JPS6243129A - パタ−ン測定装置 - Google Patents
パタ−ン測定装置Info
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- JPS6243129A JPS6243129A JP60182435A JP18243585A JPS6243129A JP S6243129 A JPS6243129 A JP S6243129A JP 60182435 A JP60182435 A JP 60182435A JP 18243585 A JP18243585 A JP 18243585A JP S6243129 A JPS6243129 A JP S6243129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- diameter
- lens
- light
- light flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウェハのパターンを検査または測定す
るパターン測定装置、特に段差の大きいパターンに対し
ても支障無く測定可能なパターン測定装置に関する。
るパターン測定装置、特に段差の大きいパターンに対し
ても支障無く測定可能なパターン測定装置に関する。
集積回路ICからLSI、さらに超LsIと半導体ウェ
ハのパターンが微細なものになるに従って、その微細な
パターンを精度よく検査または計測することは極めて重
要な問題である。このようなパターンを顕微鏡光学系等
の光学装置で検査あるいは計測する場合、対物レンズの
分解能(λ/N、A)を小さくして顕微鏡の解像力(本
/n)をさらに良くする必要が有る。その為、開口角の
大きい対物レンズを使用して開口数(N、A)を大きく
し、あるいは照明光の波長を短くすることが従来から行
われている。一方、ウェハのパターンは、近年特にプロ
セス上で数多く用いられるフォトレジストや絶縁膜等に
おいて、パターンの段差が高いものすなわち細かい線幅
で且つ高さの高いものが多くなっている。しかし上記の
顕微鏡光学系において、光学系の物体側焦点がどこまで
の高さ方向に対して余裕が有るかを示す焦点深度は、対
物レンズの開口数(N、A)の2乗に逆比例して小さく
なる為、高解像力の対物レンズを用いると焦点深度が浅
くなり、従来、高さの異なる種々のパターンに対して十
分な精度で観察や計測を行うことができなかった。
ハのパターンが微細なものになるに従って、その微細な
パターンを精度よく検査または計測することは極めて重
要な問題である。このようなパターンを顕微鏡光学系等
の光学装置で検査あるいは計測する場合、対物レンズの
分解能(λ/N、A)を小さくして顕微鏡の解像力(本
/n)をさらに良くする必要が有る。その為、開口角の
大きい対物レンズを使用して開口数(N、A)を大きく
し、あるいは照明光の波長を短くすることが従来から行
われている。一方、ウェハのパターンは、近年特にプロ
セス上で数多く用いられるフォトレジストや絶縁膜等に
おいて、パターンの段差が高いものすなわち細かい線幅
で且つ高さの高いものが多くなっている。しかし上記の
顕微鏡光学系において、光学系の物体側焦点がどこまで
の高さ方向に対して余裕が有るかを示す焦点深度は、対
物レンズの開口数(N、A)の2乗に逆比例して小さく
なる為、高解像力の対物レンズを用いると焦点深度が浅
くなり、従来、高さの異なる種々のパターンに対して十
分な精度で観察や計測を行うことができなかった。
また一方、レーザ光を対物レンズを通してスポットに集
束し、そのスポット光でパターン面を走査し、パターン
面からの反射光または散乱光を顕微鏡光学系を介してセ
ンサで検知し、これによりその微細な線幅等を計測・検
査する方法も知られている。この場合、レンズによって
集められるレーザ光のスポット径が小さい程解像力(本
/ m )が大きくなり、より細〜い線幅、ピッチ断線
等を精度良く検査、計測できる。このレーザ光束は、そ
のコヒーレント性によりレンズで回折限界まで集束され
、そのスポット径は、レンズの開口数(N、A)が大き
い程小さくできる。従って、レーザ光を用いてパターン
を測定する場合にも開口数の大きいレンズが従来から使
用されている。しかし、この場合、焦点深度が浅いばか
りで無く、スポット光で高い段差部分を走査するときは
、開口角の大きい光線がその段差部で遮られる為、検出
信号の立上りが極めて悪いものになり、精度の高い計測
や、パターンの形状、断線等の検査が困難となる。
束し、そのスポット光でパターン面を走査し、パターン
面からの反射光または散乱光を顕微鏡光学系を介してセ
ンサで検知し、これによりその微細な線幅等を計測・検
査する方法も知られている。この場合、レンズによって
集められるレーザ光のスポット径が小さい程解像力(本
/ m )が大きくなり、より細〜い線幅、ピッチ断線
等を精度良く検査、計測できる。このレーザ光束は、そ
のコヒーレント性によりレンズで回折限界まで集束され
、そのスポット径は、レンズの開口数(N、A)が大き
い程小さくできる。従って、レーザ光を用いてパターン
を測定する場合にも開口数の大きいレンズが従来から使
用されている。しかし、この場合、焦点深度が浅いばか
りで無く、スポット光で高い段差部分を走査するときは
、開口角の大きい光線がその段差部で遮られる為、検出
信号の立上りが極めて悪いものになり、精度の高い計測
や、パターンの形状、断線等の検査が困難となる。
〔発明の目的]
本発明は、上記従来装置の欠点を解決し、パターンの段
差が大きくても、高い精度が得られ、常に最適な条件で
試料の検査や計測が可能なパターン測定装置を提供する
ことを目的とする。
差が大きくても、高い精度が得られ、常に最適な条件で
試料の検査や計測が可能なパターン測定装置を提供する
ことを目的とする。
(発明の概要〕
上記の目的を達成するために、本発明は、レーザ光源と
、そのレーザ光源からの光束を少なくとも大小2種の光
束径に変え得る光束径可変光学系と、その光束径可変光
学系によって光束径を規定されたレーザー光束を集束し
て試料のパターン面にスポット光として投射する集光光
学系と、その集光光学系によって投射されるスポット光
とパターンとを集光光学系の投射光軸に対して直角な方
向に相対変位させる走査手段と、そのスポット光が投射
されたパターン面からの光を受光する光検出器とを設け
、パターン面の段差に従って集光光学系に入射するレー
ザ光の光束径を任意または自動的に変え得るように構成
することを技術的要点とするものである。
、そのレーザ光源からの光束を少なくとも大小2種の光
束径に変え得る光束径可変光学系と、その光束径可変光
学系によって光束径を規定されたレーザー光束を集束し
て試料のパターン面にスポット光として投射する集光光
学系と、その集光光学系によって投射されるスポット光
とパターンとを集光光学系の投射光軸に対して直角な方
向に相対変位させる走査手段と、そのスポット光が投射
されたパターン面からの光を受光する光検出器とを設け
、パターン面の段差に従って集光光学系に入射するレー
ザ光の光束径を任意または自動的に変え得るように構成
することを技術的要点とするものである。
次に、本発明の実施例を添付の図面に基づいて詳しく説
明する。
明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す光学系配置図で、
レーザ光のようなコヒーレント単色光光[1から射出さ
れた光束は、後で詳しく述べられるアフォーカルの光束
径可変光学系2を通り、さらにアフォーカルのリレーレ
ンズ系3および透過型または反射型のスキャナー4、ビ
ームスプリッタ−5を経て対物レンズ6で集光され、対
物レンズ6の焦点位置に設けられた試料面Oにスポット
像として結像される。なお、スキャナー4はリレれ、主
光線が常に対物レンズ6の瞳位置へ〇を通過して集光さ
れるビームスポットにより試料面0は走査される。試料
面Oで反射され、対物レンズヘシ 6に入射される反射光束(散乱光を含む。)瞳位置A0
を通過した後、ビームスプリッタ−5を透過し、さらに
ミラー7で反射されて結像レンズ8に設けられた絞り9
を通り、その絞り9の後方に設けられた光検出器IOに
よって受光され、光電変換される。この絞り9は、光束
径可変光学系2による光束径の変化に応じて、絞り径を
変化させることが望ましい。
レーザ光のようなコヒーレント単色光光[1から射出さ
れた光束は、後で詳しく述べられるアフォーカルの光束
径可変光学系2を通り、さらにアフォーカルのリレーレ
ンズ系3および透過型または反射型のスキャナー4、ビ
ームスプリッタ−5を経て対物レンズ6で集光され、対
物レンズ6の焦点位置に設けられた試料面Oにスポット
像として結像される。なお、スキャナー4はリレれ、主
光線が常に対物レンズ6の瞳位置へ〇を通過して集光さ
れるビームスポットにより試料面0は走査される。試料
面Oで反射され、対物レンズヘシ 6に入射される反射光束(散乱光を含む。)瞳位置A0
を通過した後、ビームスプリッタ−5を透過し、さらに
ミラー7で反射されて結像レンズ8に設けられた絞り9
を通り、その絞り9の後方に設けられた光検出器IOに
よって受光され、光電変換される。この絞り9は、光束
径可変光学系2による光束径の変化に応じて、絞り径を
変化させることが望ましい。
光束径可変光学系2は、レーザ光束中に固設された固定
レンズ2Aと2個の移動レンズ2B1゜2B、とにより
、倍率の異なるガリレイ型アフォーカル系に構成され、
第1図に示すように光路上に長焦点距離の移動レンズ2
B+が挿入されているときは、レーザ光束は対物レンズ
6の瞳とほぼ同じ大きさに拡大され、この長焦点移動レ
ンズ2B1を光路外に退避させると同時に短焦点距離の
移動レンズ282を光路上に挿入すると、対物レンズ6
に向うレーザ光束は対物レンズ6の瞳径より小さい径の
光束となる。
レンズ2Aと2個の移動レンズ2B1゜2B、とにより
、倍率の異なるガリレイ型アフォーカル系に構成され、
第1図に示すように光路上に長焦点距離の移動レンズ2
B+が挿入されているときは、レーザ光束は対物レンズ
6の瞳とほぼ同じ大きさに拡大され、この長焦点移動レ
ンズ2B1を光路外に退避させると同時に短焦点距離の
移動レンズ282を光路上に挿入すると、対物レンズ6
に向うレーザ光束は対物レンズ6の瞳径より小さい径の
光束となる。
その光束径可変光学系2から射出される光束は、平行光
束であるから、対物レンズ6に入射して瞳位置A0を通
過する際のレーザ光束の径もその光束径可変光学系2に
よって規定されることになる。
束であるから、対物レンズ6に入射して瞳位置A0を通
過する際のレーザ光束の径もその光束径可変光学系2に
よって規定されることになる。
いま、第2図に示す如く対物レンズ6に入射するレーザ
光束の直径を2WIとすると、そのレーザ光束は回折に
よりλ/πW1のわずかな拡がりを有する。従って、対
物レンズ6によって集束されるスポットの径’1w6は
次の式から求められる。
光束の直径を2WIとすると、そのレーザ光束は回折に
よりλ/πW1のわずかな拡がりを有する。従って、対
物レンズ6によって集束されるスポットの径’1w6は
次の式から求められる。
w、=θ・f=(λ/rtw、)−f−−−−(1)た
だし、θは集束する光の集束角、fは対物レンズ6の焦
点距離、λは波長である。
だし、θは集束する光の集束角、fは対物レンズ6の焦
点距離、λは波長である。
ここで、対物レンズの開口径(有効径)をD、その開口
を通る光束によるスポットの直径をdとすれば、(1)
式から、 d−2Wo=2λ・f/D−−−−(2)すなわち、ス
ポット径dはレンズの焦点距離が短(、レンズ開口径が
大きい程小さいものとなる。
を通る光束によるスポットの直径をdとすれば、(1)
式から、 d−2Wo=2λ・f/D−−−−(2)すなわち、ス
ポット径dはレンズの焦点距離が短(、レンズ開口径が
大きい程小さいものとなる。
この、f/Dは写真レンズのFナンバーに相当するもの
で、また、顕微鏡の開口数N、 Aに対応するものであ
る。従って、このf/Dが大きい程解像力はよくなるが
焦点深度が浅くなる。
で、また、顕微鏡の開口数N、 Aに対応するものであ
る。従って、このf/Dが大きい程解像力はよくなるが
焦点深度が浅くなる。
その為、第3図(A)に示すように、パターンの線幅B
、の上面とピッチ幅P1の下面との間の段差h1が小さ
いときは、その上面と下面とが明瞭に観察でき、また、
両者の境界部分での反射光の強度差が忠実に検出信号と
なって検出器9から出力され、正確な計測が可能である
。しかし、第3図CB)に示すように、パターンに大き
い段差h2が有る場合には、焦点深度が浅いために、線
幅Bzの部分と、ピッチ幅P2の部分との境界位置にお
いて両者を同時に明瞭に観察し得す、両者の反射光の強
度差が忠実に検出されない。さらに重要なことは、スポ
ットを形成するレーザ光のうち、大きい集束角θ1の光
束Ll1、L+zはそれぞれその段差部にて遮られ、L
、のように光束中心がピッチ幅P8の部分に在るにも拘
らずその下面まで到達せずに線幅B2の部分で反射して
しまうか、あるいはL12の如くピッチ幅P!の部分て
反射する反射光が段差部にて遮られて対物レンズに入射
しない状態が生じる。従って、スポット光がそのパター
ンに沿って移動走査されると、検出器10からの出力信
号は極めて立上りの悪いものとンズ2B、を短焦点レン
ズ28zに切換えて射出平行光束を細くする。これによ
り、レーザ光の工によって、対物レンズ6に入射する光
束も細くなる。この対物レンズ6への入射光束が細くな
ると、(2)式から明らかなようにFナンバー(f/D
)が大きくなり、従って、スポット径が太き(なるかわ
りに焦点深度が深くなる。さらに開口角θが第4図中で
符号θ2にて示すように小さくなる。
、の上面とピッチ幅P1の下面との間の段差h1が小さ
いときは、その上面と下面とが明瞭に観察でき、また、
両者の境界部分での反射光の強度差が忠実に検出信号と
なって検出器9から出力され、正確な計測が可能である
。しかし、第3図CB)に示すように、パターンに大き
い段差h2が有る場合には、焦点深度が浅いために、線
幅Bzの部分と、ピッチ幅P2の部分との境界位置にお
いて両者を同時に明瞭に観察し得す、両者の反射光の強
度差が忠実に検出されない。さらに重要なことは、スポ
ットを形成するレーザ光のうち、大きい集束角θ1の光
束Ll1、L+zはそれぞれその段差部にて遮られ、L
、のように光束中心がピッチ幅P8の部分に在るにも拘
らずその下面まで到達せずに線幅B2の部分で反射して
しまうか、あるいはL12の如くピッチ幅P!の部分て
反射する反射光が段差部にて遮られて対物レンズに入射
しない状態が生じる。従って、スポット光がそのパター
ンに沿って移動走査されると、検出器10からの出力信
号は極めて立上りの悪いものとンズ2B、を短焦点レン
ズ28zに切換えて射出平行光束を細くする。これによ
り、レーザ光の工によって、対物レンズ6に入射する光
束も細くなる。この対物レンズ6への入射光束が細くな
ると、(2)式から明らかなようにFナンバー(f/D
)が大きくなり、従って、スポット径が太き(なるかわ
りに焦点深度が深くなる。さらに開口角θが第4図中で
符号θ2にて示すように小さくなる。
そのため、開口角の小さい光線L2いり。は、大きい段
差h2の段差部に近接するまで遮ぎられ無い。従って、
第4図中で破線にて示す大きい開口角θ1の光束LII
SLI!による反射光に応じて出力される検出器10の
出力信号(第5図中で破線Aにて示す)より、第5M中
で実線Bにて示す如く、立上り角度が鋭いものとなる。
差h2の段差部に近接するまで遮ぎられ無い。従って、
第4図中で破線にて示す大きい開口角θ1の光束LII
SLI!による反射光に応じて出力される検出器10の
出力信号(第5図中で破線Aにて示す)より、第5M中
で実線Bにて示す如く、立上り角度が鋭いものとなる。
そのため、スポット径が大きくなるにも拘らず、スポッ
ト径が小さく間口角の大きい光束よりも検出精度をよく
することができる。従って、パターンの段差に応して、
最も通した入射光束の径が得られる移動レンズ2B、ま
たは2Bzを選択することによって、高い段差を有する
パターンをも精度よく計測することができる。
ト径が小さく間口角の大きい光束よりも検出精度をよく
することができる。従って、パターンの段差に応して、
最も通した入射光束の径が得られる移動レンズ2B、ま
たは2Bzを選択することによって、高い段差を有する
パターンをも精度よく計測することができる。
第1図においては、光束径可変光学系として正レンズ2
B、 、2B、と負レンズ2Aとから成るガリレイ型ア
フォーカル光学系を示したが、第6図に示すように正レ
ンズ21.22.23のみで構成さねたアフォーカル光
学系でもよく、また、第7図CA)およびCB)に示す
如く倍率の異なるアフォーカル光学系31.32、また
は33.34を光路上に連設し、いずれか一方を挿脱さ
せることによって、射出光の光束径を変えるようにして
もよい。また、上記の3種の光束径可変光学系はいずれ
も、光学系の拡大倍率を不連続に変えて光束の径を段階
的に変える形式のものであるが、第8図に示すような、
アフォーカルズーム変倍系40を用いれば、熾段階に光
束径を変えることができる。第8図のズーム変倍系は、
負、正負の3群レンズ構成で第1負レンズ40Aは光路
上に固設され、レーザ光束は拡大され、移動正レンズ4
0Bと移動負レンズ40Cとによってその光束は平行光
束となり、両移動レンズが互いに近づく方向に移動する
と射出光束は拡大され、互いに離れる方向に移動すると
縮小される。このズーム変倍系の変倍機構に°ついては
写真レンズ等において公知であるから、その構成につい
ての詳しい説明は省略する。ただし、移動レンズ40B
、400が光軸上を移動する際に偏心じないように移動
機構を構成することが必要である。
B、 、2B、と負レンズ2Aとから成るガリレイ型ア
フォーカル光学系を示したが、第6図に示すように正レ
ンズ21.22.23のみで構成さねたアフォーカル光
学系でもよく、また、第7図CA)およびCB)に示す
如く倍率の異なるアフォーカル光学系31.32、また
は33.34を光路上に連設し、いずれか一方を挿脱さ
せることによって、射出光の光束径を変えるようにして
もよい。また、上記の3種の光束径可変光学系はいずれ
も、光学系の拡大倍率を不連続に変えて光束の径を段階
的に変える形式のものであるが、第8図に示すような、
アフォーカルズーム変倍系40を用いれば、熾段階に光
束径を変えることができる。第8図のズーム変倍系は、
負、正負の3群レンズ構成で第1負レンズ40Aは光路
上に固設され、レーザ光束は拡大され、移動正レンズ4
0Bと移動負レンズ40Cとによってその光束は平行光
束となり、両移動レンズが互いに近づく方向に移動する
と射出光束は拡大され、互いに離れる方向に移動すると
縮小される。このズーム変倍系の変倍機構に°ついては
写真レンズ等において公知であるから、その構成につい
ての詳しい説明は省略する。ただし、移動レンズ40B
、400が光軸上を移動する際に偏心じないように移動
機構を構成することが必要である。
第9図は、光束径可変光学系として第8図に示すズーム
変倍系40を用い、これを対物レンズの自動焦点調節装
置に連動させた本発明の第2実脩例の構成図である。第
1図の第1実施例と同じ機能を有する部材については同
一符号を付し、その構成についての詳しい説明は省略す
る。
変倍系40を用い、これを対物レンズの自動焦点調節装
置に連動させた本発明の第2実脩例の構成図である。第
1図の第1実施例と同じ機能を有する部材については同
一符号を付し、その構成についての詳しい説明は省略す
る。
レーザ光alから射出された平行光束は、ズーム変倍系
のアソオーカル光東径可変光学系40を通り、スキャナ
ー3、リレーレンズ系4およびビームスプリッタ−5を
経て対物レンズ6で集光され、第1図の第1実施例と同
様に試料面f!P−(ウェハのパターン面)0でスポッ
ト像として結像される。試料面0で反射さrた光は、対
物レンズ6に送入り・(し、ビームスプリ゛・ター5を
透過した後、第2ビームスプリッタ−51により、その
一部は結像【/ンズ8によつζ]再びスポット像として
結像され、瞳共役位置、・\2に設けられた絞り9を通
した光束が光検出器10 、’こよって光電変換される
。
のアソオーカル光東径可変光学系40を通り、スキャナ
ー3、リレーレンズ系4およびビームスプリッタ−5を
経て対物レンズ6で集光され、第1図の第1実施例と同
様に試料面f!P−(ウェハのパターン面)0でスポッ
ト像として結像される。試料面0で反射さrた光は、対
物レンズ6に送入り・(し、ビームスプリ゛・ター5を
透過した後、第2ビームスプリッタ−51により、その
一部は結像【/ンズ8によつζ]再びスポット像として
結像され、瞳共役位置、・\2に設けられた絞り9を通
した光束が光検出器10 、’こよって光電変換される
。
第2ビームスプリ”・ター51を透過した対物レンズ6
からの光束は、第3ビームスプリッタ−52によって2
つの光書Cコ分けられ、一方の反射光束は焦点距離の長
い長焦点レンズ53に入射し、他方の透過光束はミラー
54を介して焦点距離の短い短焦点レンズ55に入射す
る。長焦点レンズ53を通過した光束は、ミラー57に
て反射された後、内部に傾斜した半透過゛2ラー面58
bを有する菱形プリズム58の外部反射面58aで反り
すされ、例えばCCDの如き一次元フオドアレイ (以
下r CCI) Jと称する。)60に達する。一方、
短焦点レンズυ5を通過した光束は、菱形プリズム58
の半透過ミラー面58bにてさらに2つの、光束に分け
られ、この半透過ミラー面53bを透過した一方の光束
は光路長補正ガラス5gを通っテCCD 60 !コ達
t ?J。’4’ i3 i3うミラー面58bで反射
された他2bO尤東は、菱形プリズム58の反射面58
cにて内面、・′え1・lした後、CC,D 60 !
こ達する。
からの光束は、第3ビームスプリッタ−52によって2
つの光書Cコ分けられ、一方の反射光束は焦点距離の長
い長焦点レンズ53に入射し、他方の透過光束はミラー
54を介して焦点距離の短い短焦点レンズ55に入射す
る。長焦点レンズ53を通過した光束は、ミラー57に
て反射された後、内部に傾斜した半透過゛2ラー面58
bを有する菱形プリズム58の外部反射面58aで反り
すされ、例えばCCDの如き一次元フオドアレイ (以
下r CCI) Jと称する。)60に達する。一方、
短焦点レンズυ5を通過した光束は、菱形プリズム58
の半透過ミラー面58bにてさらに2つの、光束に分け
られ、この半透過ミラー面53bを透過した一方の光束
は光路長補正ガラス5gを通っテCCD 60 !コ達
t ?J。’4’ i3 i3うミラー面58bで反射
された他2bO尤東は、菱形プリズム58の反射面58
cにて内面、・′え1・lした後、CC,D 60 !
こ達する。
このCCr’、’rν、(1の受光、fiiは、素子配
列方向に′:分割され、第0図中で下端の合焦検出卯域
I′llO+の受光面は、収用・ξ2、レンツ、、゛・
′(の像側用−2、位’、’f; ’y二配置され、菱
形−゛°リズム58の反射面58っで反射された光束や
受光寸;7.。従って、対物Lパ/ズ6の焦点位置二二
試料面0が合致したときに 試t’i 1f60におけ
ろ光スポットの反射光は対物レンズ6および長焦点レン
ズ53を介して、CCD60の合焦検出領域60a上に
結像される。CCD60の中央に位置する後ピン検出領
域60bの受光面は、菱形プリズム58の半透過ミラー
面58bを透過した光束を受光し、上端の前ピン検出領
域60cは半透過ミラー面58bにて反射された光束を
受光するが、前ピン検出領域60cは短焦点レンズ55
の焦点位置より若干後方に、また後ピン検出領域60b
は短焦点レンズ55の焦点位置より前方に位置するよう
に配置される。その際、短焦点レンズ55から後ピン検
出領域60bの受光面までの光路長は、前ピン検出領域
60cの受光面までの光路長よりわずかに短くなるよう
に光路長補正ガラス59によって補正される。
列方向に′:分割され、第0図中で下端の合焦検出卯域
I′llO+の受光面は、収用・ξ2、レンツ、、゛・
′(の像側用−2、位’、’f; ’y二配置され、菱
形−゛°リズム58の反射面58っで反射された光束や
受光寸;7.。従って、対物Lパ/ズ6の焦点位置二二
試料面0が合致したときに 試t’i 1f60におけ
ろ光スポットの反射光は対物レンズ6および長焦点レン
ズ53を介して、CCD60の合焦検出領域60a上に
結像される。CCD60の中央に位置する後ピン検出領
域60bの受光面は、菱形プリズム58の半透過ミラー
面58bを透過した光束を受光し、上端の前ピン検出領
域60cは半透過ミラー面58bにて反射された光束を
受光するが、前ピン検出領域60cは短焦点レンズ55
の焦点位置より若干後方に、また後ピン検出領域60b
は短焦点レンズ55の焦点位置より前方に位置するよう
に配置される。その際、短焦点レンズ55から後ピン検
出領域60bの受光面までの光路長は、前ピン検出領域
60cの受光面までの光路長よりわずかに短くなるよう
に光路長補正ガラス59によって補正される。
CCD60からの検出信号は処理装置61によって処理
され、先ず後ピン検出領域60bと前ピン検出領域60
cとから出力される検出信号に基づいて、駆動モータを
含む対物レンズ駆動装置62が対物レンズ6を移動させ
、粗焦点調節が行われる。この粗焦点調節が終了すると
引続いて合焦検出領域60aから出力される検出信号に
基づいて焦点の微調節が行われ、対物レンズ6の自動焦
点調節が完了する。この処理装置61の詳しい構成と動
作については、特開昭59−19913号公報にて開示
され、既に公知であるから、ここでは省略する、。
され、先ず後ピン検出領域60bと前ピン検出領域60
cとから出力される検出信号に基づいて、駆動モータを
含む対物レンズ駆動装置62が対物レンズ6を移動させ
、粗焦点調節が行われる。この粗焦点調節が終了すると
引続いて合焦検出領域60aから出力される検出信号に
基づいて焦点の微調節が行われ、対物レンズ6の自動焦
点調節が完了する。この処理装置61の詳しい構成と動
作については、特開昭59−19913号公報にて開示
され、既に公知であるから、ここでは省略する、。
情
さて、資料(ウェハのパターン)を対物レンズ6の光軸
に直角に移動させると、対物レンズ6は、自動焦点調節
装置の対物レンズ駆動装置62によって、その試料上の
パターンの段差り、、h、(第3図参照)に従って光軸
方向に移動される。その移動量は、対物レンズ駆動機構
に連動するエンコーダまたはポテンショメーター等の位
置センサを含む段差検出装置63により段差値として求
められる。この段差値は、別の段差値設定見装置64で
あらかじめ定められた所定段差値(例えば0゜8〜1μ
彌程度)と比較される。その値が所定段差値に等しいか
、それより小さいときは、比較器65は出力信号を発生
しないが、その値が所定段と 差値より大きいときは、出力信号か変倍駆動制御装置6
6に送る。変倍駆動制御装置66は、その比較器65か
らの出力信号に従ってズーム変倍系40の移動レンズ4
0B、40Cを第8図中で破線にて示す位置へ移動し、
射出光束を縮小させる。
に直角に移動させると、対物レンズ6は、自動焦点調節
装置の対物レンズ駆動装置62によって、その試料上の
パターンの段差り、、h、(第3図参照)に従って光軸
方向に移動される。その移動量は、対物レンズ駆動機構
に連動するエンコーダまたはポテンショメーター等の位
置センサを含む段差検出装置63により段差値として求
められる。この段差値は、別の段差値設定見装置64で
あらかじめ定められた所定段差値(例えば0゜8〜1μ
彌程度)と比較される。その値が所定段差値に等しいか
、それより小さいときは、比較器65は出力信号を発生
しないが、その値が所定段と 差値より大きいときは、出力信号か変倍駆動制御装置6
6に送る。変倍駆動制御装置66は、その比較器65か
らの出力信号に従ってズーム変倍系40の移動レンズ4
0B、40Cを第8図中で破線にて示す位置へ移動し、
射出光束を縮小させる。
従って対物レンズ6から射出される光束の間口角は第4
図中で02にて示すように縮小される。
図中で02にて示すように縮小される。
また、比較器65は、オート、マニュアル切替え装置6
7によって制御され、オートのときは、段差検出装置6
3からの段差値を所定段差値と比較するが、切替え装置
67をマニュアルに切り替えると、入力装置68に入力
されたパターン膜厚値または段差に応じた焦点調節設定
値と前記の所定の段差値(0,8〜1μm程度)とを比
較して変倍駆動制御装置66に信号が送られ、ズーム変
倍系40が自動制御される。
7によって制御され、オートのときは、段差検出装置6
3からの段差値を所定段差値と比較するが、切替え装置
67をマニュアルに切り替えると、入力装置68に入力
されたパターン膜厚値または段差に応じた焦点調節設定
値と前記の所定の段差値(0,8〜1μm程度)とを比
較して変倍駆動制御装置66に信号が送られ、ズーム変
倍系40が自動制御される。
上記の如く、所定段差と比較した値に基づいてズーム光
学系の射出光束の径が定められ、その射出光束の径に応
じて間口角の変化する対物レンズ6からの投射光によっ
てレーザスポットが形成され、そのレーザスポットによ
りウェハ上のパターンは走査される。そのレーザスポッ
トの反射光は、対物レンズ6からの投射光とほぼ等しい
開口角で対物レンズ6に入射するので、対物レンズ6は
実質的開口数(N、A)が変化したことになる。そのN
Aの変化した対物レンズ6を介して、反射スポットは、
第1図の第1実施例と同様に検出器IOに受光されて光
電変換され、その検出信号に基づいて線幅やピッチ等が
計測される。
学系の射出光束の径が定められ、その射出光束の径に応
じて間口角の変化する対物レンズ6からの投射光によっ
てレーザスポットが形成され、そのレーザスポットによ
りウェハ上のパターンは走査される。そのレーザスポッ
トの反射光は、対物レンズ6からの投射光とほぼ等しい
開口角で対物レンズ6に入射するので、対物レンズ6は
実質的開口数(N、A)が変化したことになる。そのN
Aの変化した対物レンズ6を介して、反射スポットは、
第1図の第1実施例と同様に検出器IOに受光されて光
電変換され、その検出信号に基づいて線幅やピッチ等が
計測される。
第10図は、第1図の第1実施例における変倍光学系を
検出器の出力信号に基づいて自動的に選択切替えを行う
本発明の第3実施例を示す構成図である。第1図と同じ
機能を有する部材には第1図のそれと同一符号を付し、
その構成についての詳しい説明は省略する。
検出器の出力信号に基づいて自動的に選択切替えを行う
本発明の第3実施例を示す構成図である。第1図と同じ
機能を有する部材には第1図のそれと同一符号を付し、
その構成についての詳しい説明は省略する。
第1O図において、変倍光学系を(光束径可変光学系)
2の移動レンズ2B、 、28zの位置を制御する変倍
制御装置101はcputooからの指令によって作動
し、光束径を決める倍率の切替えがなされる。また、ス
キャナー3を駆動するスキャナー駆動装置102もCP
U100の指令によって作動し、スーキャナ−3の変位
に応じてレーザスポットが試料0上で走査され、試料か
らの信号が、スキャナー3の動きと共にパルスとしてス
キャナー位置センサ103から出力されており、このデ
ジタルパルスと同期して、その光電変換信号はA/D変
換装置104によってデジタル信号に変換され、そのデ
ータがメモリー105に格納されるように構成されてい
る。こうして、試料O上のパターンのコントラストに対
応した信号がデジタル化されてメモリー10OAに順番
に記憶され、そのデータに基づいて適正な変倍光学系2
の倍率がCPUにて演算される。
2の移動レンズ2B、 、28zの位置を制御する変倍
制御装置101はcputooからの指令によって作動
し、光束径を決める倍率の切替えがなされる。また、ス
キャナー3を駆動するスキャナー駆動装置102もCP
U100の指令によって作動し、スーキャナ−3の変位
に応じてレーザスポットが試料0上で走査され、試料か
らの信号が、スキャナー3の動きと共にパルスとしてス
キャナー位置センサ103から出力されており、このデ
ジタルパルスと同期して、その光電変換信号はA/D変
換装置104によってデジタル信号に変換され、そのデ
ータがメモリー105に格納されるように構成されてい
る。こうして、試料O上のパターンのコントラストに対
応した信号がデジタル化されてメモリー10OAに順番
に記憶され、そのデータに基づいて適正な変倍光学系2
の倍率がCPUにて演算される。
第11園は、CPUの動作に従うフローチャートである
。以下、第11図に従って変倍光学系の自動倍率切替え
の動作を説明する。
。以下、第11図に従って変倍光学系の自動倍率切替え
の動作を説明する。
図示されない電源スィッチの投入によりCPU100は
作動を開始し、光束径の大きさく大または小)信号を変
倍光学系制御装置101へ送り、大小いずれか(第11
図の場合小)の倍率が設定(ステップ101)される。
作動を開始し、光束径の大きさく大または小)信号を変
倍光学系制御装置101へ送り、大小いずれか(第11
図の場合小)の倍率が設定(ステップ101)される。
同時にこの状態は、メモリー105に記憶される。次に
、スキャナー駆動装置102がCPU100の指令によ
り作動し、スキャナー3を駆動(ステップ102)さセ
る。このとき、レーザスポットが試料面上で走査され、
試料からの反射光信号は光検出器10で光がスキャナー
位置センサ103からパルスとして出力されており、そ
のデジタルパルスと同期して、光検出器10からの光電
変換信号をA/D変換装ff1104によってデジタル
信号に変換してメモリー105に格納(ステップ103
)する。このようにして、試料Oのパターンのコントラ
ストに対応した信号がデジタル化されてメモリー105
に順次記憶される。
、スキャナー駆動装置102がCPU100の指令によ
り作動し、スキャナー3を駆動(ステップ102)さセ
る。このとき、レーザスポットが試料面上で走査され、
試料からの反射光信号は光検出器10で光がスキャナー
位置センサ103からパルスとして出力されており、そ
のデジタルパルスと同期して、光検出器10からの光電
変換信号をA/D変換装ff1104によってデジタル
信号に変換してメモリー105に格納(ステップ103
)する。このようにして、試料Oのパターンのコントラ
ストに対応した信号がデジタル化されてメモリー105
に順次記憶される。
次に、メモリー105に格納された充電変換信号のデー
タを読み取り(ステップ104)、その光電変換信号デ
ータから、第12図に示すように、最初に差を生じた点
Pを立上り始点、差が無くなる最初の点Qを立上り終点
とし、その立上り部の始点Pと終点QとをCPU100
が検出(ステップ105)して、始点Pと終点Qとの間
の光電出力すを演算(ステップ106)L、その値すを
メモリー105に記憶(ステップ107)させる。
タを読み取り(ステップ104)、その光電変換信号デ
ータから、第12図に示すように、最初に差を生じた点
Pを立上り始点、差が無くなる最初の点Qを立上り終点
とし、その立上り部の始点Pと終点QとをCPU100
が検出(ステップ105)して、始点Pと終点Qとの間
の光電出力すを演算(ステップ106)L、その値すを
メモリー105に記憶(ステップ107)させる。
また、立上り部の始点Pと終点Qとの間のスキャナー変
位量aを演算(ステップ108)して、その値aをメモ
リー105に記憶(ステップ109)させる。そのメモ
リー105に格納されたスキャナー変位量aと光電出力
すとから、その比b/aが演X(ステップ110)され
、その演算結果b / a値は一旦メモリー105に書
き込まれる(ステップ111)。
位量aを演算(ステップ108)して、その値aをメモ
リー105に記憶(ステップ109)させる。そのメモ
リー105に格納されたスキャナー変位量aと光電出力
すとから、その比b/aが演X(ステップ110)され
、その演算結果b / a値は一旦メモリー105に書
き込まれる(ステップ111)。
変倍光学系2の射出光束が小の場合の信号波形の立上り
傾斜値b / aが演算されたならば、CPU100か
らの指令を受けてスキャナー駆動装置102はスキャナ
ー3をリセット(ステップ112)させる。また、CP
UI OOは変倍光学系駆動装置101に指令して、射
出光束が大となるように移動レンズ2B、を2B、に切
換えさせる。
傾斜値b / aが演算されたならば、CPU100か
らの指令を受けてスキャナー駆動装置102はスキャナ
ー3をリセット(ステップ112)させる。また、CP
UI OOは変倍光学系駆動装置101に指令して、射
出光束が大となるように移動レンズ2B、を2B、に切
換えさせる。
第10図は、射出光束が大に切り替えられた状態を示す
。変倍光学系台の射出光束が大に切り替えられると、C
PU100は再びスキャナー駆動装置102に指令して
、スキャナー3をリセット位置から駆動(ステップ11
4)させる。そこで、再びスキャナー位置センサ103
からのデジタルパルスと同期して光検出器9からの光電
変換信号がA/D変換器によってデジタル信号に変換さ
れ、メモリー105に取り込まれる(ステップ115)
、次に、メモリー105に記憶された光電変換信号のデ
ータは読み出され(ステップ116)、ステップ105
と同様にして立上り部の始点と終点とが検出(ステップ
117)され、その検出さケヅ フ1 一??−108と同様にして演算され、その算出値a゛
もメモリー105に記憶(ステップ12I)される。メ
モリー105に記憶されたa” とb゛とは読み出され
て、その比b”/ alが演算(ステップ122)され
、その算出値b l / alがメモリー105に記憶
(ステップ123)される。
。変倍光学系台の射出光束が大に切り替えられると、C
PU100は再びスキャナー駆動装置102に指令して
、スキャナー3をリセット位置から駆動(ステップ11
4)させる。そこで、再びスキャナー位置センサ103
からのデジタルパルスと同期して光検出器9からの光電
変換信号がA/D変換器によってデジタル信号に変換さ
れ、メモリー105に取り込まれる(ステップ115)
、次に、メモリー105に記憶された光電変換信号のデ
ータは読み出され(ステップ116)、ステップ105
と同様にして立上り部の始点と終点とが検出(ステップ
117)され、その検出さケヅ フ1 一??−108と同様にして演算され、その算出値a゛
もメモリー105に記憶(ステップ12I)される。メ
モリー105に記憶されたa” とb゛とは読み出され
て、その比b”/ alが演算(ステップ122)され
、その算出値b l / alがメモリー105に記憶
(ステップ123)される。
次に、ステップ111において記憶されたbZa値とス
テップ123において記憶されたb”/a゛値が比較(
ステップ124)され、変倍光学系2の射出光束が大の
場合のb”/a”値が、小の場合のb / a値より大
きいかまたは等しいときは、変倍光学系2は切替えられ
ること無く、そのまま射出光束が大の状態で測定(ステ
ップ26)を実行するように指令する。一方、b’/a
’値がb / a値より小さいときは、CPU100は
射出光束を小さくするように変倍光学系駆動装置101
に指令する。この指令によって変倍光学系2の射出光束
が小になるように切り替えられる(ステップ125)と
、CPU100は測定(ステップ26)を実行するよう
に指令し、測定が完了するとCPU100は作動を停止
する。
テップ123において記憶されたb”/a゛値が比較(
ステップ124)され、変倍光学系2の射出光束が大の
場合のb”/a”値が、小の場合のb / a値より大
きいかまたは等しいときは、変倍光学系2は切替えられ
ること無く、そのまま射出光束が大の状態で測定(ステ
ップ26)を実行するように指令する。一方、b’/a
’値がb / a値より小さいときは、CPU100は
射出光束を小さくするように変倍光学系駆動装置101
に指令する。この指令によって変倍光学系2の射出光束
が小になるように切り替えられる(ステップ125)と
、CPU100は測定(ステップ26)を実行するよう
に指令し、測定が完了するとCPU100は作動を停止
する。
上記の第1実施例および第3実施例において、2は、射
出光束の径を大・小2種に変え得るように構成されてい
るが、2種の光束径に限定されるものでは無く、移動レ
ンズを追加することにより、多数の光束径に切替え可能
に構成し、あるいは、第2実施例に示すようにズーム変
倍系に構成してもよい。さらに、また上記第1実施例乃
至第3実施例においてはスキャナー3によってスポット
光をパターンに対して変位走査させるように構成されて
いるが、スポット光とパターンとの変位は相対的なもの
であるから、試料を対物レンズ光軸に対して直角な方向
に移動させる試料移動機構(不図示)によって、不動の
スポット光に対してパターン面を移動させるようにして
も差支え無い。
出光束の径を大・小2種に変え得るように構成されてい
るが、2種の光束径に限定されるものでは無く、移動レ
ンズを追加することにより、多数の光束径に切替え可能
に構成し、あるいは、第2実施例に示すようにズーム変
倍系に構成してもよい。さらに、また上記第1実施例乃
至第3実施例においてはスキャナー3によってスポット
光をパターンに対して変位走査させるように構成されて
いるが、スポット光とパターンとの変位は相対的なもの
であるから、試料を対物レンズ光軸に対して直角な方向
に移動させる試料移動機構(不図示)によって、不動の
スポット光に対してパターン面を移動させるようにして
も差支え無い。
なおまた、上記第1実施例乃至第3実施例においてはい
ずれも、対物レンズ6を通してレーザ光を集光し、スポ
ット光として投射し、そのスポット光が投射されたパタ
ーン面からの反射光を対物レンズ6を通して測光するよ
うに構成されているが、例えば、対物レンズ6と試料面
0との間にビームスプリッタ−を設けそのビームスプリ
ッタ−を介して試料のパターン面からの反射光(散乱光
を含む。)を光検出器で光電変換するように構成しても
よい、また、対物レンズ6の両側に光検出器を設け、パ
ターン面からの散乱光を直接受光して光電変換するよう
にし、対物レンズはレーザ光束を集光してスポット光に
形成する集光光学系としてのみ機能させるように構成し
てもよい、さらに、パターンの基板がガラス基板のよう
に透明な場合にはパターン面からの反射光を光検出器で
検出するかわりに透過光を検出するようにパターンに対
して集光光学系とは反対側に光検出器を配置してもよい
ことは言うまでも無い。
ずれも、対物レンズ6を通してレーザ光を集光し、スポ
ット光として投射し、そのスポット光が投射されたパタ
ーン面からの反射光を対物レンズ6を通して測光するよ
うに構成されているが、例えば、対物レンズ6と試料面
0との間にビームスプリッタ−を設けそのビームスプリ
ッタ−を介して試料のパターン面からの反射光(散乱光
を含む。)を光検出器で光電変換するように構成しても
よい、また、対物レンズ6の両側に光検出器を設け、パ
ターン面からの散乱光を直接受光して光電変換するよう
にし、対物レンズはレーザ光束を集光してスポット光に
形成する集光光学系としてのみ機能させるように構成し
てもよい、さらに、パターンの基板がガラス基板のよう
に透明な場合にはパターン面からの反射光を光検出器で
検出するかわりに透過光を検出するようにパターンに対
して集光光学系とは反対側に光検出器を配置してもよい
ことは言うまでも無い。
以上の如く本発明によれば、パターンの段差の大小に応
じて対物レンズに入射するレーザ光束の径を変え、対物
レンズによって集束されてパターン面に投射されるレー
ザ光束の集束角を変えることにより対物レンズの実質的
な開口数を対物レンズの開口を絞ること無く変えること
ができるので、レーザ光束の光量を減少させることなく
、段差の小さいパターンに対しては集束角の大きいレー
ザ光束を投射することにより分解能を高め、段差の大き
いパターンに対しては集束角を縮小することにより、焦
点深度を深くすると共に、大きい段差の高い測定を行う
ことができる。
じて対物レンズに入射するレーザ光束の径を変え、対物
レンズによって集束されてパターン面に投射されるレー
ザ光束の集束角を変えることにより対物レンズの実質的
な開口数を対物レンズの開口を絞ること無く変えること
ができるので、レーザ光束の光量を減少させることなく
、段差の小さいパターンに対しては集束角の大きいレー
ザ光束を投射することにより分解能を高め、段差の大き
いパターンに対しては集束角を縮小することにより、焦
点深度を深くすると共に、大きい段差の高い測定を行う
ことができる。
第1図は本発明の第1実施例を示す光学系配置図、第2
図は第1図中に用いられる対物レンズによるレーザ光の
集束状態を示す説明図、第3図は、第2図における集束
角度の大きい光束が段差を有するパターンに投射された
状態を示す説明図、第4図は第2図における集束角度の
小さい光束が段差の大きいパターンに投射された状態を
示す説明図、第5図は、第1図において段差の大きいパ
ターンを集束角度の小さいスポット光と集束角度の大き
いスポット光で走査したときに対物レンズに入射される
反射光量の変化を示す線図、第6図、第7図および第8
図は第1図に示す光束径可変光学系とはそれぞれ別の光
束径可変光学系を示す光学系説明図、第9図は自動焦点
検出装置が付加された本発明の第2実施例を示す構成図
、第10図はマイクロプロセッサで制御される本発明の
第3実施例の構成図、第11図は第10図におけるマイ
クロプロセッサの動作を示す流れ線図、第12図は第1
0図に示すA/D変換器から出力される光検出出力とス
キャナー変位量とを示す線図である。 〔主要部分の符号の説明〕 0−−−−−−−一試料 1−−−−−−−−レーザ光源 2.21〜23.31,32.33.34.40−−−
−一−−−光束径可変光学系 3−−−−−−−−スキャナー(走査手段)4−−−−
−−−−リレーレンズ系 6−−−−−−−一対物レンズ(集光光学系)8−−−
−−−−一結像レンズ 9−−−−−−−一絞り 10−−−−−一−−光検出器
図は第1図中に用いられる対物レンズによるレーザ光の
集束状態を示す説明図、第3図は、第2図における集束
角度の大きい光束が段差を有するパターンに投射された
状態を示す説明図、第4図は第2図における集束角度の
小さい光束が段差の大きいパターンに投射された状態を
示す説明図、第5図は、第1図において段差の大きいパ
ターンを集束角度の小さいスポット光と集束角度の大き
いスポット光で走査したときに対物レンズに入射される
反射光量の変化を示す線図、第6図、第7図および第8
図は第1図に示す光束径可変光学系とはそれぞれ別の光
束径可変光学系を示す光学系説明図、第9図は自動焦点
検出装置が付加された本発明の第2実施例を示す構成図
、第10図はマイクロプロセッサで制御される本発明の
第3実施例の構成図、第11図は第10図におけるマイ
クロプロセッサの動作を示す流れ線図、第12図は第1
0図に示すA/D変換器から出力される光検出出力とス
キャナー変位量とを示す線図である。 〔主要部分の符号の説明〕 0−−−−−−−一試料 1−−−−−−−−レーザ光源 2.21〜23.31,32.33.34.40−−−
−一−−−光束径可変光学系 3−−−−−−−−スキャナー(走査手段)4−−−−
−−−−リレーレンズ系 6−−−−−−−一対物レンズ(集光光学系)8−−−
−−−−一結像レンズ 9−−−−−−−一絞り 10−−−−−一−−光検出器
Claims (3)
- (1)レーザ光源と、該レーザ光源からの光束を少なく
とも大小2種の光束径に変え得る光束径可変光学系と、
該光束径可変光学系によつて光束径を規定されたレーザ
光束を集束して試料のパターン面にスポット光として投
射する集光光学系と、前記パターン面と前記スポット光
とを前記集光光学系の投射光軸に直角な方向に相対変位
させる走査手段と、前記スポット光が投射された前記パ
ターン面からの光を受光する光検出器とを有することを
特徴とするパターン測定装置。 - (2)前記光束径可変光学系は、光軸上に挿脱可能な互
いに焦点距離の異なる少なくとも2個の正の移動レンズ
(2B_1、2B_2、22、23)と固定の負レンズ
(2A)または正レンズ(21)とから成る変倍アフオ
ーカル光学系、または拡大倍率の異なる2組のアフオー
カル光学系(31、32または33、34)もしくはズ
ーム変倍光学系(40)であつて、前記スポット光は前
記集光光学系(6)の焦点位置に形成される如く構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
パターン測定装置。 - (3)前記光束径可変光学系は、前記集光光学系(6)
を通して物体距離を検出する距離検出手段(52〜60
)からの検出信号に基づくパターンの段差、または、前
記走査手段(3)の走査に同期して検出される前記光検
出器(10)からの出力信号の前記光束径の差に基づく
信号波形を比較してレーザ光束の拡大倍率を選択する如
く構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載のパターン測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182435A JPS6243129A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | パタ−ン測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60182435A JPS6243129A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | パタ−ン測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243129A true JPS6243129A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16118217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60182435A Pending JPS6243129A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | パタ−ン測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6243129A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215904A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光変位計によるマ−キング線検出方法 |
US5828457A (en) * | 1994-03-31 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sample inspection apparatus and sample inspection method |
JP2009288032A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置および表面検査方法 |
JP2010156670A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Mitsutoyo Corp | 焦点センサ |
JP2013190309A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182435A patent/JPS6243129A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215904A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光変位計によるマ−キング線検出方法 |
US5828457A (en) * | 1994-03-31 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sample inspection apparatus and sample inspection method |
JP2009288032A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置および表面検査方法 |
JP2010156670A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Mitsutoyo Corp | 焦点センサ |
JP2013190309A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 欠陥検査装置 |
US9460502B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus using images obtained by optical path adjusted |
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