の間の距離ｄ、 は公称上４０μｍである”。実際には、ウェーハ２２上に、典型的には幾つかの ゾーン　プレート整合マークが形成される。第１図には円形領域２４と環状領域 ２６を含む１つのマークの部分のみが含まれる。

ウェーハ上にはＸ−線センシティブ　レジストの厚さ０．７μｍの層２８が覆わ れる。別の方法としては、標準の３レベル構造（例えば、１．８μｍの硬焼ＨＰ 　Ｒレジスト、１２００への二酸化ケイ素、０．７μｍＸ−線センシティブレジ スト）が被覆される。

第１図の矢印３０及び３２によって示されるように、領域２４及び２６を含むウ ェーハ　ゾーン　プレートマークは光源（図示なし）から放射されるコリメート ビームによって照射される。−例として、光源は６２３８へのヘリウム−ネオン 　レーザー発光ダイオードを含むこの照射に応答して、ウェーハ　ゾーン　プレ ートは第１図に矢印３４及びスポット３６によって示されるように層２８の下面 より所定の距離ｄ、＋ｄ、たけ上の所に光源の焦点イメージを生成する。

同様に、第１図の矢印３８及び４０によって示されるように、例えば１．６３２ ８Ａにて動作するレーザーから放射されるコリメート　レーザー　ビームも領域 １８及び２０からマスク　ゾーン　プレート　マークを照射する。

これに応答して、マスク　ゾーン　プレートは第１図の矢印４２及びスポット４ ４によって示されるように、層１２より所定の距離ｄ３だけ上の所に光源の焦点 イメージを生成する。

周知のごとく、第１図に示される距離ｄ、及びｄ３は示されるゾーン　プレート がウェーハ　ゾーン　プレートの焦点長がマスク　ゾーン　プレートの焦点長よ り距離ｄ１だけ大きくなるように設計することによって等しくされる。この場合 、マスク上のゾーン　プレート及びウェーハ上のその下の関連するゾーン　プレ ートから成るセットによって形成されるイメージは、マスク及びウェーハが整合 されると、膜１０の上面に平行の共通プレートに所定のパターンを生成する映像 スポットの集まりとして出現する。換言するならば、生成される映像スポットの 関連するセットは同一の高さの所に集められる。整合は焦点スポットの相対的な 位置を決定する周知の像処理システムによって自動的に行われる。

好ましくは、合衆国特許第４，３２６，８０５号によって示される理由によって 、矢印３０．３２及び３８．４０によって表わされるコリメート　ビームはそれ ぞれ膜１０の上面に垂直の基準ライン４５に対して小さな角度にて膜１０の上面 の所に向けられる。−例として、このビームはそれぞれライン４５に対して約３ 度の所に位置する。

要約すると、オフ−ノーマル照射の結果として、倍率エラー（例えば、ウェーハ の部分間の温度差に起因するエラー）が検出され、このエラーはマスク−ウェー ハ間隔を変化することによって修正される。

ただし、実際には、マスク−ウェーハ間の距離を変化することによって、ここに 説明のゾーン　プレート　マークによって生成される像スポットの強度に変動が 起こることが知られている。間隔によっては、正確な整合が容易に達成できない ほどのスポット−ノイズ比となる。

ある場合には、集められた映像スポットの重心がマスク−ウェーハ間隔が変化す ると、事実上、移動することが確認されている。この結果、整合エラーが発生す ることとなる。出出願人は前述の現象の原因となる干渉作用を発見しこの分析を 行なった。

第１図に示されるマスク／ウェーハ　アセンブリでは各種の好捷しくない光反射 が発生する。つまり、例えば、領域１８及び２０から構成されるマスク　ゾーン 　プレートに向けられる照射の部分は、第１図の矢印４６及び４８によって示さ れるように、レジスト被覆ウェーハ２２の表面に当たり、これより反射される。

平行ビームの形式を持つこのウェーハ反射光はマスク　ゾーン　プレートによっ て回折して伝送される。こうして生成された焦点スポットはマスク　ゾーン　プ レートによる反射によって最初に映像された光によって生成されたスポットと一 致する。しかし、これらスポット間の相対位相はウェーハによって反射された光 によって取られる追加の経路長（約２ｄ暑によって決定される。この結果、ｄＩ が変化すると、スポット４４の所で生成される像の強度も変化する。場合によっ ては、スポット４４の強度はｄ、が０．１５μｍだけ変化するだけで９０パーセ ント変化する。

スポットの強度が破壊的な干渉を起こすような場合は、スポット４４の強度は正 確及び／迅速な整合が困難あるいは、事実上、不可能となるほど低くなる場合も ある。

さらに、状況によっては、第１図に示されるマスクゾーン　プレートの焦点特性 が反射と伝送で異なる場合がある。このような場合、ウェーハ２２とレジスト２ ８が完全に平行でないときは、反射と伝送において映像されるそれぞれのスポッ トの重心が一致せず、結果として、検出器及び像処理システムに出現する正味の 結果としての映像スポットが反射においてのみゾーン　プレートによって生成さ れる位置と異なる位置にくる。

ここに説明のマスク／ウェーハ　アセンブで発生する他の問題の幾つかがさらに 第１図に簡略的に示される。

例えば、領域２４及び２６から構成されるウェーハ　ゾーン　プレートの所に向 けられる照射ビームの部分はレジスト層２８及びウェーハ２２の上面並びに層１ ２及び膜１０からウェーハ　ゾーン　プレートに轟たる前に、第１図の矢印５０ から５７によって示されるように、１回ないし複数回反射される。ビームのこの 反射部分は照射源からウェーハ　ゾーン　プレートに直接に伝播する入射部分と 結合する。この結合の正味結果が構成的であるか破壊的であるかに関係なく、こ の程度はマスク−ウェーハ間隔ｄ＋の関数として決定される。この結果、ウェー ハ　ゾーン　プレート上に当る照射の強度が変化するようにみえ、結果として、 スポット３６の強度も変化する。

これに加えて、第１図に示されるウェーハ　ゾーンプレートを照射するのに使用 される入射ビームの部分は、矢印５８から６０によって示されるように、図示さ れるマスク構造の各種の界面から反射される。一方、これら部分はウェーハの表 面から反射される光（例えば、矢印５１及び５２）と干渉し、結果として、ゾー ン　プレート像が検出される背景光の強度に変化を与える。さらに、マスク界面 からのこの反射はウェーハ　ゾーン　プレートによって映像される光と干渉する 。このため、焦点スポット３６０強度がマスク−ウェーハ間隔ｄ１の変化に伴な って変化する。

本発明によると、マスク−ウェーハ整合システムの上述の各種の悪影響を除去あ るいは実質的に減少する目的で照射の経路を制御するだめにマスク構造に各種の 修正が加えられる。この修正の１つが第２図及び第３図に簡略的に示される。も う１つの好ましい修正が第５図に示される。

第１図に簡略形式にて示されるマスク　ゾーン　プレートの領域１８及び２０が 第２図により詳細に示される。

第２図に示されるように、これら領域の各々は実際には３つの層を含む。例えば 、領域１８はそれぞれタンタル、金及びタンタルから製造される３つの層６４か ら６６を含む。環状領域２０もそれぞれタンタル、金及びタンクルから製造され る３つの層６８から７０を含む。

層１２の下面に個々のマスク　ゾーン　プレート及びこの周辺の面をカバーする ために気ブロッキング層〃７２が形成される。層７２の目的は、マスク−ウェー ハ間隔に入いり、その後、ウェーハから反射してゾーンプレートに向かう（矢印 ７４によって示される）レーザー照射をブロックすることにある。さらに、この 層はマスク−ウェーハ間隔に侵入し、実際にマスク　ゾーンプレートに達してウ ェーハから反射される全ての光をブロックする。ブロッキング層７２によって、 この反射の悪影響が除去あるいは少なくとも大きく減少される。

ブロッキング層７２を形成するために選択される材質の特性はタンタル層６４及 び６８に依存する。幾つかの　。

場合においては、沈殿及びパターン化されるこのタンクル層は入射レーザー照射 に対して光反射特性を示す。またある場合においては、これら層は光吸収特性を 示す。

反射タンタル層の場合は、ブロッキング層７２の材質は、好ましくは、入射レー ザー光を吸収するものが選択される。吸収タンタル層の場合は、ブロッキング層 ７２は、好ましくは、入射レーザー光を反射するものが選択される。この選択に よって、所望のブロッキング作用がゾーン　プレートの像特性と大きな干渉を起 こすことなく達成される。場合によっては、これによってゾーン　プレートの回 折効率が向上される。

ブロッキング層７２（第２図）を形成するのに適当な各種の反射材質、例えば、 金属が知られている。例えば、層７２は、マスク層１２の下面全体に０．２５μ ｍ厚のアルミニウム膜が沈殿することによって形成される。このアルミニウム膜 は、次に、このアルミニウム膜の選択された部分を除去するために標準リソグラ フイク技術によってパターン化される。マスク層１２の下面上の残こるア・ルミ ニウムの結果としてのパターンはブロッキング層７２を含む。第４図にはこのパ ターンがより完全に示さ同様に、ブロッキング層７２（第２図）を形成するのに 適する各種の吸収材質が知られている。この材質の１つには、例えば、ニューヨ ーク州、ガーデン市所在のパイラン　パッカー社（Ｐｙｌａｎ　Ｐａｃｋｅｒ　 Ｃｏｍｐａｎｙ　ｌから入手されるモートン　オートメート　ブルー８　（Ｍｏ ｒｔｏｎＡｕｔｏｍａｔｅ　Ｂｌｕｅ　８１のような色素を５容量パーセント含 むマサチューセッツ州、ニュートン市所在のシップレイ社（５ｈｉｐｌｅｙ　Ｃ ｏｍｐａｎｙ　）から入手されるマイクロデポジット１３００−２５　（Ｍｉｃ ｒｏｄｅｐｏｓｉｔ　１３００−２５　）ホトレジストを挙げることができる。

この色素はマスク　ゾーン　プレートを照射するのに使用される６３２８人レー ザー光を非常に良く吸収する。−例として、マスク層１２の下面上に形成され標 準のリソグラフィツク技術を使用してパターン化された１、５μｍ厚の膜は有効 な吸収体として機能する。マスク層１２の下面上に残こる結果としての吸収体パ ターンはブロッキング層７２を含む。このパターンのより完全なものが第４図に 示され、以下に詳細に説明される。

タンタル層６４及び６８が光反射特性を示す場合でもブロッキング層７２を形成 するのにアルミニウムのような反射材を使用することもできる。ただし、この場 合はマスク層１２は個々のゾーン　プレートの付近を適当に修正する必要がある 。これを行なわないと、ゾーン　プレートは結果としてミラーとなり、所望の像 生成機能を示さない。

第３図にはマスク層１２に必要とされる修正が示される。図示されるごとく、マ スク　ゾーン　プレートの領域１８及び２０によって保護されない層１２の下面 部分は所定の量だけ食刻（あるいは除去）される。結果として、入射光は除去さ れた部分と比較してゾーン　プレート領域のすぐ下の層１２のより厚い部分を看 見る〃。

−例として、第３図に示されるマスク　ゾーン　プレートの領域１８及び２０に よって保護されない層１２の下面部分はここを伝播する光に対して薄くされない 部分と比較して約１／４波長位相差を与えるように薄くされる。層１２は典型的 には約１．５の屈折率を持つ。従って、例えば、６３２８への光に対しては、約 １０５０人（あるいは下に示されるようにこの倍数）だけ薄くすることが必要で ある。

結果として、第３図に示されるゾーン　プレートは層６４．６８及び７２がほぼ 同程度の反射率であっても位相タイプのゾーン　プレートとして有効に機能する 。さらに、これら層のそれぞれの反射率が異なるだけ、図示されるゾーン　プレ ートは振幅タイプのゾーン　プレートの特性を示す。いずれの場合も高回折効率 特性を持つゾーン　プレートが提供される。

前述の反射及び吸収パターンのより詳細が第４図に示される。これはマスク層１ ２の底の平面図である。前述の局所化されたブロッキング層７２は図示されるパ ターンの１つの要素を含む。層７２によってカバーされるマスク　ゾーン　プレ ートの最も外側の環状領域（例えば、環状領域２０）の外側の境界が第４図にお いて点線７６にて簡略的に示される。

第４図にはもう１つの反射あるいは吸収局所化ブロッキング層７８が示される。

層７８の下にはもう１つのマスク　ゾーン　プレートが存在するが、これは点線 ８０によって簡略的に示される。ブロッキング層７２及び７８を包囲する位置に 吸収あるいは反射材質が完全に除去された領域が存在する。線８２によって境界 されるこの領域は透明層１２の表面の部分を示す。レーザー光は層１２を通過し て伝播し、下のウェーハ　ゾーン　プレートを照射するが、これは整合の目的上 、マスク　ゾーン　プレート７６及び８０のセットを構成する。このつ工−ハ　 ゾーン　プレートは第４図に円８４によって簡略的に示される。

第４図に示される層１２０表面の残りは参照番号８６によって示されるように１ ）ｉＩ述の反射あるいは吸収材質シてよってカバーされる。実際には、線８２に よって境界される領域のような他のウィンドウあるいは領域が第４図には示され ないマスクの部分内の層１２上の材質内に形成される。このウィンドウはそれぞ れが局所化されたブロッキング層、例えば、層７２及び７８によってカバーされ た他のマスク　ゾーン　プレート整合マークを含む。

第５図に示されるマスク構造は前述に説明のタイプのブロッキング層７２がカバ ーされた領域１８及び２０から構成されるゾーン　プレートを含む。入射光は第 ５図に矢印７４によって示されるように１つあるいは複数の下のウェーハ　ゾー ン　プレート（例えば、第１図に示される領域２４及び２６から構成されるウェ ーハ　ゾーン　プレートに向けられる。ウェーハ　ゾーン　プレートとマスクか ら反射された光の間の前述の干渉作用を最小限にする目的で標準マスクに対する 追加の修正が行なわれる。これら修正としては膜１０の上面に反射防止コーティ ング８８を加えること、及びいわゆる１／４波長厚を示すために層１２が形成さ れることが含まれる。

大気内で波長Ｗを持つ入射光では、屈折率■を持つ材質内の波長はＷ／ｎとなる 。いわゆる１／４波長を持つ材質では、この厚さとして（ｗ／、ｉ　ｎ　）　Ｘ 　Ｎ　が選択されるが、ここでＮは奇数の整数である。好ましくは、第５図のコ ーチイブ８８は膜１０の屈折率の平方根を空気の屈折率の平方根で割った屈折率 を持つように選択される。

さらに、コーテング８日の厚さはコーチイブ内の照射レーザー光の１／４波長に 等しく選択される。結果として、コーテング８８の上面（空気とコーテング８８ の境界）からの反射と下面（コーティング８８と膜１０の境界）からの反射は強 度及び干渉破壊傾向において概むね等しい。従って、膜１０の上面からの反射は こうして除去あるいは少なくとも実質的に減少される。

−例として、窒化ホウ素から製造される膜１０（第５図）　ｉ、ｔ　］、、　８ から２．３の範囲の屈折率を持つ。このような膜に対して、各種の適当な反射防 止コーチイブが知られ年、７月、ページ２３−２６に掲載のＴ、　Ｆ、リタジエ ック（Ｔ、　Ｆ、　Ｒｅｔａｊａｃｚｙｋ　）及びＰ、　Ｋ、ガラグハー（ｐ、 　Ｋ。

Ｇａｌｌａｇｈｅｒ　）　の論文〔スターティング　モノマーとしてエチレン及 びフン化炭化水素を使用するプラズマ沈殿膜〕の特性（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　 ｏｆ　Ｐｌａｓｍａ　−Ｄｅｐｏｓｉｔ、ｅｄ　Ｆｉｌｍｓ　ＵｓｉｎｇＥｔｈ ｙｌｅｎｅ　ａｎｄ　Ｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅｓ　ａｓ　Ｓｔａｒｔｉｎ ｇ　Ｍｏｎｏｍｅｒｓ　）　］に記述のタイプのプラズマ沈殿フッ化炭化水素が ある。ここに説明の材質は約１．４０の屈折率を示す。コーティング８８に対す る他の適当な材質としては、約１．４７の屈折率２５　を持つスパッター二酸化 ケイ素及び約１．５２の屈折率を持つスパン−オン　シロキサン　ポリマー（例 えば、オーニング　イリノイズ（Ｏｗｅｎｓ　−１１１ｉｎｏｉｓ　）　ガラス 繊維タイプ９５０）が含まれる。６３２８人の波長を持つ入射光では、屈折率１ ，４０．１．４７及び１．５２　を持つ材質に対する１／４波艮厚ばそれぞれ約 １１３ＯＡ、１０７６Ａ及び１０４０Ａ、あるいはこの奇数倍である。

前述のごとく、第５図の層１２は１／４波長厚を持つ。

結果として、層１２の上面（膜１０と層１２の境界）からの反射と下面（層１２ と空気の境界）の反射は破壊的に干渉する。こうして、層１２の上面及び下面か らの反射は実質的に減少される。

第５図には好ましいマスク構造が示されるが、この構造では前述の各種の好まし くない干渉作用が除去あるいは実質的に減少される。この構造はゾーン　プレー トマークを使用することによってマスク−ウェーハ構造全向上させる。

ここでは主にゾーン　プレート　マークを使用するマスク−ウェーハ整合に関し て強調が置かれたが、この発明は整合マークあるいは他の多層構造、例えば、こ こに説明のマスク／空気間隙／ウェーハ構造上の形状を照射するために単色放射 を使用する際に干渉作用が発生するような場合の全ての場合に有効である。さら に、可能な場合は、窒化ホウ素膜１０の厚さは有害な反射を最ｌ」・限にとどめ るように制御されるべきである。これに加えて、反射ブロッキング層７２の下に １／４波長厚の材質を加見ることによって、高回折効率位相タイプ　ゾーン　プ レートを製造することもできる。

ＦＩＧ、　／ ＦＩＧ　、’ ＡＮ）ＩＥＸτＯＴｈ−、ＩＮτＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲＥＰＯ ＲＴ　０ｉｖＴｈｅ　Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｐａｔｅｎｔ　０ＥｆＬｃｅ　ｉｓ　 ｉｎ　ｎｏ　ｗａｙ　１ｉａｂＬａ　ｆｏｒ　セｈｅｓａｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｓ　ｗｈｘｃｈ　ａｒａ　ｍｅｒｅｌｙ　ｇｉｖｅｎ　ｆｏｒ　ｔｈａ　ｐｕｒ ｐｏｓｅ　ｏｆｉｎｆｏｒｍａｔユｏｎ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．間隔を置かれたマスターウエーハを互いに整合するものであり、該マスクが 整合の目的で該マスク要素に向けられる入射線に対して透明な層（１２）及び該 層の片面上のゾーンプレート整合マーク（１８、２０）を含むマスターウエーハ 整合システムにおいて、入射線がマスターウエーハ間隔を通じて伝播し、該ウエ ーハ要素から再び該マークに反射することを防止するための該マスクゾーンプレ ートマークと関連する照射制御装置（７２）が含まれることを特徴とするマスク ーウエーハ整合システム。
2. ２．請求の範囲第１項に記載の整合システムにおいて、該ウエーハがゾーンプレ ート整合マーク（２４、２６）を含み、該マスクがさらに該透明層の反対側と接 触する透明膜（１０）を含み、該制御装置が 該膜上に該入射線に対する反射防止コーテイングを構成するコーテイング（８８ ）を含むことを特徴とする整合システム。
3. ３．請求の範囲第２項に記載の整合システムにおいて、該透明層（１０）の厚さ が該入射線に対して約１／４波長厚であることを特徴とする整合システム。
4. ４．請求の範囲第１項に記載の整合システムにおいて、該制御装置が該マスクゾ ーンプレートマークを包囲する反肘材質の層を含むことを特徴とする整合システ ム。
5. ５．請求の範囲第４項に記載の整合システムにおいて、該層がアルミニウムから 成ることを特徴とする整合システム。
6. ６．請求の範囲第５項に記載の整合システムにおいて、該マスクゾーンプレート のすぐ下の該透明層（１２）の部分（第３図）が該透明層の他の部分と厚さにお いて約１／４波長だけ畏なることを特徴とする整合システム。
7. ７．請求の範囲第１項に記載の整合システムにおいて、該装置が該マスクゾーン プレートマークを包囲する放射吸収材質の層を含むことを特徴とする整合システ ム。
8. ８．請求の範囲第７項に記載の整合システムにおいて、該層が放射光吸収性の色 素を含むホトレジストを含むことを特徴とする整合システム。