JPS623604B2 - - Google Patents
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- JPS623604B2 JPS623604B2 JP26841885A JP26841885A JPS623604B2 JP S623604 B2 JPS623604 B2 JP S623604B2 JP 26841885 A JP26841885 A JP 26841885A JP 26841885 A JP26841885 A JP 26841885A JP S623604 B2 JPS623604 B2 JP S623604B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- amplifier
- emitter
- transistors
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は増幅回路に関し、特にバイポーラトラ
ンジスタを用いたプツシユプル型の増幅回路に関
する。
ンジスタを用いたプツシユプル型の増幅回路に関
する。
[従来の技術およびその問題点]
増幅回路は増幅出力における歪を最小にするこ
とが必要であるが、そのために負帰還を施して歪
を抑圧する方法が広く慣用されている。しかしな
がら、負帰還を施せば増幅度の低減は避けられ
ず、よつて所望の増幅度を得るには、多くの増幅
素子や増幅回路が必要となるばかりか、増幅回路
全体の安定度が悪くなつて発振を呈する危険性も
存在する。
とが必要であるが、そのために負帰還を施して歪
を抑圧する方法が広く慣用されている。しかしな
がら、負帰還を施せば増幅度の低減は避けられ
ず、よつて所望の増幅度を得るには、多くの増幅
素子や増幅回路が必要となるばかりか、増幅回路
全体の安定度が悪くなつて発振を呈する危険性も
存在する。
特に、増幅素子であるトランジスタにおいては
そのベース・エミツタ間の入出力特性が非直線性
を示すために、この非直線性を改善すべく大電流
を流したり、負帰還を施したりしているが、いず
れも好ましいものではなく、特に負帰還による解
決法は上述の欠点をそのまま有することになる。
そのベース・エミツタ間の入出力特性が非直線性
を示すために、この非直線性を改善すべく大電流
を流したり、負帰還を施したりしているが、いず
れも好ましいものではなく、特に負帰還による解
決法は上述の欠点をそのまま有することになる。
[問題点を解決するための手段]
本発明の目的は、増幅用トランジスタの非直線
歪を改善することの可能なプツシユプル型のトラ
ンジスタ増幅回路を提供することである。
歪を改善することの可能なプツシユプル型のトラ
ンジスタ増幅回路を提供することである。
本発明のプツシユプル型増幅回路は、ベースに
入力信号が印加された第1トランジスタとこの第
1トランジスタのエミツタ出力をベース入力とし
かつ第1トランジスタと逆導電型の第2トランジ
スタと更にこれらトランジスタに一定比の電流を
供給する手段とよりなる1つの増幅器と、この増
幅器の各トランジスタとコンプリメンタリな導電
型を有する相補対称型の同一構成の他の増幅器と
を設けて、両増幅器の初段トランジスタのベース
を同一入力信号にて駆動するようにし入力側又は
出力側トランジスタにそれぞれ流れる電流に基づ
いて所定負荷をフツシユプル駆動するようにした
ことを特徴としている。
入力信号が印加された第1トランジスタとこの第
1トランジスタのエミツタ出力をベース入力とし
かつ第1トランジスタと逆導電型の第2トランジ
スタと更にこれらトランジスタに一定比の電流を
供給する手段とよりなる1つの増幅器と、この増
幅器の各トランジスタとコンプリメンタリな導電
型を有する相補対称型の同一構成の他の増幅器と
を設けて、両増幅器の初段トランジスタのベース
を同一入力信号にて駆動するようにし入力側又は
出力側トランジスタにそれぞれ流れる電流に基づ
いて所定負荷をフツシユプル駆動するようにした
ことを特徴としている。
[発明の実施例]
以下本発明を図を用いて説明する。
第1図は本発明の原理を説明する回路図であ
り、第1の増幅器1と、この増幅器と相補対称な
第2の増幅器2とよりなつている。第1の増幅器
1はエミツタフオロワ構成のPNPトランジスタQ
1のエミツタ出力をベース入力とするNPNトラ
ンジスタQ2を有し、このトランジスタQ2のエ
ミツタはエミツタ抵抗R1を介して負電源−B3
へ接続される。入力トランジスタQ1のコレクタ
は負電源−B2へ直結される。そして両トランジ
スタQ1,Q2へそれぞれ一定の電流I1とI2
を供給すべく例えばカレントミラー回路3が設け
られている。
り、第1の増幅器1と、この増幅器と相補対称な
第2の増幅器2とよりなつている。第1の増幅器
1はエミツタフオロワ構成のPNPトランジスタQ
1のエミツタ出力をベース入力とするNPNトラ
ンジスタQ2を有し、このトランジスタQ2のエ
ミツタはエミツタ抵抗R1を介して負電源−B3
へ接続される。入力トランジスタQ1のコレクタ
は負電源−B2へ直結される。そして両トランジ
スタQ1,Q2へそれぞれ一定の電流I1とI2
を供給すべく例えばカレントミラー回路3が設け
られている。
このミラー回路は図のように互いにベースが共
通されたPNPトランジスタQ3,Q4と各エミツ
タ抵抗R2,R3より成り、トランジスタQ4は
ダイオード接続されている。抵抗R2,R3の選
定によりトランジスタQ1,Q2への供給電流比 I1/I2を1/α(αは一定)なる所望の値に設定
しうる。そして本例においてはトランジスタQ4
のエミツタ抵抗R2の両端電圧を出力Vout1とし
ている。
通されたPNPトランジスタQ3,Q4と各エミツ
タ抵抗R2,R3より成り、トランジスタQ4は
ダイオード接続されている。抵抗R2,R3の選
定によりトランジスタQ1,Q2への供給電流比 I1/I2を1/α(αは一定)なる所望の値に設定
しうる。そして本例においてはトランジスタQ4
のエミツタ抵抗R2の両端電圧を出力Vout1とし
ている。
第1の増幅器1とコンプリメンタリな第2の増
幅器はトランジスタQ5〜Q8の各々がトランジ
スタQ1〜Q4の各々に対して相補型の素子とな
つており、各素子の接続構成は増幅器1と全く同
等である。そしてトランジスタQ7,Q8とエミ
ツタ抵抗R5,R6とにより電流供給手段として
のカレントミラー回路4が構成されてトランジス
タQ5,Q6への電流I3,I4の比を同様に設
定している。
幅器はトランジスタQ5〜Q8の各々がトランジ
スタQ1〜Q4の各々に対して相補型の素子とな
つており、各素子の接続構成は増幅器1と全く同
等である。そしてトランジスタQ7,Q8とエミ
ツタ抵抗R5,R6とにより電流供給手段として
のカレントミラー回路4が構成されてトランジス
タQ5,Q6への電流I3,I4の比を同様に設
定している。
かかる構成において、第1の増幅器1について
考察する。トランジスタQ1,Q2のベース・エ
ミツタ間電圧をVbe1,Vbe2とすると次式が成立
する。
考察する。トランジスタQ1,Q2のベース・エ
ミツタ間電圧をVbe1,Vbe2とすると次式が成立
する。
I2=(Vin+VBE1
−Vbe2+B3)/R1 ……(1)
ここで、一般にトランジスタのコレクタ電流Ic
とVbeとの関係は次式で表わされる。
とVbeとの関係は次式で表わされる。
Vbe=kT/q
×ln(Ic/Is+1) ……(2)
ここにqは電子負荷、kはボルツマン定数、T
は絶対温度、Isはベース・エミツタ間逆方向飽和
電流である。よつて(1)式中の(Vbe1−Vbe2)は
(2)式より次式となる。
は絶対温度、Isはベース・エミツタ間逆方向飽和
電流である。よつて(1)式中の(Vbe1−Vbe2)は
(2)式より次式となる。
Vbe1−Vbe2=k/q
{T1 ln(I1/Is1+1)
−T2 ln(αI1/Is2+1)} ……(3)
ここにT1はQ1のベース・エミツタ接合部温
度、T2はQ2のベース・エミツタ接合部温度で
ある。またIsはトランジスタ固有の定数であるか
ら Is2=βIs1とおくことができ(βは一定)、更
にIsは極めて小であつてコレクタ電流を十分流し
ておけばIc/Is≫1が成立するから次式が得られ
る。
度、T2はQ2のベース・エミツタ接合部温度で
ある。またIsはトランジスタ固有の定数であるか
ら Is2=βIs1とおくことができ(βは一定)、更
にIsは極めて小であつてコレクタ電流を十分流し
ておけばIc/Is≫1が成立するから次式が得られ
る。
Vbe1−Vbe2=k/q
×{T1 ln(I1/Is1)
−T2 ln(αI1/βIs1)} ……(4)
(4)式においてトランジスタのジヤンクシヨン温
度を一定とすれば Vbe1−Vbe2 =kT/q×ln(β/α) ……(5) となり、この(5)式は一定なるがこれをγとおけば
(1)式は次のようになる。
度を一定とすれば Vbe1−Vbe2 =kT/q×ln(β/α) ……(5) となり、この(5)式は一定なるがこれをγとおけば
(1)式は次のようになる。
I2=(Vin+B3+γ)/R1 ……(6)
よつて出力Vout1は次式で示される。
Vout1=I2 R2
=R2/R1(Vin+B3+γ) ……(7)
第2の増幅器2についても同様に下式で成立す
る。
る。
Vout2=R5/R4(Vin+B3+γ) ……(8)
ここで、R1=R4,R2=R5としてこれら両増幅
器の出力Vout1,Vout2を適当な方法で合成して
負荷をプツシユプル駆動するようにすればプツシ
ユプル増幅回路全体の利得は各増幅器単体の利得
(R2/R1=R5/R4)の2倍となりかつトランジ
スタのVbeに全く無関係となつて歪が抑圧される
ことになる。更にプツシユプル構成においては周
知のように偶数次高調波歪が低減されるからより
一層の歪の改善が可能となる。すなわち、各増幅
器単体構成では、(7)又は(8)式に示すようにVbeに
無関係となつてはいるが実際にはトランジスタの
特性上のバラツキやベース電流の相異等により未
だ完全な歪の抑圧は図れないが、本例のようにプ
ツシユプル構成とすることによつてより完全な歪
の低減が可能となる。
器の出力Vout1,Vout2を適当な方法で合成して
負荷をプツシユプル駆動するようにすればプツシ
ユプル増幅回路全体の利得は各増幅器単体の利得
(R2/R1=R5/R4)の2倍となりかつトランジ
スタのVbeに全く無関係となつて歪が抑圧される
ことになる。更にプツシユプル構成においては周
知のように偶数次高調波歪が低減されるからより
一層の歪の改善が可能となる。すなわち、各増幅
器単体構成では、(7)又は(8)式に示すようにVbeに
無関係となつてはいるが実際にはトランジスタの
特性上のバラツキやベース電流の相異等により未
だ完全な歪の抑圧は図れないが、本例のようにプ
ツシユプル構成とすることによつてより完全な歪
の低減が可能となる。
第2図は本発明の一実施例を示す回路図であ、
第1図と同等部分は同一符号にて示されている。
この第2図においは、入力段のトランジスタQ
1,Q5の各ベースにベースバイアス電流E3及
びE4更には入力抵抗R12をそれぞれ設けて、
これら両トランジスタQ2,Q3のエミツタ抵抗
R1,R4を共通接続して、この共通接続点をプ
ツシユプル出力端としたものである。尚、電流ミ
ラー回路3,4において付加されたPNPトランジ
スタQ13とNPNトランジスタQ14とは、カ
レントミラー出力の精度向上を計つて各トランジ
スタQ1,Q2,Q7,Q8への供給電流の比を
正確に一定として各トランジスタのVbeの歪の除
去をより完全とするためのものである。
第1図と同等部分は同一符号にて示されている。
この第2図においは、入力段のトランジスタQ
1,Q5の各ベースにベースバイアス電流E3及
びE4更には入力抵抗R12をそれぞれ設けて、
これら両トランジスタQ2,Q3のエミツタ抵抗
R1,R4を共通接続して、この共通接続点をプ
ツシユプル出力端としたものである。尚、電流ミ
ラー回路3,4において付加されたPNPトランジ
スタQ13とNPNトランジスタQ14とは、カ
レントミラー出力の精度向上を計つて各トランジ
スタQ1,Q2,Q7,Q8への供給電流の比を
正確に一定として各トランジスタのVbeの歪の除
去をより完全とするためのものである。
本実施例においては、増幅利得は各段がエミツ
タフオロワのために“1”であるが、B級プツシ
ユプルとして使用した場合において、Vbeの歪に
よる非直線性が全くないから、クロスオーバ歪が
生じない利点がある。
タフオロワのために“1”であるが、B級プツシ
ユプルとして使用した場合において、Vbeの歪に
よる非直線性が全くないから、クロスオーバ歪が
生じない利点がある。
即ち、トランジスタQ2に流れる電流I2は、
I2=1/(R1+R4)・(E3+E4
+Vbe1−Vbe2+Vbe5−Vbe6) ……(9)
となり、(5)式より、Vbe1−Vbe2=γ1、Vbe5−
Vbe6=γ2(γ1,γ2は定数) とおくと、電流I2は、 I2=1/(R1+R4) ・(E3+E4+γ1+γ2)=一定 ……(10) となる。従つて、出力Voutは、 Vout=Vin+E3+Vbe1 −Vbe2−R1 I2 =Vin+E3+γ1−R1 I2 =Vin+γ3 (γ3=E3+γ1−R1 I2=一定) ……(11) となり、歪のない出力電圧が得られる。
Vbe6=γ2(γ1,γ2は定数) とおくと、電流I2は、 I2=1/(R1+R4) ・(E3+E4+γ1+γ2)=一定 ……(10) となる。従つて、出力Voutは、 Vout=Vin+E3+Vbe1 −Vbe2−R1 I2 =Vin+E3+γ1−R1 I2 =Vin+γ3 (γ3=E3+γ1−R1 I2=一定) ……(11) となり、歪のない出力電圧が得られる。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、トランジスタの
ベース・エミツタ間電圧による歪が低減できると
共に、偶数次高調波歪もなくすことができるか
ら、一般のプツシユプル回路に比較して著しい歪
の抑圧が可能となるものである。
ベース・エミツタ間電圧による歪が低減できると
共に、偶数次高調波歪もなくすことができるか
ら、一般のプツシユプル回路に比較して著しい歪
の抑圧が可能となるものである。
尚、上記の各実施例においては、各トランジス
タへの電流供給のためにカレントミラー回路を用
いたが、これに限定されるものではなく、カレン
トミラー回路と同等機能を有する回路構成を用い
ることができる。
タへの電流供給のためにカレントミラー回路を用
いたが、これに限定されるものではなく、カレン
トミラー回路と同等機能を有する回路構成を用い
ることができる。
第1図は本発明の原理を説明する回路図、第2
図は本発明の一実施例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、1……第1の増幅器、
2……第2の増幅器、3,4……カレントミラー
回路。
図は本発明の一実施例を示す回路図である。 主要部分の符号の説明、1……第1の増幅器、
2……第2の増幅器、3,4……カレントミラー
回路。
Claims (1)
- 1 ベースに入力信号が印加された第1トランジ
スタとこの第1トランジスタのエミツタ出力をベ
ース入力としエミツタに抵抗が接続されかつ前記
第1トランジスタと逆導電型の第2トランジスタ
と更にこれら第1及び第2トランジスタに一定比
の電流を供給する手段とよりなる第1の増幅器
と、ベースに前記入力信号が印加され前記第1ト
ランジスタと逆導電型である第3トランジスタと
この第3トランジスタのエミツタ出力をベース入
力としエミツタに抵抗が接続されかつ前記第3ト
ランジスタと逆導電型の第4トランジスタと更に
これら第3及び第4トランジスタに一定比の電流
を供給する手段とよりなる第2の増幅器とを含
み、前記第2及び第4トランジスタの各エミツタ
抵抗を共通接続して、その接続点に負荷を接続し
たプツシユプル型増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26841885A JPS61142810A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | プツシユプル型増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26841885A JPS61142810A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | プツシユプル型増幅回路 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12164679A Division JPS5646311A (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Push-pull type amplifying circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142810A JPS61142810A (ja) | 1986-06-30 |
| JPS623604B2 true JPS623604B2 (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=17458207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26841885A Granted JPS61142810A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | プツシユプル型増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61142810A (ja) |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26841885A patent/JPS61142810A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61142810A (ja) | 1986-06-30 |
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