JPH02139790A - ブロッホラインメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体磁性メモリに係り、特に大容量ファイルメ
モリを実現させる上で好適なブロッホラインメモリ装置
に関する。

〔従来の技術〕

ブロッホラインメモリ素子では、膜面に垂直な方向を磁
化容易軸とする強磁性体中に、所定のバイアス磁界を印
加することにより並列に多数列配列されたストライプ磁
区を構成する磁壁に存在させるプロッホライン対の有無
を情報の“ｌ”ＩＩ　Ｏｊｊに対応させており、プロッ
ホライン対の有無をバブルの有無に変換して情報を読み
出す。第１０図（ａ）、（ｂ）はそれぞれストライプ磁
区１の端部にプロッホラインが３本（６−１，６−２，
６−３）ある情報パ１”の状態とプロッホラインが１本
（５）ある情報１１０”の状態を示している。

磁壁内磁化９−１に注目すると第１０図（ａ）、（ｂ）
のどちらも向きが同一なので、どちらの場合もストライ
プ磁区端部をプロッホラインの情報担体読出しのために
切断しよう伴すると３本あるいは１本の数に関係なく共
に切断されバブル磁区が発生してしまうので、プロッホ
ライン対の有無をバブル磁区の有無に変換できない、そ
こで、ストライプ磁区端部のプロッホライン対を分離し
て第１０図（ａ）、（ｂ）両者の磁壁内の磁化構造に差
をつける必要がある。その分離方法としては、例えばア
イ・イー・イー・イー　トランザクション、オン。

マグネチックスケエム　ニー　ジ＝２２、ナンバー５　
　（１９８６年）第７８４頁から第７８９頁（ＩＥＥＥ
　Ｔｒａｎｓ。

Ｍａｇｎａｔｉｃｓ、　ＭＡＧ−２２，Ｎｏ、５．　（
１９８６）　ｐｐ、７８４−７８９）において論じられ
ている。この分離方法を第１１図、第１２図により説明
する。第１１図（ａ）は前記第１０図（ａ）と同様にス
トライプ磁区端部にプロッホラインが３本存在する情報
ＩＩ　１　ｊｊの状態を示している。同図（ｂ）に示す
ように図面を省略した強磁性体膜面上に形成された幅広
導体２１に電流■。

を流すと、外部−横面内磁界ＨＩＦ（この磁界はストラ
イプ磁区の長平方向に情報を安定に保持するために印加
しておくもの）と逆向きの面内磁界Ｈｃが発生する。す
ると磁壁内磁化９−１の向きと面内磁界Ｈｃの向きが反
平行となり磁壁エネルギーが高くなるため、エネルギー
を低くしようとしてプロッホライン６−１と６−３は幅
広導体の外側（この図では左端）まで移動する０幅広導
体２１下の磁壁内磁化９−２の向きは共に平行なのでス
トライプ磁区端部は切断されやすくなり、第１１図（ｃ
）に示すようにストライプ磁区端部に設けたコ字状に屈
曲した磁区切断用導体２に所定の電流（Ｉ　ｃｈｏｐで
図示）を流すことにより、ストライプ磁区１の端部から
バブル磁区ｌＯを切出すことができる。一方、第１２図
（ａ）は前記第１０図（ｂ）と同様にストライプ磁区端
部にプロッホラインが１本存在する情報“０″′の状態
を示している。第１１図において説明したように、幅広
導体２１に電流Ｉｃを流すと第１２図（ｂ）に示すよう
に外部−横面内磁界Ｈ１ｐと逆向きの面内磁界Ｈｃが生
じ、磁壁エネルギーを下げるためにプロッホライン５は
導体２１の外側（この図では左端）まで移動する。

幅広導体２１下の磁壁内磁化３の向きは反平行なので第
１２図（ｃ）に示すようにストライプ磁区端部は切断さ
れにくくなり、磁区切断用導体２に電流を流してもバブ
ル磁区は切出されない。以上述べた分離方法によって情
報１１１　Ｉｔと情報゛′０”の場合のストライプ磁区
端部の磁壁内の磁化構造に差をつけることができ、バブ
ル磁区１０の切出しの有無に対応させて情報の読取りが
可能となる。

【発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、第１１図（Ｑ）及び第１２図（ｃ）に
示したように磁区切断用導体２を覆う形でプロッホライ
ン分離用の幅広導体２１を配置しなければならず、磁区
切断用導体２には高い電圧をかけなければならないので
これら両導体相互間の眉間絶縁の問題が生ずる。

また、プロッホライン対の書込みの際に第１３図に示す
ような問題が生ずる。すなわち、第１３図（ａ）は、ス
トライプ磁区１の両端に、それぞれ負のプロッホライン
５．７が１本ずつ存在し、磁区１の左右に幅広導体２１
及びその下部に書込み用導体１６を配置した模式図であ
るが、プロッホライン対を書込む際にはストライプ磁区
端部にプロッホラインのない状態をつくらなければなら
ない。

そのため、第１３図（ｂ）に示すように幅広導体２１′
に電流Ｉｃを流し、強磁性体に印加しているバイアス磁
界Ｈａを下げてストライプ磁区１を左右に伸ばす。する
と、プロッホライン５と７は同方向にジャイロ力を受け
て時計回りに移動し、その後幅広導体２１の作る局所的
な面内磁界Ｈｃの影響を受けて幅広導体２１の相対向す
る内側の外まで移動し、ストライプ磁区１の端部にプロ
ッホラインのない状態ができる。ここで同図（Ｑ）に示
すように、書込み用導体１６に電流Ｉｓを印加するとそ
れに基づいて磁界Ｈｔ　＊　ｐが発生しプロッホライン
対２２−１．２２−２と２３−１．２３−２がそれぞれ
書込み用導体１６の両側に書込まれる。ところで、同図
（ｂ）においてストライプ磁区端部の磁壁内磁化の回転
方向に着目すると、右端部は時計回り、左端部は反時計
回りとなっている。そのため、右端部には負のプロッホ
ライン対２２−１．２２−２が、左端部には正のプロッ
ホライン対２３−１．２３−２が書き込まれる。この後
第１３図（ｄ）に示すようにバイアス磁界Ｈａを上げて
ストライプ磁区１の長さを第１３図（ａ）の状態になる
まで収縮させると、右端部ではプロッホラインが３本に
なりプロッホライン対が書込まれたことになるが、左端
部では正のプロッホライン２３−１が負のプロッホライ
ン７と再結合して消えてしまい、正のプロッホライン２
３−２だけが残るので、プロッホライン対が書込まれた
ことにならない。以上述べたように、ストライプ磁区端
部のプロッホラインの移動方向をそれぞれの端部におい
て違えられないので、それぞれの端部で磁壁内磁化の回
転方向が異なってしまい、片方の端部ではプロッホライ
ン対の書込みができない。

また、第８図に示すようにストライプ磁区端部において
は、直線部のビット量比１ｉＡ−Ｂよりも端部のビット
間距離Ｂ−Ｃが長いことや磁壁が曲がっているという理
由から、プロッホライン対が転送されにくいという問題
が生ずる。

ここで、第８図の１８は、ビットパターンを構成する高
保磁力膜で、ストライプ磁区１の磁壁におけるプロッホ
ライン情報のアドレスを定めるものである。

本発明の目的は、上記問題を解決することにあり、幅広
導体２１を使わずにプロッホラインを分離し、ストライ
プ磁区の両端部でプロッホライン対の書込み及び読出し
が行なえるようにし、しかもストライプ磁区端部でのプ
ロッホライン対の転送を容易にすることのできる改良さ
れたブロッホラインメモリ装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、膜面に垂直な方向を磁化容易軸とする強磁
性体中に、並列に多数列配列されたストライプ磁区の磁
壁中に存在させたプロッホライン対を情報の担体とする
ブロッホラインメモリ素子を備えた装置において、この
ストライプ磁区の長手方向に磁化方向を有する第１の面
内磁界発生手段と、前記磁化方向と交差して一様な面内
磁界を発生させる第２の面内磁界発生手段とを設けて成
るブロッホラインメモリ装置により、達成される。

本発明の好ましい特徴点を具体的に以下に列挙する。

（１）上記第１の面内磁界発生手段により発生するスト
ライプ磁区の長手方向の磁界をＨｔ　ｐとし、それに交
差して上記第２の面内磁界発生手段により発生する面内
磁界をＨｓとしたとき１両者の磁界の大小関係をＨ＋　
ｐ≦Ｈｓとして発生させる手段を具備して成ることを特
徴とする。

（２）上記第１の面内磁界発生手段として、Ｘコイルを
、上記第２の面内磁界発生手段としてＹコイルを交差し
て、より好ましくは直交させて上記素子外周に設け、こ
れら両コイルに電流を供給して面内磁界の発生方向の異
なる磁界を素子に印加するようにして成ることを特徴と
する６（３）上記第１の面内磁界発生手段を永久磁石で
構成し、第２の面内磁界発生手段をコイルで構成し、コ
イルに供給する電流の大きさ及び通電時間を制御して交
差する二方向の面内磁界を素子に印加するようにして成
ることを特徴とする。

（４）上記Ｘ、Ｙ両コイルに供給する電流の振幅および
／または位相を相互に変化させ面内磁界の方向を時間的
に変化させる制御手段を設けて成ることを特徴とする。

上記第１、第２の面内磁界発生手段を動作させることに
より相互に交差する面内磁界を発生させる方法には、例
えば以下のような方法がある。

（１）第１、第２の面内磁界発生手段を同時に動作させ
て交差する二方向の面内磁界を同時に印加する方法。

（２）第１、第２の面内磁界発生手段を時間的に交互に
切替えて周期的に印加する方法。

（３）第１の面内磁界発生手段で、常時ストライプ磁区
長手方向に面内磁界を印加しておき、第２の面内磁界発
生手段で書込み、転送、読出し、消去等の各ステップ毎
に印加する方法。

（４）直交するｘ−Ｙコイルに位相の異なる電流を供給
し、連続的に面内磁界の方向を回転する方法。

〔作用〕

第１の面内磁界発生手段によるストライプ磁区長手方向
の面内磁界は、磁壁内に書込まれた情報（プロッホライ
ン）を外部環境から安定に保持するために印加するもの
である。そして、第２の面内磁界発生手段によるストラ
イプ磁区にほぼ直交する方向の面内磁界は、ストライプ
磁区の磁壁中のプロッホライン対に影響を与えないので
、外部から一様に印加することができる。したがって、
局所的に面内磁界を発生させる幅広導体を使わずにプロ
ッホラインを分離して、読出し動作が行なえる。

また、ストライプ磁区とほぼ直交する方向に面内磁界を
印加することで、ストライプ磁区端部の１本のプロッホ
ラインの移動方向を自由にできるので、ストライプ磁区
の両端部にプロッホライン対を書込むことができる。

また、ストライプ磁区端部の磁壁内磁化と同方向に面内
磁界を印加することができるので、ストライプ磁区端部
におけるプロッホライン対の転送を容易にすることがで
きる。

〔実施例〕

実施例１ 以下、本発明の第１の実施例を第１図、第２図により説
明する。

第１図（ａ）はストライプ磁区端部にプロッホラインが
１本ある情報″０′″の状態、第２図（ａ）は端部にプ
ロッホラインが３本ある情報“１”の状態をそれぞれ示
している。まず、第１図のプロッホライン１本の場合に
ついて説明すると、第１の面内磁界発生手段による面内
磁界ＨＩ　Ｆを第１図（ａ）の方向から第２の面内磁界
発生手段により第１図（ｂ）の方向に回転させると、ス
トライプ磁区端部の磁壁内磁化の向きを面内磁界Ｈｔｐ
の方向と一致させようとして、プロッホライン５は時計
回りに移動し、側面にくる。その後、第１図（Ｑ）に示
すようにプロッホライン・ホールド用導体４に電流Ｉｃ
を流し局所的な面内磁界Ｈｃを発生させると、プロッホ
ライン５は導体４の左側まで移動する。その後、第１図
（ｄ）に示すようにバイアス磁界（図示されてないが、
ストライプ磁区を維持するために強磁性基板の面に垂直
に印加されている）を下げてストライプ磁区１を左右に
伸ばすと、プロッホライン５は局所的な面内磁界Ｈｃに
よってブロックされ、ストライプ磁区端部にプロッホラ
インのない状態ができる。ここで、ストライプ磁区端部
の磁壁内磁化３の向きに着目すると反平行になっている
ので、同図（ｅ）に示すように磁区切断用導体２に電流
Ｉ　ｃｈｏｐを印加してもバブル磁区は切出されない。

一方、第２図のプロッホラインが３本の場合には１面内
磁界Ｈ４を第１図の場合と同様にして第２図（ａ）の方
向から同図（ｂ）の方向に第２の面内磁界発生手段によ
り回転させると、第１図（ｂ）のプロッホラインが１本
の場合と同様に第２図（ｂ）に示すように３本のプロッ
ホライン６−１．６−２．６−３は側面へ移動する。そ
の後、第２図（Ｃ）に示すように導体４に電流ｒｅを流
すと局所的な面内磁界Ｈｃが発生して導体４の下がプロ
ッホライン６−２と６−３の安定位置となり、プロッホ
ライン６−３は導体４の左側、６−１゜６−２は右側へ
移動する。その後第２図（ｄ）に示すように面内磁界Ｈ
ｔ　ｐをストライプ磁区長手方向にかけ、バイアス磁界
を下げてストライプ磁区ｌを左右に伸ばすと、プロッホ
ライン６−１と６−２の間の磁壁内磁化の向きが面内磁
界Ｈｔ　ｐの方向と一致しているので、プロッホライン
６−１はストライプ磁区端部に移動する。ここで、スト
ライプ磁区端部の磁壁内磁化９−１の向きに着目すると
平行になっているので、同図（ｅ）に示すように磁区切
断用導体２に電流Ｉ　ｃｈｏｐを印加することによりバ
ブル磁区１０が切出され、情報１１１”を読出すことが
できる。

本実施例によれば、素子の外部から第１、第２の面内磁
界発生手段により面内磁界を印加することによりプロッ
ホラインを分離することができるため、従来のようにプ
ロッホライン分離用の幅広導体をデバイス内に設ける必
要がなくなる。

なお、第１、第２の面内磁界発生手段は、メモリ素子の
外周にそれぞれ直交して巻かれたＸ、Ｙコイルに直流を
周期的に流す構成とし、面内磁界Ｈｔｐ＝５０ｅの直交
する磁界を発生させた。そしてストライプ磁区を形成す
るためのバイアス磁界Ｈａとしては、それより１桁大き
い５００ｅとした。

また、メモリ素子の主要部を構成する強磁性体薄膜〔通
常、非磁性のＧＧＧ　（ガドリニウム、ガリウム、ガー
ネット）基板上に磁性ガーネット薄膜が液相エピタキシ
ャル成長されたもの〕上には、ストライプ磁区を安定に
形成するため、ストライプ磁区の形状に見合った高保磁
力体から成るパターンを多数列形成していると共に、第
１図、第２図で説明したプロッホライン・ホールド用導
体４や、磁区切断用導体パターン２などが形成されてい
る。

実施例２ 第２の実施例を第３図により説明する。図中の１１はス
トライプ磁区固定用パターン、１２はストライプ磁区を
伸縮させるときにガードレールの役目をするパターン、
１３は機能部内に外部から不要な磁区が侵入するのを防
ぐ役目をするパターンである。

なお、これら１１．１２．１３の各パターンはストライ
プ磁区の形成される強磁性膜上に、例えばＧｏ−Ｃｒの
ごとき高保磁力磁性体膜パターンもしくはこの強磁性体
膜自身に溝を設けるなどの方法により形成することがで
きる。

ストライプ磁区１は通常第３図（ａ）に示すように縮ん
だ状態にあり、第１の面内磁界発生手段により面内磁界
Ｈ１ｐ　１が印加されておリストライプ磁区端部にはプ
ロッホラインが１本（５または７）または３本（６−１
，６−２，６−３または８−１．８−２．８−３）存在
している。磁気バブルメモリ素子のマイナループに相当
するストライプ磁区の端部にプロッホラインが１本ある
場合が情報“０”、３本ある場合が情報Ｋｇ　１　ｊｊ
の状態に対応する。プロッホラインの書込みおよび読出
しの際にバイアス磁界を下げることによりガードレール
１２に沿ってストライプ磁区を左右に伸ばすが、第４図
（ａ）に示すようにガードレール１２の端部の形状に非
対称性をもたせると、例えばガードレール１２を磁性体
で形成し、ストライプ磁区と逆方向に磁化した場合、端
部２０１と２０２の部分の磁極がメージャライン上に作
る磁界は、２０１の領域の方が広いので、２０１の部分
の方が大きくなり、第３図（ａ）斜線部Ｂの部分のバイ
アス磁界がまわりに比べて低くなるので、ストライプ磁
区を伸ばした時、第３図（ｂ）に示したようにガードレ
ール１２の部分ではストライプ磁区はその長手方向に伸
びるが、ガードレール１２の外側斜線部Ａでは長手方向
と直交する方向に曲がって伸びる。ストライプ磁区を伸
ばす際に、ストライプ磁区の長手方向と直交する方向（
第３図（ｂ）で下向き）に外部から第２の面内磁界発生
手段により面内磁界ＨＩＰ２を印加するとストライプ磁
区端部のプロッホラインを端部から動かすことなくスト
ライプ磁区を伸ばせる。プロッホライン５．６．７．８
の磁区端部での動きについて第５図により説明する。

これは、第５図（、）、（０）に示すように面内磁界Ｈ
ｔ　ｐ　ｚを図の下向きに印加すると、ストライプ磁区
端部の磁壁内磁化の向き９−１．９−２または９−５．
９−６と面内磁界Ｈｔｐ２の方向がほぼ一致し、プロッ
ホラインが端部にある状態が最も磁壁エネルギが低くな
るためである。この後、第５図（ｂ）、（ｄ）に示すよ
うにストライプ磁区の長手方向と直交する方向の面内磁
界Ｈｉ　ｐ　３を第２の面内磁界発生手段の磁化方向を
逆向きとすることにより第５図（ａ）、（ｃ）の面内磁
界ＨＩＰ、と逆方向に印加すると、プロッホラインが１
本の場合（第３図（ｃ）の上の磁区）はストライプ磁区
端部の側面へ移動し、プロッホラインが３本の場合（第
３図（ｃ）の下の磁区）は３本が分離する。

これについて第５図により説明する。第５図（ｂ）に示
すように面内磁界Ｈｔｐ３を図の上向きに印加すると、
プロッホラインが３本の場合、ストライプ磁区端部の磁
壁内磁化９−１．９−２の向きが面内磁界ＨＩＦ３の方
向と反平行になり磁壁エネルギーが増加する。そのため
、プロッホライン６−１．６−３と８−１．８−３は側
面へ移動して磁壁内磁化９−３．９−４の向きを面内磁
界Ｈ１−１の向きと一致するようにし、磁壁エネルギー
を下げようとする。プロッホラインが１本の場合は、第
５図（ｄ）に示すように面内磁界Ｈｔｐ３を図の上向き
に印加すると、ストライプ磁区端部の磁壁内磁化９−５
．９−６の向きが面内磁界ＨＩＰ３の方向と反平行にな
り磁壁エネルギーが増加する。そのため、プロッホライ
ン５と７は側面へ移動して磁壁エネルギーを下げようと
する。ここで第５図（ｂ）、（ｄ）の磁壁内磁化の向き
に着目すると、（ｂ）のプロッホラインが３本の場合（
情報４ｇ　１７１　）、磁壁内磁化９−３．９−４はそ
れぞれ平行になっており、（ｄ）のプロッホラインが１
本の場合（情報゛０″′）、磁壁内磁化９−７．９−８
はそれぞれ反平行になっている。したがって、第３図（
ｄ）に示すように、ストライプ磁区端部に設けた磁区切
断用導体１４に所定の電流Ｉｃを流すことにより。

プロッホラインが３本（情報１１１”）の場合はバブル
磁区１０が切出され、１本（情報ｔｔ　ＯＩＩ　）の場
合はバブル磁区は切出されない。

本実施例によれば、外部から第１、第２の磁界発生手段
により面内磁界を印加することによりプロッホラインを
分離することができるため、プロッホライン分離用の幅
広導体をデバイス内に設ける必要がなくなる。また、実
施例１のように面内磁界を回転させる必要がない。つま
り、この実施例では面内磁界ＨＩｐ□に直交する面内磁
界ＨＩＦ２、ＨＩＦ、を同一の第２の面内磁界発生手段
により、磁化方向を逆向きにするだけで、プロッホライ
ンの分離を容易に行なうことができる０面内磁界の発生
手段としては、例えばＨＩＦユを永久磁石もしくはＸコ
イルで構成し、Ｈｉｐ２及びＨｔ　Ｐ　３をＸコイルに
直交するＹコイルで構成しＹコイルに供給する直流の向
きを反転することにより相互に逆向きのＨＩＦ２、Ｈｔ
　ｐ　２を発生することができる。

実施例３ 第３の実施例を第６図により説明する。第６図（ａ）は
第１の面内磁界発生手段により面内磁界ＨＩＦがストラ
イプ磁区の長手方向に印加され、プロッホライン７が１
本ストライプ磁区端部にある書込み動作前の状態を示し
ている。第６図（ｂ）に示すように、第２の面内磁界発
生手段により面内磁界ＨＩＦを同図（ａ）の方向から同
図（ｂ）の方向に回転させると、ストライプ磁区端部の
磁壁内磁化の向きを面内磁界Ｈｓ　ｐの方向と一致させ
ようとしてプロッホライン７は反時計回りに側面まで移
動する０面内磁界Ｈｔ　Ｐの回転方向を逆にして同図（
ｂ）で下向きに面内磁界がかかるようにすれば、プロッ
ホライン７は時計回りに移動する。

この例においてプロッホライン７を反時計回りに移動さ
せたのは、第１３図で述べた理由から負のプロッホライ
ン対を書込むためである（時計回りに移動させると正の
プロッホライン対が書込まれる）。ここで、第６図（ｃ
）に示すように面内磁界ＨＩＦを第６図（ｂ）と同一方
向に維持しながら導体４に電流Ｉｃを流して局所的な面
内磁界Ｈｃを発生させると、プロッホライン７は導体４
の右側へ移動する。その後、第６図（ｄ）に示すように
面内磁界）（ｔｐを同図（ａ）の状態に戻しバイアス磁
界を下げてストライプ磁区１を伸ばすと、プロッホライ
ン７は局所的な面内磁界Ｈｃによってブロックされ、ス
トライプ磁区端部にプロッホラインのない状態ができる
。ここで、第６図（ｅ）に示すように、面内磁界ＨＩＦ
を同図（ｄ）と同一方向に維持しながら書込み導体１６
に電流Ｉｇを印加するとプロッホライン対１５を書込む
ことができる。

本実施例によれば、ストライプ磁区端部におけるプロッ
ホラインの移動方向を面内磁界の回転方向によって制御
できるので、ストライプ磁区の両端部でプロッホライン
の書込みが行なえるようになる。なお、第１、第２の面
内磁界発生手段としては、直交するＸ、Ｙコイルに周期
的に電流を供給する手段を用いた。

実施例４ 第４の実施例を第７図により説明する。第７図（ａ）は
プロッホラインの書込み時のストライプ磁区１を伸ばし
た状態を示している。Ｍはストライプ磁区の磁化方向を
示している。ストライプ磁区の端部は実施例２に述べた
方法でその長手方向と直交する方向に伸ばしており、端
部はプロッホライン７が１本ある情報ｕ　Ｏ”の状態で
ある。ここで同図（ｂ）に示すようにストライプ磁区端
部に開口部をもつ蛇行導体１７に電流Ｉｐを流し局所的
にバイアス磁界Ｈａと同方向の磁界Ｈｐを加えると、ス
トライプ磁区は少し収縮し、ジャイロ力によりプロッホ
ライン７は反時計回りに移動する。

電流工？の方向を逆にし磁界Ｈｐをバイアス磁界ＨＢと
逆方向に加えると、ジャイロ力は逆方向に働き、プロッ
ホライン７は時計方向に移動する。

このプロッホラインを移動させる動作は、バイアス磁界
Ｈａを所定量ΔＨ８だけ増加させたり、減少させたりす
ることによって行なえる。ここで１面内磁界Ｈｓ　ｐ　
３を図の上向きに外部から印加しておけば、プロッホラ
イン７は磁壁エネルギーを減らそうとして下方へ移動す
る。この例においてプロッホライン７を反時計回りに移
動させたのは、第１３図で述べた理由から負のプロッホ
ライン対を書込むためである（時計回りに移動させると
、正のプロッホライン対が書込まれる）。この後、同図
（ｃ）に示すように書込み導体１６に電流Ｉｇを印加す
ると、プロッホライン対１５を書込むことができる。

本実施例によれば、ストライプ磁区端部におけるプロッ
ホラインの移動方向をバイアス磁界の増減で制御できる
ので面内磁界を回転させることなくストライプ磁区の両
端部でプロッホラインの書込みが行なえるようになる。

実施例５ 第５の実施例を第８図により説明する。図中の１８は、
プロッホライン対の位置を定める高保磁力膜から成るビ
ットパターンで、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄはビット位置を示して
いる。

第８図（ａ）は情報の担体であるプロッホライン対１５
がストライプ磁区直線部の最終ビット位置Ｂにある状態
を示している。ここで同図（ｂ）に示すように、印加面
内磁界Ｈｉｐの方向を磁壁内磁化１９−１．１９−２の
向きと同じにしてバイアス・パルス磁界Ｈｐを印加する
と、面内磁界Ｈ１−がプロッホライン対１５の転送を助
ける方向に働くため、第８図（ｃ）に示すようにプロッ
ホライン対１５はビット位置ＢからＣへ容易に転送され
る。その後、同図（ｄ）に示すように、印加面内磁界Ｈ
ＩＦの向きを磁壁内磁化２０−１．２０−２と同じにし
てバイアス・パルス磁界Ｈｐを印加すると、同様にプロ
ッホライン対１５は第８図（ａ）に示すようにビット位
置ＣからＤへ容易に転送される０図に示すように面内磁
界の補助のある場合は、ない場合に比べ転送の動作領域
が改善され、広いバイアス磁界範囲で良好な転送が行な
える。第９図は、ストライプ磁区端部の転送の動作領域
を示している。

この図から明らかなように、面内磁界の補助があった方
が、ない場合に比べ動作マージンが格段に広くなってお
り、本実施例によれば、ストライプ磁区端部におけるプ
ロッホライン対の転送を容易にできるという効果がある
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、外部から第１、第２の面内磁界発生手
段を設けることにより幅広導体を使わずにプロッホライ
ンを分離できるので、磁区切断用導体と幅広導体との間
の眉間絶縁の問題がなくなる。

また、ストライプ磁区端部において１本のプロッホライ
ンの移動方向を自由に決められるので、ストライプ磁区
の両端部でのプロッホライン対の書込みができる。とこ
ろで、プロッホラインの読出しはストライプ磁区の両端
部で行なえるので、これによってストライプ磁区両端部
で入出力ゲートを形成できるようになり、ゲート部の設
計形状、寸法に余裕が生じ、信頼性の高いゲートを構成
できる。

また、ストライプ磁区端部の磁壁磁化の方向に面内磁界
を印加することができるので、ストライプ磁区端部での
転送を容易にできる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第６図、第７図、第８図は本
発明の詳細な説明するためのブロッホラインメモリ素子
の記憶部の構成図、第４図は第１図中のガードレール２
の拡大図、第５図は第３図中のプロッホラインの動きを
説明するための図、第９図はストライプ磁区端部の転送
動作領域を従来例と対比した本発明の実施例を示したも
の、第１０図はプロッホラインの読出し時のストライプ
磁区端部の状態を示す図、第１１図、第１２図はプロッ
ホラインの分離方法を説明する図、第１３図はプロッホ
ラインの書込み方法を説明する図である。 １・・・ストライプ磁区　　２，１４・・・磁区切断用
導体３．９−１〜８．１９−１〜２．２０−１〜２・・
・磁壁内磁化４・・・プロッホライン・ホールド用導体
５．６−１〜３．７．８−１〜３．２２−１〜２．２３
−１〜２・・・プロッホライン １５・・・プロッホライン対　　１０・・・バブル磁区
１１・・・ストライプ磁区固定用パターン１２．１３・
・・ガードレール　　托・・・書込み用導体１７・・・
蛇行導体　　　　　　１８・・・ビットパターン２１・
・・幅広導体　　　　　　Ｈｐ・・・面内磁界ＨＢ・・
・バイアス磁界 代理人弁理士　　中　村　純之助 １図 第９図 Ｈｐ　［Ｏｅｌ 第 図 ｃ 第１０図 １ｃｌ″ｌｏｐ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、膜面に垂直な方向を磁化容易軸とする強磁性体中に
   、並列に多数列配列されたストライプ磁区の磁壁中に存
   在させたブロッホライン対を情報の担体とするブロッホ
   ラインメモリ素子を備えた装置において、このストライ
   プ磁区の長手方向に磁化方向を有する第１の面内磁界発
   生手段と、前記磁化方向と交差して一様な面内磁界を発
   生させる第２の面内磁界発生手段とを設けて成るブロッ
   ホラインメモリ装置。 ２、上記第１の面内磁界発生手段により発生するストラ
   イプ磁区の長手方向の磁界をＨ＿ｉ＿ｐとし、それに交
   差して上記第２の面内磁界発生手段により発生する面内
   磁界をＨ＿ｓとしたとき、両者の磁界の大小関係をＨ＿
   ｉ＿ｐ≦Ｈ＿ｓとして発生させる手段を具備して成る請
   求項１記載のブロッホラインメモリ装置。 ３、上記第１の面内磁界発生手段として、Ｘコイルを、
   上記第２の面内磁界発生手段としてＹコイルを交差して
   上記素子外周に設け、これら両コイルに電流を供給して
   面内磁界の発生方向の異なる磁界を素子に印加するよう
   にして成る請求項１もしくは２記載のブロッホラインメ
   モリ装置。 ４、上記第１の面内磁界発生手段を永久磁石で構成し、
   第２の面内磁界発生手段をコイルで構成し、コイルに供
   給する電流の大きさ及び通電時間を制御して交差する二
   方向の面内磁界を素子に印加するようにして成る請求項
   １もしくは２記載のブロッホラインメモリ装置。 ５、上記Ｘ、Ｙ両コイルに供給する電流の振幅および／
   または位相を相互に変化させ面内磁界の方向を時間的に
   変化させる制御手段を設けて成る請求項３記載のブロッ
   ホラインメモリ装置。