JPS6240145A - プラズマx線発生装置 - Google Patents

プラズマx線発生装置

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JPS6240145A
JPS6240145A JP17927785A JP17927785A JPS6240145A JP S6240145 A JPS6240145 A JP S6240145A JP 17927785 A JP17927785 A JP 17927785A JP 17927785 A JP17927785 A JP 17927785A JP S6240145 A JPS6240145 A JP S6240145A
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JP
Japan
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plasma
ray
chamber
opening
vacuum
Prior art date
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Pending
Application number
JP17927785A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Kitamura
北村 芳隆
Masaki Yamabe
山部 正樹
Yasuo Furukawa
古川 泰男
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP17927785A priority Critical patent/JPS6240145A/ja
Publication of JPS6240145A publication Critical patent/JPS6240145A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • GPHYSICS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 ・概要 ・産業上の利用分野 ・従来の技術 ・発明が解決しようとする問題点 ・問題点を解決するための手段 ・作用 ・実施例 発明の効果 〔概 要〕 プラズマ発生用電極を有するX41発生室とxbiを照
射する被処理物を配した真空室とをX線通過用開口部を
介して連結し、このx′g通過用開口部周囲に排気口を
設けX″4IA発生室内のプラズマ生成用ガスを排気し
真空室内への侵入を防止したプラズマX線発生装置。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、対向する電極間に存在するプラズマ生成用ガ
スを放電によってプラズマ化しX線を発生するプラズマ
X線発生装置に関する。
〔従来の技術〕
超LSI用パターン等の微細パターン形成のためにX線
リソグラフィ技術が開発され、このリソグラフィプロセ
スにおいてプラズマX線発生装置が用いられている。従
来のプラズマX線発生装置の構成を第4図に示す。真空
室30の上部に絶縁材31を介して電磁作動の高速バル
ブ32が取付けられる。真空室30内の高速バルブ32
の下方には中央に開口33を有する電極34が設置され
る。高速バルブ32の筐体42の下部には開口36を有
する突起電極35が形成される。この高速バルブ32は
図示しないガス導入管を介してプラズマガス生成用ガス
ボンベ(図示しない)に連結される。真空室30内の電
極34の下方にホルダ37に搭載されたウェハ38が設
置される。ウェハ38はマスク39で覆われる。真空室
30は真空排気管41を介して図示しない真空ポンプに
接続される。高速バルブ32の電極35および真空室内
の電極34間にスイッチSGを介してコンデンサC1抵
抗R1および電源Hが接続される。
コンデンサCに充電された電圧の放電により電極34、
35間に電圧を印加して両者間にプラズマ柱40を発生
させ、電極34の開口33よりX線を矢印Bのようにウ
ェハ38に向けて照射する。
X&9は真空室内のプラズマ生成用ガスに吸収される。
この吸収をできるだけ小さくするために、従来は、電極
間放電と高速バルブ開放によるプラズマ生成用ガス五人
のタイミングを調整し高真空中でX線を発生させ照射し
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のプラズマX線発生装置においては、高速バルブを
用いていたため、高速バルブの故障等の問題があり保守
点検が必要となり、また高速バルブの寿命が短いため交
換作業が必要であった。また、高速バルブと放電とのタ
イミングの制御がむずかしく高速バルブの劣化等によっ
て効率良くX線を発生することができない場合があった
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、高速バルブを用いることなく効率良く、高真空中で
X線照射を行うことができるプラズマX線発生装置の提
供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的を達成するため、本発明では、プラズマ生成用
ガス導入管が接続されたX線発生室の一部にX線通過用
開口部を形成し、該開口部周囲およびXvA発生室内の
該開口部と対向する位置に一対のプラズマ発生用電極を
設け、該開口部を介してX線発生室と真空室とを連通さ
せ、X線発生室および真空室間の上記開口部近傍に排気
口を設けたプラズマX!1発生装置を提供する。
〔作 用〕
X線発生室内に導入されたプラズマ生成用ガスは、X線
発生室および真空室間を連通ずる開口部近傍の排気口に
より排気され真空室内に侵入しない。従ってX線発生室
内には常に所定圧力のプラズマ生成用ガスが充填され、
一方真空室内はプラズマ生成用ガスが侵入せず常に高真
空に保たれる。
〔実施例〕
本発明の第1実施例の構成を第1図に示す。X線発生室
1にバルブ2を介してプラズマ生成用ガス導入管3が接
続される。X線発生室1の下部には開口部14が設けら
れる。この開口部14に対向してX線発生室1内に電極
4が設けられる。開口部14の周囲のX線発生室の壁体
は突出し電極10を構成する。電極4.10間にはスイ
ッチSGを介してコンデンサC1抵抗R1および電源H
が接続される。X線発生室1の下部には真空室5が設置
される。X線発生室1と真空室5とは開口部14を介し
て連通ずる。この開口部14はX線通過用の通路を構成
する。真空室5は排気管6を介して図示しない真空ポン
プに接続される。真空室5内にはホルダ7上に搭載され
た被処理物(ウェハ等の試料)8が配置される。ウェハ
8はマスク9で覆われる。X線発生室1と真空室5とを
連通ずる開口部14の近傍にはX線通過方向に沿って複
数段(この例では2段)に形成された排気口11 、1
2が備わる。排気口11 、12は図示しない真空ポン
プに接続される。
上記構成のX線発生装置の作動は以下のとおりである。
バルブ2を開放しガス導入管3よりプラズマ生成用ガス
をX線発生室1内に充填する。排気口11 、12より
X線発生室内のガスを矢印Aのように吸引排気し、バル
ブ2は開放したまま、オリフィス等で絞りながら又はバ
ルブ開度を調整して供給ガス圧力および排気圧力とを適
当に調整しX線発生室内をプラズマ発生に最適な圧力に
保つ。
真空室6内は排気管6により高真空状態に保つ。
この状態で電極4.10間にコンデンサCに充電された
電圧を放電印加する。これにより電極4゜10間にプラ
ズマ柱13が発生しピンチ作用によりX線が発生する。
発生したX&1は矢印BのようにX線通過用開口部14
を通して真空室5内のウェハ8を照射する。このとき、
X線発生室1内のプラズマ生成用ガスは排気口11 、
12より排気され、真空室5内には流入しない。従って
真空室内は常に高真空に保たれ、X線は減衰されない。
また、X線発生室1内の真空圧(例えば1f13〜10
−’torr )と真空室5内の真空圧(例えば10−
5torr)との差はこの排気口の排気圧力の調整によ
り常にバランスされる。
なお、排気口11 、12を各々別の排気装置に接続し
て排気吸引力をX線通過方向に従って強く、即ち下の排
気口12の吸引力を上の排気口11の吸引力より強くし
ておけば、プラズマ生成用ガスの真空室内への流入はさ
らに確実に防止される。
本発明の第2実施例の構成を第2図に示す。この実施例
においては、X線発生室1内に絶縁体18を介して水平
方向に対向する1対のプラズマ発生用電極15 、16
が設けられる。電極15 、16は図示しないスイッチ
を介して電源17に接続される。
電極15 、16は垂直方向の電極4,10と交差する
位置で対向する。X線を発生する場合には、まず電極1
5 、16間に電圧を印加してグロー放電プラズマを発
生させる。この状態でさらに電極4.10間に放電して
プラズマ柱13を発生させる。これによりプラズマが高
密度、高温状態となり、高出力、高効率のX線が得られ
る。その他の構成、作用は第1実施例と同様である。
本発明の第3実施例の構成を第3図に示す。この実施例
においては、ウェハ8を真空室5の外部に設置し、真空
室5の底部に設けた窓19を通してX線を照射している
。その他の構成、作用は上記第2実施例の場合と同様で
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明に係るプラズマX線発生装
置においては、従来のようにガス圧力の調整および放電
タイミング調整のための高速バルブを用いずにX線発生
室および真空室を別に設け、両者間に排気手段を設けて
両室内圧力を所定の真空状態に保っている。従っセ、高
速バルブのための保守点検作業および高速バルブ交換等
の作業が不要となり装置稼動率が向上し、寿命が延びる
また、X線発生室および真空室は常に最適真空圧に保た
れ、高出力のXvAが効率良(得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図までは各々本発明の各列の実施例の構
成図、第4図は従来のプラズマX線発生装置の構成図で
ある。 1・・・X線発生室、 3・・・プラズマ生成用ガス導入管、 4.10・・・電極、 5・・・真空室、 11 、12・・・排気口、 14・・・開口部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、プラズマ生成用ガス導入管が接続されたX線発生室
    の一部にX線通過用開口部を形成し、該開口部周囲およ
    びX線発生室内の該開口部と対向する位置に一対のプラ
    ズマ発生用電極を設け、該開口部を介してX線発生室と
    真空室とを連通させX線発生室および真空室間の上記開
    口部近傍に排気口を設けたプラズマX線発生装置。
JP17927785A 1985-08-16 1985-08-16 プラズマx線発生装置 Pending JPS6240145A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054153A1 (en) * 2001-01-03 2002-07-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system with vacuum chamber wall having transparent structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59128747A (ja) * 1983-01-12 1984-07-24 Fujitsu Ltd ガスプラズマx線発生装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59128747A (ja) * 1983-01-12 1984-07-24 Fujitsu Ltd ガスプラズマx線発生装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054153A1 (en) * 2001-01-03 2002-07-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system with vacuum chamber wall having transparent structure

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