JPS623564A - 読み取り装置 - Google Patents
読み取り装置Info
- Publication number
- JPS623564A JPS623564A JP14269785A JP14269785A JPS623564A JP S623564 A JPS623564 A JP S623564A JP 14269785 A JP14269785 A JP 14269785A JP 14269785 A JP14269785 A JP 14269785A JP S623564 A JPS623564 A JP S623564A
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- thin film
- original
- forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・産業上の利用分野）
本発明は、例えばファクシミリ装置の小型化を四指した
もので、実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電
変換素子アレイを配置した密着型イメージセンヅなどの
読み取シ装置に関するものである。
もので、実質上原稿と寸法的に１：１に対応させた光電
変換素子アレイを配置した密着型イメージセンヅなどの
読み取シ装置に関するものである。
（先行技術）
フアツジＥ ＩＪ用の密着型読み収り装置には原稿から
の反射光を集束性ロッド・レンズ・アレイを通して検知
する型式の他、このアレイを使わずに優れた光量伝達率
、小型化を達成することが種々検討されており、本発明
者等は以下のような装置を提案した。
の反射光を集束性ロッド・レンズ・アレイを通して検知
する型式の他、このアレイを使わずに優れた光量伝達率
、小型化を達成することが種々検討されており、本発明
者等は以下のような装置を提案した。
即ち、第１図は集束性ロッド・レンズ・アレイを使わな
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法的に実質上１：１に対応させた光検知部２が原稿
１に密着され、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３
が原稿１を投光し、反射光を光検知部２で受光するもの
である。
い密着型読み取り系の構成を示す斜視図であり、原稿１
と寸法的に実質上１：１に対応させた光検知部２が原稿
１に密着され、けい光灯、発光ダイオード等の発光源３
が原稿１を投光し、反射光を光検知部２で受光するもの
である。
第２図は第１図中、光検知部２の一例を詳細に示す要部
概略図であり、第３図は第２図中、ｘ−ｘ切断線によっ
て示される断面図である。
概略図であり、第３図は第２図中、ｘ−ｘ切断線によっ
て示される断面図である。
第２図及び第３図において、光透過性の透明材料、例え
ばガラスなどから成る基板４上には、共通電極Ｐｌ、Ｐ
２が間隔を設けて形成される。
ばガラスなどから成る基板４上には、共通電極Ｐｌ、Ｐ
２が間隔を設けて形成される。
共通電極Ｐ１．Ｐ２は、クロムやアルミニウムなどが蒸
着されて形成される。共通電極Ｐ１゜Ｐ２上には、フォ
トダイオードを形成するためのアモルファスシリコン半
導体などの光導電体５が形成される。光導電体Ｓ上には
、スズーインジクム酸化物などのような光透過性の透明
な材料から成る透明電極６がスパッタ又は真空蒸着によ
り形成される。透明電極６＃′ｉフオトダイオードに個
別的に形成される。この透明電極６には、引出し電！Ｉ
ｉ７が個別的に接続される。引出し電極７は、クロムや
アルミニタムなどが蒸発されて形成される。最上部には
、光透過性の透明な材料、例えばガラスなどから成る保
護層８が形成される。
着されて形成される。共通電極Ｐ１゜Ｐ２上には、フォ
トダイオードを形成するためのアモルファスシリコン半
導体などの光導電体５が形成される。光導電体Ｓ上には
、スズーインジクム酸化物などのような光透過性の透明
な材料から成る透明電極６がスパッタ又は真空蒸着によ
り形成される。透明電極６＃′ｉフオトダイオードに個
別的に形成される。この透明電極６には、引出し電！Ｉ
ｉ７が個別的に接続される。引出し電極７は、クロムや
アルミニタムなどが蒸発されて形成される。最上部には
、光透過性の透明な材料、例えばガラスなどから成る保
護層８が形成される。
共通電極ＰＩ、Ｐ２、光導電体５及び透明電極６には光
通過孔９が形成される。基板４の背後には、発光源とし
ての蛍光灯１０が配置される。保護層８の上方にＩｆ′
ｉ原稿１１が配置される。
通過孔９が形成される。基板４の背後には、発光源とし
ての蛍光灯１０が配置される。保護層８の上方にＩｆ′
ｉ原稿１１が配置される。
蛍光灯１０からの光は基板４、保護層８を経て、原稿１
１に照射し、その反射光は光通過孔９付近の透明電極６
を透過し、光導電体５によって受光される。光通過孔９
は原稿１１の幅方向、即ち蛍光灯１０の軸線方向に沿っ
て間隔をあけて配置きれる。基板４上にはシフトレジス
タなどの集積回路が搭載される。
１に照射し、その反射光は光通過孔９付近の透明電極６
を透過し、光導電体５によって受光される。光通過孔９
は原稿１１の幅方向、即ち蛍光灯１０の軸線方向に沿っ
て間隔をあけて配置きれる。基板４上にはシフトレジス
タなどの集積回路が搭載される。
（問題点）
しかしながら、光検知部２の原稿と当接する部分、即ち
、保護層８にはＳ ｉｏ２、Ｔａｌ！Ｏｓ 、５ｉａＮ
ａ等が使用され、主としてプラズマＣＶＤやスパッタリ
ングなどの薄膜形成技術により形成されているが、長期
間に亘って使用すると原稿中の硬い混入異物粒子や原稿
表面の硬い吸着異物粒子により、徐々に複数条の傷跡が
微視的に又は巨視的に発生して原稿に対する入射光及び
原稿からの反射光が光散乱を招く恐れがある。これによ
り、読み取り信号強度の低下及びバラツキが生じると考
えられ、読みｌＩＸシ画像の鮮明度が劣化する恐れが生
じる。
、保護層８にはＳ ｉｏ２、Ｔａｌ！Ｏｓ 、５ｉａＮ
ａ等が使用され、主としてプラズマＣＶＤやスパッタリ
ングなどの薄膜形成技術により形成されているが、長期
間に亘って使用すると原稿中の硬い混入異物粒子や原稿
表面の硬い吸着異物粒子により、徐々に複数条の傷跡が
微視的に又は巨視的に発生して原稿に対する入射光及び
原稿からの反射光が光散乱を招く恐れがある。これによ
り、読み取り信号強度の低下及びバラツキが生じると考
えられ、読みｌＩＸシ画像の鮮明度が劣化する恐れが生
じる。
（発明の目的）
本発明は叙上に鑑みて完成されたものであり、その目的
は長期間に亘って読み取シ信号強度の低下及びバラツキ
を防止して読み収り画像の鮮明度を維持しつつ無駄のな
い照明と忠実な画像の読み取りを可能とし、信頼性を向
上させた読み取り装置を提供することにある。
は長期間に亘って読み取シ信号強度の低下及びバラツキ
を防止して読み収り画像の鮮明度を維持しつつ無駄のな
い照明と忠実な画像の読み取りを可能とし、信頼性を向
上させた読み取り装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、発光源が原稿を投光して該Ｗ、槁から
の反射光を、原稿と寸法的に実質上１：１に対応させた
検知部で受光するようにした読み取り装置において、前
記検知部の原稿との当接部をダイヤモンド状薄膜により
形成したことを特徴とする読み取り装置が提供される。
の反射光を、原稿と寸法的に実質上１：１に対応させた
検知部で受光するようにした読み取り装置において、前
記検知部の原稿との当接部をダイヤモンド状薄膜により
形成したことを特徴とする読み取り装置が提供される。
本発明者等は原稿との当接部、即ち例えば保護層にダイ
ヤモンド状薄膜を用いると長期間使用しても保護層表面
に全く傷跡が発生せず、優れた透光性保護層材料と成り
得ることを知見した。
ヤモンド状薄膜を用いると長期間使用しても保護層表面
に全く傷跡が発生せず、優れた透光性保護層材料と成り
得ることを知見した。
ダイヤモンド状薄膜は低圧気相合成技術の進歩により形
成できるようになり、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
イオンビーム法、スパッタリング法、ＥＣＲ法（電子サ
イクロトロン共鳴）などが提案されている。本発明はか
がる技術を用いて光検知部の原稿との当接部にダイヤモ
ンド状薄膜を形成したことに特徴がある。この薄膜は透
光性と共に高硬度特性を有しており、ビッカース硬度約
９０００ ｋｆＩＡ−にまで到達することができた。因
に、Ｓｉ３Ｎ４膜やＳｉＣ膜では１７００〜２７００ｋ
ｙｆ／ｍｊ程度である。
成できるようになり、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
イオンビーム法、スパッタリング法、ＥＣＲ法（電子サ
イクロトロン共鳴）などが提案されている。本発明はか
がる技術を用いて光検知部の原稿との当接部にダイヤモ
ンド状薄膜を形成したことに特徴がある。この薄膜は透
光性と共に高硬度特性を有しており、ビッカース硬度約
９０００ ｋｆＩＡ−にまで到達することができた。因
に、Ｓｉ３Ｎ４膜やＳｉＣ膜では１７００〜２７００ｋ
ｙｆ／ｍｊ程度である。
次に本発明の実施例を示す。
第４図は本発明の読み取り装置であり、第２図中ｘ−ｘ
ｇ′Ｊ断線によって示される断面図に相応する。尚、第
３図と同一箇所には同一符号が付しである。
ｇ′Ｊ断線によって示される断面図に相応する。尚、第
３図と同一箇所には同一符号が付しである。
第２図及び第４図によシ示される装置によれば、光透過
性基板４上に共通電極ＰＩ、Ｐ２が間隔を設けて形成さ
れ、その上にフォトダイオードを形成するための光導電
体５が形成され、更にその上に透明電極６が形成される
。透明型！ｊｉ６は各フォトダイオードに個別的に形成
されて、それぞれ引出し電極７が接続される。
性基板４上に共通電極ＰＩ、Ｐ２が間隔を設けて形成さ
れ、その上にフォトダイオードを形成するための光導電
体５が形成され、更にその上に透明電極６が形成される
。透明型！ｊｉ６は各フォトダイオードに個別的に形成
されて、それぞれ引出し電極７が接続される。
本発明における保護層を形成するに際して、プラズマＣ
ＶＤやスパッタリングなどの薄膜形成技術により５ｉ０
２、Ｔａ２０５、Ｓｉ３Ｎ４等から選ばれる材料から成
る下部保護層１２を形成し、更にその上にダイヤモンド
状薄膜１３をプラズマＣＶＤ法により形成した。
ＶＤやスパッタリングなどの薄膜形成技術により５ｉ０
２、Ｔａ２０５、Ｓｉ３Ｎ４等から選ばれる材料から成
る下部保護層１２を形成し、更にその上にダイヤモンド
状薄膜１３をプラズマＣＶＤ法により形成した。
かくして得られた読み取り装置を長期間に亘って使用し
ても何ら傷跡が発生せず、又、意図的に金属片や微小な
鉱物を原稿と一緒に送って光検知部に接触させても保護
膜に何ら傷が発生しなかった。
ても何ら傷跡が発生せず、又、意図的に金属片や微小な
鉱物を原稿と一緒に送って光検知部に接触させても保護
膜に何ら傷が発生しなかった。
また、他の実施例として下部保護層を形成しないで光電
変換素子に直接ダイヤモンド状薄膜を形成してもよい。
変換素子に直接ダイヤモンド状薄膜を形成してもよい。
（発明の効果）
以上の通り、本発明の読み取り装置は原稿との摺接によ
る傷がなく、長期間に亘って使用−しても読み取り信号
強度の低下及びバラツキが生じなく、読み取り画像の鮮
明度を維持し之長期信頼性の読み！Ｘ！ｌｌ装置が提供
できた。
る傷がなく、長期間に亘って使用−しても読み取り信号
強度の低下及びバラツキが生じなく、読み取り画像の鮮
明度を維持し之長期信頼性の読み！Ｘ！ｌｌ装置が提供
できた。
また、光電変換素子の保護作用は一段と向上したため、
対物衝突があっても何ら傷が発生することもなく読み収
り性能を阻害する要因に対しても十分対応することがで
きる。
対物衝突があっても何ら傷が発生することもなく読み収
り性能を阻害する要因に対しても十分対応することがで
きる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等
は何ら差支えない。
明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等
は何ら差支えない。
第１図はファクシミリ装置の集束性ロッド・レンズ・ア
レイを使わない読み取り系を示す斜視図、第２図は光検
知部の一例を示す要部概略図、第３図は従来例を示す第
２図の断面図、第４図は本発明の実施例を示す第２図の
断面図である。 １．１１・・・・・原稿、２・・・・・光検知部、４・
・・・・基板、５・・・・光導電体、６・・・−・透明
電極、８・・・保護層、１２・・・・下部保護層、１３
・ ダイヤモンド状薄膜。
レイを使わない読み取り系を示す斜視図、第２図は光検
知部の一例を示す要部概略図、第３図は従来例を示す第
２図の断面図、第４図は本発明の実施例を示す第２図の
断面図である。 １．１１・・・・・原稿、２・・・・・光検知部、４・
・・・・基板、５・・・・光導電体、６・・・−・透明
電極、８・・・保護層、１２・・・・下部保護層、１３
・ ダイヤモンド状薄膜。
Claims (1)
- 発光源が原稿を投光して該原稿からの反射光を、原稿と
寸法的に実質上１：１に対応させた検知部で受光するよ
うにした読み取り装置において、前記検知部の原稿との
当接部をダイヤモンド状薄膜により形成したことを特徴
とする読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14269785A JPS623564A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14269785A JPS623564A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 読み取り装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623564A true JPS623564A (ja) | 1987-01-09 |
Family
ID=15321440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14269785A Pending JPS623564A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS623564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0313381A2 (en) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14269785A patent/JPS623564A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0313381A2 (en) * | 1987-10-21 | 1989-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image sensor |
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