JPS6234152A - Image forming material and method for forming circuit using its material - Google Patents

Image forming material and method for forming circuit using its material

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JPS6234152A
JPS6234152A JP17523885A JP17523885A JPS6234152A JP S6234152 A JPS6234152 A JP S6234152A JP 17523885 A JP17523885 A JP 17523885A JP 17523885 A JP17523885 A JP 17523885A JP S6234152 A JPS6234152 A JP S6234152A
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JP
Japan
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aqueous solution
composition layer
polymer
alkaline aqueous
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP17523885A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Hayashi
俊一 林
Masaru Ishibashi
大 石橋
Toshihiko Omote
利彦 表
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP17523885A priority Critical patent/JPS6234152A/en
Publication of JPS6234152A publication Critical patent/JPS6234152A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask

Abstract

PURPOSE:To make a formation of a resist pattern and a removal of the formed resist pattern easy, thereby improving it from a sanitary point of view by incorporating a specific film forming polymer and a specific photopolymerizable unsatd. compd. in a photopolymerizable composition layer. CONSTITUTION:The titled material comprises a polymer capable of solubling to or swelling to an alkaline aqueous solution as the film forming polymer, and an ethylenically unsatd. compd. contg. a carboxylic group as the photopolymerizable unsatd. compd. so as to be the prescribed compounding ratio in the photopolymerizable composition layer. As the result, the cured resin may be easily removed with the alkaline aqueous solution, without interfering the peeling development and the curing properties of the titled material. Thus, the titled material may be easily effected the formation and the removal of the resist pattern and may be improved from the public sanitary point of view.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はプリント配線板などの作製の用に供される画
像形成材料とこの材料を用いた回路形成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an image forming material used for manufacturing printed wiring boards and the like, and a circuit forming method using this material.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、透明支持体上に光重合性組成物層を設け、回路を
形成するべき基板上に、光重合性組成物層が当接面とな
るように積層し、パターン状の露光を行ったのちに透明
支持体を剥離することにより、光重合性組成物層の非露
光部分を上記支持体と一緒に剥離するとともに、露光部
分を基板上に残存させて所定のレジストパターンを形成
する、いわゆる剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料が種々提案されている。
Conventionally, a photopolymerizable composition layer is provided on a transparent support, and the photopolymerizable composition layer is laminated on the substrate on which a circuit is to be formed so that it becomes the contact surface, and then exposed to light in a pattern. By peeling off the transparent support, the non-exposed portion of the photopolymerizable composition layer is peeled off together with the support, and the exposed portion remains on the substrate to form a predetermined resist pattern, so-called peeling. Various image forming materials made of developable dry film resists have been proposed.

このような画像形成材料を用いた回路の形成は、上記方
法にて基板」二にレジストパターンを形成したのち、こ
の基板上のレジストを有していない部分(光重合性キ且
成物層の非露光部分が:lll11離除去された部分)
に対して、たとえばこの基板が絶縁性基体と導電体層と
からなるプリント配線基板であれば、上記導電体層のエ
ツチングや導電体層上にメッキを施すなどの所要の回路
形成処理を施し、その後−上記パターン状レジストを除
去することにより、行われる。
Formation of a circuit using such an image forming material involves forming a resist pattern on a substrate by the method described above, and then forming a resist pattern on a portion of the substrate that does not have a resist (a photopolymerizable composite layer). The non-exposed part was removed by 11 minutes)
On the other hand, for example, if this board is a printed wiring board consisting of an insulating base and a conductor layer, the necessary circuit formation processing such as etching the conductor layer or plating on the conductor layer is performed, Thereafter - by removing the patterned resist.

このような回路形成方法においては、基板上へのレジス
トパターンの形成を透明支持体の剥離操作によって行え
るため、つまり現像に液体を使用する必要がないことか
ら、公衆衛生上すぐれているという利点を有し、また現
像液を用いないために現像コストが安く、現像操作が簡
単であるといった利点を有している。
In this circuit formation method, the resist pattern can be formed on the substrate by peeling off the transparent support, which means that there is no need to use liquid for development, which has the advantage of being good for public health. Furthermore, since no developer is used, the development cost is low and the development operation is simple.

〔発明が解決しようとする問題点〕 しかるに、このような剥離現像によってレジストパター
ンを形成し、前記エツチングやメッキなどの所要の回路
形成処理を施したのちに、上記パターン状のレジストを
除去する段階においては、一般に有機溶剤が用いられこ
の溶剤によりレジス1−を7容解除去する方法を採用し
ている。このため、剥離現像によりコスト低減や公衆衛
生上の利点を得ることができても、上記レジストの除去
段階で有機溶剤を使用する限り、この段階での公衆衛生
上の問題やコストアップの問題は依然として残されてい
る。
[Problems to be Solved by the Invention] However, after forming a resist pattern by such peeling development and performing necessary circuit formation processing such as etching and plating, there is a step of removing the patterned resist. Generally, an organic solvent is used, and a method is adopted in which the resist 1- is removed by 7 hours using this solvent. Therefore, even if stripping development can reduce costs and provide public health benefits, as long as organic solvents are used in the resist removal step, there will be no public health problems or increased costs at this step. still remains.

したがって、この発明は、レジストパターンの形成段階
とともにその除去段階においても、コスト低減や公衆衛
生面の改善を図りうる画像形成材料とこれを用いた回路
形成方法を提供することを目的としている。
Therefore, an object of the present invention is to provide an image forming material and a circuit forming method using the same, which can reduce costs and improve public health both in the resist pattern formation stage and in the resist pattern removal stage.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討し
た結果、’fJI離現像型ドライフィルムレジストとし
てその光重合性組成物層が特定の皮膜形成性ポリマーと
特定の光重合性不飽和化合物とを共に含むものを用いた
ときには、剥離現像によって所望のレジストパターンを
形成できるとともに、その除去に際してはアルカリ水溶
液によって非常に簡単に特に短時間のうちに除去でき・
このような水溶液によれば前記従来の有機溶剤を用いる
場合に比しコスト低減や公衆衛生面の改善を大幅に図り
うるちのであることを知り、この発明を完成するに至っ
た。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors discovered that the photopolymerizable composition layer of the 'fJI release-developable dry film resist contains a specific film-forming polymer and a specific photopolymerizable unsaturated compound. When a resist containing both is used, a desired resist pattern can be formed by peeling development, and it can be removed very easily and especially in a short time using an alkaline aqueous solution.
It was discovered that such an aqueous solution could significantly reduce costs and improve public health compared to the use of conventional organic solvents, leading to the completion of this invention.

すなわち、この発明は、透明支持体と、a)アルカリ水
溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリ
マーとを主成分とする皮膜形成性ポリマー、b)カルボ
キシル基を有するエチレン性不飽和化合物を少なくとも
含む光重合性不飽和化合物およびC)光重合開始剤を必
須成分として含有する光重合性組成物層とを含む剥離現
像型ドライフィルムレジストからなる画像形成材料に係
る第一の発明と、上記の画像形成材料を、回路を形成す
るべき基板上に、光重合性組成物層側力く当接面となる
ように積層し、パターン状の露光を行ったのち、剥離現
像によりレジストパターンを形成し、エツチングやメッ
キなどの所要の回路形成処理を施したのち、上記パター
ン状のレジストをアルカリ水溶液により除去することを
特徴とする回路形成方法に係る第二の発明とからなるも
のである。
That is, the present invention comprises a transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, and b) at least an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group. and C) a photopolymerizable composition layer containing a photopolymerization initiator as an essential component. The image forming material is laminated on a substrate on which a circuit is to be formed so that the photopolymerizable composition layer is in close contact with the substrate, exposed to light in a pattern, and then peeled and developed to form a resist pattern. , a second invention relating to a circuit forming method characterized in that after performing necessary circuit forming processing such as etching or plating, the patterned resist is removed with an alkaline aqueous solution.

〔発明の構成・作用〕[Structure and operation of the invention]

この発明の画像形成材料における光重合性組成物層は、
a)アルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと
含ハロゲンポリマーとを主成分とする皮膜形成性ポリマ
ー、b)カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合
物を少なくとも含む光重合性不飽和化合物およびC)光
重合開始剤を必須成分として含有するものであって、J
1記a成分が特にアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性
のポリマーを含むとともに、上記す成分がカルボキシル
基を有するエチレン性不飽和化合物を含むことにより、
露光硬化後の上記組成物層には分子内にカルボキシル基
を有するポリマーが一部成分として含まれることになり
、これによりアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性の性
質が確実に付与されたものとなる。
The photopolymerizable composition layer in the image forming material of this invention is
a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound containing at least an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group, and C) light. It contains a polymerization initiator as an essential component, and J
Component 1 a contains a polymer that is particularly soluble or swellable in an alkaline aqueous solution, and the above components contain an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group,
The composition layer after exposure and curing contains a polymer having a carboxyl group in the molecule as a part of the composition, thereby ensuring that it is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution.

なお、a成分がアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性の
ポリマーを含むが、b成分がカルボキシル基を有するエ
チレン性不飽和化合物を含まない場合や、これとは逆に
b成分がカルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合
物を含むが、a成分がアルカリ水溶液に可溶性ないし膨
潤性のポリマーを含まない場合でも、硬化後の光重合性
組成物層をアルカリ水溶液により溶解除去することは可
能であり、これらについてはこの出願人が既に特許出願
中である。
In addition, there are cases where component a contains a polymer that is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution, but component b does not contain an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group, or conversely, component b contains an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group. Even if component a contains an unsaturated compound but does not contain a polymer that is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution, it is possible to dissolve and remove the photopolymerizable composition layer after curing with an alkaline aqueous solution. This applicant has already applied for a patent.

しかし、上記前者の場合、硬化物をアルカリ水溶液によ
って良好に除去するためには、アルカリ水溶液に可溶性
ないし膨潤性のポリマーをa成分中かなりの割合で使用
する必要があり、この場合併用するべき含ハロゲンポリ
マーなどの他のポリマーの使用量が相対的に減少する結
果として、剥離現像性に支障をきたすおそれがあった。
However, in the former case, in order to effectively remove the cured product with an alkaline aqueous solution, it is necessary to use a polymer that is soluble or swellable in the alkaline aqueous solution in a considerable proportion of the component a. As a result of the relative reduction in the amount of other polymers used, such as halogen polymers, there was a risk that peeling and developability would be impaired.

また、上記後者の場合、同様に硬化物をアルカリ水溶液
によって良好に除去するためには、カルボキシル基を有
するエチレン性不飽和化合物をb成分中かなりの割合で
使用する必要があり、この場合−最的に併用される他の
エチレン性不飽和化合物の使用■が相対的に減少する結
果として、露光時の硬化性に劣り、やはりrhl i’
ilt現像性に支障をきたすおそれがあった。そして、
上記いずれの場合においても、上記各成分を上述の如き
問題の少ない使用量範囲に設定したときには、硬化物を
アルカリ水溶液によって除去することはできても、その
除去に多少時間がかかるという雑煮があった。
In the latter case, in order to similarly remove the cured product with an alkaline aqueous solution, it is necessary to use a considerable proportion of the ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group in component b; As a result of the relative reduction in the use of other ethylenically unsaturated compounds used in conjunction with the
There was a risk that the ilt developability would be impaired. and,
In any of the above cases, if the amounts of each of the above components are set within the ranges that cause few problems, even if the cured product can be removed with an alkaline aqueous solution, there is a problem in that it takes some time to remove it. Ta.

これに対し、この発明の如く、a成分のびとつとしてア
ルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーを、b成
分のひとつとしてカルボキシル基を存するエチレン性不
飽和化合物を、共に使用したときには、両成分をその全
量が所定の割合となるように使用することにより、つま
り両成分のa成分中およびb成分中にそれぞれ占める割
合があまりに多くなりすぎることのない所定割合に設定
することにより、剥離現像性、硬化性になんらの支障を
きたすことなく、その硬化物をアルカリ水溶液によって
良好に除去できる、つまり非常に短時間のうちに除去で
きるという効果が得られるものである。
On the other hand, as in the present invention, when a polymer that is widely soluble or swellable in alkaline aqueous solution is used as component a, and an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group as one of component b, both components are used together. By using the total amount in a predetermined ratio, that is, by setting the proportions of both components in the a component and the b component to a predetermined ratio that does not become too large, peeling developability, This provides the effect that the cured product can be removed satisfactorily with an alkaline aqueous solution without any hindrance to curability, that is, it can be removed in a very short time.

この発明において用いられる上記のアルカリ水溶液に可
溶性ないし膨潤性のポリマーとしては、アクリル酸もし
くはメタクリル酸の単独重合体、またはこれら不飽和単
量体とアクリル酸アルキルエステル、メククリ酸アルキ
ルエステル、アクリルアミド、アクリロニトリル、スチ
レンなどの他の単量体との共重合体、あるいは無水マレ
イン酸゛、マレイン酸、マレイン酸半エステルなどとス
チレン、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸ア
ルキルエステル、ブタジェンなどの他の単量体との共重
合体などがある。
The polymer soluble or swellable in the aqueous alkali solution used in the present invention is a homopolymer of acrylic acid or methacrylic acid, or a combination of these unsaturated monomers with an acrylic acid alkyl ester, a mecric acid alkyl ester, acrylamide, or acrylonitrile. , copolymers with other monomers such as styrene, or copolymers of maleic anhydride, maleic acid, maleic acid half esters, etc. with other monomers such as styrene, acrylic acid alkyl esters, methacrylic acid alkyl esters, butadiene. There are copolymers with

この発明において上記のアルカリ水溶液に可溶性ないし
膨潤性のポリマーと併用される含ハロゲンポリマーは、
光重合性組成物層に剥離現像性を付与するためのもので
あり、その具体例としては、塩素化ポリエチレン、塩素
化ポリプロピレン、塩化ゴムなどが挙げられる。
In this invention, the halogen-containing polymer used in combination with the polymer soluble or swellable in an aqueous alkaline solution is
It is used to impart peel developability to the photopolymerizable composition layer, and specific examples thereof include chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, and chlorinated rubber.

a 成分としての皮膜形成性ポリマーは、上述のアルカ
リ水)合液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと含ハロゲ
ンポリマーとを主成分とするものであり、両ポリマーは
一般に相溶性が悪く、画像形成材料中で両ポリマーが相
分、雛をすると好ましい結果が得られない場合がある。
The film-forming polymer as component a is mainly composed of a polymer that is soluble or swellable in the above-mentioned alkaline water solution and a halogen-containing polymer, and both polymers generally have poor compatibility and are not suitable for image forming materials. If the two polymers form a phase, it may not be possible to obtain desirable results.

そごで、これを防ぐために両者と相溶性のよい第3のポ
リマーを使用するのが好ましく、この例としてポリメタ
クリル酸メチルが好適に使用できる。
Therefore, in order to prevent this, it is preferable to use a third polymer that has good compatibility with both of them, and polymethyl methacrylate can be suitably used as an example of this.

これら各ポリマーの使用割合としては、アルカリ水溶液
に可溶性ないし膨潤性のポリマーが10〜90重量%、
好適には20〜80重四%、含ハロゲンポリマーが)0
〜50重量%、好適には10〜40重量%、両者に相溶
性の良い第3のポリマーが0〜40重量%、好適には1
0〜40重量%となるようにするのがよい。
The proportion of each of these polymers used is 10 to 90% by weight of a polymer that is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution;
Preferably 20 to 80% by weight, halogen-containing polymer) 0
-50% by weight, preferably 10-40% by weight, and 0-40% by weight, preferably 1% by weight of a third polymer having good compatibility with both.
It is preferable to adjust the amount to 0 to 40% by weight.

この発明においてb成分のひとつとして使用するカルボ
キシル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、分
子内にカルボキシル基を有しかつエチレン性不飽和結合
を1個以上有するものてあれば広く使用できる。その例
としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸など
の不飽和単量体や、ジカルボン酸とグリコールと(メタ
)アクリル酸とを反応させて得られるつぎの一般弐;C
H2=CC0−0(R′0)−OCRCOOH(式中、
R,は水素またはメチル基、R′はアルキレン基、Rは
ジカルボン酸の残基、nは1以上の整数である) で表されるモノエステル化合物などを挙げることができ
る。
In this invention, the ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group used as one of the components b can be widely used as long as it has a carboxyl group in the molecule and one or more ethylenically unsaturated bonds. Examples include unsaturated monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, and maleic acid, and the following general 2;
H2=CC0-0(R'0)-OCRCOOH (in the formula,
Examples include monoester compounds represented by the following formula: R is hydrogen or a methyl group, R' is an alkylene group, R is a dicarboxylic acid residue, and n is an integer of 1 or more.

このエステル化合物を得るためのジカルボン酸としては
、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、テトラヒドロフタ
ル酸、ヘキサヒドロフタル酸などが挙げられ、またグリ
コールとしては、前記一般式中のR′Oがエチレンオキ
シド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドなどの炭
素数が2〜4のアルキレンオキシドで、nが1のグリコ
ール類や、nが2〜30のポリアルキレンオキシドグリ
コール類などが挙げられる。
Examples of the dicarboxylic acid for obtaining this ester compound include succinic acid, maleic acid, phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, etc., and as the glycol, R'O in the above general formula is ethylene oxide, Examples include alkylene oxides having 2 to 4 carbon atoms such as propylene oxide and butylene oxide, glycols in which n is 1, and polyalkylene oxide glycols in which n is 2 to 30.

このようなエステル化合物の中でも、ジカルボン酸と(
ポIJ )エチレングリコールとアクリル酸との反応物
であるつぎの各式にて表されるエステル化合物が、最も
好適である。
Among such ester compounds, dicarboxylic acids and (
(PoIJ) Ester compounds represented by the following formulas, which are reaction products of ethylene glycol and acrylic acid, are most preferred.

CHz=C11CO−0−(CHzCI(zO)−0C
CIIzCH□COO11CH2=C)ICO−0(C
IIZC)120)−0CCI(=CIICOO1lC
H2=CHCO−0−CCH2C1+20)−,0CQ
COOtlCH2=C11CO−0−(C112CH2
0)−QCC0OH″ 又=ノ C112=C11CO−0(CH2CH2O)−QC□
C0OH・ () (各式中、nは1以上の整数である) b成分の光重合性不飽和化合物としては、上記のような
カルボキシル基を有するエチレン性不飽和化合物を以下
に示すような通常のエチレン性不飽和化合物の1種以上
と併用するのが好適である。
CHz=C11CO-0-(CHzCI(zO)-0C
CIIzCH□COO11CH2=C) ICO-0(C
IIZC)120)-0CCI(=CIICOO1lC
H2=CHCO-0-CCH2C1+20)-,0CQ
COOtlCH2=C11CO-0-(C112CH2
0)-QCC0OH'' Also=ノC112=C11CO-0(CH2CH2O)-QC□
C0OH. It is preferable to use it in combination with one or more ethylenically unsaturated compounds.

この併用系にあっては、前記のカルボキシル基を有する
エチレン性不飽和化合物がb成分中20重量%以上とな
るようにするのが好ましい。
In this combination system, it is preferable that the amount of the ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group is 20% by weight or more in component b.

上記併用可能なエチレン性不飽和化合物としては、エチ
レン性不飽和結合を分子内に1個有するモノエチレン性
不飽和化合物と2個以上有するポリエチレン性不飽和化
合物とが含まれる。特に好ましくはポリエチレン性不飽
和化合物を単独でまたはモノエチレン性不飽和化合物と
の混合系で用いるのがよい。
The ethylenically unsaturated compounds that can be used in combination include monoethylenically unsaturated compounds having one ethylenically unsaturated bond in the molecule and polyethylenically unsaturated compounds having two or more ethylenically unsaturated bonds. Particularly preferably, a polyethylenically unsaturated compound is used alone or in a mixed system with a monoethylenically unsaturated compound.

モノエチレン性不飽和化合物の例としては、アクリル酸
エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド
類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテ
ル類、ビニルエステル類、N−ビニル化合物、スチレン
類、クロトン酸エステル類などがある。
Examples of monoethylenically unsaturated compounds include acrylic esters, methacrylic esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, N-vinyl compounds, styrenes, and crotonic esters. and so on.

その具体例としては、アクリル酸エステル類ではアクリ
ル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、
アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルな
どが、メタクリル酸エステル類ではメタクリル酸メチル
、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタク
リル酸イソプロピルなどが、アクリルアミド類ではアク
リルアミドや、N−アルキル基がメチル基、エチル基、
ブチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、2−
エチルヘキシル基などからなるN−アルキルアクリルア
ミドなどが、メタクリルアミド類ではメタクリルアミド
や、N−アルキル基がメチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基など
からなるN−アルキルメタクリルアミドなどがある。
Specific examples of acrylic esters include propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate,
2-ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, etc.; methacrylate esters include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, etc.; acrylamides include acrylamide, N-alkyl group is methyl group, ethyl group, etc. basis,
Butyl group, isopropyl group, tert-butyl group, 2-
N-alkyl acrylamide, which consists of an ethylhexyl group, etc., is methacrylamide, and N-alkyl methacrylate, whose N-alkyl group is a methyl group, ethyl group, isopropyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, etc. There are amides, etc.

また、アリル化合物では酢酸アリル、カプロン酸アリル
、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸
アリルなどのアリルエステル類が、ビニルエーテル類で
はヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、
デシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエー
テルなどのアルキルビニルエーテルが1、ビニルエステ
ル類でハヒニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビ
ニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート
、ビニルバレレート、ビニルカプロエートなどが、N−
ビニル化合物ではN−ビニルピロリドンなどが、スチレ
ン類ではスチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチ
レン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、安息
香酸スチレンなどが、クロトン酸エステル類ではクロト
ン酸メチル、クロトン酸エチル、クロトン酸ブチル、ク
ロトン酸ヘキシル、クロトン酸イソプロピルなどがある
In addition, allyl compounds include allyl esters such as allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, and allyl palmitate, and the vinyl ethers include hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether,
Alkyl vinyl ethers such as decyl vinyl ether and 2-ethylhexyl vinyl ether are 1, and vinyl esters such as hahinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, and vinyl caproate are N-
Vinyl compounds include N-vinylpyrrolidone, styrenes include styrene, methylstyrene, chloromethylstyrene, alkoxystyrene, halogenated styrene, and styrene benzoate, and crotonate esters include methyl crotonate, ethyl crotonate, and crotonate. Examples include butyl, hexyl crotonate, and isopropyl crotonate.

つぎに、ポリエチレン性不飽和化合物の例としては、多
価アルコールのポリ了クリレート類およびポリメタクリ
レート類が挙げられる。上記多価アルコールとしては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキシド、ポ
リブチレンオキシド、(β−ヒドロキシエトキシ)ヘン
イン、グリセリン、ジグリセリン、ネオペンチルグリコ
ール、トリメチロールプロパン、トリメチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、
ソルビタン、ソルビトール、1・4−ブタンジオール、
1・2・4−ブタントリオール、2−プテンート4−ジ
オール、2−ブチル−2−エチル−プロパンジオール、
2−ブテンート4−ジオール、1・3−プロパンジオー
ル、トリエタノールアミン、デカリンジオール、3−ク
ロルート2−プロパンジオールなどがある。
Next, examples of polyethylenically unsaturated compounds include polyester acrylates and polymethacrylates of polyhydric alcohols. The polyhydric alcohol mentioned above is
Polyethylene glycol, polypropylene oxide, polybutylene oxide, (β-hydroxyethoxy) hein, glycerin, diglycerin, neopentyl glycol, trimethylolpropane, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol,
Sorbitan, sorbitol, 1,4-butanediol,
1,2,4-butanetriol, 2-ptento-4-diol, 2-butyl-2-ethyl-propanediol,
Examples include 2-butenoto-4-diol, 1,3-propanediol, triethanolamine, decalindiol, and 3-chloroto-2-propanediol.

また、ポリエチレン性不飽和化合物の他の例としては、
オリゴエステルアクリレート、オリゴエステルメタクリ
レート、エポキシアクリレート、エポキシメタクリレー
ト、ウレタンアクリレート、ウレタンメタクリー−トな
どの名称で市販されている分子内にアクリロイル裁また
はメタクリロイル基を2個以上有するアクリレートオリ
ゴマーやメタクリレートオリゴマーなどがある。
In addition, other examples of polyethylenically unsaturated compounds include:
Acrylate oligomers and methacrylate oligomers having two or more acryloyl or methacryloyl groups in the molecule are commercially available under the names of oligoester acrylate, oligoester methacrylate, epoxy acrylate, epoxy methacrylate, urethane acrylate, urethane methacrylate, etc. be.

このような構成成分からなるb成分としての光重合性不
飽和化合物は、前記の皮膜形成性ポリマー100重量部
に対して通常10〜500重雇部、好ましくは30〜2
00重形部の範囲で用いられる。この間が少なすぎては
光重合性、つまり露光硬化性に劣り、また多(なりすぎ
ると剥離性能に劣り、いずれの場合も剥離現像性に支障
をきたしやすい。
The photopolymerizable unsaturated compound as component b consisting of such constituent components is usually 10 to 500 parts by weight, preferably 30 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the film-forming polymer.
It is used in the range of 00 double parts. If this gap is too small, the photopolymerizability, that is, the exposure curing property is poor, and if it is too large, the peeling performance is poor, and in either case, the peeling and developing properties tend to be impaired.

また、この発明においては、上記の如きa成分とb成分
との使用割合において、a成分のひとつとしてのアルカ
リ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーとb成分のひ
とつとしてのカルボキシル基を有するエチレン性不飽和
化合物との合計量が、a、b成分の合計量中10重量%
以上、通常は30〜60重量%の範囲となるようにする
のが好ましい。
In addition, in this invention, in the usage ratio of component a and component b as described above, one component a is a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution, and one component b is an ethylenic inorganic compound having a carboxyl group. The total amount with the saturated compound is 10% by weight in the total amount of components a and b.
As mentioned above, it is preferable that the content is usually in the range of 30 to 60% by weight.

この発明に使用されるC成分としての光重合開始剤には
、従来公知のものが広く包含される。具体的にはカルボ
ニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系
化合物、アゾならびにジアゾ化合物、光還元性色素など
が挙げられる。
The photopolymerization initiator as component C used in this invention includes a wide variety of conventionally known photopolymerization initiators. Specific examples include carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, redox compounds, azo and diazo compounds, and photoreducible dyes.

上記のカルボニル化合物としては、ベンゾイン、ベンゾ
フェノン、アントラキノン、2−メチルアントラキノン
、2−tert−ブチルアントラキノン、9・10−フ
ェナントレンキノン、ジアセチル、ベンジル、ミヒラー
ズケトン、4・4′−ビスジエチルアミノベンゾフェノ
ンなどが、有機硫黄化合物としては、ジブチルジスルフ
ィド、ジオクチルジスルフィド、ジベンジルジスルフィ
ド、ジフェニルジスルフィド、ジベンゾイルジスルフィ
ド、ジアセチルジスルフィドなどがある。
Examples of the above carbonyl compounds include benzoin, benzophenone, anthraquinone, 2-methylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 9,10-phenanthrenequinone, diacetyl, benzyl, Michler's ketone, 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone, etc. Examples of the sulfur compound include dibutyl disulfide, dioctyl disulfide, dibenzyl disulfide, diphenyl disulfide, dibenzoyl disulfide, and diacetyl disulfide.

また、過酸化物としては、過酸化水素、ジーtart−
ブチルペルオキシド、過酸化ベンゾイル、メチルエチル
ケトンペルオキシドなどが、レドックス系化合物として
は、過酸化物と還元剤の組み合わせからなるもの、たと
えば第一鉄イオンと過酸化水素、第一鉄イオンと過硫酸
イオン、第二鉄イオンと過酸化物などが、アゾおよびジ
アゾ化合物としては、α・α′−アゾビスイソブチロニ
トリル、2−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、1
−アゾビス−シクロヘキサンカルボニトリル、p−アミ
ノジフェニルアミンのジアゾニウム塩などが、光還元性
色素としては、ローズヘンガル、エリスロシン、エオシ
ン、アクリフラビン、リボフラビン、チオニンなどがあ
る。
In addition, as peroxides, hydrogen peroxide, tart-
Butyl peroxide, benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, etc. are used as redox compounds. Diferric ions and peroxides are used as azo and diazo compounds such as α・α′-azobisisobutyronitrile, 2-azobis-2-methylbutyronitrile,
-azobis-cyclohexanecarbonitrile, diazonium salt of p-aminodiphenylamine, etc.; photoreducible dyes include rose hengal, erythrosin, eosin, acriflavin, riboflavin, thionin, etc.

これら光重合開始剤は1種であっても2種以上を組み合
わせて用いてもよい。その使用量は前記す成分としての
光重合性不飽和化合物100重量部に対して通常0.1
〜20重量部の範囲とすればよい。
These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The amount used is usually 0.1 parts by weight per 100 parts by weight of the photopolymerizable unsaturated compound as the above-mentioned component.
The amount may be in the range of 20 parts by weight.

この発明の光重合性組成物層は、上記したようなa、b
、C成分を必須成分とするが、これら成分のほか必要に
応じて熱重合防止剤、着色剤、密着性向上剤、充填剤お
よび可塑剤などの各種添加剤を含有させるようにしても
よい。
The photopolymerizable composition layer of this invention comprises a, b as described above.
, component C are essential components, but in addition to these components, various additives such as a thermal polymerization inhibitor, a coloring agent, an adhesion improver, a filler, and a plasticizer may be included as necessary.

この発明においてこのような光重合性組成物層は、上記
の各成分を溶剤に均一に溶解分散させ、これを透明支持
体−Fに乾燥後の厚みが5〜100μm、好ましくは5
〜50μmとなるように塗布し乾燥することにより、形
成される。
In the present invention, such a photopolymerizable composition layer is obtained by uniformly dissolving and dispersing each of the above components in a solvent, and applying this to a transparent support-F with a thickness of 5 to 100 μm, preferably 5 to 100 μm after drying.
It is formed by coating and drying to a thickness of ~50 μm.

上記の溶剤としてはアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケl〜ン類、酢酸エチル、
酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル類が好適に使用
される。また、トルエン、ベンゼン、キシレンなどの芳
香族炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロロ
エヂレン、塩化メヂレンなどのハロゲン化炭化水素、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなど
のアルコール類なども混合溶剤などの形で使用できる。
Examples of the above solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate,
Esters such as butyl acetate and amyl acetate are preferably used. In addition, mixed solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, benzene, and xylene, halogenated hydrocarbons such as carbon tetrachloride, chloroform, trichloroethylene, and methylene chloride, and alcohols such as methanol, ethanol, propatool, and butanol. It can be used in the form of

また、上記の透明支持体としては、光重合性組成物層を
光重合させうる300〜500nmの波長域の光の透過
性が良好で、表面が均一であるものがjXばれる。この
ような透明支持体の具体例としては、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリプロピレン、三酢酸セルロース、二酢
酸セルロース、ポリカーボネート、セロファンなど各種
のプラスチックフィルムがある。その中でも強度3寸法
安定性、耐熱性および吸湿性などの点よりポリエチレン
テレフタレートが好適である。透明支持体の好ましい厚
みは10〜50μmである。
Further, the above-mentioned transparent support preferably has good transmittance to light in a wavelength range of 300 to 500 nm that allows photopolymerization of the photopolymerizable composition layer, and has a uniform surface. Specific examples of such transparent supports include various plastic films such as polyethylene terephthalate, polypropylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, polycarbonate, and cellophane. Among these, polyethylene terephthalate is preferred from the viewpoints of strength, three-dimensional stability, heat resistance, and hygroscopicity. The preferred thickness of the transparent support is 10 to 50 μm.

この発明の画像形成材料は、以上の如くして得られる透
明支持体と光重合性組成物層とを含む♀11離現像型ド
ライフィルムレジストからなり、既述のとおり、上記組
成物層中にa成分として前記特定のポリマーとb成分と
して前記特定の光重合性不飽和化合物とを含むことを大
きな′I8徴とするものである。なお、この材料には、
保存中での光重合性組成物層の保護を図るため、ポリエ
チレン、ポリプロピレンあるいは剥離処理を施した各種
プラスチックフィルムなどからなる保護フィル1、を上
記組成物層の上に設けるようにしてもよい。
The image-forming material of the present invention comprises a ♀11 release-developable dry film resist comprising the transparent support obtained as described above and a photopolymerizable composition layer. The major feature is that it contains the specific polymer as component a and the specific photopolymerizable unsaturated compound as component b. In addition, this material has
In order to protect the photopolymerizable composition layer during storage, a protective film 1 made of polyethylene, polypropylene, or various plastic films subjected to release treatment may be provided on the composition layer.

つぎに、このように構成されるこの発明の画像形成材料
を用いて回路を形成する方法につき説明する。
Next, a method for forming a circuit using the image forming material of the present invention constructed as described above will be explained.

この方法は、まず、回路を形成するべき基板、たとえば
プリント配線板を得るための銅張り積層基板などの表面
を7n浄化し、この清浄化面に、前記構成のこの発明の
画像形成材料を、保護フィルムを有している場合は保護
フィルムを剥がしてから、光重合性組成物層側が当接面
となるように基板に圧着させる。このときの圧着温度は
通常20〜80℃程度である。
In this method, first, the surface of a substrate on which a circuit is to be formed, such as a copper-clad laminate board for obtaining a printed wiring board, is purified by 7n, and the image forming material of the present invention having the above-mentioned structure is applied to the cleaned surface. If a protective film is included, the protective film is peeled off, and then the photopolymerizable composition layer side is pressure-bonded to the substrate so that the contact surface becomes the contact surface. The pressure bonding temperature at this time is usually about 20 to 80°C.

つぎに、回路パターンを有するたとえば陰画マスクを透
明支持体の上に重ね、300〜500nmの波長の光を
含む光源、たとえば高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノ
ン灯、カーボンアーク灯などにより露光する。
Next, for example, a negative mask having a circuit pattern is placed on the transparent support and exposed to light from a light source containing light with a wavelength of 300 to 500 nm, such as a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, or the like.

このように露光したのち、基板を好ましくは20〜40
°Cの温度下に保った状態で、透明支持体を基板から剥
離すると、パターン露光における露光部分の光重合性組
成物層は光硬化して基板上に残り、非露光部分は硬化し
ないまま透明支持体と共に剥離除去され、これにより基
板上に所望のレジストパターンが形成される。
After being exposed in this way, the substrate is preferably
When the transparent support is peeled off from the substrate while kept at a temperature of °C, the photopolymerizable composition layer in the exposed areas in pattern exposure is photocured and remains on the substrate, while the unexposed areas remain uncured and transparent. It is peeled off together with the support, thereby forming a desired resist pattern on the substrate.

つぎに、レジストを有しない基板露出面、プリント配線
基板の場合はレジストを有しない銅面を、塩化第二鉄液
や塩化第二銅液のようなエツチング液によりエツチング
処理する。しかるのち、3〜8重四%程度の水酸化ナト
リウムや水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液中に好ま
しくは40〜80°Cの温度下で浸漬するか、あるいは
このようなアルカリ水?6 ?(lをスプレーすること
により、硬化したレジストは溶解ないし膨潤し基板から
短時間のうちにMl離する。その後よく水洗いして乾燥
することにより、基板上にエツチングされた陽画像回路
パターンが得られる。
Next, the exposed surface of the substrate without resist, or in the case of a printed wiring board, the copper surface without resist, is etched using an etching solution such as ferric chloride solution or cupric chloride solution. Thereafter, it is immersed in an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide having a concentration of about 3 to 8% by weight, preferably at a temperature of 40 to 80°C, or is immersed in such alkaline water. 6? (By spraying M, the hardened resist dissolves or swells and is released from the substrate in a short time. After that, by thoroughly washing with water and drying, a positive image circuit pattern etched on the substrate is obtained. .

また、上記の方法において陰画マスクの代わりに陽画マ
スクを用いたときには、上記同様にしてレジストパター
ンを形成したのち、レジストを有しない基板面に対して
エツチング処理の代わりに銅、半田、金などのメッキ処
理を施し、その後上記同様にしてアルカリ水溶液による
レジストの除去を行えば、基板上にメッキされた陽画像
回路バターンを得ることができる。
In addition, when a positive mask is used instead of a negative mask in the above method, after forming a resist pattern in the same manner as above, copper, solder, gold, etc. are applied to the substrate surface that does not have a resist instead of etching. By performing plating treatment and then removing the resist using an alkaline aqueous solution in the same manner as described above, a positive image circuit pattern plated on the substrate can be obtained.

〔発明の効果] 以上のように、この発明においては、剥離現像型ドライ
フィルムレジストの光重合性組成物層中に特定の皮膜形
成性ポリマーと特定の光重合性不飽和化合物とを含ませ
るようにしたことにより、レジストパターンを剥離現像
によって容易にかつ良好に形成できるとともに、その除
去を安価でかつ公衆衛生上の問題の少ないアルカリ水溶
液によって非常に容易に行えるため、所望どおりの回路
を従来に較べて安価でかつ衛生的に形成できるという効
果がある。
[Effects of the Invention] As described above, in this invention, a specific film-forming polymer and a specific photopolymerizable unsaturated compound are included in the photopolymerizable composition layer of a peelable and developable dry film resist. By using this method, a resist pattern can be formed easily and well by peeling development, and it can also be removed very easily using an alkaline aqueous solution, which is inexpensive and poses no public health problems. It has the advantage that it is relatively inexpensive and can be formed hygienically.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下において部とあるは重量部を意味する
ものとする。
EXAMPLES Below, examples of the present invention will be described in more detail. In addition, in the following, parts shall mean parts by weight.

実施例1 (三菱レーヨン社製の商品名 ダイヤナールBR−80) ジエチルチオキサントン       3部ジメチルア
ミノ安息香酸イソアミル  2部バラメトキシフェノー
ル      0.1部トリブロモメヂルフェニルスル
ホン  2部クリスタルバイオレット      0.
2部メチルエチルケトン       300部上記材
料を均一に溶解混合することにより、光重合性組成物の
溶液を作製した。この液を厚さ25μmのポリエチレン
テレツクレートフィルム上に乾燥後の厚みが25μmに
なるように塗布したのち、80℃で5分間乾燥処理を行
うことにより、剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料を得た。
Example 1 (Product name: Dyanal BR-80, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) Diethylthioxanthone 3 parts Isoamyl dimethylaminobenzoate 2 parts Paramethoxyphenol 0.1 part Tribromomethyl phenyl sulfone 2 parts Crystal violet 0.
2 parts Methyl ethyl ketone 300 parts A solution of the photopolymerizable composition was prepared by uniformly dissolving and mixing the above materials. This solution was applied onto a 25 μm thick polyethylene terrestrial film so that the thickness after drying would be 25 μm, and then dried at 80°C for 5 minutes. I got it.

この画像形成材料を、表面を清浄にした銅張りガラスエ
ポキシ積層基板の銅張面に、光重合性組成物層側が当接
面となるように、50°Cの温度下で加圧積層し、さら
にこの画像形成材料の透明支持体上に回路パターンを有
する陰画原稿を密着させ、3KWの超高圧水銀灯で60
cmの距離より10秒間の露光を行った。つぎに、基板
を30°Cにして画像形成材料の透明支持体であるポリ
エチレンテレフタレートフィルムを基板から引き剥がす
と、非露光部分はフィルムと共に基板から剥離除去され
て基板の銅張面には硬化した露光部分からなる陽画像回
路を構成するレジストパターンが形成された。
This image forming material was laminated under pressure at a temperature of 50°C on the copper-clad surface of a copper-clad glass epoxy laminate substrate whose surface had been cleaned, so that the photopolymerizable composition layer side was the contact surface, Furthermore, a negative original having a circuit pattern was brought into close contact with the transparent support of this image forming material, and a 600 m
Exposure was performed for 10 seconds from a distance of cm. Next, when the substrate was heated to 30°C and the polyethylene terephthalate film, which is a transparent support for the image forming material, was peeled off from the substrate, the non-exposed areas were peeled off from the substrate along with the film, and the copper-clad surface of the substrate was hardened. A resist pattern constituting a positive image circuit consisting of exposed portions was formed.

このようにして得られたレジストパターンを有する銅張
り基板を40度ボーメの塩化第二鉄水溶液によりエツチ
ング処理して露出した銅箔をエツチング除去した。その
後、濃度3重量%の水酸化ナトリウム水溶液(液温50
°C)に2分間浸漬したところ、硬化したレジストは膨
潤して基板より剥離した。この基板を水洗、乾燥するこ
とにより所望のプリント配線板が得られた。
The copper-clad substrate having the resist pattern thus obtained was etched with a ferric chloride aqueous solution at 40 degrees Baumé to remove the exposed copper foil. After that, a sodium hydroxide aqueous solution with a concentration of 3% by weight (liquid temperature 50%
℃) for 2 minutes, the cured resist swelled and peeled off from the substrate. A desired printed wiring board was obtained by washing this board with water and drying it.

実施例2 陰画原稿とは逆の陽画原稿を使用した以外は、実施例1
と同様にして銅張り積層基板上に陰画回路を構成するレ
ジストパターンを形成した。つぎに、この基板の露出し
た銅張面上に半田メッキを施したのち、アルカリ水?容
l夜によってレジストを除去することにより、銅張面上
に半田メッキされた陽画回路パターンを形成した。
Example 2 Example 1 except that a positive original was used, which was the opposite of the negative original.
In the same manner as above, a resist pattern constituting a negative circuit was formed on a copper-clad laminate board. Next, after applying solder plating to the exposed copper-clad surface of this board, alkaline water was applied. By removing the resist by drying, a solder-plated positive circuit pattern was formed on the copper-clad surface.

その後、半田は溶かさないが銅を溶かすことのできるア
ルカリエッチャント(ジャパンメタルフイニツシング社
製の商品名)にて40°Cでエツチングを行うと、半田
メッキされた所望のプリント配線板が得られた。
After that, etching is performed at 40°C using an alkaline etchant (trade name manufactured by Japan Metal Finishing Co., Ltd.) that does not melt solder but can melt copper, resulting in the desired solder-plated printed wiring board. Ta.

比較例1 実施例1の光重合性組成物溶液の組成のうち、オリゴエ
ステルアクリレートの使用部数を150部とし、フタル
酸の2−ヒドロキシエチルアクリレートモノエステルを
使用しなかった以外は、実施例1と同様にして画像形成
材料を作製した。つぎに、この材料を用いて実施例1,
2と同様の回路形成を試みたが、アルカリ水溶液による
パターン状レジストの除去に約20分を要し、実施例1
゜2に比しレジスト除去に時間がかかった。
Comparative Example 1 The composition of the photopolymerizable composition solution of Example 1 was the same as Example 1 except that the number of oligoester acrylate used was 150 parts and 2-hydroxyethyl acrylate monoester of phthalic acid was not used. An image forming material was produced in the same manner as described above. Next, using this material, Example 1,
An attempt was made to form a circuit similar to Example 2, but it took about 20 minutes to remove the patterned resist with an alkaline aqueous solution, and it was difficult to form a circuit similar to Example 1.
It took more time to remove the resist than in ゜2.

比較例2 実施例1の光重合性組成物溶液の組成のうち、塩素化ポ
リエチレンの使用部数を50部、ポリメチルメタクリレ
ートの使用部数を50部とし、スチレンとマレイン酸イ
ソプロピル半エステルとの共重合物を使用しなかった以
外は、実施例1と同様にして画像形成材料を作製した。
Comparative Example 2 Of the composition of the photopolymerizable composition solution of Example 1, the number of parts used of chlorinated polyethylene was 50 parts, the number of parts used of polymethyl methacrylate was 50 parts, and styrene and isopropyl maleate half ester were copolymerized. An image forming material was produced in the same manner as in Example 1, except that no material was used.

つぎに、この材料を用いて実施例1,2と同様の回路形
成を試みたが、アルカリ水溶液によるパターン状レジス
トの除去に約10分を要し、実施例1,2に比しレジス
ト除去に時間がかかった。
Next, we attempted to form a circuit similar to Examples 1 and 2 using this material, but it took about 10 minutes to remove the patterned resist with an alkaline aqueous solution, and the resist removal was faster than in Examples 1 and 2. It took time.

比較例3 実施例1の光重合性組成物溶液の組成のうち、ポリメチ
ルメタクリレートの使用部数を40部、スチレンとマレ
イン酸イソプロピル半エステルとの共重合物の使用部数
を60部とし、塩素化ポリエチレンを使用しなかった以
外は、実施例1と同様にして画像形成材料を作製した。
Comparative Example 3 Of the composition of the photopolymerizable composition solution of Example 1, the number of parts used of polymethyl methacrylate was 40 parts, the number of parts used of a copolymer of styrene and isopropyl maleate half ester was 60 parts, and chlorination was performed. An image forming material was produced in the same manner as in Example 1 except that polyethylene was not used.

つぎに、この材料を用いて実施例1,2と同様にして基
板への積層、露光を行ったのち、剥舗現像を行ってみた
が、露光部分も非露光部分もいずれも基板上に残り、ポ
リエチレンテレフタレートフィルムだけが剥がれてしま
った。すなわち、上記材料では剥離現像によって基板上
に所望のレジストパターンを形成することができなかっ
た。
Next, this material was laminated onto a substrate and exposed in the same manner as in Examples 1 and 2, and then stripping development was performed, but both exposed and non-exposed areas remained on the substrate. , only the polyethylene terephthalate film peeled off. That is, with the above materials, it was not possible to form a desired resist pattern on the substrate by peeling and development.

実施例3 アクリレートモノエステル ジエチルチオキサントン       3部ジメチルア
ミノ安息香酸イソアミル  2部バラメトキシフェノー
ル      0.1部p−トルエンスルホニルクロラ
イド  1部ビクトリアピュアーブルー     0.
3部メチルエチルケトン       300部上記の
光重合性組成物溶液を用いて実施例1と同様にして画像
形成材料を作製し、この材料を用いて以下実施例1,2
と同様にして回路形成を行ったところ、!F、IJ =
v現像によるレジストパターンの形成およびアルカリ水
溶液によるパターン状レジストの除去がいずれも容易で
、特にレジスト除去時間は2分間と短く、実施例1.2
と同様の所望の回路パターンを有するプリント配線板を
得ることができた。
Example 3 Acrylate monoester diethylthioxanthone 3 parts Isoamyl dimethylaminobenzoate 2 parts Paramethoxyphenol 0.1 part p-Toluenesulfonyl chloride 1 part Victoria Pure Blue 0.
3 parts Methyl ethyl ketone 300 parts An image forming material was prepared in the same manner as in Example 1 using the above photopolymerizable composition solution, and the following Examples 1 and 2 were prepared using this material.
When I formed the circuit in the same manner as above, ! F, IJ =
v Formation of a resist pattern by development and removal of patterned resist by an alkaline aqueous solution are both easy, and in particular, the resist removal time is as short as 2 minutes; Example 1.2
A printed wiring board having the same desired circuit pattern could be obtained.

実施例4 レート ステル ジエチルチオキサントン       3部ジメチルア
ミノ安息香酸イソアミル  2部バラメトキシフェノー
ル      0.1部p−)ルエンスルホニルクロラ
イド  1部ビクトリアピュアーブルー     0.
3部メチルエチルケトン       300部上記の
光重合性組成物溶液を用いて実施例1と同様にして画像
形成材料を作製し、この材料を用いて以下実施例1,2
と同様にして回路形成を行ったところ、剥離現像による
レジストパターンの形成およびアルカリ水溶液によるパ
ターン状レジストの除去がいずれも容易で、特にレジス
ト除去時間は2分間と短く、実施例1,2と同様の所望
の回路パターンを有するプリント配線板を得ることがで
きた。
Example 4 Latester diethylthioxanthone 3 parts Isoamyl dimethylaminobenzoate 2 parts Paramethoxyphenol 0.1 part p-) Luenesulfonyl chloride 1 part Victoria Pure Blue 0.
3 parts Methyl ethyl ketone 300 parts An image forming material was prepared in the same manner as in Example 1 using the above photopolymerizable composition solution, and this material was used in the following Examples 1 and 2.
When a circuit was formed in the same manner as in Example 1 and 2, both the formation of a resist pattern by peeling development and the removal of the patterned resist by an alkaline aqueous solution were easy, and the resist removal time was particularly short at 2 minutes, which was the same as in Examples 1 and 2. A printed wiring board having the desired circuit pattern could be obtained.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透明支持体と、a)アルカリ水溶液に可溶性ない
し膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリマーとを主成分と
する皮膜形成性ポリマー、b)カルボキシル基を有する
エチレン性不飽和化合物を少なくとも含む光重合性不飽
和化合物およびc)光重合開始剤を必須成分として含有
する光重合性組成物層とを含む剥離現像型ドライフィル
ムレジストからなる画像形成材料。
(1) Photopolymerization comprising a transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, and b) at least an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group. 1. An image forming material comprising a peelable and developable dry film resist comprising a photopolymerizable composition layer containing a polyunsaturated compound and c) a photopolymerization initiator as an essential component.
(2)透明支持体と、a)アルカリ水溶液に可溶性ない
し膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリマーとを主成分と
する皮膜形成性ポリマー、b)カルボキシル基を有する
エチレン性不飽和化合物を少なくとも含む光重合性不飽
和化合物およびc)光重合開始剤を必須成分として含有
する光重合性組成物層とを含む剥離現像型ドライフィル
ムレジストからなる画像形成材料を、回路を形成するべ
き基板上に、光重合性組成物層側が当接面となるように
積層し、パターン状の露光を行ったのち、剥離現像によ
りレジストパターンを形成し、エッチングやメッキなど
の所要の回路形成処理を施したのち、上記パターン状の
レジストをアルカリ水溶液により除去することを特徴と
する回路形成方法。
(2) Photopolymerization comprising a transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, and b) at least an ethylenically unsaturated compound having a carboxyl group. An image forming material consisting of a peelable and developable dry film resist containing a photopolymerizable composition layer containing a photopolymerization initiator as an essential component and a photopolymerizable composition layer containing a photopolymerization initiator as an essential component is placed on a substrate on which a circuit is to be formed. After laminating the adhesive composition layer side so that it is the contact surface and exposing it to light in a pattern, a resist pattern is formed by peeling and development, and after performing necessary circuit forming processes such as etching and plating, the above pattern is formed. A circuit forming method characterized by removing a shaped resist using an alkaline aqueous solution.
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