JPS6236281Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6236281Y2 JPS6236281Y2 JP1981106602U JP10660281U JPS6236281Y2 JP S6236281 Y2 JPS6236281 Y2 JP S6236281Y2 JP 1981106602 U JP1981106602 U JP 1981106602U JP 10660281 U JP10660281 U JP 10660281U JP S6236281 Y2 JPS6236281 Y2 JP S6236281Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- spool
- package
- flange
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Filamentary Materials, Packages, And Safety Devices Therefor (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置のワイヤーボンデイングに
用いるためのフアインワイヤー供給用パツケージ
に関するものである。
用いるためのフアインワイヤー供給用パツケージ
に関するものである。
半導体素子上の電極とリード端子との結線(以
下ボンデイングという)には直径10〜50ミクロ
ン、なかんずく20〜30ミクロンの金、アルミニウ
ム等の極細線(以下フアインワイヤーという)が
用いられている。このようなフアインワイヤーは
通常スプールに巻き付けたパツケージとしてボン
ダーに提供される。
下ボンデイングという)には直径10〜50ミクロ
ン、なかんずく20〜30ミクロンの金、アルミニウ
ム等の極細線(以下フアインワイヤーという)が
用いられている。このようなフアインワイヤーは
通常スプールに巻き付けたパツケージとしてボン
ダーに提供される。
上記のような極細のワイヤーは抗張力が小さ
く、わずかの食い込みや引つ掛りがあつても容易
に折れ曲つたり断線したりする。このためスプー
ルへの巻き付けは整列1層巻きとするのが一般的
であつた。近年半導体素子の集積度が向上するに
従い素子1個当りのボンデイング数が増し、又ボ
ンダーの高速化が計られてきた。その結果1層巻
きのパツケージでは取り替え頻度が多過ぎるた
め、断線が多少増えてもワイヤーの長さを長くす
る利益を考慮して、ワイヤーを多層に巻き付けた
パツケージを用いるようになつた。しかしながら
ボンデイング作業中にワイヤーが不意に断線して
供給が停止してもボンダーが動き続けるとボンデ
イング不良の半導体装置を生産することになるの
で、これを防止するためボンダーに断線検出装置
を取付け、断線を早期に発見してボンダーを停止
し、オペレーターに警報を発するようにしてあ
る。第1図はこのような断線検出装置をを具えた
ボンダーの1例である。フアインワイヤー1を巻
き付けたスプール2は保持具3に着脱可能に取付
けられている。フアインワイヤー1の1端(巻き
始めの部分)は断線検出装置4の入力端子Aと導
線で接続された接続端子5に接続し、フアインワ
イヤー1の他の1端(巻き終りの部分)はガイド
6を通つてボンデイングキヤピラリー7に保持さ
れている。このようなボンダーは所謂ネイルヘツ
ドボンデイングを行なう装置であり、水素炎によ
る熔断で端部を球状とされたフアインワイヤーに
キヤピラリー7の動作によにり先ず半導体素子8
上の電極に圧着され(これを第1ボンドという)
次いでリード端子9に圧着され(これを第2ボン
ドという)た後リード端子9とキヤピラリー7の
間のワイヤーが水素炎により熔断され、1本のワ
イヤー10のボンデイングが完了する。リード端
子9と検出装置4の端子Bは接地されており、端
子Aとリード端子9の間に電圧を印加すればワイ
ヤー1に断線が起きない限りワイヤー1に電流が
流れ、断線の発生はこの電流の有無により検出さ
れる。電圧の印加は通常第2ボンド開始時から水
素炎による熔断までの間で行なわれ、キヤピラリ
ー7の動作と連動して印加されるようになつてい
る。
く、わずかの食い込みや引つ掛りがあつても容易
に折れ曲つたり断線したりする。このためスプー
ルへの巻き付けは整列1層巻きとするのが一般的
であつた。近年半導体素子の集積度が向上するに
従い素子1個当りのボンデイング数が増し、又ボ
ンダーの高速化が計られてきた。その結果1層巻
きのパツケージでは取り替え頻度が多過ぎるた
め、断線が多少増えてもワイヤーの長さを長くす
る利益を考慮して、ワイヤーを多層に巻き付けた
パツケージを用いるようになつた。しかしながら
ボンデイング作業中にワイヤーが不意に断線して
供給が停止してもボンダーが動き続けるとボンデ
イング不良の半導体装置を生産することになるの
で、これを防止するためボンダーに断線検出装置
を取付け、断線を早期に発見してボンダーを停止
し、オペレーターに警報を発するようにしてあ
る。第1図はこのような断線検出装置をを具えた
ボンダーの1例である。フアインワイヤー1を巻
き付けたスプール2は保持具3に着脱可能に取付
けられている。フアインワイヤー1の1端(巻き
始めの部分)は断線検出装置4の入力端子Aと導
線で接続された接続端子5に接続し、フアインワ
イヤー1の他の1端(巻き終りの部分)はガイド
6を通つてボンデイングキヤピラリー7に保持さ
れている。このようなボンダーは所謂ネイルヘツ
ドボンデイングを行なう装置であり、水素炎によ
る熔断で端部を球状とされたフアインワイヤーに
キヤピラリー7の動作によにり先ず半導体素子8
上の電極に圧着され(これを第1ボンドという)
次いでリード端子9に圧着され(これを第2ボン
ドという)た後リード端子9とキヤピラリー7の
間のワイヤーが水素炎により熔断され、1本のワ
イヤー10のボンデイングが完了する。リード端
子9と検出装置4の端子Bは接地されており、端
子Aとリード端子9の間に電圧を印加すればワイ
ヤー1に断線が起きない限りワイヤー1に電流が
流れ、断線の発生はこの電流の有無により検出さ
れる。電圧の印加は通常第2ボンド開始時から水
素炎による熔断までの間で行なわれ、キヤピラリ
ー7の動作と連動して印加されるようになつてい
る。
上記のような断線検出装置により断線を早期に
発見できるとしても断線の頻度が小さいことが望
ましいのは当然である。本考案者は先に従来の整
列多層巻きを第2図に示すようなクロス巻きに変
更することにより断線率を大幅に減少せしめるこ
とに成功している(実願昭54−55063)。所がクロ
ス巻きの場合は整列巻きに比べて最下層から引き
出せるワイヤーの長さが大変短かい。そのためワ
イヤー1の1端を接続端子5に接続する際誤つて
線を切つてしまうともはやワイヤーの引き出しが
不可能となり、そのパツケージが使用不能になつ
てしまう欠点があつた。
発見できるとしても断線の頻度が小さいことが望
ましいのは当然である。本考案者は先に従来の整
列多層巻きを第2図に示すようなクロス巻きに変
更することにより断線率を大幅に減少せしめるこ
とに成功している(実願昭54−55063)。所がクロ
ス巻きの場合は整列巻きに比べて最下層から引き
出せるワイヤーの長さが大変短かい。そのためワ
イヤー1の1端を接続端子5に接続する際誤つて
線を切つてしまうともはやワイヤーの引き出しが
不可能となり、そのパツケージが使用不能になつ
てしまう欠点があつた。
本考案の目的は上記従来のクロス巻パツケージ
の欠点を解消したフアインワイヤー供給用パツケ
ージを提供することにある。
の欠点を解消したフアインワイヤー供給用パツケ
ージを提供することにある。
本願考案者は鋭意研究の結果、この目的を達成
するため、胴部の1端又は両端にフランジを有し
且つ少なくとも一方のフランジの外周に溝が形成
されたスプールを用い、該フランジの溝にワイヤ
ーの一部が巻き付けられ、引き続きワイヤーの大
部分がスプールの胴部にクロス巻きで多層に巻き
付けられたことを特徴とする本考案のフアインワ
イヤー供給用パツケージを考案した。
するため、胴部の1端又は両端にフランジを有し
且つ少なくとも一方のフランジの外周に溝が形成
されたスプールを用い、該フランジの溝にワイヤ
ーの一部が巻き付けられ、引き続きワイヤーの大
部分がスプールの胴部にクロス巻きで多層に巻き
付けられたことを特徴とする本考案のフアインワ
イヤー供給用パツケージを考案した。
第3図〜第7図は本考案パツケージ用スプール
の具体例を示している。第3図のスプールは本考
案の代表例である。このスプールは円筒状の胴部
を有し、胴部両端にフランジを有する。該フラン
ジの一方は厚く、該フランジ外周に一本の溝が形
成されている。この溝は上記接続端子5に接続す
べきワイヤーを巻き付けておくためのものであ
る。溝の幅はあまり小さ過ぎるとワイヤーの巻き
付けが困難であり、又あまり広くする必要はな
く、0.5〜4mm程度が適当である。従つてフラン
ジの厚さはこのような溝の形成が可能な厚さであ
れば良い。溝の深さは0.5mm以上あれば充分であ
る。溝の数は少なくとも1本有れば良い。第3,
4,6,7図のスプールは厚肉円筒を切削加工す
ることにより、又第5図のスプールは薄肉円筒の
プレス加工により容易に得ることができる。
の具体例を示している。第3図のスプールは本考
案の代表例である。このスプールは円筒状の胴部
を有し、胴部両端にフランジを有する。該フラン
ジの一方は厚く、該フランジ外周に一本の溝が形
成されている。この溝は上記接続端子5に接続す
べきワイヤーを巻き付けておくためのものであ
る。溝の幅はあまり小さ過ぎるとワイヤーの巻き
付けが困難であり、又あまり広くする必要はな
く、0.5〜4mm程度が適当である。従つてフラン
ジの厚さはこのような溝の形成が可能な厚さであ
れば良い。溝の深さは0.5mm以上あれば充分であ
る。溝の数は少なくとも1本有れば良い。第3,
4,6,7図のスプールは厚肉円筒を切削加工す
ることにより、又第5図のスプールは薄肉円筒の
プレス加工により容易に得ることができる。
このようなスプールを用いる本考案のパツケー
ジは次のようにして得られる。即ち、フアインワ
イヤーの先端をフランジの任意の部分に接着・仮
留めした後上記溝にワイヤーを適当な長さだけ巻
き付け、次いでスプール胴部に第2図と同様にワ
イヤーの大部分をクロス巻きで巻き付けるのであ
る。溝へ巻き付けておくワイヤーの長さは数10cm
程度あれば充分である。
ジは次のようにして得られる。即ち、フアインワ
イヤーの先端をフランジの任意の部分に接着・仮
留めした後上記溝にワイヤーを適当な長さだけ巻
き付け、次いでスプール胴部に第2図と同様にワ
イヤーの大部分をクロス巻きで巻き付けるのであ
る。溝へ巻き付けておくワイヤーの長さは数10cm
程度あれば充分である。
本考案のパツケージによれば断線検出用の端子
5へフアインワイヤー1を接続する際誤つてワイ
ヤーを切つても更に接続を試みることが可能であ
り、大部分のワイヤーが残つているパツケージを
使用不能にしてしまうことを防止できる。
5へフアインワイヤー1を接続する際誤つてワイ
ヤーを切つても更に接続を試みることが可能であ
り、大部分のワイヤーが残つているパツケージを
使用不能にしてしまうことを防止できる。
本考案に用いるスプールの胴部は円筒状でも良
いが、わずかにエンタシス状であるのがより好ま
しい。
いが、わずかにエンタシス状であるのがより好ま
しい。
第1図は断線検出装置を具えたボンダーの説明
図;第2図は従来のクロス巻きにしたフアインワ
イヤー供給用パツケージの説明図;第3〜第7図
は本考案のフアインワイヤー供給用パツケージに
使用するスプールの具体例の説明図である。
図;第2図は従来のクロス巻きにしたフアインワ
イヤー供給用パツケージの説明図;第3〜第7図
は本考案のフアインワイヤー供給用パツケージに
使用するスプールの具体例の説明図である。
Claims (1)
- 長尺のフアインワイヤーをスプールに多層に巻
き付けたワイヤーボンデイングに供するためのフ
アインワイヤー供給用パツケージにおいて、該ス
プールは胴部の1端又は両端にフランジを有し、
且つ少なくとも1方のフランジの外周に溝が形成
されており、該フランジの溝にワイヤーの一部が
巻き付けられ、引き続きワイヤーの大部分が胴部
にクロス巻きで多層に巻き付けられていることを
特徴とするフアインワイヤー供給用パツケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981106602U JPS5812944U (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | フアインワイヤ−供給用パッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981106602U JPS5812944U (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | フアインワイヤ−供給用パッケ−ジ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5812944U JPS5812944U (ja) | 1983-01-27 |
JPS6236281Y2 true JPS6236281Y2 (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=29901069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1981106602U Granted JPS5812944U (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | フアインワイヤ−供給用パッケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5812944U (ja) |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP1981106602U patent/JPS5812944U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5812944U (ja) | 1983-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6662993B2 (en) | Bondhead lead clamp apparatus | |
JPH0951011A (ja) | 半導体チップのワイヤボンディング方法 | |
JPH0917819A (ja) | マイクロエレクトロニクス装置の製造における結線方法 | |
JPS6236281Y2 (ja) | ||
JPH0124932Y2 (ja) | ||
US6991147B2 (en) | Insulated bonding wire tool for microelectronic packaging | |
JPH04109531U (ja) | フアインワイヤー供給用パツケージ | |
US9793238B2 (en) | Copper wire and electrode joining method and joint structure | |
JPS608371Y2 (ja) | ヒュ−ジング用接続端子 | |
JPH0731479Y2 (ja) | 温度ヒューズ | |
JP2912128B2 (ja) | キャピラリおよびリードフレームならびにそれらを用いたワイヤボンディング方法 | |
JPH0222833A (ja) | 複合ボンディングワイヤのボール形成方法 | |
JPS6225489Y2 (ja) | ||
JPS5831406Y2 (ja) | ボンデイングワイヤの送給装置 | |
JP2682146B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH01273328A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6253599A (ja) | スピ−カ用ボイスコイル | |
JPS6116690Y2 (ja) | ||
JP2702182B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0749794Y2 (ja) | ワイヤレスボンデイング用金バンプ | |
JPS5917977B2 (ja) | ワイヤボンダ−におけるボ−ル形成方法 | |
JPH1027819A (ja) | ボンディングワイヤーの巻き取り方法 | |
JPH0244517Y2 (ja) | ||
JP2586679B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS6355728B2 (ja) |