JPS6243990A - Ｘ線撮像方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線変換用光導電体をＸ線露光前に局部的に均
一に帯電し、次いでＸ線露光中にＸ線の強度に応じて放
電させ、その表面をＸ線露光後に走査して′￥Ｘ萄密度
を測定し、各像点の！Ｊ（電に対応する画像値を形成す
るＸ線撮像方法及び該方法を実行する装置に関するもの
である。

断る方法及び装置はｒＪｏｕｒｎａｌ　５ＰＩＥ　ｖｏ
ｌ、４５４１（１９８４）　、第２６５〜２７０頁のＡ
ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　０ｐｔｉｃａｌ　Ｉｎｓ
ｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ　ｉｎ　Ｍｅｄｉｃｉｎｅ　
Ｘｒｌ　”から既知であり、米国特許第４１３４１３７
　号明細書からも既知である。この方法及び装置では先
導電体の表面上に発生されたＸ線強度の空間分布に対応
する二次元の電荷パターンを電位計装置で走査して電気
信号に変換する。この電気信号を増幅し、ろ波し、ディ
ジタル化し゛ζメモリにストアする。次いで、このメモ
リをディジタル画像処理のためにアクセスすることがで
きる。

光導電体は通常、非導電体である。しかし光導電体がＸ
線露光を受けると、露光中に露光された区域の導電率が
増大するため、その前の帯電により与えられた電荷密度
がこれらの区域で減少する。

光導電体に入射するＸ線の強度が大きいほど及び入射す
る時間が長いほど、即ち各区域における放射線量が大き
いほど、この電荷密度の減少は大きくなる。断る撮像装
置の本質的な問題は、光導電層内の欠陥区域が得られる
像に多数の点状アーチファクトをもたらす点にある。光
導電材料内のこれらの欠陥区域においては、例えばその
部分の低導電率のために局部的なｉｌ荷減少が生ずる。

本発明の目的は、−Ｌ述の如き欠陥区域のＸ線像への影
響が低減されるようにしたＸ線撮像方法及び装置を桿供
することにある。

この目的を達成するために、本発明Ｘ線撮像方法におい
ては、前記画像値を補正するために、Ｘ線露光前又は画
像値の走査後に、光導電体を帯電し、次いでその表面を
Ｘ線露光しないで走査し、こうして発生さセた暗放電像
の画像（直又は該画像値から導出した値をＸ線像の同一
像点の画像（直又は該画像値から導出した値から差し引
くことを特徴とする。

更に、本発明は、この方法を実行するために、Ｘ線源と
、導電性基板上に均一層として被着された光導電体層と
、該光導電体層の個々の（像）点の電荷密度を検出する
電位８１装置と、Ｘ線像の画像値をストアする第１記憶
装置と、Ｘ線の強度の空間分布を再生する再生装置とを
具えるＸ線撮像装置において、暗放電像の画像値をスト
アする第２記↑ａ装置を設けると共に、前記２個の記憶
装置にストアされた同一像点の画像値又はこれら画像値
から導出した値の差を形成する手段を設け、この差を再
生装置に供給し得るようにしたことを特徴とする。

本発明は、欠陥区域はＸ線像にも暗放電像にも同−位置
に悪影響を発生するため、暗放電像をＸ線像から対応す
る像点ごとに差し引けば、欠陥区域におけるアーチファ
クトが少くともかなり低減された補正Ｘ線像が得られる
という認識に基づいて為したものである。

光導電体の暗放電特性はＸ線露光により変化して得る。

これがため、暗放電像を所定のインターバルで、好まし
くは各Ｘ線霞光後ごとに、連続的に再記録する必要があ
るが、一連のＸ線露光を急速に順次行なう場合にはこの
再記録をできるだけ省略し得るようにするのが望ましい
。暗放電特性の変化は光導電体に照射される線量が大き
くなるほど顕著になるため、暗放電像の再記録を個々の
Ｘ線露光における放電のレベルに応じて決定するように
することもできる。

本発明においては、光導電体としてセレンを使用するの
が好適であるが、他の光導電体、例えば酸化鉛を用いる
こともできる。

欠陥区域を更に研究したところ、欠陥のない区域の電荷
密度からの欠陥区域の電荷密度の偏差はＸ線の強さに依
在し、ｘｌ露光中の線量が大きくなるほど、即ち放電が
大きくなり電荷密度が小さくなるほど、前記偏差が小さ
くなることが確かめられた。これがため、Ｍ　ｊｊ＆電
像の画像値をＸ線像の画像値から直接減算すると、“過
補償”を生ずる。無補正Ｘ線像では欠陥区域は過大なＸ
線強度を受けたものとして現われるが、直接減算により
発生されるＸ線では欠陥区域は前記偏差が小さくなるが
周囲の区域に比べて弱いＸ線強度を受けたものとして現
われる。

これらの残留誤差も除去するために、本発明の他の例で
は、暗放電像の各画像値に、Ｘ線露光時の各像点の電荷
密度に依在する補正係数であって電荷密度の減少に正比
例して減少する係数を乗算する。

この方法は、電荷密度の関数としての補正係数を決定す
るために複数回のＸ線露光を行ない、各ＸＬ’ｉｉ光毎
に光導電層全体に特定の装置を照射し、各ｘ′！ＩＡｎ
光毎に欠陥のない区域の測定電荷密度に対し、この電荷
密度と欠陥区域の電荷密度との差と暗放電像の対応する
差との比の値を補正係数としてストアし、■つ暗放電像
の画像値に、これら画像値をＸ線像の画像値から減算す
る前に、このように決定した補正係数を乗算するのが好
適である。

欠陥区域の数及びこれら欠陥区域により生ずるアーチフ
ァクトの振幅は光導電層内の電界強度に比例して増大し
なくなることが確かめられた。他方、信号対雑音比は電
界強度に伴い増大する。これがため、本発明の他の好適
例では、帯電電圧及びセレン層の厚さを、セレン層内の
電界強度が２ボルト／μＩ１１〜４ボルト／μｍの範囲
内になるように選択する。

図面につき本発明を説明する。

第１図は本発明方法を適用し得るＸ線検査装置を示し、
Ｘ線管１はテーブルトップ３上に置かれた検査物体２、
例えば患者を照射する。テーブルトップの下方にはアル
ミニウム基板上に５００μｍ厚のセレンの均一層を堆積
して成る記録担体４がある。このセレン層は、Ｘ線露光
前に、帯電装置（図示せず）により局部的に均一に１５
００ボルト（基板に対し）に帯電される。次いでＸ線露
光により物体２のＸ線シャドウグラフが記録担体４」−
に投射され、Ｘ線露光の開始前に最小（理想的には零）
であったセレン層の導電率が関連する像点において物体
２により吸収されたＸ線の強度に応じて増大する（ここ
で像点とは数学的な意味の点を意味するものでなく、有
限の大きさ、好ましくはセレン層の表面の例えば２００
μｍ×２００μｍの大きさの方形区域を意味する）。こ
の結果、セレン層の表面は幾分放電され、Ｘ線露光が長
く続くほど大きく放電されるため、放電による電位低下
が放電線量の粗度になる。換言すれば、物体のＸ線シャ
ドウグラフがセレン層の表面上の電荷像に変換される。

この電荷像を電位計により走査し、これにより発生した
電気信号を増幅し、ディジタル化してディジタルイメー
ジ処理を可能にする。

しかし、実際にはセレン層はＸ線露光を受けなくても導
電性を有する欠陥区域、即ち小さな点状区域を有するた
め、これら区域の表面電荷がＸ線露光と無関係に放電さ
れる。従って、この区域の電荷密度が電位針により画像
値に変換され、得られるＸ線像に妨害（アーチファクト
）を生じること明らかである。

セレン層を、これらの欠陥が生じないように或いは欠陥
の数が像を妨害しない程度の少数になるように製造する
ことは極めて困難である。しかし、アーチファクトの数
及び振幅はセレン層の帯電レベルの増大に比例して増大
しないことが確かめられている。これがため、Ｘ線露光
前に表面に帯電する電圧及びセレン層の厚さをセレン層
内の電界強度がＩＯＶ／μ個より著しく低くなるように
設定するのが望ましい。他方、この電界強度は低くしす
ぎてはならない。その理由は、さもなければ欠陥のない
区域における信号対雑音比が低くなりすぎるためである
。これがため電界強度は２Ｖ／μｍ〜４Ｖ／μ―の範囲
内にする必要がある。

これらの値の場合でも、殆んどの場合約２０ν／ｌｌｌ
１ｎ程度で通例１ＯＯＶ／＋＋＋ｉｎを越えない暗放電
速度を有する複数個の欠陥区域が依然として存在する。

他方欠陥のない区域の暗放電速度は同一の条件の下で僅
かに２〜５　Ｖ／ｗｉｎである。これがため、帯電の終
りと走査の開始との間の時間をかなり短かくしても（好
適値は最大３０ｓｅｃ、）　、月つ電位計による走査を
極めて短時間で行なうことができる場合でも、Ｘ線像内
に欠陥区域に発生ずるアーチファクトがＸ線像の質を悪
化しないようにすることはできない。

本発明は、セレン層の表面の帯電はＸ１ｉＩｎ光しな（
でも欠陥区域において減少するという事実を利用するも
のである。即ち、帯電と走査の間の期間中に暗放電像、
即ち光導電体をＸ線で照射してない像を発生させれば、
この像はＸ線露光により発生されるＸ線像と同一の個所
でのアーチファクトを有するものとなる。これがため、
暗放電像、又はこの像を構成する画像値をＸ線露光によ
り発生したＸ線像の画像値から像点ごとに引算すれば、
アーチファクトが除去されることになるが、次の２つの
制約がある。

ａ、　記録担体に対し暗放電像を１回発生させ、これを
その後発生させた全てのＸ線像から引算するだけでは不
十分である。セレン層の暗放電動作は実際−ＥＸ線放射
により変化し、露光中に受ける線量が大きくなるほど大
きくなる。これがため、暗放電を１日に１回もしくは数
回記録するだけでは不十分である。斯る暗放電像はでき
れば各Ｘ線露光毎に記録して次のＸ線露光により発生さ
れるＸ線像の補正に用いるのが望ましい。高い画像周波
数のときはこれはできるだけ省略するのが望ましい。

また、新しい暗放電像を、その前の露光レベル及び従っ
て暗放電の予想変化に基づいて記録すべきか否かを決定
するこきもできる。また、記録担体の帯電と放電像の走
査の間の時間を一定に保つことも重要である。

ｂ、　　Ｘ線像の精密な補正は暗放電像を単に減算する
だけでは得られないことが確かめられた。

その理由は第２図を参照して説明することができる。第
２図は種々の放射線量の下での電荷密度及び表面電位の
変化を位置の関数として示すものである。第１の曲線は
線量が零のときのセレン層の表面の電位■、即ち帯電と
走査の間でＸ線露光しない場合の暗放電像の電位を示す
。この場合には表面電位は表面に帯電された電圧ν０に
等しい値Ｖ＝Ｖｏを有し、欠陥区域である位１ｆＸ＝Ｘ
ｏにおいてのみ値Ａ。

だけ低くなる。第２図は記録担体を種々の線量で局部的
に均一に照射した後の表面電位を水平線に沿って示しで
ある。欠陥のない区域の表面電位の減少、即ち照射線量
の増大につれて、周囲の表面電位に対する欠陥区域の電
位偏差Ａ　（Ｖ）がどんどん小さくなることが認識され
る。

これがため、暗放電像をＸ線像から直接減算すると、欠
陥区域Ｘ＝Ｘｏにおいてアーチファクトが過補正される
ことになる。無補正のＸ線像は記録担体が位置Ｘ＝Ｘｏ
において大きな線量を受けたことを表わすものとなるが
、Ｘ線像から暗放電像を直接減算して発生される補正Ｘ
′４１Ａ像は記録担体が欠陥区域において少量のＸ線を
受けたことを表わずものとなる。この残留誤差を除去す
るためにはＸ線像を次の式に従って補正する必要がある
。

口（ｘ、ｙ）＝Ｖ（ｒｌ；ｘ、ｙ）−Ｖｏ−（Ｖ（０；
Ｘ、ｙ）−Ｖｏ）　　・Ｋ（Ｖ；ｘ、Ｖ）（１）ここで
、Ｂ（ｘ、ｙ）はＸ線像の空間座標（Ｘ、Ｙ）（そのｘ
ｙ平曲はヒレン層の表面へ平行に延在する）を有する像
点における画像値である。Ｖ（Ｄ；ｘ、ｙ）はＸ線露光
後のこの像点の表面電位であり、この表面電位と埴Ｖｏ
　（所定の例では１５００ボルト）との差は無補正Ｘ線
像の画像値に相当する。ｖ（０；ｘ、ｙ）は暗放電像の
この像点の表面電位を表わし、Ｖｏとの差は暗放電画像
のこの像点の画像値に相当する。Ｋ（Ｖ；ｘ、ｙ）はこ
の像点に対する補正係数を表わし、この補正係数は第２
図において検討した欠陥区域に対しては次式： ％式％） から計算され、それぞれの表面電位（Ｖｌ、Ｖ２及びν
３）に依在する。

しかし、この式に従う補正処理の実行は、先ず第１に空
間座標ｘ、ｙを決定し、例えば暗放電像を走査して表面
電位が所定値以下に低下する全ての像点の座標を記憶す
る必要があると共に、このように決定した欠陥位置の各
々に対し表面電位及び従って線量に依在する補正係数Ｋ
を、線量を変えて均一に照射して一連のＸ線像を発？ｔ
させ、欠陥のない周囲表面電位からの偏差Ａを測定する
ことにより決定する必要がある。斯る補正は相当長い８
１算時間と相当大きな記憶スペースを必要とすること明
らかであり、更に欠陥位置の空間座標並びに線量に依在
する補正係数を記憶するテーブルを暗放電動作がＸ線露
光に応じて変化するために次々に新しくする必要がある
という問題もある。

しかしく１）式及び第２図につき述べたように計算され
る補正係数は変化範囲が比較的小さく、線量又は表面電
位にのみ依在しそれぞれの欠陥区域の空間座標に依在し
ない補正係数Ｋ（ｖ）を用いて補正することができるこ
とが確かめられた。この点を第３図について説明する。

第３図は表面電位の関数として及び線量の関数として（
表面電位と線量は略々線形関係にあるため）の補正係数
Ｋ（Ｖ）、即ち暗放電像のアーチファクトの振幅Ａｏに
対して正規化されたアーチファクトの振幅値Ａを示す。

種々の表面電位及び線量に対し発生する補正係数の変化
範囲を垂直誤差線で示してあり、各別の表面電位のとき
の種々の欠陥区域に対する補正係数の算術平均値を黒点
（・）で示しである。これら補正係数の小変化範囲のた
めに、全ての欠陥区域に対し、欠陥区域即ち傷内のその
位’ＩＩ　ｘ　＋　ｙと無関係で線量り及び表面電位■
にのみ依在する１個の補正係数を用いることができる。

表面電位の関数としての補正係数Ｋ（Ｖ）の変化を第３
図に破線で示してあり、これは種々の線量及び表面電位
において決定された平均値を結ぶ曲線である。これら補
正係数は平均値であるため、Ｘ線露光後に暗放電動作が
変化してもこの曲線を再び記録する必要がなくなる。こ
れがため、この曲線を一度決めたらこれをその記録担体
に割当てられたメモリに保持すれば十分である。

第４図は前記（１）式に従いこのように変更した補正処
理を実行する装置を示す。記録担体４のセレン層の表面
は電位耐装置ｆ　ｌ　２により走査される。

この電位計装置は各々１つの像点の電荷密度又は電位を
検出する複数個の電位計プローブを具えている。好適な
電位計装置は例えばドイツ国特許出願公開第２９４８６
６０号及び同第３５０５６１５号に開示されている。記
録担体上の全ての像点の表面電位を検出するには電位計
装置を記録１０体４に対し直交する２方向に移動させる
必要がある。プログラマブル走査制御装置１５はこの移
動を制御するもので、この制御装置は適当なプロセスコ
ントラーラ又はホストコンピュータ２４により制御され
る。電位耐装置の位置は走査制御装置に帰還される。

電位針装置１２は各電位針プローブ毎に増幅器とスキャ
ナ回路とホールド回路を具え、これらプローブからの出
力信号はアナログマルチプレクサ（図示せず）によりラ
イン５を経て、アナログ−ディジタル変換器（ＡＩＩＣ
）１６に供給される。この変換器は個々の像点のアナロ
グ信号形態の表面電位を１６ピント長のディジタルデー
タワードに変換する。アナログ−ディジタル変換■１６
に対するストローブ信号はＸ−位置表示器１４により発
生させることができる（電位計装置が初めにＸ方向に、
次いでｙ方向に移動する場合）。このようにして得られ
たディジタルデータワードはスイッチ１８を経て第１マ
トリックスメモ１月９に供給される。このメモリはＸ線
像又は暗放電像や全像点に関連する値を記憶するに十分
な記憶容量を有している。各別のデータワードを記憶す
るアドレスはＸ及びｙ位置表示器１３及び１４により制
御されるアドレス発生器１７により決定される。

第１マトリックスメモ１月９と同一の記憶容量を有する
第２マトリツクスメモリ２０も具えている。

両メモ１月９及び２０はそれぞれルックアップテーブル
（ＬＩＴ）２１及び２２を経て演算装置（ＡＩ、Ｕ）２
３に接続される。ルックアンプテーブル２１及び２２は
ホストコンピュータ２４によりセントすることができる
。

演算装置２３からの出力端子はスイッチ１８を経てマト
リックスメモ１月９及び２０の何れか一方のデータ入力
端子に接続することができる。

この装置はホストコンピュータ２４により制御されて次
のように動作する。

最初に、暗放電像が発生される。即ら、記録ｌｌ１体４
の表面の帯電の所定時間後に電位計装Ｗ１２により記録
担体（Ｘ線露光されでいない）の表面電位が測定される
。この暗放電像の個々の像点に発生する表面電位Ｖ（０
；ｘ、ｙ）に対応するデータワードがメモリ２０にスト
アされる。次に、Ｘ線露光が行なわれ、表面電位が測定
され、この場合も帯電の終了と走査の開始との間の期間
は暗放電像の場合と同一であると共に、表面の走査は暗
放電像の場合と同一のパターンに従って行なわれる。こ
のようにして発生されたＸ線像のデータワードはマトリ
ックスメモ１月９にストアされる。次いで関１＋　ｆ　
（Ｖ）・νがルックアップテーブル２２にロードされる
と共に関数ｆ　（Ｖ）・−Ｖｏ（・定数）がルックアッ
プテーブル２１にロードされる。これらルックアンプテ
ーブルは既知のように、メモリから読出されたデータワ
ード■を、関連する関数値ｆ　（Ｖ）がス［アされてい
るルックアンプテーブル内のアドレスとして解釈する。

このようにしてルックアップテーブル２１及び２２から
得られたテーブル埴は演算装置２３で加算され、現在読
出しているメモリアドレスに基づいてメモリ２０に帰還
される。この処理が全ての像点に対し繰返えされ終ると
、マトリックスメモリ２０は暗放電像の画像値（ｖ（（
１：ｘ、ｙ）−Ｖｏ）を含むことになる。次の処理ステ
ップにおいて関数ｆ　（Ｖ）　＝　ｌｏｇ　（Ｋ（ｖ）
）がルックアップテーブル２１に入力され、関数ｆ（ｖ
）・ｌｏｇ（ｖ）がルックアップテーブル２２に入力さ
れる。次いでルックアップテーブル２１及び２２から演
算袋Ｗ、２３に供給される値がここで加算され、この加
算値が現在読出している値のアドレスに基づいてメモ１
月９にストアされる。この演算処理により同一の像点に
ついてメモリ１９内のＸ１ｖＪＩ像から取り出された補
正係数Ｋ　（Ｖ）と暗放電像の画像値の積の対数が形成
される。この処理が全ての像点について繰返えされる。

第３の処理ステップにおいて関数ｆ　（Ｖ）・０がルッ
クアンプテーブル２１にロードされ（即ち、このルック
アンプテーブルは入力するデータワードと無関係に零値
を出力する）、関数ｆ　（Ｖ）　＝ｅｘｐ　（Ｖ）がル
ックアンプテーブル２２にロードされる。これらルツク
アップテーブルから出力される値は演算装置２３で加算
され、この加算値が現在読出している値のアドレスに基
づいてメモリ２０にストアされる。

この演算処理の結果として、その前の処理ステップで得
られた積の対数が逆変換されて当該像点に対する前記の
積がメモリ２０にストアされる。この処理が全ての像点
に対し繰返えされる。

第４の処理ステップにおいて、関数ｆ　（Ｖ）・Ｖがル
ックアップテーブル２１にロードされ、関数ｆ　（Ｖ）
＝−Ｖｏがルックアップテーブル２２にロードされる（
従ってルックアップテーブル２２は入力するデータワー
ドと環関係に−Ｖｏに対応するデータワードを出力する
）。次いで演算装置１Ｆ２３はルックアップテーブルか
ら供給される値を加算し、この加算値が現在読出してい
るアドレスに基づいてメモリ１９にストアされる。この
演算処理はＸ線像の画像値（Ｖ（Ｄ；ｘ、ｙ）−Ｖｏ）
の計算を行なう。これがためこの処理ステップの終了時
にメモ１月９はＸ線像の全画像値を含むものとなる。最
終処理ステップにおいて、関数ｆ　（Ｖ）　＝Ｖがルッ
クアップテーブル２１にロードされ、関数ｆ　（Ｖ）・
−Ｖがルックアップテーブル２２に１゛ｌ−トされる。

次いでこれらルックアップテーブルにより供給される値
が演算装置２３で加算され、その結果がメモ１月９にス
トアされる。この処理ステップは（１）式に従って補正
されたＸ線像の画像値Ｂ（ｘ、ｙ）を供給する。

この処理ステップの終了時に補正されたＸ線像の全画像
値がストアされるメモ１月９は像再生装置２５（例えば
画像モニタ）の補助記憶装置として用いることができる
。この場合、補正されたＸＬｉ１像がこの画像モニタ上
に時間遅れなしに表示される。

必要に応じ、記録保存のためにこのメモリをホストコン
ピュータ１４により読出すこともできる。以上述べたと
ころから、各像点（欠陥区域の像点だけでない）は（１
）式により定義された補正を受ける。暗放電像では欠陥
のない区域の像点の画像値は理想的には零であり、補正
されたＸ線像のその画像値は変化しないため、補正は欠
陥区域に関連する像点又は画像値にのみ作用する。

しかし、実際には暗放電像内の欠陥のない区域の画像値
は零でない。即ち、欠陥のない区域でも、欠陥区域より
も著しくゆっくりではあるが暗放電の結果として表面電
位が変化する。この変化は各像点が走査される時間に依
在する。記録１１ｊ体全体の走査時間が例えば３０秒で
ある場合、最后に走査される像点は暗放電の結果として
最初に走査された像点よりも１ボルト以上低くなる。こ
れらの影響も本発明の方法によれば除去される。

例えば、ある像点の表面電位が走査前にＸ線露光により
０．９ボルトだけ低下する場合、放電の開始時の表面電
位がＸ線露光像の表面電位より高いために、暗放電像に
おけるこの像点の表面電位は僅かに大きく、例えば０．
９ボルトだしＪ低下する。

しかし、（１）式によればこの僅かに大きい値に１より
僅かに小さい係数が乗算されるため、この差は補正され
た像点には現われない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を適用し得るＸ線検査装置を示す線
図、 第２図は種々の線量で照射された記録担体の１個の欠陥
位置とその周囲の電荷密度分布図、第３図は照射線量の
関数としての補正係数を示す図、 第４図は本発明方法を実行する装置のブロック線図であ
る。 １・・・Ｘ線源　　　　　　２・・・検査物体３・・・
テーブルトップ　　４・・・記録担体５・・・ライン　
　　　　　１２・・・電位針装置１３．１４　・Ｘ、Ｙ
−位置表示器 １５・・・走査制御装置 １６・・・アナログ−ディジタル変換器（ＡＤＣ）１７
・・・アドレス発生器　　１８・・・スイッチ１９．２
０　・・・メモリ ２Ｌ２２・・・ルックアップテーブル（＋、ＵＴ）２３
・・・演算装置（＾Ｌｔｌ） ２４・・・ホストコンピュータ ２５・・・再生装置

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線変換用光導電体をＸ線露光前に局部的に均一に
   帯電し、次いでＸ線露光中にＸ線の強度に応じて放電さ
   せ、その表面をＸ線露光後に走査して電荷密度を測定し
   、各像点の放電に対応する画像値を形成するＸ線撮像方
   法において、前記画像値を補正するために、Ｘ線露光前
   又は画像値の走査後に、光導電体を帯電し、次いでその
   表面をＸ線露光しないで走査し、こうして発生させた暗
   放電像の画像値又は該画像値から導出した値をＸ線像の
   同一像点の画像値又は該画像値から導出した値から差し
   引くことを特徴とするＸ線撮像方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、Ｘ線像
   及び／又は暗放電像の各画像値に、Ｘ線露光時の関連す
   る各像点の電荷密度に依在する補正係数であって電荷密
   度の減少に正比例して減少する係数を乗算することを特
   徴とするＸ線撮像方法。 ３、特許請求の範囲第３項記載の方法において、電荷密
   度の関数としての補正係数を決定するために複数回のＸ
   線露光を行ない、各Ｘ線露光毎に光導電層全体を特定の
   線量を局部的に均一に露光し、各Ｘ線露光毎に欠陥のな
   い区域の測定電荷密度（Ｖ（Ｄ；ｘ、ｙ））に対し、こ
   の電荷密度と欠陥区域の電荷密度との差Ａ（Ｖ）と暗放
   電像の対応する差（Ａｏ）との比の値を補正係数（Ｋ（
   ｖ））としてストアし、且つ暗放電像の画像値（Ｖ（Ｄ
   ；ｘ、ｙ）−Ｖｏ）に、これら画像値をＸ線像の画像値
   から減算する前に、このように決定された補正係数に（
   Ｋ（Ｖ））を乗算することを特徴とするＸ線撮像方法。 ４、特許請求の範囲第１、第２又は第３項記載の方法に
   おいて、暗放電像の再生における光導電体の帯電の終了
   とその表面の電荷密度の走査との間の時間インターバー
   ルをＸ線像の再生における当該時間インターバルに少く
   とも略々等しくすることを特徴とするＸ線撮像方法。 ５、Ｘ線源（１）と、導電性基板上に均一層として被着
   された光導電体層（４）と、該光導電体層の個々の（像
   ）点の電荷密度を検出する電位計装置（１２）と、Ｘ線
   像の画像値をストアする第１記憶装置（１９）と、Ｘ線
   の強度の空間分布を再生する再生装置（２５）とを具え
   るＸ線撮像装置において、暗放電像の画像値をストアす
   る第２記憶装置（２０）を設けると共に、前記２個の記
   憶装置にストアされた同一像点の画像値又はこれら画像
   値から導出した値の差を形成する手段（２１、・・・２
   ３）を設け、この差を再生装置に供給し得るようにして
   あることを特徴とするＸ線撮像装置。 ６、特許請求の範囲第５項記載の装置において、前記光
   導電体はセレンから成り、該セレン層の帯電電圧及び厚
   さを該セレン層内の電界強度が２ボルト／μｍ〜４ボル
   ト／μｍになるように選択してあることを特徴とするＸ
   線撮像装置。 ７、特許請求の範囲第５項記載の装置において、補正係
   数Ｋ（Ｖ）をルックアップテーブルにストアし、これに
   より電荷密度を表わすデータワードの入力に応答して関
   連する補正係数をデータワードとして出力するようにし
   てあることを特徴とするＸ線撮像装置。