JPS6246533A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6246533A JPS6246533A JP18627585A JP18627585A JPS6246533A JP S6246533 A JPS6246533 A JP S6246533A JP 18627585 A JP18627585 A JP 18627585A JP 18627585 A JP18627585 A JP 18627585A JP S6246533 A JPS6246533 A JP S6246533A
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- Japan
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- insulating film
- sog
- interlayer insulating
- substrate
- liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［＄Ｉ３１要］
本発明は、半導体装置の製造方法であって、層間絶縁膜
材料に、液体絶縁膜（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を
使用する場合に、この液体絶縁膜を厚く被着するとクラ
ンクが発生するので厚くすることが出来ないので、絶縁
耐圧やカバレッジの形状が劣るのを改善するために、本
発明では基板上に液体絶縁膜液を塗布した後に、スピン
ナ上で基板を回転させながら、層間絶縁膜液を加熱押圧
することにより、容易に厚くてしかもカバレッジの良好
な膜を形成するものである。。
材料に、液体絶縁膜（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を
使用する場合に、この液体絶縁膜を厚く被着するとクラ
ンクが発生するので厚くすることが出来ないので、絶縁
耐圧やカバレッジの形状が劣るのを改善するために、本
発明では基板上に液体絶縁膜液を塗布した後に、スピン
ナ上で基板を回転させながら、層間絶縁膜液を加熱押圧
することにより、容易に厚くてしかもカバレッジの良好
な膜を形成するものである。。
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に液体絶縁
膜液（以下ＳＯＧと略称する）を使用した層間絶縁膜の
形成方法に関するものである。
膜液（以下ＳＯＧと略称する）を使用した層間絶縁膜の
形成方法に関するものである。
半導体装置の製造工程では、例えば平坦領域に配線を行
ない、その表面に層間絶縁膜を形成するが、層間絶縁膜
の絶縁耐圧とカバレッジの形状を考慮して、成程度の厚
みが必要になる。
ない、その表面に層間絶縁膜を形成するが、層間絶縁膜
の絶縁耐圧とカバレッジの形状を考慮して、成程度の厚
みが必要になる。
それらの層間絶縁膜を形成する方法には、例えばＣＶＤ
法により、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）ＩＱや二酸化シリコ
ン膜を形成する方法が採用されているが、他の方法とし
てＳＯＧを用いて層間絶縁膜を形成することも行われて
いる。
法により、燐珪酸ガラス（ＰＳＧ）ＩＱや二酸化シリコ
ン膜を形成する方法が採用されているが、他の方法とし
てＳＯＧを用いて層間絶縁膜を形成することも行われて
いる。
然しなから、従来方法でＳＯＣの層間絶縁膜を形成して
も、厚みを厚くしたり、積極的に厚みを制御することが
無かったために、絶縁耐圧やカバレッジの形状が不十分
であるという不都合があり、その改善が要望されている
。
も、厚みを厚くしたり、積極的に厚みを制御することが
無かったために、絶縁耐圧やカバレッジの形状が不十分
であるという不都合があり、その改善が要望されている
。
［従来の技術］
第２図（ａ）〜第２図（ｂｌは、従来のＳＯＧを塗布す
る方法を示す模式要部断面図である。
る方法を示す模式要部断面図である。
第２図（ａｌで、基板１の表面に、配線２．３がなされ
ていて、その表面にＳＯＧ液４を用いて層間絶縁膜を形
成するもので、最初に基板の表面にＳＯＧ液を全面に被
着し、その厚みを約３０００形成度になるようにする。
ていて、その表面にＳＯＧ液４を用いて層間絶縁膜を形
成するもので、最初に基板の表面にＳＯＧ液を全面に被
着し、その厚みを約３０００形成度になるようにする。
第２図（′ｂ）は、ＳＯＧ液が被着された基板をスピン
ナに取りつけ、スピンナの速度を４００ Ｏｒ、ｐ。
ナに取りつけ、スピンナの速度を４００ Ｏｒ、ｐ。
ｍで回転することにより、遠心力によってＳＯＧ液が飛
散され、配線の表面上のＳＯＧ液の厚みのｔｌは１００
０人程度形成り、一方基板の表面のＳＯＧ液の厚みｔ２
は４０００〜５０００人程度になる。
散され、配線の表面上のＳＯＧ液の厚みのｔｌは１００
０人程度形成り、一方基板の表面のＳＯＧ液の厚みｔ２
は４０００〜５０００人程度になる。
こ形成態で、基板を窒素雰囲気の電気炉に装置して、電
気炉の温度を４５．０℃にして、約３０分間ベーキング
を行うことにより、ＳＯＧは固形化して層間絶縁膜５が
形成されることになる。
気炉の温度を４５．０℃にして、約３０分間ベーキング
を行うことにより、ＳＯＧは固形化して層間絶縁膜５が
形成されることになる。
このような工程で製作されたＳＯＧの層間絶縁膜では、
膜厚が２０００人程度形陽は安全であるが、２０００人
を超過する厚みになると、層間絶縁膜内に例えばクラン
ク６を発生し、これが原因になって絶縁耐圧が不良にな
る。
膜厚が２０００人程度形陽は安全であるが、２０００人
を超過する厚みになると、層間絶縁膜内に例えばクラン
ク６を発生し、これが原因になって絶縁耐圧が不良にな
る。
このクランクの発生するのはベーキングをする工程で発
生するものであり、厚みが厚くなる程発生率が増加する
。
生するものであり、厚みが厚くなる程発生率が増加する
。
従って、危険を考慮して厚みを２０００人程度形陽度に
して層間絶縁膜を形成すると、通當配線の高さが５ｏｏ
ｏ人程度であるために、段差を生じカバレッジが良くな
いという欠点がある。
して層間絶縁膜を形成すると、通當配線の高さが５ｏｏ
ｏ人程度であるために、段差を生じカバレッジが良くな
いという欠点がある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の製造方法により、ＳＯＧ液で層間絶縁膜を形成す
ると、厚みを大きくするとクラックを発生する危険があ
り、そのため薄くするとカバレッジが良くないというこ
とが問題点である。
ると、厚みを大きくするとクラックを発生する危険があ
り、そのため薄くするとカバレッジが良くないというこ
とが問題点である。
［問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解決するための半導体装置の製
造方法を提供するもので、その解決の手段は、半導体装
置の製造工程で、凹凸のある基板の表面に液体絶縁膜（
ＳＯＧ）液を塗布した後、その基板をスピンナによって
回転させ、基板上の液体絶縁膜液は停止している加熱板
で押圧しながら凸面の表面の液体絶縁膜を所定の厚みの
層間絶縁膜が形成されるように整形加熱することにより
解決したものである。
造方法を提供するもので、その解決の手段は、半導体装
置の製造工程で、凹凸のある基板の表面に液体絶縁膜（
ＳＯＧ）液を塗布した後、その基板をスピンナによって
回転させ、基板上の液体絶縁膜液は停止している加熱板
で押圧しながら凸面の表面の液体絶縁膜を所定の厚みの
層間絶縁膜が形成されるように整形加熱することにより
解決したものである。
［作用］
本発明は、ＳＯＧ液を用いてクラックのない厚い層間絶
縁膜を形成するために、ＳＯＧ液が塗布された基板をス
ピンナで回転させると同時に、ＳＯＧ液を加熱板で押圧
することにより、従来のように別に加熱炉内で加熱する
のと異なり、一定の押圧のもとに加熱ベーキングがなさ
れるために。
縁膜を形成するために、ＳＯＧ液が塗布された基板をス
ピンナで回転させると同時に、ＳＯＧ液を加熱板で押圧
することにより、従来のように別に加熱炉内で加熱する
のと異なり、一定の押圧のもとに加熱ベーキングがなさ
れるために。
ＳｏＧの層間絶縁膜にはクランクの無い厚い膜を形成で
きるようになる。
きるようになる。
［実施例］
第１図（ａ）〜第１図（Ｃ１は本発明によるＳＯＧを使
用した層間絶縁膜の製造方法を説明するための模式要部
断面図である。
用した層間絶縁膜の製造方法を説明するための模式要部
断面図である。
第１図（ａｌは、基板１１の表面に、配線１２、配線１
３がなされていて、その表面にＳＯＧ液を用いて層間絶
縁膜を形成するものであり、ＳＯＧ液１４を基板表面に
厚みが約２０００形成度になるように被着する。
３がなされていて、その表面にＳＯＧ液を用いて層間絶
縁膜を形成するものであり、ＳＯＧ液１４を基板表面に
厚みが約２０００形成度になるように被着する。
第１図（ｂｌは、ＳＯＧ液が被着された基板をスピンナ
１５に取りつけ、スピンナの回転速度を約４０ＱＯｒ、
ｐ、ｍで回転させるが、この際に、基板の表面にヒータ
１６を内蔵した加熱板１７を降下させて接合させ、ＳＯ
Ｇ液の表面を矢印のように押圧するが、ＳＯＧ液の温度
を４５０℃にして、約３０分間の加熱を行うものとする
。
１５に取りつけ、スピンナの回転速度を約４０ＱＯｒ、
ｐ、ｍで回転させるが、この際に、基板の表面にヒータ
１６を内蔵した加熱板１７を降下させて接合させ、ＳＯ
Ｇ液の表面を矢印のように押圧するが、ＳＯＧ液の温度
を４５０℃にして、約３０分間の加熱を行うものとする
。
加熱板の押圧力は約２にｇ／−が最適であり、また加熱
板の材質は基板が半導体装置であることから、シリコン
を使用するのがよい。
板の材質は基板が半導体装置であることから、シリコン
を使用するのがよい。
第１図（Ｃ）はこのようにしてＳＯＧが固形化されて層
間絶縁膜１８が形成されるが、配線部の表面の層間絶縁
膜の厚みは５００Å以下の薄い膜を形成できる一方、基
板の表面の層間絶縁膜の厚みは４０００人程度形成るこ
とができ、しかも層間絶縁膜内にクランクを発生するこ
とがない。
間絶縁膜１８が形成されるが、配線部の表面の層間絶縁
膜の厚みは５００Å以下の薄い膜を形成できる一方、基
板の表面の層間絶縁膜の厚みは４０００人程度形成るこ
とができ、しかも層間絶縁膜内にクランクを発生するこ
とがない。
従って、配線の高さが５０００人程度形成ってもＳＯＧ
の層間絶縁膜の厚みが４０００人であるので、全体の平
坦化が行われ、段差の無い良好なカバレンジが得られる
。
の層間絶縁膜の厚みが４０００人であるので、全体の平
坦化が行われ、段差の無い良好なカバレンジが得られる
。
本発明によるＳＯＧを使用した層間絶縁膜の製造方法は
、良好なカバレッジと絶縁耐圧の向上が計れるために、
ゲートアレイの層間絶縁膜等に最も効果的に利用するこ
とができる。
、良好なカバレッジと絶縁耐圧の向上が計れるために、
ゲートアレイの層間絶縁膜等に最も効果的に利用するこ
とができる。
［発明の効果］
以上、詳細に説明したように、本発明によるＳＯＧを使
用した層間絶縁膜の製造方法を利用することにより、半
導体装置の品質の向上とヘーキング工程を合理化できる
等の経済効果があり、効果大なるものがある。
用した層間絶縁膜の製造方法を利用することにより、半
導体装置の品質の向上とヘーキング工程を合理化できる
等の経済効果があり、効果大なるものがある。
！＠１図（ａ）〜第１図（Ｃ目よ本発明によるｓｏＧを
使用した層間絶縁膜を製造方法を説明するための模式要
部、断面図、 第２図（ａ）〜第２図ｆｂ）は、従来のＳＯＧを使用し
た層間絶縁膜を製造方法を説明するための模式要部断面
図、 図において、 １１は基板、 １２．１３は配線、１４はＳＯ
Ｇ液、 １５はスピンナ１６はヒータ、
１７は加熱板、１８は層間絶縁膜、 Ｃｂ） （Ｃ） 第１図 ｔｂ＞ 第２図
使用した層間絶縁膜を製造方法を説明するための模式要
部、断面図、 第２図（ａ）〜第２図ｆｂ）は、従来のＳＯＧを使用し
た層間絶縁膜を製造方法を説明するための模式要部断面
図、 図において、 １１は基板、 １２．１３は配線、１４はＳＯ
Ｇ液、 １５はスピンナ１６はヒータ、
１７は加熱板、１８は層間絶縁膜、 Ｃｂ） （Ｃ） 第１図 ｔｂ＞ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１１）の表面に液体絶縁膜液（１４）を塗布した
後、 基板を回転させて該液体絶縁膜液（１４）を加熱板（１
７）で加熱押圧して整形し、 層間絶縁膜（１７）を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18627585A JPH0669037B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18627585A JPH0669037B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246533A true JPS6246533A (ja) | 1987-02-28 |
| JPH0669037B2 JPH0669037B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16185444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18627585A Expired - Lifetime JPH0669037B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669037B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679610A (en) * | 1994-12-15 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of planarizing a semiconductor workpiece surface |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18627585A patent/JPH0669037B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679610A (en) * | 1994-12-15 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of planarizing a semiconductor workpiece surface |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669037B2 (ja) | 1994-08-31 |
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