JPS6234262A - 不揮発性メモリアクセス方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は書き込み可能な不揮発性メモリの書き込み読み
出しを行う不揮発性メモリアクセス方式％式％ ［従来の技術］ 昨今の電子技術の発達はめざましいものがあり、特にＩ
Ｃやメモリの高集積化等により極めて低価格で高性能の
電子機器、例えばパーソナルコンピュータ、ワードプロ
セッサ、プリンタ等が実現されるようになった。

一方それに伴って、これらの電子機器が様々な分野に普
及し、それらの使われ方も各ユーザーの使用形態に応じ
て極めて多様化しつつある。

そのため、１つの電子機器に多種の機能が凝縮され、各
々のユーザが使用する際にはこれら多種の機能のうちか
ら所望の機能・動作方式を複雑な操作で選択してから実
際の動作を行わせるようにした機器も多く汗及している
。

そこで、機器内部にいわゆるＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｉｃＥｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａ＋ｍａｂｌｅ　
Ｒｅｅｄ　０ｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）等の不揮発性メモ
リを持ち、機器の各種の動作パラメータ（例えばプリン
タの印字文字ピッチ等）を同メモリ中に記憶しておくこ
とによって、電源投入後のオペレータ操作を簡略化させ
た機器も実現されるようになった。然しながら、従来の
この種の機器の場合、マイクロプロセッサ等がたまたま
この不揮発性メモリの、あるアドレスの内容を書きかえ
ようとしているタイミングの時に、オペレータがこの機
器の電源を遮断してしまうと、そのアドレスの内容が正
しく書きかえられずに全く別のデータとなってしまい、
その結果、その後電源を投入した際にこれまでとは全く
異なる動作モードで動き出してしまうという欠点があっ
た。

［発明が解決しようとする問題点］ そこで本発明はＬ記従米の欠点に鑑みなされたもので、
例えば不揮発性メモリの書き込み中に電源が遮断されて
メモリの内容を破壊しても、電源再投入後にそれを検知
できるようにした不揮発性メモリアクセス方式を提供す
ることにある。

［問題点を解決するための手段］ この問題を解決する一手段として、例えば第１図に示す
実施例の不揮発性メモリアクセス方式は、ＣＰＵｌ０と
メモリ内部にデータ領域１５と書込みフラグＦ１６を備
えた不揮発性メモリ１３を備える。

［作用］ かかる第１図の構成において、ＣＰＵｌ０は不揮発性メ
モリ１３へのデータ書き込み時は、フラグＦ１６をオン
にして、不揮発性メモリ１３の読み出し時には前記フラ
グＦ１６を参照して記憶されていたデータの判定を行う
。

［実施例Ｊ 以下、添付図面に従って本発明の実施例を詳細に説明す
る。

［不揮発性メモリを内蔵した機器および不揮発性メモリ
のデータ構造の説明（第１図）］第１図は本発明の一実
施例の不揮発性メモリを有する電子機器の構造の一部を
示すブロック図である。

ＣＰＵｌ０は例えばマイクロプロセッサ等のＣＰＵで、
機器全体の動作を制御するものであり、データバス１４
を介して各種メモリやＩ１０デバイスとデータのやりと
りを行う。

ＲＯＭＩＩは、ＣＰＵｌ０の制御プログラムや各種の固
定的なテーブル等を記憶した読み出し専用メモリであり
、またＲＡＭ１２はＣＰＵｌ０が動作する際に、一時的
に各種データを記憶させ随時読み出しするための書きか
え可能メモリであって、機器の電源が遮断されるとその
内容が破壊されてしまう、いわゆる揮発性メモリである
。

不揮発性メモリ１３は機器の動作状態や手順等を決める
パラメータ、半固定のテーブル等を記憶させるためのメ
モリであって、機器の電源が遮断されてもその内容が保
持可能なものである。いわゆるＥＥＰＲＯＭ、ＮＶＲＡ
Ｍ（Ｎｏｎ　Ｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃ
ｅｓｓＭｅ濡０「りと称される素子、又はバッテリーバ
ックアップされたＲＡＭ等がこの種の不揮発性メモリに
属する。

本実施例では不揮発性メモリ１３のあるアドレス（例え
ば先頭又は１１）後尾のアドレス）に書込みフラグＦ１
６を設け、それ以外のメモリー領域は全て通常のデータ
領域１５として使用する。書込みフラグＦ１６は、通常
は°°０゛′が保持され、データ書込み前後の期間中の
み”１°°が３込まれるフラグであって、そのセット／
リセットのｆ順を第２図、第３図のフローチャートに示
す。

［不揮発性メモリへのデータ書き込み動作説明（第２図
）］ 第２図はＲＯＭＩ　１に格納されたＣＰＵｌ０が不揮発
性メモリ１３に、あるデータを書き込む際のプログラム
のフローチャートを示す。

まずステップＳ２０で書込みフラグＦ１６に”１”をセ
ットする。続いてステップＳ２１で、データ領域１５の
所望のアドレスに所望のデータを書込む。ステップＳ２
２で書込みが終了すると、古込みフラグＦ１６に°゛０
゛を書込んで元の状態に戻してから一連の占込みシーケ
ンスが終了する。

従って、占き込みステップ中に機器の電源が遮断される
と、書き込み実行中のブロック内のデータ領域１５は不
定となり得るが、書込みフラグＦ１６が°°１°゛のま
まであるため、書込みフラグＦ１６をみて書込み異常が
発生したと判断できる。

［不揮発性メモリのチェック動作説明 （第１図）（第３図）］ 第３図はＲＯＭＩ　１に格納されている電源投入時、Ｃ
ＰＵが不揮発性メモリ１３のデータをチェックするプロ
グラムのフローチャートを示したものである。　まずス
テップＳ３０で不揮発性メモリ１３の書込みフラグＦ１
６を読出し、ステップＳ３１でフラグＦの内容を判断し
、”ｏ’″ならば異常なしとして特に何もせずに本チェ
ックルーチンを抜ける。

フラグＦ１６が°′０゛°でなければ、前回の電源遮断
が不揮発性メモリへのデータ書込み中に行なわれたもの
として、ステップＳ３２に進みエラー処理を行なう。

エラー処理操作では、通常はオペレータに対して不揮発
性メモリの内容が異常となった旨のメツセージを表示し
、再書込みが行われる。

このように書込６中フラグＦ１６を使うことによって、
不揮発性メモリ内のデータが正常であるか否かを判断す
ることができる。

以上の読み出し及び修正アルゴリズムにより、万一不揮
発性メモリのいずれかのアドレスに不定データが古き込
まれてしまっていても、エラーの利足を行なうことがで
きる。

本発明を実現する手段としては、以上に述べた実施例に
限定されるものではなく、他の構成にても同様の効果を
得ることができる。

なお本実施例では電源断による異常発生について述べた
がこれに限定されるものでなく、例えばノイズ等による
異常ＮＪ込みの場合などにも適用可能なことはもちろん
である。

またメモリのチェックは電源投入時に限定されるもので
なく、例えばメモリの最初の読出し時に実行してもよい
。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、万一不揮発性メモリ
の書き込み動作中に異常データが書き込まれてしまって
も、それを検知することが可能になるという効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例の不揮発性メモリの内部構造及び不揮
発性メモリを有する電子機器の一部を示すブロック図、 第２図は未実施例における不揮発性メモリにデータを占
き込むフローチャート。 第３図は、本実施例における電源入力時の不揮発性メモ
リのデータをチェックするフローチャートである。 図中、１０・・・ＣＰＵ、１１・・・ＲＯＭ、１２・・
・ＲＡＭ、１３・・・不揮発性メモリ、１５・・・デー
タ領域、１６・・・書込みフラグＦである。 第１図 第２図 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）メモリ空間にフラグ領域を設け、前記フラグ領域
   以外の前記メモリ空間への書き込み時に、前記フラグ領
   域に所定値を書込むようにしたことを特徴とする不揮発
   性メモリアクセス方式。
2. （２）フラグ領域に所定値を検知すると前記フラグ領域
   以外のメモリ空間の情報が正しくないと判断するように
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の不
   揮発性メモリアクセス方式。