JPS6241378B2 - - Google Patents
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- JPS6241378B2 JPS6241378B2 JP4056880A JP4056880A JPS6241378B2 JP S6241378 B2 JPS6241378 B2 JP S6241378B2 JP 4056880 A JP4056880 A JP 4056880A JP 4056880 A JP4056880 A JP 4056880A JP S6241378 B2 JPS6241378 B2 JP S6241378B2
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/12—Manufacture of electrodes or electrode systems of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイノード上に二次電子放出被覆を形
成する方法、該方法により被覆されたダイノー
ド、斯るダイノードの積重ねを具えるチヤンネル
電子増倍器及び斯るチヤンネル電子増倍器を含む
陰極線管又は像増強器のような電子表示管に関す
るものである。
成する方法、該方法により被覆されたダイノー
ド、斯るダイノードの積重ねを具えるチヤンネル
電子増倍器及び斯るチヤンネル電子増倍器を含む
陰極線管又は像増強器のような電子表示管に関す
るものである。
英国特許第1401969号、1402549号及び1434053
号明細書に種々のタイプのチヤンネル電子増倍器
が開示されており、これらは、基本的には規則正
しく配列された孔を有する複数個の有孔金属導電
層の積重ねを具え、その各導電層の孔は他の導電
層の孔と整列してチヤンネルを形成し、隣接する
各対の導電層間にはチヤンネルをふさがないよう
に離間部材が配置された構成になつている。導電
板材料の二次電子放出が特定の用途に対し不充分
なときは、一層良好な二次電子放出材料の被覆を
少くとも導電層のチヤンネル内の露出表面上に設
けることによつて導電層の二次電子放出特性を高
めることができる。この手段は全ての導電層に行
なうことができるが、この二次電子放出被覆はチ
ヤンネル電子増倍器の入力側の最初の数枚の導電
層にのみ設けるのが好適であることもある。
号明細書に種々のタイプのチヤンネル電子増倍器
が開示されており、これらは、基本的には規則正
しく配列された孔を有する複数個の有孔金属導電
層の積重ねを具え、その各導電層の孔は他の導電
層の孔と整列してチヤンネルを形成し、隣接する
各対の導電層間にはチヤンネルをふさがないよう
に離間部材が配置された構成になつている。導電
板材料の二次電子放出が特定の用途に対し不充分
なときは、一層良好な二次電子放出材料の被覆を
少くとも導電層のチヤンネル内の露出表面上に設
けることによつて導電層の二次電子放出特性を高
めることができる。この手段は全ての導電層に行
なうことができるが、この二次電子放出被覆はチ
ヤンネル電子増倍器の入力側の最初の数枚の導電
層にのみ設けるのが好適であることもある。
英国特許明細書第1523730号明細書にはチヤン
ネル電子増倍器用に好適なダイノードが開示され
ており、このダイノードはアルカリ金属ふつ化物
を含む特定の組成のサーメツトから成る二次電子
放出被覆を有する基板から成る。しかし、このサ
ーメツトの二次電子放出比はせいぜい４である。
ネル電子増倍器用に好適なダイノードが開示され
ており、このダイノードはアルカリ金属ふつ化物
を含む特定の組成のサーメツトから成る二次電子
放出被覆を有する基板から成る。しかし、このサ
ーメツトの二次電子放出比はせいぜい４である。
「Surface Science」Vol.71、No.１（1978）、
pp15〜26に掲載されている論文「Growth of
MgO films with high secondery emission on
Al―Ag alloys」に、0.1〜３重量％のMg成分を
含む高純度のAl―Mg合金シートを酸化し活性化
することにより二次電子放出層を形成する方法が
開示されている。酸化された合金シートを450℃
程度の温度で加熱することによりその表面酸化層
のマグネシウム濃度が増大し、この方法により10
〜15の二次電子放出比（δ）が得られる。しか
し、これらの合金はチヤンネル電子増倍器のダイ
ノードを作るのに適さない。その理由は、このよ
うなマグネシウム合金をチヤンネル電子増倍器の
ダイノードに所望の形状にエツチングするのに好
適なエツチング技術が現在のところ得られていな
いからである。
pp15〜26に掲載されている論文「Growth of
MgO films with high secondery emission on
Al―Ag alloys」に、0.1〜３重量％のMg成分を
含む高純度のAl―Mg合金シートを酸化し活性化
することにより二次電子放出層を形成する方法が
開示されている。酸化された合金シートを450℃
程度の温度で加熱することによりその表面酸化層
のマグネシウム濃度が増大し、この方法により10
〜15の二次電子放出比（δ）が得られる。しか
し、これらの合金はチヤンネル電子増倍器のダイ
ノードを作るのに適さない。その理由は、このよ
うなマグネシウム合金をチヤンネル電子増倍器の
ダイノードに所望の形状にエツチングするのに好
適なエツチング技術が現在のところ得られていな
いからである。
更に、本発明に至る種々の考察中に、0.1〜３
重量％のマグネシウムを含むアルミニウム―マグ
ネシウム合金を蒸着して形成した二次電子放出被
覆は容易に活性化し得ないことを確かめた。
重量％のマグネシウムを含むアルミニウム―マグ
ネシウム合金を蒸着して形成した二次電子放出被
覆は容易に活性化し得ないことを確かめた。
本発明の目的は、前記英国特許第1623730号明
細書から既知のサーメツト材料より高い二次電子
放出比（δ）を有する二次電子放出被覆を提供せ
んとするにある。本発明の他の目的は容易に活性
化し得る二次電子放出被覆を形成する方法を提供
せんとするにある。
細書から既知のサーメツト材料より高い二次電子
放出比（δ）を有する二次電子放出被覆を提供せ
んとするにある。本発明の他の目的は容易に活性
化し得る二次電子放出被覆を形成する方法を提供
せんとするにある。
本発明は、ダイノード上に二次電子放出被覆を
形成するに当り、ダイノード上にマグネシウムと
アルミニウムから成る複合被覆を少くとも200Å
の厚さに蒸着し、この複合被覆上にアルミニウム
層を50〜500Åの厚さに蒸着し、この露出アルミ
ニウム層を酸化し、このように被覆されたダイノ
ードを少くとも５×10-6トル、特に５×10-6〜４
×10-4トルの圧力の酸素雰囲気中において270〜
400℃の温度で加熱して活性化して二次電子放出
被覆を形成し、該二次電子放出被覆は1.5〜90重
量％のマグネシウムを含むことを特徴とする。
形成するに当り、ダイノード上にマグネシウムと
アルミニウムから成る複合被覆を少くとも200Å
の厚さに蒸着し、この複合被覆上にアルミニウム
層を50〜500Åの厚さに蒸着し、この露出アルミ
ニウム層を酸化し、このように被覆されたダイノ
ードを少くとも５×10-6トル、特に５×10-6〜４
×10-4トルの圧力の酸素雰囲気中において270〜
400℃の温度で加熱して活性化して二次電子放出
被覆を形成し、該二次電子放出被覆は1.5〜90重
量％のマグネシウムを含むことを特徴とする。
前記複合被覆はダイノードと接触するアルミニ
ウム層とその上に設けられたマグネシウム層で構
成することができる。また、前記複合被覆はダイ
ノード上にアルミニウムの層を蒸着し、このダイ
ノードと接触するアルミニウム層上にマグネシウ
ムとアルミニウムを同時に蒸着して形成すること
ができる。
ウム層とその上に設けられたマグネシウム層で構
成することができる。また、前記複合被覆はダイ
ノード上にアルミニウムの層を蒸着し、このダイ
ノードと接触するアルミニウム層上にマグネシウ
ムとアルミニウムを同時に蒸着して形成すること
ができる。
マグネシウム含有層上にアルミニウム層を蒸着
する目的は、マグネシウム含有層内のマグネシウ
ムと空気との間に障壁を設けるためである。これ
は、被覆されたダイノードは蒸着雰囲気から取り
出されたとき（その被覆を活性化する前）に空気
にさらされるためである。そして、被覆の表皮が
かなりの量のマグネシウムを含んでいる場合、マ
グネシウム含有層を酸化することが困難となる。
これは、おそらく、水酸化マグネシウム層が形成
されるためであり、この層をMgO層の形成前に
分解しなければならない。マグネシウム含有層を
アルミニウム層で被覆すると、このアルミニウム
層の少くとも外表面部が酸化により酸化アルミニ
ウムに変換され、活性化工程中にマグネシウムが
この酸化アルミニウム層内に拡散し、それが被覆
の表面に到達したときに酸化される。
する目的は、マグネシウム含有層内のマグネシウ
ムと空気との間に障壁を設けるためである。これ
は、被覆されたダイノードは蒸着雰囲気から取り
出されたとき（その被覆を活性化する前）に空気
にさらされるためである。そして、被覆の表皮が
かなりの量のマグネシウムを含んでいる場合、マ
グネシウム含有層を酸化することが困難となる。
これは、おそらく、水酸化マグネシウム層が形成
されるためであり、この層をMgO層の形成前に
分解しなければならない。マグネシウム含有層を
アルミニウム層で被覆すると、このアルミニウム
層の少くとも外表面部が酸化により酸化アルミニ
ウムに変換され、活性化工程中にマグネシウムが
この酸化アルミニウム層内に拡散し、それが被覆
の表面に到達したときに酸化される。
本発明方法により被覆されたダイノードは、隣
接するダイノード間が離間部材で互に離間された
ダイノードの積重ねを具え、各ダイノードは規則
正しく配列された孔を有し、各ダイノードの孔は
互に整列してチヤンネルを形成し、前記離間部材
はチヤンネルをふさがないよう配置すると共に電
気的に絶縁性のもの或はダイノードより高い固有
抵抗を有するものとして成るチヤンネル式電子増
倍管に用いるのに好適である。これらダイノード
は１枚のシート又は互に電気的に接触した２枚合
わせのシートで構成する。ダイノード材料は内部
ダイノード絶縁材料層（例えばガラス層）で被覆
して付着性を改善すると共にこれを不純物（例え
ば硫黄）の拡散障壁として作用させて不純物が二
次電子放出被覆を汚染しないようにすることがで
きる。
接するダイノード間が離間部材で互に離間された
ダイノードの積重ねを具え、各ダイノードは規則
正しく配列された孔を有し、各ダイノードの孔は
互に整列してチヤンネルを形成し、前記離間部材
はチヤンネルをふさがないよう配置すると共に電
気的に絶縁性のもの或はダイノードより高い固有
抵抗を有するものとして成るチヤンネル式電子増
倍管に用いるのに好適である。これらダイノード
は１枚のシート又は互に電気的に接触した２枚合
わせのシートで構成する。ダイノード材料は内部
ダイノード絶縁材料層（例えばガラス層）で被覆
して付着性を改善すると共にこれを不純物（例え
ば硫黄）の拡散障壁として作用させて不純物が二
次電子放出被覆を汚染しないようにすることがで
きる。
ダイノードは軟鋼で形成するのが好適である。
その理由は、既知の確立されたエツチング技術を
用いて軟鋼板を所望のダイノード形状にすること
ができるからである。
その理由は、既知の確立されたエツチング技術を
用いて軟鋼板を所望のダイノード形状にすること
ができるからである。
マグネシウムとアルミニウムは、これら金属は
容易に蒸発するので蒸発により蒸着することがで
きる。マグネシウム―アルミニウム層は例えば
1000〜2000Å厚にすることができる。ダイノード
の少くとも大部分が軟鋼から成る場合は、軟鋼と
マグネシウム―アルミニウム層との間に100〜
1000Å厚のアルミニウム層を設けてマグネシウム
の軟鋼内への拡散速度を低減させることができ
る。
容易に蒸発するので蒸発により蒸着することがで
きる。マグネシウム―アルミニウム層は例えば
1000〜2000Å厚にすることができる。ダイノード
の少くとも大部分が軟鋼から成る場合は、軟鋼と
マグネシウム―アルミニウム層との間に100〜
1000Å厚のアルミニウム層を設けてマグネシウム
の軟鋼内への拡散速度を低減させることができ
る。
マグネシウムのみから成る二次電子放出被覆は
300℃の活性温度では本発明方法により形成され
る二次電子放出被覆より活性化が著しく困難であ
る。本発明方法により形成された被覆は５〜400
×10-6トルの圧力の酸素雰囲気中において270℃
で３時間加熱することにより活性化することがで
き、この場合は鉛封止部材から成る圧着封止部を
有する管器を具える電子表示管内においてダイノ
ードを活性化するときに好都合である。もつと高
い酸素雰囲気を用い、300℃以上の活性化温度を
使用するときはダイノードの活性化は電子管外で
行なつて管の他の構成素子の過度の酸化を避ける
のが好適である。
300℃の活性温度では本発明方法により形成され
る二次電子放出被覆より活性化が著しく困難であ
る。本発明方法により形成された被覆は５〜400
×10-6トルの圧力の酸素雰囲気中において270℃
で３時間加熱することにより活性化することがで
き、この場合は鉛封止部材から成る圧着封止部を
有する管器を具える電子表示管内においてダイノ
ードを活性化するときに好都合である。もつと高
い酸素雰囲気を用い、300℃以上の活性化温度を
使用するときはダイノードの活性化は電子管外で
行なつて管の他の構成素子の過度の酸化を避ける
のが好適である。
ダイノードを電子管外で活性化し、管の他の構
成素子を酸素雰囲気中で加熱することを避けるこ
とができるが、この場合には活性化された二次電
子放出表面が汚染されるおそれがある。
成素子を酸素雰囲気中で加熱することを避けるこ
とができるが、この場合には活性化された二次電
子放出表面が汚染されるおそれがある。
二次電子放出被覆の形成に使用する金属をダイ
ノード上に蒸着するとき、ダイノードは室温にす
ることができる。蒸着室内の圧力は１〜３×10-5
トルとするのが好適であり、このとき蒸着室内の
雰囲気は主に水蒸気とするのが好適である。ダイ
ノード表面の炭素汚染は、その部分を除去しない
限り、二次電子放出被覆の二次電子放出比を低下
する作用を持つが、活性化したダイノードの炭素
による表面汚染の作用は低レベルに低下する。こ
れは、この汚染が活性化処理中に15分間で単分子
膜の30％から単分子膜の５％以下に減少するため
である。
ノード上に蒸着するとき、ダイノードは室温にす
ることができる。蒸着室内の圧力は１〜３×10-5
トルとするのが好適であり、このとき蒸着室内の
雰囲気は主に水蒸気とするのが好適である。ダイ
ノード表面の炭素汚染は、その部分を除去しない
限り、二次電子放出被覆の二次電子放出比を低下
する作用を持つが、活性化したダイノードの炭素
による表面汚染の作用は低レベルに低下する。こ
れは、この汚染が活性化処理中に15分間で単分子
膜の30％から単分子膜の５％以下に減少するため
である。
本発明方法で形成された二次電子放出被覆のδ
―電圧曲線の最大値は前記英国特許第1523730号
明細書の金―氷晶石サーメツト層の場合より高い
電圧（約600ボルト）のところに生ずることを確
かめた。この特徴はダイノードに大電流が流れる
ことにより生ずる空間電荷問題に対し有利であ
る。本発明方法で形成された二次電子放出被覆は
アルカリ金属ふつ化物を有するサーメツトよりも
電子衝撃に安定で、アルミニウム―マグネシウム
二次電子放出被覆を使用するときは電子管の構成
素子のふつ素汚染を生ずるおそれはない。
―電圧曲線の最大値は前記英国特許第1523730号
明細書の金―氷晶石サーメツト層の場合より高い
電圧（約600ボルト）のところに生ずることを確
かめた。この特徴はダイノードに大電流が流れる
ことにより生ずる空間電荷問題に対し有利であ
る。本発明方法で形成された二次電子放出被覆は
アルカリ金属ふつ化物を有するサーメツトよりも
電子衝撃に安定で、アルミニウム―マグネシウム
二次電子放出被覆を使用するときは電子管の構成
素子のふつ素汚染を生ずるおそれはない。
図面につき本発明を説明する。
第１図は本発明方法によりダイノード基板上に
二次電子放出被覆を蒸着するのに用いる装置の断
面図を示す。ダイノード基板１はポンプテーブル
４上に装着された蒸着容器３内の回転可能ワーク
ホルダー２に保持される（ワークホルダー２を回
転する装置は図示してない。）蒸着容器３の中に
は有孔カバー６を有するマグネシウム収容モリブ
デンボート５から成るマグネシウム源と、アルミ
ニウム線（図示せず）を保持するタングステンコ
イル７から成るアルミニウム源が設けられてい
る。ダイノード基板１はモリブデンボート５及び
タングステンコイル７から上方に距離ｄ（20cm）
の位置に配置され、モリブデンボード４の中心と
タングステンコイル７の中心との間隔ｓは２cmで
ある。アルミニウム源とマグネシウム源はそれぞ
れの電源８及び９からコイル７及びボート５に電
流を流すことにより加熱される。ｄ：ｓを少くと
も10：１にすると、マグネシウムとアルミニウム
を同時に蒸発してダイノード基板１上に蒸着され
るマグネシウム―アルミニウム合金の組成はダイ
ノード基板１の全面積に亘り一様となることが確
かめられた。
二次電子放出被覆を蒸着するのに用いる装置の断
面図を示す。ダイノード基板１はポンプテーブル
４上に装着された蒸着容器３内の回転可能ワーク
ホルダー２に保持される（ワークホルダー２を回
転する装置は図示してない。）蒸着容器３の中に
は有孔カバー６を有するマグネシウム収容モリブ
デンボート５から成るマグネシウム源と、アルミ
ニウム線（図示せず）を保持するタングステンコ
イル７から成るアルミニウム源が設けられてい
る。ダイノード基板１はモリブデンボート５及び
タングステンコイル７から上方に距離ｄ（20cm）
の位置に配置され、モリブデンボード４の中心と
タングステンコイル７の中心との間隔ｓは２cmで
ある。アルミニウム源とマグネシウム源はそれぞ
れの電源８及び９からコイル７及びボート５に電
流を流すことにより加熱される。ｄ：ｓを少くと
も10：１にすると、マグネシウムとアルミニウム
を同時に蒸発してダイノード基板１上に蒸着され
るマグネシウム―アルミニウム合金の組成はダイ
ノード基板１の全面積に亘り一様となることが確
かめられた。
例 １
１μｍ厚のニツケルでメツキされた軟鋼基板１
を第１図につき述べた装置のワークホルダー２に
保持し、ワークホルダー２を30rpmで回転させ、
装置内の圧力を２×10-5トルに下げ、アルミニウ
ム源７を加熱して100Å厚のアルミニウム層１０
を軟鋼基板１上に２分間で形成した。アルミニウ
ム源７からの蒸着を続けると共にマグネシウム源
６を加熱して40重量％のアルミニウムと60重量％
のマグネシウムから成る500Å厚の層１１を３分
間で蒸着した。次いでマグネシウム蒸着を停止
し、マグネシウム―アルミニウム層１１上に純粋
アルミニウムの75Å厚の層を蒸着した。次いで、
被覆された基板１を20℃の大気圧の空気中に60時
間放置して表面アルミニウム層１２を酸化アルミ
ニウムに変換した。次いでこの被覆基板を４×
10-5トルの分圧の酸素中で４時間加熱して活性化
した。この活性化された被覆の二次電子放出比
（δ）は500eV（一次電子のエネルギー）で5.6で
あつた。
を第１図につき述べた装置のワークホルダー２に
保持し、ワークホルダー２を30rpmで回転させ、
装置内の圧力を２×10-5トルに下げ、アルミニウ
ム源７を加熱して100Å厚のアルミニウム層１０
を軟鋼基板１上に２分間で形成した。アルミニウ
ム源７からの蒸着を続けると共にマグネシウム源
６を加熱して40重量％のアルミニウムと60重量％
のマグネシウムから成る500Å厚の層１１を３分
間で蒸着した。次いでマグネシウム蒸着を停止
し、マグネシウム―アルミニウム層１１上に純粋
アルミニウムの75Å厚の層を蒸着した。次いで、
被覆された基板１を20℃の大気圧の空気中に60時
間放置して表面アルミニウム層１２を酸化アルミ
ニウムに変換した。次いでこの被覆基板を４×
10-5トルの分圧の酸素中で４時間加熱して活性化
した。この活性化された被覆の二次電子放出比
（δ）は500eV（一次電子のエネルギー）で5.6で
あつた。
例 ２
１μｍのニツケルでメツキされた軟鋼基板を第
１図の装置のワークホルダー２に保持し、装置内
の圧力を２×10-5トルに下げ、アルミニウム源７
を加熱して基板１上に150Å厚のアルミニウム層
を２分間で蒸着した。次いでアルミニウム蒸着を
停止し、このアルミニウム層上に500Å厚のマグ
ネシウム層を蒸着した。次いでこのマグネシウム
層上に200Å厚のアルミニウム層を蒸着した。こ
のように被覆した基板の第１組を20℃の大気圧の
空気中に60時間放置し、第２組を大気圧の空気中
において100℃で１時間加熱した。両組の基板を
４×10-5トルの分圧の酸素中において270℃で４
時間加熱した。第１組の基板の500eVでの二次電
子放出比（δ）は5.85、第２組の基板のそれは
6.15であつた。
１図の装置のワークホルダー２に保持し、装置内
の圧力を２×10-5トルに下げ、アルミニウム源７
を加熱して基板１上に150Å厚のアルミニウム層
を２分間で蒸着した。次いでアルミニウム蒸着を
停止し、このアルミニウム層上に500Å厚のマグ
ネシウム層を蒸着した。次いでこのマグネシウム
層上に200Å厚のアルミニウム層を蒸着した。こ
のように被覆した基板の第１組を20℃の大気圧の
空気中に60時間放置し、第２組を大気圧の空気中
において100℃で１時間加熱した。両組の基板を
４×10-5トルの分圧の酸素中において270℃で４
時間加熱した。第１組の基板の500eVでの二次電
子放出比（δ）は5.85、第２組の基板のそれは
6.15であつた。
例 ３
１μｍ厚のニツケルでメツキされた軟鋼基板を
第１図の装置内に配置し、装置内の圧力を２×
10-5トルに下げ、アルミニウム源７を加熱して軟
鋼基板上に300Å厚のアルミニウム層を４分間で
蒸着した。次いでアルミニウム蒸着を停止し、こ
のアルミニウム層上に800Å厚のマグネシウム層
を蒸着した。次いでこのマグネシウム層上に300
Å厚のアルミニウム層を蒸着した。このように被
覆した複数枚の基板を150℃の大気圧の空気中に
90分間放置して酸化し、次いで大気圧の酸素中で
種々の時間で活性化した。350℃で３時間活性化
した基板は600eVで6.7の二次電子放出比（δ）
を有した。350℃で4.5時間活性化したものは
600eVで7.9のδであつた。350℃で6.5時間活性化
したものは600eVで8.3のδであつた。
第１図の装置内に配置し、装置内の圧力を２×
10-5トルに下げ、アルミニウム源７を加熱して軟
鋼基板上に300Å厚のアルミニウム層を４分間で
蒸着した。次いでアルミニウム蒸着を停止し、こ
のアルミニウム層上に800Å厚のマグネシウム層
を蒸着した。次いでこのマグネシウム層上に300
Å厚のアルミニウム層を蒸着した。このように被
覆した複数枚の基板を150℃の大気圧の空気中に
90分間放置して酸化し、次いで大気圧の酸素中で
種々の時間で活性化した。350℃で３時間活性化
した基板は600eVで6.7の二次電子放出比（δ）
を有した。350℃で4.5時間活性化したものは
600eVで7.9のδであつた。350℃で6.5時間活性化
したものは600eVで8.3のδであつた。
チヤンネル電子増倍器
第２図はダイノード１４，１５，１６及び１７
で構成されたチヤンネル電子増倍器１３を示す。
各ダイノードはニツケルメツキ有孔鋼板から成
り、その孔はチヤンネル１８を形成し、本発明方
法により形成された二次電子放出被覆２２を有す
る。ダイノード１４，１５，１６及び１７のチヤ
ンネル１８は互に整列し、電子増倍方向に収れん
する。ダイノード１４〜１７は球状離間部材１９
で離間し、これら離間部材はダイノードにガラス
エナメル２０で固着する。図に示すように、ダイ
ノード１４〜１７の孔のない縁部における離間部
材１９の密度を中心部よりも大きくする。図で離
間部材１９はダイノードの各チヤンネル間に位置
するように示されているが、これら部材はダイノ
ードのチヤンネルの中心間隔の整数倍に分布させ
ることができる。各チヤンネル１８は本発明方法
により形成された二次電子放出被覆２２を有す
る。
で構成されたチヤンネル電子増倍器１３を示す。
各ダイノードはニツケルメツキ有孔鋼板から成
り、その孔はチヤンネル１８を形成し、本発明方
法により形成された二次電子放出被覆２２を有す
る。ダイノード１４，１５，１６及び１７のチヤ
ンネル１８は互に整列し、電子増倍方向に収れん
する。ダイノード１４〜１７は球状離間部材１９
で離間し、これら離間部材はダイノードにガラス
エナメル２０で固着する。図に示すように、ダイ
ノード１４〜１７の孔のない縁部における離間部
材１９の密度を中心部よりも大きくする。図で離
間部材１９はダイノードの各チヤンネル間に位置
するように示されているが、これら部材はダイノ
ードのチヤンネルの中心間隔の整数倍に分布させ
ることができる。各チヤンネル１８は本発明方法
により形成された二次電子放出被覆２２を有す
る。
図示の離間部材１９は電気的に絶縁体であるか
ら、各ダイノードを電源２１で別々にバイアスす
る必要がある。
ら、各ダイノードを電源２１で別々にバイアスす
る必要がある。
第３図は第１図に示すチヤンネルプレートの他
の構造を示す。各ダイノード２３〜２６は２枚の
重ね合わせた有孔金属板２８，２９から成る。板
２８，２９の各チヤンネル１８及びダイノード２
３〜２６の上側面は本発明方法により形成された
二次電子放出被覆２２を有する。１枚の有孔金属
板２７をダイノード２３の上方に配置する。離間
部材１９はチヤンネル間に適当な間隔で配置した
球体で構成する。電源２１の口出しタツプを各ダ
イノードに接続する。
の構造を示す。各ダイノード２３〜２６は２枚の
重ね合わせた有孔金属板２８，２９から成る。板
２８，２９の各チヤンネル１８及びダイノード２
３〜２６の上側面は本発明方法により形成された
二次電子放出被覆２２を有する。１枚の有孔金属
板２７をダイノード２３の上方に配置する。離間
部材１９はチヤンネル間に適当な間隔で配置した
球体で構成する。電源２１の口出しタツプを各ダ
イノードに接続する。
チヤンネルプレート陰極線管
第４図は開口側を略々平坦な板ガラススクリー
ン３２で閉じた金属（例えば軟鋼）コーン３１を
具えるチヤンネルプレート陰極線管３０を示す。
第２図につき述べたチヤンネル電子増倍器１３を
スクリーン３２から小距離（例えば10mm）離して
配置する。電子銃３３はコーン３１の閉端に近接
して配置し、偏向コイル装置３４を電子銃３３に
近接して配置する。
ン３２で閉じた金属（例えば軟鋼）コーン３１を
具えるチヤンネルプレート陰極線管３０を示す。
第２図につき述べたチヤンネル電子増倍器１３を
スクリーン３２から小距離（例えば10mm）離して
配置する。電子銃３３はコーン３１の閉端に近接
して配置し、偏向コイル装置３４を電子銃３３に
近接して配置する。
動作中、電子銃３３からの低エネルギー電子ビ
ーム３５が偏向コイル装置３４によりチヤンネル
電子増倍器１３の入力側でラスタ状に偏向され
る。電子ビームはチヤンネル電子増倍器１３で電
子増倍され、その出力電子が表示スクリーンに
略々垂直に射突する。
ーム３５が偏向コイル装置３４によりチヤンネル
電子増倍器１３の入力側でラスタ状に偏向され
る。電子ビームはチヤンネル電子増倍器１３で電
子増倍され、その出力電子が表示スクリーンに
略々垂直に射突する。
第１図は本発明方法によりダイノード上に二次
電子被覆を蒸着するのに用いる装置の断面図、第
２図は本発明方法により被覆されたダイノードか
ら成るチヤンネル電子増倍器の一例の断面図、第
３図は本発明方法により被覆されたダイノードか
ら成るチヤンネル電子増倍器の他の例の断面図、
第４図は第２図又は第３図のチヤンネル電子増倍
器を具えるチヤンネルプレート陰極線管の線図的
断面図である。 １…ダイノード基板、２…ワークホルダー、３
…蒸着容器、４…ポンプテーブル、５…モリブデ
ンボート（マグネシウム源）、６…カバー、７…
タングステンコイル（アルミニウム源）、８，９
…電源、１０…Al層、１１…Mg―Al層、１２…
Al層、１３…チヤンネル電子増倍器、１４〜１
７…ダイノード、１８…チヤンネル、１９…離間
部材、２０…ガラスエナメル、２１…電源、２２
…二次電子放出被覆、２３〜２６…ダイノード、
２８，２９…有孔金属板、３０…チヤンネルプレ
ート陰極線管、３１…金属コーン、３２…ガラス
スクリーン、３３…電子銃、３４…偏向コイル。
電子被覆を蒸着するのに用いる装置の断面図、第
２図は本発明方法により被覆されたダイノードか
ら成るチヤンネル電子増倍器の一例の断面図、第
３図は本発明方法により被覆されたダイノードか
ら成るチヤンネル電子増倍器の他の例の断面図、
第４図は第２図又は第３図のチヤンネル電子増倍
器を具えるチヤンネルプレート陰極線管の線図的
断面図である。 １…ダイノード基板、２…ワークホルダー、３
…蒸着容器、４…ポンプテーブル、５…モリブデ
ンボート（マグネシウム源）、６…カバー、７…
タングステンコイル（アルミニウム源）、８，９
…電源、１０…Al層、１１…Mg―Al層、１２…
Al層、１３…チヤンネル電子増倍器、１４〜１
７…ダイノード、１８…チヤンネル、１９…離間
部材、２０…ガラスエナメル、２１…電源、２２
…二次電子放出被覆、２３〜２６…ダイノード、
２８，２９…有孔金属板、３０…チヤンネルプレ
ート陰極線管、３１…金属コーン、３２…ガラス
スクリーン、３３…電子銃、３４…偏向コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイノード上に二次電子放出被覆を形成する
に当り、ダイノード上にマグネシウムとアルミニ
ウムから成る少くとも200Å厚の複合被覆を蒸着
し、該複合被覆上に50〜500Åのアルミニウム層
を蒸着し、該露出アルミニウム層を酸化し、斯く
被覆されたダイノードを少くとも５×10-6トルの
圧力の酸素雰囲気中において270〜400℃の温度で
加熱して活性化して二次電子放出被覆を形成し、
該二次電子放出被覆は1.5〜90重量％のマグネシ
ウムを含むことを特徴とするダイノードの二次電
子放出被覆形成方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
前記被覆ダイノードを５×10-6〜４×10-4トルの
酸素雰囲気中で活性化することを特徴とするダイ
ノードの二次電子放出被覆形成方法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法
において、前記複合被覆はダイノードと隣接する
アルミニウム層とその上に形成されたマグネシウ
ム層とで構成することを特徴とするダイノードの
二次電子放出被覆形成方法。 ４ 特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法
において、前記複合被覆はダイノード上にアルミ
ニウム層を蒸着し、次いでこのアルミニウム層上
にマグネシウムとアルミニウムを同時に蒸着して
形成することを特徴とするダイノードの二次電子
放出被覆形成方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の方法において、
ダイノードは軟鋼で構成し、そのダイノード上に
100〜1000Å厚のアルミニウム層を蒸着し、この
アルミニウム層上に1000〜2000Å厚のマグネシウ
ム―アルミニウム被覆を蒸着することを特徴とす
るダイノードの二次電子放出被覆形成方法。 ６ ダイノード上にマグネシウムとアルミニウム
から成る少くとも200Å厚の複合被覆を蒸着し、
該複合被覆上に50〜500Åのアルミニウム層を蒸
着し、該露出アルミニウム層を酸化し、斯く被覆
されたダイノードを少くとも５×10-6トルの圧力
の酸素雰囲気中において270〜400℃の温度で加熱
して活性化して形成した1.5〜90重量％のマグネ
シウムを含む二次電子放出被覆を有するダイノー
ドの積重ねを具えたチヤンネル電子増倍器であつ
て、これらダイノードは離間部材で互に離間さ
れ、各ダイノードの基板は規則正しく配列れさた
孔を有する一枚の有孔導電板から成り、それぞれ
のダイノードの孔は互に整列してチヤンネルを形
成し、前記離間部材はこれらチヤンネルをふさが
ないように配置されると共に電気的に絶縁性のも
のもしくはダイノードより高い固有抵抗のものと
し、前記二次電子放出被覆は少くとも前記導電板
の孔の壁面上に存在させたことを特徴とするチヤ
ンネル電子増倍器。 ７ ダイノード上にマグネシウムとアルミニウム
から成る少くとも200Å厚の複合被覆を蒸着し、
該複合被覆上に50〜500Åのアルミニウム層を蒸
着し、該露出アルミニウム層を酸化し、斯く被覆
されたダイノードを少くとも５×10-6トルの圧力
の酸素雰囲気中において270〜400℃の温度で加熱
して活性化して形成した1.5〜90重量％のマグネ
シウムを含む二次電極放出被覆を有するダイノー
ドの積重ねを具えたチヤンネル電子増倍器であつ
て、これらダイノードは離間部材で互に離間さ
れ、各ダイノードは規則正しい配列の孔を有する
２枚の有孔導電板を重ね合わせ電気的に接触させ
て構成し、それぞれのダイノードの孔は互に整列
してチヤンネルを形成し、前記離間部材は電気的
に絶縁性のもの、もしくはダイノードより高い固
有抵抗のものとし、かつ前記二次電子放出被覆は
少くとも前記重合せ有孔板の壁面上に存在させた
ことを特徴とするチヤンネル電子増倍器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7911400A GB2045808A (en) | 1979-04-02 | 1979-04-02 | Method of forming a secondary emissive coating on a dynode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55146854A JPS55146854A (en) | 1980-11-15 |
| JPS6241378B2 true JPS6241378B2 (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=10504270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4056880A Granted JPS55146854A (en) | 1979-04-02 | 1980-03-31 | Method of coating secondary electron emission of diode |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55146854A (ja) |
| BE (1) | BE882558A (ja) |
| GB (1) | GB2045808A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012309A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍管 |
| JP2011513921A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | アラディアンス インコーポレイテッド | 複数の放出層を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2549288B1 (fr) * | 1983-07-11 | 1985-10-25 | Hyperelec | Element multiplicateur d'electrons, dispositif multiplicateur d'electrons comportant cet element multiplicateur et application a un tube photomultiplicateur |
| JPS6185747A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-05-01 | Hamamatsu Photonics Kk | 二次電子放出面 |
| US7102284B2 (en) | 2001-02-23 | 2006-09-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier |
| USD1021149S1 (en) * | 2021-07-14 | 2024-04-02 | Pavestone, LLC | Paver |
-
1979
- 1979-04-02 GB GB7911400A patent/GB2045808A/en not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4056880A patent/JPS55146854A/ja active Granted
- 1980-03-31 BE BE0/200058A patent/BE882558A/fr unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012309A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍管 |
| JP2011513921A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-04-28 | アラディアンス インコーポレイテッド | 複数の放出層を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
| JP2014029879A (ja) * | 2008-02-27 | 2014-02-13 | Arradiance Inc | 複数の放出層を有するマイクロチャネルプレートデバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55146854A (en) | 1980-11-15 |
| BE882558A (fr) | 1980-09-30 |
| GB2045808A (en) | 1980-11-05 |
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