JPS6235498U - - Google Patents

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JPS6235498U
JPS6235498U JP12249785U JP12249785U JPS6235498U JP S6235498 U JPS6235498 U JP S6235498U JP 12249785 U JP12249785 U JP 12249785U JP 12249785 U JP12249785 U JP 12249785U JP S6235498 U JPS6235498 U JP S6235498U
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JP
Japan
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memory device
external memory
ground
power line
semiconductor memory
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JP12249785U
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【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は各々この考案の一実施例によ
る外部メモリ装置において用いられるプリント基
板の部品面および裏面を示す図、第3図は同外部
メモリ装置の回路図、第4図は上記プリント基板
の接続子と信号名との関係を示す図、第5図はパ
ターンp2,p3の他の形成例を示す図である。 m……RAM(半導体メモリ素子)、PK……
プリント基板、s1〜s34……接続子、p1,
p2……アースライン用パターン、p3……銅箔
パターン。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体メモリ素子と、この半導体メモリ素
    子が取り付けられた基板と、前記基板に設けられ
    た接続子と、前記基板に設けられ前記接続子と前
    記半導体メモリ素子のピンとを接続する接続用パ
    ターンとを有し、前記接続子を介して電子機器本
    体に着脱自在に取り付けられる外部メモリ装置に
    おいて、前記基板の前記接続用パターンに近接し
    てアースまたは電源ライン用パターンを配置して
    なる外部メモリ装置。 (2) 前記接続用パターンと前記アースまたは電
    源ライン用パターンとの間の距離をほぼ0.1〜
    1mmとしたことを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第1項記載の外部メモリ装置。 (3) 前記半導体メモリ素子の周囲に前記アース
    または電源ライン用パターンを配置してなる実用
    新案登録請求の範囲第1項または第2項記載の外
    部メモリ装置。 (4) 前記接続用パターンと、前記アースまたは
    電源ライン用パターンの各対抗部の形状を突起状
    としてなる実用新案登録請求の範囲第1項〜第3
    項のいずれかの項記載の外部メモリ装置。 (5) 前記接続用パターンに直列に抵抗を挿入し
    てなる実用新案登録請求の範囲第1項〜第4項の
    いずれかの項記載の外部メモリ装置。
JP12249785U 1985-08-09 1985-08-09 Pending JPS6235498U (ja)

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JP12249785U JPS6235498U (ja) 1985-08-09 1985-08-09

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JP12249785U JPS6235498U (ja) 1985-08-09 1985-08-09

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JPS6235498U true JPS6235498U (ja) 1987-03-02

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JP12249785U Pending JPS6235498U (ja) 1985-08-09 1985-08-09

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JP (1) JPS6235498U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0467464U (ja) * 1990-10-24 1992-06-15

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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