JPS6237376A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6237376A JPS6237376A JP17555785A JP17555785A JPS6237376A JP S6237376 A JPS6237376 A JP S6237376A JP 17555785 A JP17555785 A JP 17555785A JP 17555785 A JP17555785 A JP 17555785A JP S6237376 A JPS6237376 A JP S6237376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- electrode
- sheet
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法あるい
はＭＯＣＶＤ法などのように、電圧を印加した対面電橋
間にガスを送り込んで反応を起こさせることを利用して
薄膜を形成する方法のための薄膜形成装置に関する。
はＭＯＣＶＤ法などのように、電圧を印加した対面電橋
間にガスを送り込んで反応を起こさせることを利用して
薄膜を形成する方法のための薄膜形成装置に関する。
真空、減圧あるいは常圧下で対面電極間ガス状反応によ
り一方の！極上あるいはその付近に置かれた基板に薄膜
を形成する場合、基板に対向する電橋面にも粉末状、フ
レーク状の反応生成物質が付着する。この物質は粉塵発
生源となり、薄膜中に混入し膜質を低下させるとともに
、電極の表面インピーダンスが粉末状物質の付着により
変化し、安定した成膜条件を保つことがむすかしく、成
膜結果に基づいて成膜条件の変更あるいは電極面のクリ
ーニングを行わざるを得なかった。
り一方の！極上あるいはその付近に置かれた基板に薄膜
を形成する場合、基板に対向する電橋面にも粉末状、フ
レーク状の反応生成物質が付着する。この物質は粉塵発
生源となり、薄膜中に混入し膜質を低下させるとともに
、電極の表面インピーダンスが粉末状物質の付着により
変化し、安定した成膜条件を保つことがむすかしく、成
膜結果に基づいて成膜条件の変更あるいは電極面のクリ
ーニングを行わざるを得なかった。
本発明は、電極面への反応生成物の付着により装置の運
転を停止してクリーニングを行ったり、成膜回数の増加
に伴い成膜条件を変更する必要がなく、基板上に常に安
定した薄膜を形成することができる薄膜形成装置を提供
することを目的とする。
転を停止してクリーニングを行ったり、成膜回数の増加
に伴い成膜条件を変更する必要がなく、基板上に常に安
定した薄膜を形成することができる薄膜形成装置を提供
することを目的とする。
本発明によるＩＩ膜形成装置は、基板に対間する電橋の
前面を覆う良導性材料からなる防着シートの繰出し部お
よび巻取り部がその電橋の両側に配置されていることに
より、防着シートを移動させながら常に清浄な！極表面
を維持できるようにして上記の目的を連成する。
前面を覆う良導性材料からなる防着シートの繰出し部お
よび巻取り部がその電橋の両側に配置されていることに
より、防着シートを移動させながら常に清浄な！極表面
を維持できるようにして上記の目的を連成する。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装！を示す
、この装置は真空排気口１１およびガス導入口１２を備
えた真空容器１において、電ｆＩ２に接続された放電電
極３の上方に基板トレー４を配置し、電極３と基板トレ
ー４の間にプラズマを発生させ、ガス導入口１２から導
入された反応ガスの分離によって基板トレー４に支持さ
れ、加熱板４１により加熱される基板５の表面に薄膜を
形成するものである。しかし、薄膜は基板５の上に形成
されるばかりでなく、真空容器１のいたるとごろに付着
し、その堆積量は薄膜の形成回数と共に増加していく、
そこで本発明により、防着シート６を繰出しカセット７
からテンシランローラ８を介して放電電極６の表面に沿
って巻取リカセット９まで張る。この防着シート６はプ
ラズマ雰囲気で化学的、物理的に安定で、かつ電極と同
じく伝導性を有する材料、例えばステンレス鋼で構成さ
れる。 カセット７にロール状に巻かれた長尺゛の防着シート６
をテンシランローラ８によりたわみが生じないようにし
て任意の速度でカセット９に巻取れば、防着シート６は
順次清浄な面で電極３を覆い、付着する物質を除去しな
がら移動するために、電極表面は常に付着物のない清浄
な面を保ち、伝導性を有する面の清浄な防着シート６を
挟んで、基板トレー４との間に形成される電界は一定の
状態に維持される。カセット７．９の真空容器の取付は
部には真空仕切弁１０を備えているので、真空容器１の
真空を破ることなく繰出しカセット７あるいは巻取りカ
セット９を交換することができ、装置の稼動率を高める
ことができる。
、この装置は真空排気口１１およびガス導入口１２を備
えた真空容器１において、電ｆＩ２に接続された放電電
極３の上方に基板トレー４を配置し、電極３と基板トレ
ー４の間にプラズマを発生させ、ガス導入口１２から導
入された反応ガスの分離によって基板トレー４に支持さ
れ、加熱板４１により加熱される基板５の表面に薄膜を
形成するものである。しかし、薄膜は基板５の上に形成
されるばかりでなく、真空容器１のいたるとごろに付着
し、その堆積量は薄膜の形成回数と共に増加していく、
そこで本発明により、防着シート６を繰出しカセット７
からテンシランローラ８を介して放電電極６の表面に沿
って巻取リカセット９まで張る。この防着シート６はプ
ラズマ雰囲気で化学的、物理的に安定で、かつ電極と同
じく伝導性を有する材料、例えばステンレス鋼で構成さ
れる。 カセット７にロール状に巻かれた長尺゛の防着シート６
をテンシランローラ８によりたわみが生じないようにし
て任意の速度でカセット９に巻取れば、防着シート６は
順次清浄な面で電極３を覆い、付着する物質を除去しな
がら移動するために、電極表面は常に付着物のない清浄
な面を保ち、伝導性を有する面の清浄な防着シート６を
挟んで、基板トレー４との間に形成される電界は一定の
状態に維持される。カセット７．９の真空容器の取付は
部には真空仕切弁１０を備えているので、真空容器１の
真空を破ることなく繰出しカセット７あるいは巻取りカ
セット９を交換することができ、装置の稼動率を高める
ことができる。
本発明によれば、伝導性を有する防着シートを基板に対
向する電極の表面に沿って張り、移動させることによっ
て装置運転中に電極表面の清浄化を保つことにより、電
極間電位変動をなくすことができるようになり、再現性
よく安定な品質の薄膜を形成するとともに、設備の保全
のために要する時間を大幅に短縮することができる。
向する電極の表面に沿って張り、移動させることによっ
て装置運転中に電極表面の清浄化を保つことにより、電
極間電位変動をなくすことができるようになり、再現性
よく安定な品質の薄膜を形成するとともに、設備の保全
のために要する時間を大幅に短縮することができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の断面
図である。 １：真空容器、３：放ｍｓ極、４：基板トレー・５：基
板、６：防着シート、７：繰出しカセット、９：Ｓ取り
カセット。 Ｍ１ｙ！Ｊ
図である。 １：真空容器、３：放ｍｓ極、４：基板トレー・５：基
板、６：防着シート、７：繰出しカセット、９：Ｓ取り
カセット。 Ｍ１ｙ！Ｊ
Claims (1)
- １）対面電極間ガス状反応により一方の電極上あるいは
その付近に置かれた基板に薄膜を形成するものにおいて
、基板に対向する電極の前面を覆う良導性材料からなる
防着シートの繰出し部および巻取り部が該電極の両側に
配置されたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555785A JPS6237376A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555785A JPS6237376A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237376A true JPS6237376A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=15998161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17555785A Pending JPS6237376A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7647887B2 (en) * | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP17555785A patent/JPS6237376A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7647887B2 (en) * | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
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