JPS6242387A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6242387A JPS6242387A JP60181062A JP18106285A JPS6242387A JP S6242387 A JPS6242387 A JP S6242387A JP 60181062 A JP60181062 A JP 60181062A JP 18106285 A JP18106285 A JP 18106285A JP S6242387 A JPS6242387 A JP S6242387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- bubble
- pattern
- element chip
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブルメモリ素子であって、ホールド磁界に対する
転送パターンの向きに応じて転送パターンの形状を変え
ることにより転送マージン特性の劣化を防止可能とする
。
転送パターンの向きに応じて転送パターンの形状を変え
ることにより転送マージン特性の劣化を防止可能とする
。
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言え
ば、バブル転送路を改良した磁気バブルメモリ素子に関
するものである。
気バブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言え
ば、バブル転送路を改良した磁気バブルメモリ素子に関
するものである。
磁気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット等の単結晶基板の上に液相エピタキシャ
ル成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶
）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用い
たハーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパター
ンを行列させたバブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンにバブルがある場合を“１”な
い場合を０″として情報を記憶させるようになっている
。
ム、ガーネット等の単結晶基板の上に液相エピタキシャ
ル成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶
）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用い
たハーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパター
ンを行列させたバブル転送路を形成したものであり、バ
ブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転送
路に導き、そのパターンにバブルがある場合を“１”な
い場合を０″として情報を記憶させるようになっている
。
従来このような磁気バブルメモリ素子においては、駆動
磁界が停止したときにバブルが転送バタ−ンから、又は
転送パターンの中を移動して次に駆動磁界が印加された
とき誤動作を生ずることを防止するため一定方向に面内
磁界（これをホールド磁界という）を加えておくように
なっている。
磁界が停止したときにバブルが転送バタ−ンから、又は
転送パターンの中を移動して次に駆動磁界が印加された
とき誤動作を生ずることを防止するため一定方向に面内
磁界（これをホールド磁界という）を加えておくように
なっている。
上記のようなホールド磁界が印加されると、回転駆動磁
界はホールド磁界の方向に対しては実効的に強められ、
逆にホールド磁界と逆の方向では弱められることになる
。このためバブルを転送させる場合、全く同じ転送パタ
ーンを用いたとしても、そのホールド磁界方向に対する
パターン向きで転送マージン特性が変化する。例えば第
３図に示す入口側素片Ａ、出口側素片Ｂ、連結素片Ｃか
らなるハーフディスク型パターンで矢印ａ、ｂで示すバ
ブルの進行方向に対し直角方向にホールド磁界Ｈｈが加
わっている場合では、０°方向の駆動磁界が弱まり１８
０ ”方向の駆動磁界が強まることになり、その結果、
互いにバブルの進行方向が１８０°異なるトラック１．
２で比較すると、トラック２の連結素片Ｃに生成される
磁極がトラック１に比べ弱められバブルがつぶれ易くな
り第４図に示すように低駆動高バイアス側でバイアスマ
ージンが劣化する。
界はホールド磁界の方向に対しては実効的に強められ、
逆にホールド磁界と逆の方向では弱められることになる
。このためバブルを転送させる場合、全く同じ転送パタ
ーンを用いたとしても、そのホールド磁界方向に対する
パターン向きで転送マージン特性が変化する。例えば第
３図に示す入口側素片Ａ、出口側素片Ｂ、連結素片Ｃか
らなるハーフディスク型パターンで矢印ａ、ｂで示すバ
ブルの進行方向に対し直角方向にホールド磁界Ｈｈが加
わっている場合では、０°方向の駆動磁界が弱まり１８
０ ”方向の駆動磁界が強まることになり、その結果、
互いにバブルの進行方向が１８０°異なるトラック１．
２で比較すると、トラック２の連結素片Ｃに生成される
磁極がトラック１に比べ弱められバブルがつぶれ易くな
り第４図に示すように低駆動高バイアス側でバイアスマ
ージンが劣化する。
また第５図は別の例としてホールド磁界Ｈｈがバブルの
進行方向に対し平行に加わった場合であるが、この場合
はホールド磁界によりトラック２の入口側素片Ａにでき
る磁極が弱められる。その結果パターンギャップにおけ
るバブル駆動力が弱くなり、特にバブル径が小さくなる
高バイアス側においてギャップにおけるバブルのつぶれ
により第６図に示すように転送マージンがトラック１に
比べ劣化してしまう。
進行方向に対し平行に加わった場合であるが、この場合
はホールド磁界によりトラック２の入口側素片Ａにでき
る磁極が弱められる。その結果パターンギャップにおけ
るバブル駆動力が弱くなり、特にバブル径が小さくなる
高バイアス側においてギャップにおけるバブルのつぶれ
により第６図に示すように転送マージンがトラック１に
比べ劣化してしまう。
本発明はこのような点に鑑みて創作された。もので、ホ
ールド磁界方向に対するパターンの向きによる転送マー
ジン特性の劣化がない磁気バブルメモリ素子を提供する
ことを目的としている。
ールド磁界方向に対するパターンの向きによる転送マー
ジン特性の劣化がない磁気バブルメモリ素子を提供する
ことを目的としている。
このため本発明においては、ギャップをはさみ対向する
様に配置された入口側素片Ａ及び出口側素片Ｂと、該両
素片を結合する様に配置された連結素片Ｃより成る軟磁
性パターンを用いてバブル磁区の転送を行う磁気バブル
メモリ素子において、駆動磁界がホールド磁界により弱
められる位相近傍でバブルが通過する素片を、該素片を
含む転送パターン１１とは逆の方向にバブルを転送させ
る転送パターン１０の同素片より大きくしたことを特徴
としている。
様に配置された入口側素片Ａ及び出口側素片Ｂと、該両
素片を結合する様に配置された連結素片Ｃより成る軟磁
性パターンを用いてバブル磁区の転送を行う磁気バブル
メモリ素子において、駆動磁界がホールド磁界により弱
められる位相近傍でバブルが通過する素片を、該素片を
含む転送パターン１１とは逆の方向にバブルを転送させ
る転送パターン１０の同素片より大きくしたことを特徴
としている。
ホールド磁界に対する転送パターンの向きにより磁極が
弱まる側のパターン部分を大きくすることにより磁極の
弱まりを補償でき、転送マージンの劣化を防止すること
が可能となる。
弱まる側のパターン部分を大きくすることにより磁極の
弱まりを補償でき、転送マージンの劣化を防止すること
が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。同図
はトラック１とトラック２のそれぞれ１個のハーフディ
スクパターン１０．１１を示し、Ａはその入口側素片、
Ｂは出口側素片、Ｃは連結素片である。ホールド磁界Ｈ
ｈは第３図と同様に矢印ａ、ｂで示すバブルの進行方向
に対して直角方向に印加されている。
はトラック１とトラック２のそれぞれ１個のハーフディ
スクパターン１０．１１を示し、Ａはその入口側素片、
Ｂは出口側素片、Ｃは連結素片である。ホールド磁界Ｈ
ｈは第３図と同様に矢印ａ、ｂで示すバブルの進行方向
に対して直角方向に印加されている。
本実施例の要点は、トラック２のパターン１１において
、駆動磁界がホールド磁界により弱められる位相近傍で
バブルが通過する連結素片Ｃを該トラック２とは逆方向
にバブルを転送するトラック１のパターン１０のそれよ
りも大きく形成したことである。その大きくする割合は
トラック１のパターン１０の高さをＨ８、トランク２の
パターン１１の高さをＨ２としたときＨ２はＨ，の１５
〜４０％増しとし、好ましくは２０〜３０％増しとする
。
、駆動磁界がホールド磁界により弱められる位相近傍で
バブルが通過する連結素片Ｃを該トラック２とは逆方向
にバブルを転送するトラック１のパターン１０のそれよ
りも大きく形成したことである。その大きくする割合は
トラック１のパターン１０の高さをＨ８、トランク２の
パターン１１の高さをＨ２としたときＨ２はＨ，の１５
〜４０％増しとし、好ましくは２０〜３０％増しとする
。
このように構成することにより第３図で説明したパター
ン１１のホールド磁界による磁極の弱まりが補償でき転
送マージンの劣化を防ぐことができる。
ン１１のホールド磁界による磁極の弱まりが補償でき転
送マージンの劣化を防ぐことができる。
第２図は本発明の他の実施例を示す図である。
同図はトラック１とトラック２のそれぞれ１個のハーフ
ディスクパターン１０ 、１１を示し、Ａはその入口側
素片、Ｂは出口側素片、Ｃは連結素片である。ホールド
磁界Ｈｈは第５図と同様に矢印ａ３ｂで示すバブルの進
行方向に対して平行に印加されている。
ディスクパターン１０ 、１１を示し、Ａはその入口側
素片、Ｂは出口側素片、Ｃは連結素片である。ホールド
磁界Ｈｈは第５図と同様に矢印ａ３ｂで示すバブルの進
行方向に対して平行に印加されている。
本実施例の要点は、トラック２のパターン１１において
、駆動磁界がホールド磁界により弱められる位相近傍で
バブルが通過する入口側素片Ａをトラック１のパターン
１０のそれよりも大きく形成したことである。その大き
くする割合は、とらっく１のパターン１０の入口側素片
Ａの幅をＷＩ、トランク２のパターン１１の入口側素片
の幅をＷ２としたとき、Ｗｔはｗ、の１５７４０％増し
とし、好ましくは２０〜３０％増しとする。
、駆動磁界がホールド磁界により弱められる位相近傍で
バブルが通過する入口側素片Ａをトラック１のパターン
１０のそれよりも大きく形成したことである。その大き
くする割合は、とらっく１のパターン１０の入口側素片
Ａの幅をＷＩ、トランク２のパターン１１の入口側素片
の幅をＷ２としたとき、Ｗｔはｗ、の１５７４０％増し
とし、好ましくは２０〜３０％増しとする。
このように構成された本実施例は第５図で説明したトラ
ンク２のパターン１１の入口側素片にできる磁極がホー
ルド磁界によって弱められることを補償することができ
、それによりパターンキャップにおけるバブル駆動力を
増大させ、その結果転送マージンの劣化を防ぐことがで
きる。
ンク２のパターン１１の入口側素片にできる磁極がホー
ルド磁界によって弱められることを補償することができ
、それによりパターンキャップにおけるバブル駆動力を
増大させ、その結果転送マージンの劣化を防ぐことがで
きる。
なお本実施例及び前実施例ではハーフディスクパターン
を用いて説明したが、非対称シェブロン、ワイドギャッ
プパターン等の他の軟磁性パターンを用いても同じ効果
が得られることは言うまでもない。
を用いて説明したが、非対称シェブロン、ワイドギャッ
プパターン等の他の軟磁性パターンを用いても同じ効果
が得られることは言うまでもない。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡単な
構成で磁気バブルメモリの転送マージンの劣化を防止で
き、実用的には極めて有用である。
構成で磁気バブルメモリの転送マージンの劣化を防止で
き、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の他の実施例を説明するための図、 第３図は従来のハーフディスクパターンとホールド磁界
を示す図、 第４図は第３図の場合の転送マージンを示す図、第５図
は従来の他のハーフディスクパターンとホールド磁界を
示す図、 第６図は第５図の場合の転送マージンを示す図である。 第１図、第２図において、 １０はトラック１の転送パターン、 １１はトラック２の転送パターン、 Ａは入口側素片、 Ｂは出口側素片、 Ｃは連結素片、 Ｈｈはホールド磁界である。
発明の他の実施例を説明するための図、 第３図は従来のハーフディスクパターンとホールド磁界
を示す図、 第４図は第３図の場合の転送マージンを示す図、第５図
は従来の他のハーフディスクパターンとホールド磁界を
示す図、 第６図は第５図の場合の転送マージンを示す図である。 第１図、第２図において、 １０はトラック１の転送パターン、 １１はトラック２の転送パターン、 Ａは入口側素片、 Ｂは出口側素片、 Ｃは連結素片、 Ｈｈはホールド磁界である。
Claims (1)
- １、ギャップをはさみ対向する様に配置された入口側素
片（Ａ）及び出口側素片（Ｂ）と、該両素片を結合する
様に配置された連結素片（Ｃ）より成る軟磁性パターン
を用いてバブル磁区の転送を行なう磁気バブルメモリ素
子において、駆動磁界がホールド磁界により弱められる
位相近傍でバブルが通過する素片を該素片を含む転送パ
ターン（１１）とは逆の方向にバブルを転送させる転送
パターン（１０）の同素片より大きくしたことを特徴と
する磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181062A JPS6242387A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60181062A JPS6242387A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242387A true JPS6242387A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16094119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60181062A Pending JPS6242387A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242387A (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60181062A patent/JPS6242387A/ja active Pending
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