JPS6238307B2 - - Google Patents
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- JPS6238307B2 JPS6238307B2 JP57056855A JP5685582A JPS6238307B2 JP S6238307 B2 JPS6238307 B2 JP S6238307B2 JP 57056855 A JP57056855 A JP 57056855A JP 5685582 A JP5685582 A JP 5685582A JP S6238307 B2 JPS6238307 B2 JP S6238307B2
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は、蓄光蛍光性若しくは蓄光発光性陶磁
製品及び該陶磁製品の釉面形成に使用される釉薬
に関する。 蓄光蛍光体とは、主として可視光線、紫外線等
の放射エネルギーを蓄え、これを暗所で徐々に解
放して蛍光或いは発光現象を示す物質をいい、
種々の物質がこの現象を呈することが知られてい
る。これ等のうちでも、発光性に優れ且つ残光性
も長い等の理由により、ZnS、CdS等の硫化物系
蓄光蛍光体が主として使用されている。これ等硫
化物系蓄光蛍光体は、通常塩化ビニル樹脂のプラ
スチツク材料中に混和され、成形された状態或い
はプラスチツク成形体に塗布された状態で使用さ
れ、暗所における或いは夜間の標識、装飾、照明
等に利用されているが、耐候性、耐熱性、耐摩耗
性等が充分でない。又、蛍光ホウロウや蛍光性人
造石材等において、蓄光蛍光体を使用した例も存
在するが、陶磁器に施して740℃以上の高温で焼
成すると硫化物が酸化分解して、蛍光性が大布に
失われるので、やはり満足すべきものとはいい難
い。 本発明者は、上記の如き現状に鑑みて、セラミ
ツク製品に蓄光蛍光性を与えるべく種々研究を重
ねた結果、硫化物系蓄光蛍光体を含む特定組成の
フリツトを使用して陶磁製品を製造する場合に
は、740℃以上の高温での焼成に際しても硫化物
系蓄光蛍光体の保護層が形成され、従つて最終的
に得られる陶磁器製品は、本来の優れた耐候性、
耐熱性、耐摩耗性等に加えて、優れた発光性及び
残光性をも発揮することを見出した。即ち、本発
明は、B2O315〜45重量部、Al2O31〜20重量
部、ZnO0〜６重量部、Na2O5〜15重量部、
SiO230〜60重量部、CaO0〜10重量部、K2O0〜５
重量部及びMgO0〜５重量部の合計100重量部に
硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部を加えた陶磁器
用蓄光性釉薬、及びB2O315〜45重量部、
Al2O31〜20重量部、ZnO0〜６重量部、Na2O5〜
15重量部、SiO230〜60重量部、CaO0〜10重量
部、K2O0〜５重量部及びMgO0〜５重量部の合
計100重量部と硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部
とからなる釉薬により形成された釉面を備えた蓄
光蛍光性陶磁製品を提供するものである。 蓄光蛍光性陶磁器製品用の釉薬或いはフリツト
には、少なくとも以下の如き要件が要求される。 (イ) 硫化物系蓄光蛍光体と反応して有色硫化物を
形成する成分を含まないこと。 (ロ) 釉面形成の為の焼成に際し、硫化物系蛍光体
の酸化分解以下の温度でガラス質の蛍光体保護
層が形成されること。 (ハ) 焼成時の高温において蛍光体を封じ込めて安
定化させ、蛍光体結晶の破壊及び分解を防止し
得ること。 (ニ) 陶器及び磁器上で焼成され、釉面を形成する
状態で、優れた耐候性、耐熱性、耐摩耗性等を
発揮すること。 (ホ) 硫化物系蓄光蛍光体の有する優れた発光性及
び残光性がそのまま発揮されること。 本発明のフリツトは、これ等の要件を全て満足
するものである。そして、これ等の要件を充足さ
せる為には、フリツト100重量部中の各成分含量
を以下の如く、制御する必要がある。 (i) B2O3は、15〜45重量部とする。B2O3が少な
過ぎる場合には、融点が高くなり、ZnS蛍光体
の保護層の形成が遅れ、残光性が失われる。一
方、B2O3が過剰量となる場合には、水への溶
解性が大きくなり、耐候性が低下する。 (ii) Al2O3は１〜20重量部とする。Al2O3が１重
量部未満の場合には、水に対する溶解性が大き
くなり、又釉の粘性が低下するため流下する。
一方20重量部を超えると、融点が高くなり、
ZnSの分解温度付近でガラス化し難しくなるた
め、結果としてZnS蛍光体の保護層を形成しに
くくなる。 (iii) ZnOは、０〜６重量部とする。ZnOの量が過
剰となると、融点が高くなり、又ZnSの分解を
容易にするため、残光性、釉面等に欠点を生じ
る。 (iv) Na2Oは、５〜15重量部とする。Na2O量が少
な過ぎる場合には、主成分であるSiO2、B2O3
を所定の温度で媒熔することは困難となり、陶
磁器素地上に融着することは出来ない。一方
Na2Oが15重量部を超える場合には、融点が極
端に下がり、ZnS蛍光体との反応性の高いガラ
スとなる。又、分解を容易にし、釉面に発泡現
象を伴ない、平滑な釉は得られない。又熱膨張
率が高くなるため、貫入を発生し易く、結果と
して耐候性が低下する。 (v) SiO2は、30〜60重量部とする。SiO2が60重
量部を上回る場合には、軟化温度が高くなり、
蛍光体の保護層の形成が遅れ、残光性が悪くな
る。又平滑で光沢を有する釉面が得られない。 (vi) CaOは、10重量部以下とする。CaOが過剰と
なる場合には、軟化温度が著るしく低下するた
め、ZnSとの反応性の高いガラスとなり、蛍光
性を分解せしめる。従つて残光性が失われる。 (vii) K2Oは５重量部以下とする。K2Oが５重量部
を上回る場合には、熱膨張率が著るしく増加す
るため、貫入が入り、釉の機械的強制が減少す
る。又軟化点が低下するために残光性も悪くな
る。 (viii) MgOは５重量部以下とする。MgOが５重量
部を上回る場合には、釉の安定剤としての働き
が弱くなり、同時に軟化温度が高くなるため、
ZnSの分解を助長し、残光性が悪くなる。 尚、周知の如く、フリツトの性能は、各成分と
その使用量とが相互に密接且つ複雑に関連して発
揮されるものであり、上記(i)〜(viii)の記載は、必ず
しもこれ等各成分の相互関連を充分に説明するも
のではない。 更に、本発明フリツトにおいては、上記の基本
フリツト成分100重量部に対しZnS、CdS、CaS、
（ZnCd）Ｓ等の１種又は２種以上の硫化物系蓄光
蛍光体５〜60重量部を使用する。蓄光蛍光体が５
重量部未満では、発光が弱く且つ残光時間も短
い。一方60重量部を上回る場合には、ZnSの濃度
が高くなり過ぎるため、フリツトによつて保護層
を形成することは不能となり、平滑な釉面は全く
得られない。 本発明の蓄光蛍光性陶磁製品は、通常常法に従
つて次の様にして製造される。粒度５〜300μｍ
程度の基本釉薬成分100重量部と粒度0.5〜500μ
ｍ程度の硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部とを含
む釉泥漿を陶器又は磁器に施釉し、650〜1100℃
程度で焼成する。釉泥漿の調製に際しては、必要
に応じ水ガラス、デキストリン、アラビアゴム、
トラガントゴム、ポリ塩化ビニル、カルボキシメ
チルセルロース、ベントナイト、酢酸等の沈殿防
止剤並びに解膠剤及び糊剤等の公知の添加物を加
えても良い。 本発明の蓄光蛍光性陶磁器製品は、長期にわた
り強い残光性を示すので、停電時の非常誘導標
識、夜間の道路標識、装飾品、照明具、土木及び
建築用部材等として極めて有用である。 実施例 １ 下記第１表に示す組成の基本フリツト配合物70
重量部にZnS30重量部を加え、更に水55重量部を
加えて釉泥漿とした。次いで、５cm×６cmの焼結
粘土素地板の片面に該釉泥漿を施釉し、空気中で
４時間かけて800℃まで昇温した後、同温度に30
分間保持した。 各釉薬の体膨張係数を第１表に併せて示す。
又、各試験片の表面の状態、発光の程度及び残光
時間は、第２表に示す通りである。なお、第１表
及び第２表において、No.６は、一般的なホウロウ
用フリツトの組成及び結果を示す。
製品及び該陶磁製品の釉面形成に使用される釉薬
に関する。 蓄光蛍光体とは、主として可視光線、紫外線等
の放射エネルギーを蓄え、これを暗所で徐々に解
放して蛍光或いは発光現象を示す物質をいい、
種々の物質がこの現象を呈することが知られてい
る。これ等のうちでも、発光性に優れ且つ残光性
も長い等の理由により、ZnS、CdS等の硫化物系
蓄光蛍光体が主として使用されている。これ等硫
化物系蓄光蛍光体は、通常塩化ビニル樹脂のプラ
スチツク材料中に混和され、成形された状態或い
はプラスチツク成形体に塗布された状態で使用さ
れ、暗所における或いは夜間の標識、装飾、照明
等に利用されているが、耐候性、耐熱性、耐摩耗
性等が充分でない。又、蛍光ホウロウや蛍光性人
造石材等において、蓄光蛍光体を使用した例も存
在するが、陶磁器に施して740℃以上の高温で焼
成すると硫化物が酸化分解して、蛍光性が大布に
失われるので、やはり満足すべきものとはいい難
い。 本発明者は、上記の如き現状に鑑みて、セラミ
ツク製品に蓄光蛍光性を与えるべく種々研究を重
ねた結果、硫化物系蓄光蛍光体を含む特定組成の
フリツトを使用して陶磁製品を製造する場合に
は、740℃以上の高温での焼成に際しても硫化物
系蓄光蛍光体の保護層が形成され、従つて最終的
に得られる陶磁器製品は、本来の優れた耐候性、
耐熱性、耐摩耗性等に加えて、優れた発光性及び
残光性をも発揮することを見出した。即ち、本発
明は、B2O315〜45重量部、Al2O31〜20重量
部、ZnO0〜６重量部、Na2O5〜15重量部、
SiO230〜60重量部、CaO0〜10重量部、K2O0〜５
重量部及びMgO0〜５重量部の合計100重量部に
硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部を加えた陶磁器
用蓄光性釉薬、及びB2O315〜45重量部、
Al2O31〜20重量部、ZnO0〜６重量部、Na2O5〜
15重量部、SiO230〜60重量部、CaO0〜10重量
部、K2O0〜５重量部及びMgO0〜５重量部の合
計100重量部と硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部
とからなる釉薬により形成された釉面を備えた蓄
光蛍光性陶磁製品を提供するものである。 蓄光蛍光性陶磁器製品用の釉薬或いはフリツト
には、少なくとも以下の如き要件が要求される。 (イ) 硫化物系蓄光蛍光体と反応して有色硫化物を
形成する成分を含まないこと。 (ロ) 釉面形成の為の焼成に際し、硫化物系蛍光体
の酸化分解以下の温度でガラス質の蛍光体保護
層が形成されること。 (ハ) 焼成時の高温において蛍光体を封じ込めて安
定化させ、蛍光体結晶の破壊及び分解を防止し
得ること。 (ニ) 陶器及び磁器上で焼成され、釉面を形成する
状態で、優れた耐候性、耐熱性、耐摩耗性等を
発揮すること。 (ホ) 硫化物系蓄光蛍光体の有する優れた発光性及
び残光性がそのまま発揮されること。 本発明のフリツトは、これ等の要件を全て満足
するものである。そして、これ等の要件を充足さ
せる為には、フリツト100重量部中の各成分含量
を以下の如く、制御する必要がある。 (i) B2O3は、15〜45重量部とする。B2O3が少な
過ぎる場合には、融点が高くなり、ZnS蛍光体
の保護層の形成が遅れ、残光性が失われる。一
方、B2O3が過剰量となる場合には、水への溶
解性が大きくなり、耐候性が低下する。 (ii) Al2O3は１〜20重量部とする。Al2O3が１重
量部未満の場合には、水に対する溶解性が大き
くなり、又釉の粘性が低下するため流下する。
一方20重量部を超えると、融点が高くなり、
ZnSの分解温度付近でガラス化し難しくなるた
め、結果としてZnS蛍光体の保護層を形成しに
くくなる。 (iii) ZnOは、０〜６重量部とする。ZnOの量が過
剰となると、融点が高くなり、又ZnSの分解を
容易にするため、残光性、釉面等に欠点を生じ
る。 (iv) Na2Oは、５〜15重量部とする。Na2O量が少
な過ぎる場合には、主成分であるSiO2、B2O3
を所定の温度で媒熔することは困難となり、陶
磁器素地上に融着することは出来ない。一方
Na2Oが15重量部を超える場合には、融点が極
端に下がり、ZnS蛍光体との反応性の高いガラ
スとなる。又、分解を容易にし、釉面に発泡現
象を伴ない、平滑な釉は得られない。又熱膨張
率が高くなるため、貫入を発生し易く、結果と
して耐候性が低下する。 (v) SiO2は、30〜60重量部とする。SiO2が60重
量部を上回る場合には、軟化温度が高くなり、
蛍光体の保護層の形成が遅れ、残光性が悪くな
る。又平滑で光沢を有する釉面が得られない。 (vi) CaOは、10重量部以下とする。CaOが過剰と
なる場合には、軟化温度が著るしく低下するた
め、ZnSとの反応性の高いガラスとなり、蛍光
性を分解せしめる。従つて残光性が失われる。 (vii) K2Oは５重量部以下とする。K2Oが５重量部
を上回る場合には、熱膨張率が著るしく増加す
るため、貫入が入り、釉の機械的強制が減少す
る。又軟化点が低下するために残光性も悪くな
る。 (viii) MgOは５重量部以下とする。MgOが５重量
部を上回る場合には、釉の安定剤としての働き
が弱くなり、同時に軟化温度が高くなるため、
ZnSの分解を助長し、残光性が悪くなる。 尚、周知の如く、フリツトの性能は、各成分と
その使用量とが相互に密接且つ複雑に関連して発
揮されるものであり、上記(i)〜(viii)の記載は、必ず
しもこれ等各成分の相互関連を充分に説明するも
のではない。 更に、本発明フリツトにおいては、上記の基本
フリツト成分100重量部に対しZnS、CdS、CaS、
（ZnCd）Ｓ等の１種又は２種以上の硫化物系蓄光
蛍光体５〜60重量部を使用する。蓄光蛍光体が５
重量部未満では、発光が弱く且つ残光時間も短
い。一方60重量部を上回る場合には、ZnSの濃度
が高くなり過ぎるため、フリツトによつて保護層
を形成することは不能となり、平滑な釉面は全く
得られない。 本発明の蓄光蛍光性陶磁製品は、通常常法に従
つて次の様にして製造される。粒度５〜300μｍ
程度の基本釉薬成分100重量部と粒度0.5〜500μ
ｍ程度の硫化物系蓄光蛍光体５〜60重量部とを含
む釉泥漿を陶器又は磁器に施釉し、650〜1100℃
程度で焼成する。釉泥漿の調製に際しては、必要
に応じ水ガラス、デキストリン、アラビアゴム、
トラガントゴム、ポリ塩化ビニル、カルボキシメ
チルセルロース、ベントナイト、酢酸等の沈殿防
止剤並びに解膠剤及び糊剤等の公知の添加物を加
えても良い。 本発明の蓄光蛍光性陶磁器製品は、長期にわた
り強い残光性を示すので、停電時の非常誘導標
識、夜間の道路標識、装飾品、照明具、土木及び
建築用部材等として極めて有用である。 実施例 １ 下記第１表に示す組成の基本フリツト配合物70
重量部にZnS30重量部を加え、更に水55重量部を
加えて釉泥漿とした。次いで、５cm×６cmの焼結
粘土素地板の片面に該釉泥漿を施釉し、空気中で
４時間かけて800℃まで昇温した後、同温度に30
分間保持した。 各釉薬の体膨張係数を第１表に併せて示す。
又、各試験片の表面の状態、発光の程度及び残光
時間は、第２表に示す通りである。なお、第１表
及び第２表において、No.６は、一般的なホウロウ
用フリツトの組成及び結果を示す。
【表】
【表】
第１表及び第２表から明らかな如く、本発明釉
薬No.１〜４は、焼結粘土素地板上に焼付けられた
状態で良好な釉面を形成し、且つ優れた蓄光蛍光
特性を示す。 これに対し、SiO2量が60重量％を上回る釉薬
No.５は、融点が高い為、800℃では完全に融解せ
ず、従つて釉面に亀裂を生じ、且つ蓄光蛍光特性
にも劣つている。 又、一般的なホウロウ用フリツトであるNo.６
は、体膨張係数の高いホウロウに適合する様に、
Na2Oを大量に含むとともに、Na2Oの大量使用に
よる融点の大巾低下を抑制すべくB2O3の量を低
減させている。このため、体膨張係数の高いNo.６
のフリツトを体膨張係数の低い焼結粘土素地板に
施釉する場合には、表面に亀裂を生じており、短
時間内に汚れを生じるので、本発明の所望の効果
は奏し得ない。 更に、釉薬No.５の融点を低下させるべく、
SiO2量を大巾に減らし、B2O3、CaO及びNa2Oの
量を増加させた釉薬No.７の場合には、体膨張係数
が著るしく高くなり且つ釉面が発泡している。従
つて、陶磁器に施釉した場合には、やはり本発明
の所望の効果は得られない。
薬No.１〜４は、焼結粘土素地板上に焼付けられた
状態で良好な釉面を形成し、且つ優れた蓄光蛍光
特性を示す。 これに対し、SiO2量が60重量％を上回る釉薬
No.５は、融点が高い為、800℃では完全に融解せ
ず、従つて釉面に亀裂を生じ、且つ蓄光蛍光特性
にも劣つている。 又、一般的なホウロウ用フリツトであるNo.６
は、体膨張係数の高いホウロウに適合する様に、
Na2Oを大量に含むとともに、Na2Oの大量使用に
よる融点の大巾低下を抑制すべくB2O3の量を低
減させている。このため、体膨張係数の高いNo.６
のフリツトを体膨張係数の低い焼結粘土素地板に
施釉する場合には、表面に亀裂を生じており、短
時間内に汚れを生じるので、本発明の所望の効果
は奏し得ない。 更に、釉薬No.５の融点を低下させるべく、
SiO2量を大巾に減らし、B2O3、CaO及びNa2Oの
量を増加させた釉薬No.７の場合には、体膨張係数
が著るしく高くなり且つ釉面が発泡している。従
つて、陶磁器に施釉した場合には、やはり本発明
の所望の効果は得られない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ B2O315〜45重量部、Al2O31〜20重量部、
ZnO0〜６重量部、Na2O5〜15重量部、SiO230〜
60重量部、CaO0〜10重量部、K2O0〜５重量部及
びMgO0〜５重量部の合計100重量部に硫化物系
蓄光蛍光体５〜60重量部を加えた陶磁器用蓄光性
釉薬。 ２ B2O315〜45重量部、Al2O31〜20重量部、
ZnO0〜６重量部、Na2O5〜15重量部、SiO230〜
60重量部、CaO0〜10重量部、K2O0〜５重量部及
びMgO0〜５重量部の合計100重量部と硫化物系
蓄光蛍光体５〜60重量部とからなる釉薬により形
成された釉面を備えた蓄光蛍光性陶磁器製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5685582A JPS58173182A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 蓄光性釉薬及び蓄光螢光性陶磁器製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5685582A JPS58173182A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 蓄光性釉薬及び蓄光螢光性陶磁器製品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173182A JPS58173182A (ja) | 1983-10-12 |
| JPS6238307B2 true JPS6238307B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=13039021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5685582A Granted JPS58173182A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 蓄光性釉薬及び蓄光螢光性陶磁器製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165007U (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-27 | ||
| JPH0361011U (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-14 | ||
| JPH10171389A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Inax Corp | 蓄光板及び蓄光板の使用方法 |
| JPH11288233A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 情報表示装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69229377T2 (de) * | 1991-02-19 | 1999-11-04 | Hirofumi Moriyama | Lichtelement |
| DE19649662A1 (de) | 1996-11-29 | 1998-06-04 | Riedel De Haen Ag | Schichtkörper mit Nachleuchteigenschaften, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| JP2000086329A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Kazuo Saito | 硝子と蓄光剤を施した磁器 |
| EP1746078A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | Universal Light Co., Ltd. | Fired product having luminous function and evacuation route guiding sign device using fired product |
| CN113968752B (zh) * | 2021-09-27 | 2022-11-18 | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 | 一种防伪陶瓷砖及其制备方法 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP5685582A patent/JPS58173182A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165007U (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-27 | ||
| JPH0361011U (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-14 | ||
| JPH10171389A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Inax Corp | 蓄光板及び蓄光板の使用方法 |
| JPH11288233A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 情報表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58173182A (ja) | 1983-10-12 |
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