JPS6238428A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6238428A JPS6238428A JP17811885A JP17811885A JPS6238428A JP S6238428 A JPS6238428 A JP S6238428A JP 17811885 A JP17811885 A JP 17811885A JP 17811885 A JP17811885 A JP 17811885A JP S6238428 A JPS6238428 A JP S6238428A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- glass substrate
- display element
- crystal display
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子に関し、特にその構造に関する。
本発明は液晶表示素子に於いて、相対向する二枚のガラ
ス電極基板の少なくとも一方に、ギャップを制御すべく
薄膜を形成し、前記2枚のガラス電極基板を固着し、液
晶を注入してセルを底形することにより、液晶層を所望
の均一にしたものである。
ス電極基板の少なくとも一方に、ギャップを制御すべく
薄膜を形成し、前記2枚のガラス電極基板を固着し、液
晶を注入してセルを底形することにより、液晶層を所望
の均一にしたものである。
従来の液晶表示素子構造は、グラスファイバー高分子樹
脂ボール等をギャップ剤として用い、相対向する電臘間
に挾み込み液晶を注入して、液晶表示素子を形成してい
る。
脂ボール等をギャップ剤として用い、相対向する電臘間
に挾み込み液晶を注入して、液晶表示素子を形成してい
る。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では液晶表示素子の液晶層の厚みを、グラ
スファイバー、高分子樹脂ボール等のギャップ剤を使用
してコントロールしている。その為、ギャップ剤の隆と
分散状態、形状寸法のバラツキにより、厚みムラが生じ
る。この厚みムラは、特にセル厚が薄い場合には形状寸
法のバラツキ(分布)の少ないものを得ることは製造上
難しく非常にコストアップとなる。また、液晶表示素子
の電気光学特性に於いて、しきい瞳特性、応答速度のバ
ラツキに大きな影響を与える。
述の従来技術では液晶表示素子の液晶層の厚みを、グラ
スファイバー、高分子樹脂ボール等のギャップ剤を使用
してコントロールしている。その為、ギャップ剤の隆と
分散状態、形状寸法のバラツキにより、厚みムラが生じ
る。この厚みムラは、特にセル厚が薄い場合には形状寸
法のバラツキ(分布)の少ないものを得ることは製造上
難しく非常にコストアップとなる。また、液晶表示素子
の電気光学特性に於いて、しきい瞳特性、応答速度のバ
ラツキに大きな影響を与える。
更、にグラスファイバーは透明な為光を透過する。
従って、液晶表示素子を光を透過させない状態にした場
合でもグラスファイバ一部からは光が常に透過し表示特
性を悪くする等の問題点がある。
合でもグラスファイバ一部からは光が常に透過し表示特
性を悪くする等の問題点がある。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、液晶層の厚みを均一にすべくギ
ャップ剤を形成した液晶表示素子を提供するところにあ
る。
の目的とするところは、液晶層の厚みを均一にすべくギ
ャップ剤を形成した液晶表示素子を提供するところにあ
る。
本発明の液晶表示素子は、少なくとも一方のガラスWL
匝基板上に、金属膜を形成し、前記金属膜により液晶組
成物層の厚みを規制させしめたことを特数とする。
匝基板上に、金属膜を形成し、前記金属膜により液晶組
成物層の厚みを規制させしめたことを特数とする。
第1の実施例を示す策1図tilOXIOXYマトリク
ス災示を応用した液晶表示素子の平面図であり、端2図
はその断面図である。下ガラス基板2上に工TOから成
る電属5を形成し、その上にsho。
ス災示を応用した液晶表示素子の平面図であり、端2図
はその断面図である。下ガラス基板2上に工TOから成
る電属5を形成し、その上にsho。
9から成る絶縁層を設け、その上にP工を塗布しラビン
グにより配向処理ヲ施しである。一方の上ガラス基板l
上には、工Toから取る電属3が形成され、電翫間にC
rから成る金属膜が施され上ガラス基板1と下ガラス基
板2のギャップ剤7の働きをさせている。下ガラス基板
2と上ガラス基板1をアクリル系接着剤8を用いて外周
をシールド固着している。l【)は強誘電性液晶を用い
た液晶層である1次に上下ガラス基板1.2の電属3゜
5が設けられていない面側に、偏光板]] 、 12を
隣接させる。この時偏光1Ji、llと12の偏光軸を
直交させ、更に一方の偏光板の偏光軸と強誘電性液晶の
しきい値電界以上の電界を印加した時の強誘電性液晶分
子の長軸方向と一致させ、液晶表示素子を構成している
。ここでay金属膜は真空蒸着法によりガラス基板l全
面に3000A付はホトエツチング手法により、20μ
惧φのドツトで400μmピッチで形成して^る。この
C?−膜厚バラツキは±5%であり上下ガラス基板1.
2を組み会せ、液晶注入後の厚みムラは3000〜33
00Aのギャップに制御することが出来た。
グにより配向処理ヲ施しである。一方の上ガラス基板l
上には、工Toから取る電属3が形成され、電翫間にC
rから成る金属膜が施され上ガラス基板1と下ガラス基
板2のギャップ剤7の働きをさせている。下ガラス基板
2と上ガラス基板1をアクリル系接着剤8を用いて外周
をシールド固着している。l【)は強誘電性液晶を用い
た液晶層である1次に上下ガラス基板1.2の電属3゜
5が設けられていない面側に、偏光板]] 、 12を
隣接させる。この時偏光1Ji、llと12の偏光軸を
直交させ、更に一方の偏光板の偏光軸と強誘電性液晶の
しきい値電界以上の電界を印加した時の強誘電性液晶分
子の長軸方向と一致させ、液晶表示素子を構成している
。ここでay金属膜は真空蒸着法によりガラス基板l全
面に3000A付はホトエツチング手法により、20μ
惧φのドツトで400μmピッチで形成して^る。この
C?−膜厚バラツキは±5%であり上下ガラス基板1.
2を組み会せ、液晶注入後の厚みムラは3000〜33
00Aのギャップに制御することが出来た。
影2の実施例を窮3図、第4図に示す、第3図は、ガラ
スti基板の平面図で、窮4図はその断面図である。ガ
ラス基板14上に工TO重臣15を350AX空蒸着で
付は電隠幅400μm、縦極間距離3QAmで形成して
いる。さらに工TO電険15上にCτ金属膜を400O
Aの膜厚で20μ惧φでスパッタリングにより付けであ
る。このガラス基板14と、@1図に示したガラス基板
1を第1図の様に組み合せればよい。ここでギャップ剤
16となるCf金属Mは、ガラス基板上でも、工TO電
甑上いずれでも、厚みムラの少ない液晶表示素子が出来
た。
スti基板の平面図で、窮4図はその断面図である。ガ
ラス基板14上に工TO重臣15を350AX空蒸着で
付は電隠幅400μm、縦極間距離3QAmで形成して
いる。さらに工TO電険15上にCτ金属膜を400O
Aの膜厚で20μ惧φでスパッタリングにより付けであ
る。このガラス基板14と、@1図に示したガラス基板
1を第1図の様に組み合せればよい。ここでギャップ剤
16となるCf金属Mは、ガラス基板上でも、工TO電
甑上いずれでも、厚みムラの少ない液晶表示素子が出来
た。
第3の実施例を、第5図、第6図に示す、ガラス基板1
7に第2の実施例同様に工TO電極18が形成され、工
To重臣18上を一部含むガラス基板17上にCrMが
400OAの膜厚で15830 A mでスパッタされ
「このガラス基板17と第1図にギャップ剤19として
形成されている。ここで工TO電険18上には15×加
μmのCf膜が形成されている。
7に第2の実施例同様に工TO電極18が形成され、工
To重臣18上を一部含むガラス基板17上にCrMが
400OAの膜厚で15830 A mでスパッタされ
「このガラス基板17と第1図にギャップ剤19として
形成されている。ここで工TO電険18上には15×加
μmのCf膜が形成されている。
このガラス基板17と第1図に示したガラス基板lとを
実施例2同様に組立た液晶表示素子に於いて応答速度、
厚みムラの少ない結果が得られた。
実施例2同様に組立た液晶表示素子に於いて応答速度、
厚みムラの少ない結果が得られた。
范4の実施例を示す、第7図はガラス電画基板の平面図
であり、襄8図はその断面図である。嬉3の実施例のガ
ラス基板14に、実装に必要な工TO重臣部加を除く全
面に絶縁のためにsho、膜21を150OAスパツタ
しである。このガラス基板14を用して実施例3と同様
に液晶表示素子を形成後、その特性を調ると、同様の結
果が得られた。従って、実施例1,2のガラス基板2.
11に実施例4同様に絶縁のためにsho、膜を形成し
たガラス基板を用ねでも同様のことが言える。
であり、襄8図はその断面図である。嬉3の実施例のガ
ラス基板14に、実装に必要な工TO重臣部加を除く全
面に絶縁のためにsho、膜21を150OAスパツタ
しである。このガラス基板14を用して実施例3と同様
に液晶表示素子を形成後、その特性を調ると、同様の結
果が得られた。従って、実施例1,2のガラス基板2.
11に実施例4同様に絶縁のためにsho、膜を形成し
たガラス基板を用ねでも同様のことが言える。
第5の実施例として、化学メッキ法により、実施例1同
様にガラス基板全面にNz−Pを350QA形成し、フ
ォトエツチング法によりギャップ剤となる金属膜を成形
した。この基板を用いてセルを形状した結果も実施1同
様であった。
様にガラス基板全面にNz−Pを350QA形成し、フ
ォトエツチング法によりギャップ剤となる金属膜を成形
した。この基板を用いてセルを形状した結果も実施1同
様であった。
第6の実施例として、アクリル系樹脂を用いてギャップ
コントロールをしたセルについて述べる。
コントロールをしたセルについて述べる。
片側基板の工TO罵li上に感光性アクリル(ウス脂を
スピンナーにより、3000rptrtT:8000A
の膜を形成し、フォトエツチングにより、前述の実施同
様なギャップ剤となる様に基板上に凸部を設ける。pi
I記基板基板施例1と同様にセルを組立後、セル厚ムラ
、光学特性を調べ、更に金属膜をギャップ剤とした液晶
表示素子と比較したが、差異はない。
スピンナーにより、3000rptrtT:8000A
の膜を形成し、フォトエツチングにより、前述の実施同
様なギャップ剤となる様に基板上に凸部を設ける。pi
I記基板基板施例1と同様にセルを組立後、セル厚ムラ
、光学特性を調べ、更に金属膜をギャップ剤とした液晶
表示素子と比較したが、差異はない。
蘂7の実施例を第9図に示し、実施例1の上ガラス基板
1上に5ho2膜22を絶縁膜として1500Aスパツ
タリングし、上下ガラス基板に用いて、液晶表示素子を
形成した断面図である。ギヤツブ剤7となるCr膜が相
対向する様に配置され、液晶組成物23が挾み人まれ外
周をエポキシ系接着剤24でモールド固着している。こ
のとき6000〜6500Aの均一なセル厚の液晶表示
素子が得られた。
1上に5ho2膜22を絶縁膜として1500Aスパツ
タリングし、上下ガラス基板に用いて、液晶表示素子を
形成した断面図である。ギヤツブ剤7となるCr膜が相
対向する様に配置され、液晶組成物23が挾み人まれ外
周をエポキシ系接着剤24でモールド固着している。こ
のとき6000〜6500Aの均一なセル厚の液晶表示
素子が得られた。
前述した実施例中では、ギャップ剤となる材質はCr、
感光性アクリル樹脂について述べてきたが、AA、Nj
、Tα、感光性ポリイミド樹脂等を用いても同様の効果
が得られ、特に限定するものでない、また形状に於いて
も、丸、角等が考えられ、液晶表示素子の使用目的によ
り、任意の形状で配置することができる。
感光性アクリル樹脂について述べてきたが、AA、Nj
、Tα、感光性ポリイミド樹脂等を用いても同様の効果
が得られ、特に限定するものでない、また形状に於いて
も、丸、角等が考えられ、液晶表示素子の使用目的によ
り、任意の形状で配置することができる。
以上、述べてきたように本発明によれば、二枚の基板を
重ね合せた液晶表示素子の液晶層が所望の厚さとなる様
にギャップ剤を薄膜成形技術を用いて、少なくとも一方
の基板に設ける。これにより、より均一な厚みの液晶8
となり、電気光学的忙安定な液晶表示素子が得られる。
重ね合せた液晶表示素子の液晶層が所望の厚さとなる様
にギャップ剤を薄膜成形技術を用いて、少なくとも一方
の基板に設ける。これにより、より均一な厚みの液晶8
となり、電気光学的忙安定な液晶表示素子が得られる。
更にギャップ剤部が、光の不透過となる櫟な構成にすれ
ば、最大の効果を有する。
ば、最大の効果を有する。
第1図は液晶表示素子の平面図
第2図は液晶表示素子の断面図
巣3図はガラス基板の平面図
第4図はガラス基板の断面図
窮5図はガラス基板の平面図
嘉6図はガラス基板の断面図
第7図はガラス基板の千−図
嘉8図はガラス基板の断面図
第9図は孜晶六示素子の断面図
1・・・上ガラス基板
2・魯・下ガラス基板
3・・・工Towt隠
←ムーー
5・・・工TO亀隠
←−ムね
7@・・ギャップ剤
8−・・接着剤
9 拳 ・ ・ S イ O、捩10・・・強
誘電性液晶 11・・・偏光板 12・・・偏光板 仕上÷Φ 14・・・ガラス基板 15・慟・工TO重臣 16・e・ギャップ剤 17・・・ガラス基板 18・・・工To重臣 19・―・ギャップ剤 I・・φ工To亀隠 2x*m@siozM η・・・81:O,膜 田・・・液晶組成物 あ・・・接着剤 以 上
誘電性液晶 11・・・偏光板 12・・・偏光板 仕上÷Φ 14・・・ガラス基板 15・慟・工TO重臣 16・e・ギャップ剤 17・・・ガラス基板 18・・・工To重臣 19・―・ギャップ剤 I・・φ工To亀隠 2x*m@siozM η・・・81:O,膜 田・・・液晶組成物 あ・・・接着剤 以 上
Claims (4)
- (1)一対のガラス電極基板により液晶組成物をはさみ
込み、その周囲を封止することにより形成される液晶表
示素子に於いて、ガラス電極基板の少なくとも一方の液
晶組成物と接するガラス電極基板上に、金属膜を形成し
、前記金属膜により液晶組成物層の厚みを規制させしめ
ることを特徴とした液晶表示素子。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の液晶表示素子に於い
て、前記金属膜が高分子樹脂から成ることを特徴とする
液晶表示素子。 - (3)特許請求の範囲第1項、第2項記載の液晶表示素
子に於いて、前記金属膜もしくは高分子樹脂が対向する
様に配置したことを特徴とする液晶表示素子。 - (4)特許請求の範囲第1項記載の液晶表示素子に於い
て、前記金属膜を絶縁物で保護コートしたことを特徴と
する液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17811885A JPS6238428A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17811885A JPS6238428A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6238428A true JPS6238428A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16042971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17811885A Pending JPS6238428A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6238428A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100866534B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-11-03 | 충남대학교산학협력단 | 액정 표시 장치의 전극 |
CN109254452A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板及液晶显示面板 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP17811885A patent/JPS6238428A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100866534B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-11-03 | 충남대학교산학협력단 | 액정 표시 장치의 전극 |
CN109254452A (zh) * | 2018-10-16 | 2019-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板及液晶显示面板 |
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