JPS623970B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS623970B2 JPS623970B2 JP56032950A JP3295081A JPS623970B2 JP S623970 B2 JPS623970 B2 JP S623970B2 JP 56032950 A JP56032950 A JP 56032950A JP 3295081 A JP3295081 A JP 3295081A JP S623970 B2 JPS623970 B2 JP S623970B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate film
- metal foil
- capacitor
- lead terminals
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明はプラスチツクフイルムのヒートシール
により外装を形成してなるコンデンサおよびその
製造方法に関する。 一般にコンデンサの外装は外囲器としてアルミ
ニウムケースやプラスチツク成形ケースが多用さ
れているが、最近プラスチツクフイルムの性能向
上にともないコンデンサ素子を金属箔とプラスチ
ツクフイルムとのラミネートフイルムで直接包被
しヒートシールする方法が提案されている。前記
ラミネートフイルムに用いるプラスチツクフイル
ムの厚さは通常６〜250μの範囲内にあるが、コ
ンデンサ素子のリード端子の厚さが0.5〜1.5mmと
厚く鋭角になつているためヒートシールしたとき
ラミネートフイルムのシール部において金属箔と
リード端子とが接触し金属箔を介してリード端子
相互間の短絡をひきおこしやすいという欠点があ
つた。 本発明は上記のような実情に鑑みてなされたも
ので２本のリード端子を取着したコンデンサ素子
を２枚以上のプラスチツクフイルムの間に金属箔
を介在させたラミネートフイルムで包被し、該ラ
ミネートフイルムをヒートシールする場合、前記
金属箔を２分割して分割部を形成し該分割部が前
記２本のリード端子間に配置させてヒートシール
することによつて金属箔とリード端子が接触して
もリード端子相互間が短絡しないようにし小形で
量産加工性がよく安価なコンデンサおよびその製
造方法を提供せんとするものである。 以下本発明の一実施例につき図面を参照しなが
ら説明する。すなわち第１図に示すように２本の
リード端子１を取着したコンデンサ素子２の上下
にラミネートフイルム３を配置して包被する。該
ラミネートフイルム３は第２図に示すようにポリ
プロピレン、ポリアミド、ポリエチレン、ポリエ
ステル、ポリ弗化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリカーボネート、アイオノマー（ポリオレ
フイン−メタアクリル酸エステル共重合体）、ポ
リサルホン、ポリアセタール、ポリ三弗化エチレ
ン、ポリ四弗化エチレン、ポリエチレンナフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフエニ
レンオキサイド、ポリ弗化ビニル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリパラキシレン、ポリビニルアルコール−
ポリビニルアセテート共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、ビニロンなどのプラスチツクフ
イルムのうち同種または異種の２枚以上のプラス
チツクフイルム４の間にアルミニウム、錫などの
金属箔５を介在させて貼り合わせたもので、該金
属箔５には中間で２分割した分割部６を設けてお
く。しかして前記ラミネートフイルム３を上下に
対向させその間に２本のリード端子１を取着した
コンデンサ素子２を装填して包被し端部を熱板や
圧子などの加熱装置でヒートシールして密封し要
すればヒートシールしたのち冷却して外装を形成
するものである。この場合前記分割部６を第３図
および第４図に示すように２本のリード端子１の
間に配置してヒートシールする。またリード端子
反対方向形コンデンサの場合には第５図に示すよ
うに分割部６をリード端子１と直角方向になるよ
うに配置してヒートシールする。金属箔５は中間
で２分割され該分割部６が２本のリード端子１の
間に配置したので金属箔５とリード端子１とが接
触しても金属箔５を介しての２本のリード端子１
相互間の短絡を完全に防止することができる。分
割部６の間隔寸法は0.5〜３mm程度であれば十分
である。0.5mm未満では短絡防止の絶縁効果を十
分に発揮しえない。また３mmを越えると絶縁効果
は十分であるが金属箔５を介在させた防湿効果が
減少するので３mm以内に設定しなければならな
い。本発明におけるラミネートフイルム３のヒー
トシールには熱板溶接（温度120〜200℃、押圧力
５〜15Kg／cm2、時間0.1〜３秒）、インパルス溶接
（温度120〜200℃、押圧力５〜15Kg／cm2、時間0.1
〜３秒）、超音波溶接（周波数15〜30KHz、押圧
力５〜20Kg／cm2、時間0.5〜５秒）または高周波
溶接（周波数10〜70MHz、押圧力５〜15Kg／
cm2、時間0.1〜３秒）などいずれの方法でもよ
い。前記ラミネートフイルム３はラミネートする
前にあらかじめ電子線照射、コロナ放電処理、二
軸延伸などの二次加工を施すと機械的、熱的特性
を向上することもできヒートシールも能率よく行
うことができる。またプラスチツクフイルム４と
金属箔５とのラミネート方法は加熱融着するか接
着剤で貼り合わせるかあるいは金属箔５の両面に
それぞれ加熱溶融した材料をシヤワー式または帯
状に滴下せしめこれを圧延ローラか延伸ローラを
通して一体化するかあるいは加熱溶融した材料を
ローラ塗布して一体化するものである。 つぎに本発明の実施例Ａ、Ｂと従来の参考例Ｃ
との特性比較を表１に示す。実施例Ａは２本のリ
ード端子を取着したコンデンサ素子をポリエステ
ル10μ−アルミニウム箔25μ−ポリエステル10μ
−アイオノマー45μからなりアルミニウム箔に
1.5mmの分割部を設けたラミネートフイルムで包
被し熱板溶接（温度180℃、押圧力７Kg／cm2、時
間0.5秒）でヒートシールした定格100WV.DC−
3.3μＦのアルミニウム電解コンデンサ、実施例
Ｂはポリ四弗化エチレン12μ−アルミニウム箔20
μ−ポリプロピレン50μからなりアルミニウム箔
に1.0mmの分割部を設けたラミネートフイルムで
包被しインパルス溶接（温度135℃、押圧力５
Kg／cm2、時間1.0秒）でヒートシールした定格同
のアルミニウム電解コンデンサ、参考例Ｃはポリ
エステル10μ−アルミニウム箔25μ−ポリプロピ
レン50μからなるラミネートフイルムで包被し熱
板溶接（温度140℃、押圧力３Kg／cm2、時間1.5
秒）でヒートシールした定格同のアルミニウム電
解コンデンサである。
により外装を形成してなるコンデンサおよびその
製造方法に関する。 一般にコンデンサの外装は外囲器としてアルミ
ニウムケースやプラスチツク成形ケースが多用さ
れているが、最近プラスチツクフイルムの性能向
上にともないコンデンサ素子を金属箔とプラスチ
ツクフイルムとのラミネートフイルムで直接包被
しヒートシールする方法が提案されている。前記
ラミネートフイルムに用いるプラスチツクフイル
ムの厚さは通常６〜250μの範囲内にあるが、コ
ンデンサ素子のリード端子の厚さが0.5〜1.5mmと
厚く鋭角になつているためヒートシールしたとき
ラミネートフイルムのシール部において金属箔と
リード端子とが接触し金属箔を介してリード端子
相互間の短絡をひきおこしやすいという欠点があ
つた。 本発明は上記のような実情に鑑みてなされたも
ので２本のリード端子を取着したコンデンサ素子
を２枚以上のプラスチツクフイルムの間に金属箔
を介在させたラミネートフイルムで包被し、該ラ
ミネートフイルムをヒートシールする場合、前記
金属箔を２分割して分割部を形成し該分割部が前
記２本のリード端子間に配置させてヒートシール
することによつて金属箔とリード端子が接触して
もリード端子相互間が短絡しないようにし小形で
量産加工性がよく安価なコンデンサおよびその製
造方法を提供せんとするものである。 以下本発明の一実施例につき図面を参照しなが
ら説明する。すなわち第１図に示すように２本の
リード端子１を取着したコンデンサ素子２の上下
にラミネートフイルム３を配置して包被する。該
ラミネートフイルム３は第２図に示すようにポリ
プロピレン、ポリアミド、ポリエチレン、ポリエ
ステル、ポリ弗化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリカーボネート、アイオノマー（ポリオレ
フイン−メタアクリル酸エステル共重合体）、ポ
リサルホン、ポリアセタール、ポリ三弗化エチレ
ン、ポリ四弗化エチレン、ポリエチレンナフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフエニ
レンオキサイド、ポリ弗化ビニル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリパラキシレン、ポリビニルアルコール−
ポリビニルアセテート共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、ビニロンなどのプラスチツクフ
イルムのうち同種または異種の２枚以上のプラス
チツクフイルム４の間にアルミニウム、錫などの
金属箔５を介在させて貼り合わせたもので、該金
属箔５には中間で２分割した分割部６を設けてお
く。しかして前記ラミネートフイルム３を上下に
対向させその間に２本のリード端子１を取着した
コンデンサ素子２を装填して包被し端部を熱板や
圧子などの加熱装置でヒートシールして密封し要
すればヒートシールしたのち冷却して外装を形成
するものである。この場合前記分割部６を第３図
および第４図に示すように２本のリード端子１の
間に配置してヒートシールする。またリード端子
反対方向形コンデンサの場合には第５図に示すよ
うに分割部６をリード端子１と直角方向になるよ
うに配置してヒートシールする。金属箔５は中間
で２分割され該分割部６が２本のリード端子１の
間に配置したので金属箔５とリード端子１とが接
触しても金属箔５を介しての２本のリード端子１
相互間の短絡を完全に防止することができる。分
割部６の間隔寸法は0.5〜３mm程度であれば十分
である。0.5mm未満では短絡防止の絶縁効果を十
分に発揮しえない。また３mmを越えると絶縁効果
は十分であるが金属箔５を介在させた防湿効果が
減少するので３mm以内に設定しなければならな
い。本発明におけるラミネートフイルム３のヒー
トシールには熱板溶接（温度120〜200℃、押圧力
５〜15Kg／cm2、時間0.1〜３秒）、インパルス溶接
（温度120〜200℃、押圧力５〜15Kg／cm2、時間0.1
〜３秒）、超音波溶接（周波数15〜30KHz、押圧
力５〜20Kg／cm2、時間0.5〜５秒）または高周波
溶接（周波数10〜70MHz、押圧力５〜15Kg／
cm2、時間0.1〜３秒）などいずれの方法でもよ
い。前記ラミネートフイルム３はラミネートする
前にあらかじめ電子線照射、コロナ放電処理、二
軸延伸などの二次加工を施すと機械的、熱的特性
を向上することもできヒートシールも能率よく行
うことができる。またプラスチツクフイルム４と
金属箔５とのラミネート方法は加熱融着するか接
着剤で貼り合わせるかあるいは金属箔５の両面に
それぞれ加熱溶融した材料をシヤワー式または帯
状に滴下せしめこれを圧延ローラか延伸ローラを
通して一体化するかあるいは加熱溶融した材料を
ローラ塗布して一体化するものである。 つぎに本発明の実施例Ａ、Ｂと従来の参考例Ｃ
との特性比較を表１に示す。実施例Ａは２本のリ
ード端子を取着したコンデンサ素子をポリエステ
ル10μ−アルミニウム箔25μ−ポリエステル10μ
−アイオノマー45μからなりアルミニウム箔に
1.5mmの分割部を設けたラミネートフイルムで包
被し熱板溶接（温度180℃、押圧力７Kg／cm2、時
間0.5秒）でヒートシールした定格100WV.DC−
3.3μＦのアルミニウム電解コンデンサ、実施例
Ｂはポリ四弗化エチレン12μ−アルミニウム箔20
μ−ポリプロピレン50μからなりアルミニウム箔
に1.0mmの分割部を設けたラミネートフイルムで
包被しインパルス溶接（温度135℃、押圧力５
Kg／cm2、時間1.0秒）でヒートシールした定格同
のアルミニウム電解コンデンサ、参考例Ｃはポリ
エステル10μ−アルミニウム箔25μ−ポリプロピ
レン50μからなるラミネートフイルムで包被し熱
板溶接（温度140℃、押圧力３Kg／cm2、時間1.5
秒）でヒートシールした定格同のアルミニウム電
解コンデンサである。
【表】
表１から明らかなように本発明の実施例Ａ、Ｂ
は従来の参考例Ｃと比べて短絡不良率が激減して
おりほとんど短絡不良が発生しない。また高温負
荷寿命試験でも静電容量の変化、tanδの変化が
きわめて少なく高温で使用しても安定した特性を
保持しうることがわかる。 以上詳述したように本発明によれば２本のリー
ド端子を取着したコンデンサ素子を２枚以上のプ
ラスチツクフイルムの間に金属箔を介在させたラ
ミネートフイルムで包被して該ラミネートフイル
ムをヒートシールする場合、前記金属箔を２分割
し該分割部が前記２本のリード端子間に配置して
ヒートシールしたことによつて金属箔とリード端
子とが接触しても２本のリード端子相互間の短絡
が全く発生せず小形で量産加工性がよく安価なコ
ンデンサおよびその製造方法を提供することがで
きる。
は従来の参考例Ｃと比べて短絡不良率が激減して
おりほとんど短絡不良が発生しない。また高温負
荷寿命試験でも静電容量の変化、tanδの変化が
きわめて少なく高温で使用しても安定した特性を
保持しうることがわかる。 以上詳述したように本発明によれば２本のリー
ド端子を取着したコンデンサ素子を２枚以上のプ
ラスチツクフイルムの間に金属箔を介在させたラ
ミネートフイルムで包被して該ラミネートフイル
ムをヒートシールする場合、前記金属箔を２分割
し該分割部が前記２本のリード端子間に配置して
ヒートシールしたことによつて金属箔とリード端
子とが接触しても２本のリード端子相互間の短絡
が全く発生せず小形で量産加工性がよく安価なコ
ンデンサおよびその製造方法を提供することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例に係るコンデンサを
示す側断面図、第２図は本発明のコンデンサに使
用するラミネートフイルムの一実施例を示す側断
面図、第３図は本発明のコンデンサにおけるリー
ド端子部のヒートシール状態を示す正断面図、第
４図は本発明のコンデンサを示す平面図、第５図
は本発明の他の実施例に係るコンデンサを示す平
面図である。 １……リード端子、２……コンデンサ素子、３
……ラミネートフイルム、４……プラスチツクフ
イルム、５……金属箔、６……分割部。
示す側断面図、第２図は本発明のコンデンサに使
用するラミネートフイルムの一実施例を示す側断
面図、第３図は本発明のコンデンサにおけるリー
ド端子部のヒートシール状態を示す正断面図、第
４図は本発明のコンデンサを示す平面図、第５図
は本発明の他の実施例に係るコンデンサを示す平
面図である。 １……リード端子、２……コンデンサ素子、３
……ラミネートフイルム、４……プラスチツクフ
イルム、５……金属箔、６……分割部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２本のリード端子を取着したコンデンサ素子
と、該素子を包被する２枚以上のプラスチツクフ
イルムの間に金属箔を介在させたラミネートフイ
ルムと、前記金属箔を２分割して設けた分割部と
を具備し、該分割部を前記２本のリード端子間に
配置したことを特徴とするコンデンサ。 ２ ２本のリード端子を取着したコンデンサ素子
を２枚以上のプラスチツクフイルムの間に金属箔
を介在させたラミネートフイルムで包被する手段
と、前記金属箔を２分割して設けた分割部を前記
２本のリード端子間に配置する手段と、前記ラミ
ネートフイルムをヒートシールして外装を形成す
る手段とを具備したことを特徴とするコンデンサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295081A JPS57147234A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | Capacitor and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3295081A JPS57147234A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | Capacitor and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57147234A JPS57147234A (en) | 1982-09-11 |
| JPS623970B2 true JPS623970B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=12373216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295081A Granted JPS57147234A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | Capacitor and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57147234A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851409B2 (ja) * | 1978-08-11 | 1983-11-16 | マルコン電子株式会社 | コンデンサの製造方法 |
-
1981
- 1981-03-06 JP JP3295081A patent/JPS57147234A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57147234A (en) | 1982-09-11 |
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