JPS6240140A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPS6240140A JPS6240140A JP17913385A JP17913385A JPS6240140A JP S6240140 A JPS6240140 A JP S6240140A JP 17913385 A JP17913385 A JP 17913385A JP 17913385 A JP17913385 A JP 17913385A JP S6240140 A JPS6240140 A JP S6240140A
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- Japan
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- resistance
- resistance value
- film
- discharge current
- neck
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カラーテレビジョン受像管等の陰極線管に関
する。
する。
本発明は、管体の内部導電膜のうちネック部に形成され
た導電膜を放電電流抑制用の抵抗膜として利用した陰極
線管において、抵抗膜を均一に塗布形成し、その抵抗膜
の静抵抗値を９０Ω／ ｃｍ〜５００Ω／ａｎとし、実
質的に静抵抗値と動抵抗値との差を少なくすることによ
って、放電電流を確実に抑制するようにしたものである
。
た導電膜を放電電流抑制用の抵抗膜として利用した陰極
線管において、抵抗膜を均一に塗布形成し、その抵抗膜
の静抵抗値を９０Ω／ ｃｍ〜５００Ω／ａｎとし、実
質的に静抵抗値と動抵抗値との差を少なくすることによ
って、放電電流を確実に抑制するようにしたものである
。
陰極線管においては、その動作時に内部放電、例えば電
子銃の高圧電極とこれに隣接する低電位の電極との間で
放電が生じて大電流が流れると、セット回路部の故障、
カソードの損傷、画面ノイズ、放電音の発生、周辺機器
の誤動作等の不都合が発生する。これを回避するために
は内部放電が発生した場合、放電電流を常に小さい値（
例えば１０〇八以下）に抑制する必要がある。放電電流
を抑制する方法として、例えばファンネル部からネック
部に渡る部分の内部導電膜の抵抗を利用して内部放電時
の放電電流を抑制する方法が知られている。
子銃の高圧電極とこれに隣接する低電位の電極との間で
放電が生じて大電流が流れると、セット回路部の故障、
カソードの損傷、画面ノイズ、放電音の発生、周辺機器
の誤動作等の不都合が発生する。これを回避するために
は内部放電が発生した場合、放電電流を常に小さい値（
例えば１０〇八以下）に抑制する必要がある。放電電流
を抑制する方法として、例えばファンネル部からネック
部に渡る部分の内部導電膜の抵抗を利用して内部放電時
の放電電流を抑制する方法が知られている。
上述のように従来は、ファンネル部の一部からネック部
に渡る導電膜の抵抗を利用し、特にファンネル部の導電
膜抵抗を高抵抗にすることによって放電電流を抑制しよ
うとしたが、ゲッタ飛散の影響でファンネル部の導電膜
抵抗を十分に生かす事が出来ず、放電電流を十分に少な
くすることが出来なかった。この方式ではゲッタ飛散範
囲が限定され（飛散量も少なくする必要も生じる）ファ
ンネル部の狭い範囲だけしか利用出来ずファンネル部の
導電膜抵抗を極端に高抵抗にしても放電電流を１００八
以下に抑制することは出来なかった。
に渡る導電膜の抵抗を利用し、特にファンネル部の導電
膜抵抗を高抵抗にすることによって放電電流を抑制しよ
うとしたが、ゲッタ飛散の影響でファンネル部の導電膜
抵抗を十分に生かす事が出来ず、放電電流を十分に少な
くすることが出来なかった。この方式ではゲッタ飛散範
囲が限定され（飛散量も少なくする必要も生じる）ファ
ンネル部の狭い範囲だけしか利用出来ずファンネル部の
導電膜抵抗を極端に高抵抗にしても放電電流を１００八
以下に抑制することは出来なかった。
また、ファンネル部及びネックｌ（％の両方の導電膜抵
抗を利用する場合でも、従来方式では例えば特願昭５２
−６２８９９号に示すように勅（ダイナミック）抵抗値
と静（スタティック）抵抗値に差がある為、静抵抗値を
高くする手段がとられているが、抵抗値が高くなると導
電膜での沿面放電が発生し、導電膜抵抗が有効に利用さ
れず放電電流を抑制することが出来なかった。
抗を利用する場合でも、従来方式では例えば特願昭５２
−６２８９９号に示すように勅（ダイナミック）抵抗値
と静（スタティック）抵抗値に差がある為、静抵抗値を
高くする手段がとられているが、抵抗値が高くなると導
電膜での沿面放電が発生し、導電膜抵抗が有効に利用さ
れず放電電流を抑制することが出来なかった。
この様に導電膜抵抗が向くなるとアノード電圧が高い場
合、導電膜での沿面放電によって放電電流が抑制できな
いが、この現象は、導電膜が全体に低抵抗でも部分的に
高抵抗の領域が存在すると、この部分で沿面放電が発生
し、−且沿面放電が発生ずると広範囲に広がり、結局導
電膜抵抗が生かされなくなる。従来の塗布では塗布むら
等の発生で部分的に高１１５抗領域が存在し、７ノード
電圧が高くなると導電膜ての沿面放電が発生し、動抵抗
が低くなり、十分に放電電流を抑制できない。また導電
膜抵抗が低いと沿面放電は発生しないが、放電電流が多
く流れ十分な効果が得られない。
合、導電膜での沿面放電によって放電電流が抑制できな
いが、この現象は、導電膜が全体に低抵抗でも部分的に
高抵抗の領域が存在すると、この部分で沿面放電が発生
し、−且沿面放電が発生ずると広範囲に広がり、結局導
電膜抵抗が生かされなくなる。従来の塗布では塗布むら
等の発生で部分的に高１１５抗領域が存在し、７ノード
電圧が高くなると導電膜ての沿面放電が発生し、動抵抗
が低くなり、十分に放電電流を抑制できない。また導電
膜抵抗が低いと沿面放電は発生しないが、放電電流が多
く流れ十分な効果が得られない。
本発明は上述の点に鑑み、ネック部の導電膜抵抗を利用
して内部放電にもとづく放電電流を確実に抑制できるよ
うにした陰極線管を提供するものである。
して内部放電にもとづく放電電流を確実に抑制できるよ
うにした陰極線管を提供するものである。
〔問題点を解決するための手Ｉｔ）
本発明は、管体ネック部（ｌａ）の一部よりファンネル
部（Ｉｂ）に渡って内部導電膜（８）が形成され、この
内部導電膜（８）がアノードボタンに接続されて成る陰
極線管において、そのネック部内面の所定長の内部導電
ｎ央（８ａ１）を放電電流抑制用の抵抗膜として利用す
る。
部（Ｉｂ）に渡って内部導電膜（８）が形成され、この
内部導電膜（８）がアノードボタンに接続されて成る陰
極線管において、そのネック部内面の所定長の内部導電
ｎ央（８ａ１）を放電電流抑制用の抵抗膜として利用す
る。
そして、この抵抗膜（８ａｔ ）の抵抗値として、管軸
方向の静抵抗値と動抵抗値との差が少ない抵抗側で特に
静抵抗値を９０Ω／ｃｍ〜５００Ω／ｃＩ１１の範囲、
好ましくは１７０Ω／１〜４００Ω／ａ！ｌに選定する
ものである。
方向の静抵抗値と動抵抗値との差が少ない抵抗側で特に
静抵抗値を９０Ω／ｃｍ〜５００Ω／ｃＩ１１の範囲、
好ましくは１７０Ω／１〜４００Ω／ａ！ｌに選定する
ものである。
この抵抗値はネック部内の所定長、即ち電子銃より延長
した導電性接触子の接点からネ・ツクシール部（ネック
部とファンネル部の境界部分）までの長さＤにわたって
満足する必要があり、塗布むら等によって部分的に高抵
抗となり上記抵抗値より高くなる部分があってはならな
い。即ち、部分的に面積抵抗が７５０Ω／ロ以上になら
ない様に抵抗膜を均一に塗布形成する。
した導電性接触子の接点からネ・ツクシール部（ネック
部とファンネル部の境界部分）までの長さＤにわたって
満足する必要があり、塗布むら等によって部分的に高抵
抗となり上記抵抗値より高くなる部分があってはならな
い。即ち、部分的に面積抵抗が７５０Ω／ロ以上になら
ない様に抵抗膜を均一に塗布形成する。
静抵抗値としては９０Ω／ｃｍより低いと３０１＜Ｖの
アノード電圧で動作させたとき放電電流が１００Ａを越
えてしまう。また５００Ω／ｃｍより高いと３０Ｋ Ｖ
のアノード電圧で動作させたとき抵抗膜において沿面放
電が起き易（なる。一般に放電電流の抑制は１００Ａ以
下を目安としている。
アノード電圧で動作させたとき放電電流が１００Ａを越
えてしまう。また５００Ω／ｃｍより高いと３０Ｋ Ｖ
のアノード電圧で動作させたとき抵抗膜において沿面放
電が起き易（なる。一般に放電電流の抑制は１００Ａ以
下を目安としている。
抵抗膜（８ａ１）の膜厚としては１０μｆｆ１〜２０μ
ｍが好ましい。１０μｍより薄いと沿面放電が生じ易く
、２０μｍより厚いと剥離、クランクが生じ易い。
ｍが好ましい。１０μｍより薄いと沿面放電が生じ易く
、２０μｍより厚いと剥離、クランクが生じ易い。
ネック部内面の導電膜のみが放電電流抑制用の抵抗Ｍ！
！ （８ａｘ ）として利用されるため、ゲッタ飛散の
影響を受けることがなく、使用条件が限定されない。そ
して、ネック部の上記抵抗膜（８ａ１）が各部分で面積
抵抗７５０Ω／ロ以下となるように均一に塗布形成され
、その静抵抗値が９０〜５００Ω／ｃＩ１１の範囲に選
定されるときは、沿面放電は発生せず、且つ静抵抗値と
動抵抗値の差は少なく、例えばアノード電圧３０Ｋ Ｖ
でも十分放電電流を１００八以下に抑制することができ
る。
！ （８ａｘ ）として利用されるため、ゲッタ飛散の
影響を受けることがなく、使用条件が限定されない。そ
して、ネック部の上記抵抗膜（８ａ１）が各部分で面積
抵抗７５０Ω／ロ以下となるように均一に塗布形成され
、その静抵抗値が９０〜５００Ω／ｃＩ１１の範囲に選
定されるときは、沿面放電は発生せず、且つ静抵抗値と
動抵抗値の差は少なく、例えばアノード電圧３０Ｋ Ｖ
でも十分放電電流を１００八以下に抑制することができ
る。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明による陰極線管を説明する
。
。
第１図は本発明によるカラー陰極線管の一例の要部の断
面図である。同図中、（１）は管体、（２）はネツク部
（１ａ）内に配置された電子銃で、例えば赤、緑及び青
に対応する３本のカソードＫ Ｒ−Ｋ ａ ｒＫＢに対
して共通に第１グリツドＧ１、第２グリツドＧ２、第３
グリツドＧｌ、第４グリツドＧ４及び第５グリツドＧ５
が順次配列されてなり第５グリツドＧ５の後段にコンバ
ージェンス手段（３）が配置されて成る。（４）はビー
ディングガラスである。
面図である。同図中、（１）は管体、（２）はネツク部
（１ａ）内に配置された電子銃で、例えば赤、緑及び青
に対応する３本のカソードＫ Ｒ−Ｋ ａ ｒＫＢに対
して共通に第１グリツドＧ１、第２グリツドＧ２、第３
グリツドＧｌ、第４グリツドＧ４及び第５グリツドＧ５
が順次配列されてなり第５グリツドＧ５の後段にコンバ
ージェンス手段（３）が配置されて成る。（４）はビー
ディングガラスである。
コンバージェンス手段（３）は相対向する内側偏向電極
板（３ａ） 、 （３ｂ）と、その外側に配された外
側偏向電極板（３ｃ） 、 （３ｄ）を有してなる。
板（３ａ） 、 （３ｂ）と、その外側に配された外
側偏向電極板（３ｃ） 、 （３ｄ）を有してなる。
第３グリツドＧ３と第５グリツドＧ５とは例えば導電線
（５）によって電気的に連結され、これにアノード電圧
ＨＶが印加される。第４グリツドＧ４にはＯ〜数百■の
低い電圧が印加され、第３、第４及び第５グリツドによ
ってユニボテンシル型の主電子レンズが構成される。内
側偏向電極板（３ａ） 。
（５）によって電気的に連結され、これにアノード電圧
ＨＶが印加される。第４グリツドＧ４にはＯ〜数百■の
低い電圧が印加され、第３、第４及び第５グリツドによ
ってユニボテンシル型の主電子レンズが構成される。内
側偏向電極板（３ａ） 。
（３ｂ）は第５グリツドＧ５に機械的且つ電気的に連結
されアノード電圧ＨＶが与えられる。外側偏向電極板（
３ｃ） 、 ＜３ｄ）にはアノード電圧ＨＶより数百
■低いコンバージェンス電圧Ｃｖが印加される。これら
高圧ＨＶ及びＣ■はファンネル部（１ｂ）に設けられた
同軸型アノードボタン（図示せず）より供給される。第
１グリツドＧ１、第２グリツドＧ２及び第４グリツドＧ
４への電圧供給は例えばネック部（１ａ）の端部のステ
ム（１ｃ）に貫通した端子ピン（６）側から導電線（７
）を通してなされる。管体（１）のファンネル部（１ｂ
）の内面からネック部（１ａ）の一部に渡って内部導電
膜（８）が被着形成され、そのファンネル部（１ｂ）の
基部側の一部からネック部（１ａ）の一部に渡る部分の
内部導電ＩＲ’（ｓａ）が抵抗膜より構成され、本発明
では特にそのうちのネック部内（後述のネックシール部
と導電性接触子（１５）間の距離りの部分）の抵抗膜（
８ａｘ ）が放電電流抑制のための抵抗膜として利用さ
れる。アノードボタンに連結された同軸型ケーブル（１
２）の中心導体（１２ｂ）がコンバージェンス手段の外
側偏向電極板（３ｃ）に接続されて、外側偏向電極板（
３ｃ） ＜３ｄ）にコンバージェンス電圧ＣＶが与え
られる。また同軸型ケーブル（１２）の外部導体（１２
ａ）がＣ字状の金属板よりなる板ばね（１３）を介して
内部導電膜（８）に接続される。
されアノード電圧ＨＶが与えられる。外側偏向電極板（
３ｃ） 、 ＜３ｄ）にはアノード電圧ＨＶより数百
■低いコンバージェンス電圧Ｃｖが印加される。これら
高圧ＨＶ及びＣ■はファンネル部（１ｂ）に設けられた
同軸型アノードボタン（図示せず）より供給される。第
１グリツドＧ１、第２グリツドＧ２及び第４グリツドＧ
４への電圧供給は例えばネック部（１ａ）の端部のステ
ム（１ｃ）に貫通した端子ピン（６）側から導電線（７
）を通してなされる。管体（１）のファンネル部（１ｂ
）の内面からネック部（１ａ）の一部に渡って内部導電
膜（８）が被着形成され、そのファンネル部（１ｂ）の
基部側の一部からネック部（１ａ）の一部に渡る部分の
内部導電ＩＲ’（ｓａ）が抵抗膜より構成され、本発明
では特にそのうちのネック部内（後述のネックシール部
と導電性接触子（１５）間の距離りの部分）の抵抗膜（
８ａｘ ）が放電電流抑制のための抵抗膜として利用さ
れる。アノードボタンに連結された同軸型ケーブル（１
２）の中心導体（１２ｂ）がコンバージェンス手段の外
側偏向電極板（３ｃ）に接続されて、外側偏向電極板（
３ｃ） ＜３ｄ）にコンバージェンス電圧ＣＶが与え
られる。また同軸型ケーブル（１２）の外部導体（１２
ａ）がＣ字状の金属板よりなる板ばね（１３）を介して
内部導電膜（８）に接続される。
そして電子銃（２）の第５グリフドＧ５の後段側の端縁
に設けられた導電性接触子（１５）がネック部の内部導
電膜即ち抵抗膜（８ａｒ ）に接触され、これより電子
銃（２）の高圧電極にアノード電圧ＨＶが印加される。
に設けられた導電性接触子（１５）がネック部の内部導
電膜即ち抵抗膜（８ａｒ ）に接触され、これより電子
銃（２）の高圧電極にアノード電圧ＨＶが印加される。
一方、電子銃（２）のコンバージェンス手段（３）の内
側偏向電極板（３ａ）又は（３ｂ）には、ゲッタ材のコ
ンテナ（１０）を遊端に取付けた帯状金属板、例えばス
テンレス板によるゲ・ツタスプリング（１６）が取着さ
れる。このゲッタスプリング（１６）はその中間部が絶
縁板（２１）で中継ぎされる。
側偏向電極板（３ａ）又は（３ｂ）には、ゲッタ材のコ
ンテナ（１０）を遊端に取付けた帯状金属板、例えばス
テンレス板によるゲ・ツタスプリング（１６）が取着さ
れる。このゲッタスプリング（１６）はその中間部が絶
縁板（２１）で中継ぎされる。
この陰極線管では内部放電が生じた場合、アノードボタ
ン（高圧給電端）−Ｇ３又はＧ５ Ｇ２又はＧ４一端子
ビン（６）−回路部の電流路に大電流が流れようとして
もネック部（１ａ）の抵抗膜（８ａ１）の抵抗によって
電流は抑制されるようになる。
ン（高圧給電端）−Ｇ３又はＧ５ Ｇ２又はＧ４一端子
ビン（６）−回路部の電流路に大電流が流れようとして
もネック部（１ａ）の抵抗膜（８ａ１）の抵抗によって
電流は抑制されるようになる。
而して本例においては、ネックシール部から導電性接触
子（１５）間の距離りに対応したネック部（１ａ）内の
抵抗膜即ちカーボン膜（８ａ１）を静抵抗値がアノード
電圧ＨＶが３０ＫＶの場合には９０Ω／ｃｍ〜３００Ω
／Ｃ１１の範囲に、アノード電圧ＨＶが２５ＫＶの場合
には９０Ω／口〜４００Ω／ｃＩｆｉの範囲になるよう
に塗布形成する。なお、この抵抗値の測定はネック部内
壁１ｃＩ１１間隔をおいて、各々カーボン膜と４点接触
させて測定した。
子（１５）間の距離りに対応したネック部（１ａ）内の
抵抗膜即ちカーボン膜（８ａ１）を静抵抗値がアノード
電圧ＨＶが３０ＫＶの場合には９０Ω／ｃｍ〜３００Ω
／Ｃ１１の範囲に、アノード電圧ＨＶが２５ＫＶの場合
には９０Ω／口〜４００Ω／ｃＩｆｉの範囲になるよう
に塗布形成する。なお、この抵抗値の測定はネック部内
壁１ｃＩ１１間隔をおいて、各々カーボン膜と４点接触
させて測定した。
この場合の抵抗値は距ＭＤにわたるカーボン膜（８ａ１
）の全域で満足する必要があり、抵抗膜（Ｂａｔ ）と
しては部分的に高砥抗領域が存在するような塗布むらの
ある膜であってはならない。即ちカーボンＭ％ （８ａ
１）は各部で面積抵抗が７５０Ω／口を越えないように
均一に塗布形成する。
）の全域で満足する必要があり、抵抗膜（Ｂａｔ ）と
しては部分的に高砥抗領域が存在するような塗布むらの
ある膜であってはならない。即ちカーボンＭ％ （８ａ
１）は各部で面積抵抗が７５０Ω／口を越えないように
均一に塗布形成する。
上記の抵抗値を有するカーボンＩＩＱ （Ｂａ１）を形
成するときは、沿面放電が発生せず、また動抵抗値が低
くならず放電電流を十分に抑制することができる。第２
図に放電電流抑制効果が得られる静抵抗値とアノード電
圧ＨＶの関係を示す。斜線部分が１００Ａ以下に放電電
流を抑制できる抵抗値範囲であり、（ａ）は沿面放電発
生限界を示す境界線である。また第３図はカーボン８％
（８ａｔ ）の静抵抗値と放電電流の関係を示す。実
線（１）がアノード電圧ＨＶ ＝ ３０Ｋ Ｖの場合、
破線（ｎ）がアノード電圧ＨＶ ＝ ２５Ｋ Ｖの場合
である。この第２図及び第３図からも↑１するようにア
ノード電圧ＨＶが３０ＫＶの場合にはカーボン膜Ｃ３ａ
ｘ ＞の抵抗値が９０〜３００Ω／ｃｍの範囲、またア
ノード電圧ＨＶが２５ＫＶの場合にはカーボン膜（８ａ
ｔ ）の抵抗値が９０〜４００Ω／ｃＱｌの範囲で夫々
放電電流が１００八以下に抑制される。
成するときは、沿面放電が発生せず、また動抵抗値が低
くならず放電電流を十分に抑制することができる。第２
図に放電電流抑制効果が得られる静抵抗値とアノード電
圧ＨＶの関係を示す。斜線部分が１００Ａ以下に放電電
流を抑制できる抵抗値範囲であり、（ａ）は沿面放電発
生限界を示す境界線である。また第３図はカーボン８％
（８ａｔ ）の静抵抗値と放電電流の関係を示す。実
線（１）がアノード電圧ＨＶ ＝ ３０Ｋ Ｖの場合、
破線（ｎ）がアノード電圧ＨＶ ＝ ２５Ｋ Ｖの場合
である。この第２図及び第３図からも↑１するようにア
ノード電圧ＨＶが３０ＫＶの場合にはカーボン膜Ｃ３ａ
ｘ ＞の抵抗値が９０〜３００Ω／ｃｍの範囲、またア
ノード電圧ＨＶが２５ＫＶの場合にはカーボン膜（８ａ
ｔ ）の抵抗値が９０〜４００Ω／ｃＱｌの範囲で夫々
放電電流が１００八以下に抑制される。
第４図はカーボン膜の静抵抗値と動抵抗値の関係を示す
。動抵抗値はアノード電圧ＨＶと放電電流から求めた値
であり、例えばＨＶが３０ＫＶで放電電流が１０ＯＡな
らば動抵抗値は３００Ωとなる。また静抵抗値はネック
シール部から導電性接触子（１５）までの距Ｍｔｔ ３
．５ｃｍ間の抵抗値として求めた。
。動抵抗値はアノード電圧ＨＶと放電電流から求めた値
であり、例えばＨＶが３０ＫＶで放電電流が１０ＯＡな
らば動抵抗値は３００Ωとなる。また静抵抗値はネック
シール部から導電性接触子（１５）までの距Ｍｔｔ ３
．５ｃｍ間の抵抗値として求めた。
同図中、実線（ＩＩＩ）はＨＶが３０ＫＶの場合、破線
（ＩＶ）はＨＶが２５Ｋ Ｖの場合である。この第４図
によれば、本発明の均一に塗布されたカーボン膜の場合
、静抵抗値と動抵抗値の差は少な（静抵抗値の４０〜５
０％が動抵抗として働く。そして、例えばＨＶが２５Ｋ
Ｖのときは、１ｃｍ当りの静抵抗値１７０〜４００Ω
／■が好ましくこのとき動抵抗は０．３〜０．６にΩと
なる。
（ＩＶ）はＨＶが２５Ｋ Ｖの場合である。この第４図
によれば、本発明の均一に塗布されたカーボン膜の場合
、静抵抗値と動抵抗値の差は少な（静抵抗値の４０〜５
０％が動抵抗として働く。そして、例えばＨＶが２５Ｋ
Ｖのときは、１ｃｍ当りの静抵抗値１７０〜４００Ω
／■が好ましくこのとき動抵抗は０．３〜０．６にΩと
なる。
砥抗値範囲９０Ω／Ｃｌ１１〜３００Ω／ｃｍを得る為
のカーボン比抵抗とカーボン膜厚の例を表１に示す。
のカーボン比抵抗とカーボン膜厚の例を表１に示す。
表 １
膜厚が均一ならば表１の比抵抗が使用できるが、実際の
塗布条件によって膜厚が５〜１０μｍ、１０μｍ〜２０
μｍ、２０μｌ１１〜３０μ謡の範囲にあるならば表２
に示す範囲の比抵抗のカーボンを使用すれば良い。
塗布条件によって膜厚が５〜１０μｍ、１０μｍ〜２０
μｍ、２０μｌ１１〜３０μ謡の範囲にあるならば表２
に示す範囲の比抵抗のカーボンを使用すれば良い。
表 ２
表２の比抵抗を得る為のカーボン組成としては無相に酸
化鉄、酸化チタン、ＳｉＣ等を混ぜれば良く、本例では
ＳｉＣを添加剤として使用し、接着剤として水ガラスを
使用し所定の抵抗値を得た。
化鉄、酸化チタン、ＳｉＣ等を混ぜれば良く、本例では
ＳｉＣを添加剤として使用し、接着剤として水ガラスを
使用し所定の抵抗値を得た。
表３に組成比を示す。
表 ３
カーボン膜の抵抗値が限定される為、カーボン膜厚にむ
らがあると使用範囲が狭く、表２より５μｍ〜２０μｍ
までバラツキがあると上記カーボン抵抗値範囲を満すこ
とが出来ない。その為、出来るだけネック部のカーボン
膜（８ａ１）を均一に塗布しなければならず、その方法
としてフローコート又は２層塗布等の方法がある。
らがあると使用範囲が狭く、表２より５μｍ〜２０μｍ
までバラツキがあると上記カーボン抵抗値範囲を満すこ
とが出来ない。その為、出来るだけネック部のカーボン
膜（８ａ１）を均一に塗布しなければならず、その方法
としてフローコート又は２層塗布等の方法がある。
次の表４はネック部のカーボン１１５Ｎ （８ａｔ ）
の好ましい抵抗値、例えば１５０〜３００ （最大５０
０）０７ｃｍを得るための比抵抗と膜厚の関係を示すも
のである。
の好ましい抵抗値、例えば１５０〜３００ （最大５０
０）０７ｃｍを得るための比抵抗と膜厚の関係を示すも
のである。
表 ４
理想的にカーボン膜が均一に塗布出来るならば、平均膜
厚はいくらでもよい。しかし実際には塗布むらが若干あ
り、この塗布むらの程度により使用できる抵抗値に差が
生じる。また同程度の塗布むらでも平均膜厚によって局
所的な抵抗値ｄＲ／ｄｊ！に差が生じ平均膜厚が厚い程
バラツキが小さくなる。
厚はいくらでもよい。しかし実際には塗布むらが若干あ
り、この塗布むらの程度により使用できる抵抗値に差が
生じる。また同程度の塗布むらでも平均膜厚によって局
所的な抵抗値ｄＲ／ｄｊ！に差が生じ平均膜厚が厚い程
バラツキが小さくなる。
平均カーボン膜厚と抵抗値ｄＲ／ｄｊ２の関係を第７図
を参照して調べると次の様になる。
を参照して調べると次の様になる。
但し ｔｌはカーボン膜の最大膜厚
ｔ２はカーボン膜の最小膜厚
ｔ はカーボン膜の平均膜厚
ａ はカーボン膜厚の薄い部分の距離
ｂ はカーボン膜厚の厚い部分の距離
Ｒｍａｘは膜厚最小の抵抗値ｄ Ｒ／ｄ ＩＲｍｉｎは
膜厚最大の抵抗値ｄ 、Ｒ／ ｄβＲは膜厚平均の抵抗
値ｄ Ｒ／ｄ Ａ Ｒは平均抵抗値（ｄ Ｒ／ｄ ｆｆ） 第７図より Ｒｍｉｎ ＝ −Ｒ・・・（３） 上記（１１，（２Ｌ ｆ３）式より ｔＬ ｔ２ 上記（４）式を上記（２）式に代入すると抑制時の放電
電流は抵抗値Ｒで決り、カーボン膜での沿面放電の発生
はＲｍａｘに左右される。
膜厚最大の抵抗値ｄ 、Ｒ／ ｄβＲは膜厚平均の抵抗
値ｄ Ｒ／ｄ Ａ Ｒは平均抵抗値（ｄ Ｒ／ｄ ｆｆ） 第７図より Ｒｍｉｎ ＝ −Ｒ・・・（３） 上記（１１，（２Ｌ ｆ３）式より ｔＬ ｔ２ 上記（４）式を上記（２）式に代入すると抑制時の放電
電流は抵抗値Ｒで決り、カーボン膜での沿面放電の発生
はＲｍａｘに左右される。
平均膜厚が薄い場合と厚い場合でカーボン膜厚のバラツ
キが同じ場合にＲｍａｘＯ値を検討すると次の様になる
。即ち、カーボン膜厚のバラツキ±５ ｐ ｍ 、カー
ボン抵抗値３００Ω／ｃｍ、ａ＝０．２、ｂ＝０．８、
平均膜厚が７μｍ及び１５μｍとすると、平均膜厚７μ
ｍの場合 一９００Ω／Ｃｍ 平均膜厚１５μｍの場合 ＝ ５００Ω／■ となる。カーボン膜の平均膜厚が変わっても膜厚のバラ
ツキが同じであるならば平均膜厚が厚い方が局部的なｄ
Ｒ／ｄ ｊ２の変化が小さく、士別でも膜厚１ｐｍの
場合はａＲ／ｃｌｌ＝９００Ω／ｃｍとなり、沿面放電
が発生するが、膜厚１５μＩの場合は沿面放電が発生せ
ず、平均膜厚の厚い方が有利である。従って、実用に際
してはカーボン膜（８ａｚ ）の剥離の問題を考慮する
と、カーボン膜厚としては１０μＩ１１〜２０μｍの範
囲が好ましい。このときのカーボン比抵抗として、例え
ばネック部カーボン膜の抵抗値が１５０〜５００Ω／ｃ
ｍの場合には表３より１，２６〜０．７５の範囲に設定
する必要がある。そのためのカーボン組成としてはＳｔ
Ｃ含有カーボンを使用する場合、ＳｉＣ含有量は従来の
１１％から好ましくは１５〜２５％増加させ、水ガラス
量は変えずに黒鉛を減少させればよい。表５に一例を示
す。
キが同じ場合にＲｍａｘＯ値を検討すると次の様になる
。即ち、カーボン膜厚のバラツキ±５ ｐ ｍ 、カー
ボン抵抗値３００Ω／ｃｍ、ａ＝０．２、ｂ＝０．８、
平均膜厚が７μｍ及び１５μｍとすると、平均膜厚７μ
ｍの場合 一９００Ω／Ｃｍ 平均膜厚１５μｍの場合 ＝ ５００Ω／■ となる。カーボン膜の平均膜厚が変わっても膜厚のバラ
ツキが同じであるならば平均膜厚が厚い方が局部的なｄ
Ｒ／ｄ ｊ２の変化が小さく、士別でも膜厚１ｐｍの
場合はａＲ／ｃｌｌ＝９００Ω／ｃｍとなり、沿面放電
が発生するが、膜厚１５μＩの場合は沿面放電が発生せ
ず、平均膜厚の厚い方が有利である。従って、実用に際
してはカーボン膜（８ａｚ ）の剥離の問題を考慮する
と、カーボン膜厚としては１０μＩ１１〜２０μｍの範
囲が好ましい。このときのカーボン比抵抗として、例え
ばネック部カーボン膜の抵抗値が１５０〜５００Ω／ｃ
ｍの場合には表３より１，２６〜０．７５の範囲に設定
する必要がある。そのためのカーボン組成としてはＳｔ
Ｃ含有カーボンを使用する場合、ＳｉＣ含有量は従来の
１１％から好ましくは１５〜２５％増加させ、水ガラス
量は変えずに黒鉛を減少させればよい。表５に一例を示
す。
表 ５
本発明ではカーボン膜厚を従来（１０μｍ未満）より厚
く塗布する為に、カーボン膜の乾燥条件としては従来の
温風乾燥に変えて赤外線乾燥とするを可とする。温風乾
燥ではカーボン膜にひび割れが生じる爛れがある。
く塗布する為に、カーボン膜の乾燥条件としては従来の
温風乾燥に変えて赤外線乾燥とするを可とする。温風乾
燥ではカーボン膜にひび割れが生じる爛れがある。
尚、カーボン膜での沿面放電は放電回数を増す事により
減少する伸開が見られる。その為、陰極線管の製造工程
におけるノンキング工程で十分放電させる事が出来れば
カーボン膜の静抵抗値の上限を高くすることができ、９
０Ω／ａａ〜５００Ω／ｃｍまで使用可能となる（部分
的には面積抵抗として１２５０Ω／口以下まで使用可能
である）。
減少する伸開が見られる。その為、陰極線管の製造工程
におけるノンキング工程で十分放電させる事が出来れば
カーボン膜の静抵抗値の上限を高くすることができ、９
０Ω／ａａ〜５００Ω／ｃｍまで使用可能となる（部分
的には面積抵抗として１２５０Ω／口以下まで使用可能
である）。
放電電流をネック部のカーボン膜（８ａ１）に流す為に
ゲッタスプリング（１６）は内部導電膜（８）より絶縁
する必要があり、上側ではゲッタスプリング（１６）を
絶縁板（２１）で中継ぎした構成としたが、その他ゲッ
タスプリング（１６）を使用せず、ゲッタコンテナ（１
５）を内部導電膜（８）より浮かした状態で取付けるよ
うにしても良い。
ゲッタスプリング（１６）は内部導電膜（８）より絶縁
する必要があり、上側ではゲッタスプリング（１６）を
絶縁板（２１）で中継ぎした構成としたが、その他ゲッ
タスプリング（１６）を使用せず、ゲッタコンテナ（１
５）を内部導電膜（８）より浮かした状態で取付けるよ
うにしても良い。
向上例ではいわゆる複ビーム単電子銃を備えたカラー陰
極線管に適用したが、他の陰極線管にも適用できること
勿論である。
極線管に適用したが、他の陰極線管にも適用できること
勿論である。
この様に本発明の条件を満したカーボン膜を使用した場
合には、第５図に示すようにアノード電圧ＨＶが３０Ｋ
Ｖでも放電電流を十分小さく抑制できる。これに対し
て従来の条件のカーボン膜の場合には第６図に示すよう
に高いアノード電圧ＨＶでは放電電流を十分に抑制する
ことができない。
合には、第５図に示すようにアノード電圧ＨＶが３０Ｋ
Ｖでも放電電流を十分小さく抑制できる。これに対し
て従来の条件のカーボン膜の場合には第６図に示すよう
に高いアノード電圧ＨＶでは放電電流を十分に抑制する
ことができない。
（発明の効果〕
本発明によれば、ゲッタ飛散の影響を受けないネック部
内の内■；導電膜のみを放電電流抑制用の抵抗膜として
使用し、その抵抗膜の静抵抗値を商くせず静抵抗値と動
抵抗値の差を少なくし、また抵抗膜を部分的に高抵抗と
ならないように均一に形成することにより、沿面放電を
防止し、従来よりも低い抵抗でアノード電圧に拘らず（
例えば３０Ｋ Ｖの高圧でも）放電電流を確実に抑制す
ることができる。
内の内■；導電膜のみを放電電流抑制用の抵抗膜として
使用し、その抵抗膜の静抵抗値を商くせず静抵抗値と動
抵抗値の差を少なくし、また抵抗膜を部分的に高抵抗と
ならないように均一に形成することにより、沿面放電を
防止し、従来よりも低い抵抗でアノード電圧に拘らず（
例えば３０Ｋ Ｖの高圧でも）放電電流を確実に抑制す
ることができる。
第１図は本発明の陰極線管の例をボず断面図、第２図は
放電電流抑制効果が得られるカーボン膜の静抵抗値とア
ノード電圧ＨＶの関係を示す線図、第３図は放？Ｉ！電
流抑制用のカーボン膜の静抵抗値と放電電流の関係を示
す特性図、第４図は放電電流抑制用のカーボン膜の静抵
抗値と動抵抗値の関係を示す特性図、第５図は本発明の
条件を満した放ｍ電流抑制用の抵抗膜を用いた場合の放
電電流抑制効果を示す特性図、第６図は従来の条件の放
電電流抑制用の抵抗膜を用いた場合の放電電流抑制効果
を示す特性図、第７図は本発明の説明に供するカーボン
膜の断面図である。 （１１は管体、 （１ａ）はネック部、 （１ｂ）はフ
ァンネル部、（２）は電子銃、（８）は内部導電膜、（
８ａｚ ）は抵抗膜、（１２）は同軸ケーブルである。 同 松隈秀盛、、＝、：’：（、：ｙ７ノード電圧１
−ＩＶ 第５図 〃−ボン月楚の′＃ｒ面図 第７図 手続補正書 （ 昭和６０年１０月９ 日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
１昭和６０年 特 許 願 第１７９１３３号３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ■）明細書中、第１７頁１１行「表３」を「表４」と訂
正する。 ２）同、第１９頁６行「良い。」の次に下記を加入する
。 「あるいはゲッタコンテナが内部導電膜に接していても
電子銃に接していなければ良い。 上記実施例では、同軸ケーブルによってコンバージェン
ス電圧ＣＶを供給する陰極線管に適用したが、その他本
発明は例えば第８図に示すように分割抵抗板（３１）を
内蔵させて、これによってコンバージェンス電圧Ｃ■を
供給するようにした陰極線管にも適用できる。第８図Ａ
及びＢにおいて、第１図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略するも、（３１）は分割抵抗板を
示し、これはセラミック等の絶縁基板（３２）の−面に
抵抗路（３３）をプリントし、その抵抗路（３３）の両
端と所定の中間部に夫々端子ｔｉ、ｔ２及びｔ３を形成
して構成される。 （３４）は必要に応じて被着される保護被膜である。こ
の分割抵抗板（３１）は第１グリッドＧ１〜第５グリッ
ドＧ５の側面に配置され、その端子ｔ２がアース電位の
端子ビン（６ａ）に、端子ｔ１がアノード電圧の第５グ
リツドＧ５に夫々接続され、中間の端子ｔ３がコンバー
ジェンス手段（３）の外側偏向電極板（３ｃ） 、
（３ｄ）に接続され、これによりコンバージェンス電圧
が与えられる。」 （３）同、同頁８行「通用したが、他の」を「通用した
が、シャドウマスク管や、他の」と訂正する。 （４）間、第２０頁１９行「断面図である。」を「断面
図、第８図Ａは本発明の陰極線管の他の例を示す要部の
断面図、第８図Ｂは分割抵抗板の平面図である。」と訂
正する。 （５）図面中、第８図Ａ及びＢを別紙の通り追加する。 以上
放電電流抑制効果が得られるカーボン膜の静抵抗値とア
ノード電圧ＨＶの関係を示す線図、第３図は放？Ｉ！電
流抑制用のカーボン膜の静抵抗値と放電電流の関係を示
す特性図、第４図は放電電流抑制用のカーボン膜の静抵
抗値と動抵抗値の関係を示す特性図、第５図は本発明の
条件を満した放ｍ電流抑制用の抵抗膜を用いた場合の放
電電流抑制効果を示す特性図、第６図は従来の条件の放
電電流抑制用の抵抗膜を用いた場合の放電電流抑制効果
を示す特性図、第７図は本発明の説明に供するカーボン
膜の断面図である。 （１１は管体、 （１ａ）はネック部、 （１ｂ）はフ
ァンネル部、（２）は電子銃、（８）は内部導電膜、（
８ａｚ ）は抵抗膜、（１２）は同軸ケーブルである。 同 松隈秀盛、、＝、：’：（、：ｙ７ノード電圧１
−ＩＶ 第５図 〃−ボン月楚の′＃ｒ面図 第７図 手続補正書 （ 昭和６０年１０月９ 日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
１昭和６０年 特 許 願 第１７９１３３号３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典 雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ■）明細書中、第１７頁１１行「表３」を「表４」と訂
正する。 ２）同、第１９頁６行「良い。」の次に下記を加入する
。 「あるいはゲッタコンテナが内部導電膜に接していても
電子銃に接していなければ良い。 上記実施例では、同軸ケーブルによってコンバージェン
ス電圧ＣＶを供給する陰極線管に適用したが、その他本
発明は例えば第８図に示すように分割抵抗板（３１）を
内蔵させて、これによってコンバージェンス電圧Ｃ■を
供給するようにした陰極線管にも適用できる。第８図Ａ
及びＢにおいて、第１図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略するも、（３１）は分割抵抗板を
示し、これはセラミック等の絶縁基板（３２）の−面に
抵抗路（３３）をプリントし、その抵抗路（３３）の両
端と所定の中間部に夫々端子ｔｉ、ｔ２及びｔ３を形成
して構成される。 （３４）は必要に応じて被着される保護被膜である。こ
の分割抵抗板（３１）は第１グリッドＧ１〜第５グリッ
ドＧ５の側面に配置され、その端子ｔ２がアース電位の
端子ビン（６ａ）に、端子ｔ１がアノード電圧の第５グ
リツドＧ５に夫々接続され、中間の端子ｔ３がコンバー
ジェンス手段（３）の外側偏向電極板（３ｃ） 、
（３ｄ）に接続され、これによりコンバージェンス電圧
が与えられる。」 （３）同、同頁８行「通用したが、他の」を「通用した
が、シャドウマスク管や、他の」と訂正する。 （４）間、第２０頁１９行「断面図である。」を「断面
図、第８図Ａは本発明の陰極線管の他の例を示す要部の
断面図、第８図Ｂは分割抵抗板の平面図である。」と訂
正する。 （５）図面中、第８図Ａ及びＢを別紙の通り追加する。 以上
Claims (1)
- 管体ネック部の内面に所定長の放電電流抑制用の抵抗膜
が均一に塗布形成され、前記抵抗膜の管軸方向の静抵抗
値と動抵抗値の差が少なく、該静抵抗値が９０Ω／ｃｍ
〜５００Ω／ｃｍに選定されて成る陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913385A JPS6240140A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913385A JPS6240140A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240140A true JPS6240140A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16060560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17913385A Pending JPS6240140A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214784A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Nippon Achison Kk | 陰極線管用内装コーティング剤組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149472A (en) * | 1976-06-03 | 1977-12-12 | Philips Nv | Picture display tube |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17913385A patent/JPS6240140A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149472A (en) * | 1976-06-03 | 1977-12-12 | Philips Nv | Picture display tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214784A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Nippon Achison Kk | 陰極線管用内装コーティング剤組成物 |
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