JPS61273537A - Image forming material and formation of circuit by using it - Google Patents

Image forming material and formation of circuit by using it

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JPS61273537A
JPS61273537A JP60116044A JP11604485A JPS61273537A JP S61273537 A JPS61273537 A JP S61273537A JP 60116044 A JP60116044 A JP 60116044A JP 11604485 A JP11604485 A JP 11604485A JP S61273537 A JPS61273537 A JP S61273537A
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JP
Japan
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resist
polymer
composition layer
photopolymerizable composition
aqueous solution
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JP60116044A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Hayashi
俊一 林
Masaru Ishibashi
大 石橋
Toshihiko Omote
利彦 表
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers

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Abstract

PURPOSE:To lower cost in steps for forming and removing a resist pattern and to improve public sanitation by incorporating a specified film forming polymer in a photopolymerizable composition layer as a stripping development type dry film resist. CONSTITUTION:The photopolymerizable composition layer of an image forming material is composed essentially of a) the film forming polymer composed essentially of a polymer soluble or swellable in an aqueous solution of alkali and a chlorinated polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound, c) and a photopolymerization initiator, and the image forming material is the stripping development type dry film resist composed of a transparent support and this photopolymerizable composition layer. Since the component a) contains an alkali-soluble for swellable polymer, this photopolymerizable composition layer is given with solubility or swellability in an aqueous solution of alkali after photohardening, thus permitting the obtained resist to be made advantageous from the view points of the manufacture cost and public sanitation by using no organic material in the step for removing the resist.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はプリント配線板などの作製の用に供される画
像形成材料とこの材料を用いた回路形成方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an image forming material used for manufacturing printed wiring boards and the like, and a circuit forming method using this material.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、透明支持体上に光重合性組成物層を設け、回路を
形成するべき基板上に、光重合性組成物層が当接面とな
るように積層し、パターン状の露光を行ったのちに透明
支持体を剥離することにより、光重合性組成物層の非露
光部分を上記支持体と一緒に剥離するとともに、露光部
分を基板上に残存させて所定のレジストパターンを形成
する、いわゆる剥離現像型ドライフィルムレジストから
なる画像形成材料が種々提案されている。
Conventionally, a photopolymerizable composition layer is provided on a transparent support, and the photopolymerizable composition layer is laminated on the substrate on which a circuit is to be formed so that it becomes the contact surface, and then exposed to light in a pattern. By peeling off the transparent support, the non-exposed portion of the photopolymerizable composition layer is peeled off together with the support, and the exposed portion remains on the substrate to form a predetermined resist pattern, so-called peeling. Various image forming materials made of developable dry film resists have been proposed.

このような画像形成材料を用いた回路の形成は、上記方
法にて基板上にレジストパターンを形成したのち、この
基板上のレジストを有していない部分ビ光重合性組成物
層の非露光部分が剥離除去された部分)に対して、たと
えばこの基板が絶縁性基体と導電体層とからなるプリン
ト配線基板であれば、上記導電体層のエツチングや導電
体層上にメッキを施すなどの所要の回路形成処理を施し
、その後上記パター状レジストを除去することにより、
行われる。
Formation of a circuit using such an image forming material involves forming a resist pattern on a substrate using the above method, and then applying a resist pattern to the non-exposed portion of the partial photopolymerizable composition layer on the substrate that does not have a resist. For example, if this board is a printed wiring board consisting of an insulating base and a conductive layer, the part from which the conductive layer has been peeled off and removed may be subjected to necessary steps such as etching the conductive layer or plating the conductive layer. By performing a circuit formation process and then removing the patterned resist,
It will be done.

このような回路形成方法においては、基板上へのレジス
トパターンの形成を透明支持体の剥離操作によって行え
るため、つまり現像に液体を使用する必要がないことか
ら、公衆衛生上すぐれているという利点を有し、また現
像液を用いないために現像コストが安く、現像操作が簡
単であるといった利点を有している。
In this circuit formation method, the resist pattern can be formed on the substrate by peeling off the transparent support, which means that there is no need to use liquid for development, which has the advantage of being good for public health. Furthermore, since no developer is used, the development cost is low and the development operation is simple.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかるに、このような剥離現像によってレジストパター
ンを形成し、前記エツチングやメッキなどの所要の回路
形成処理を施したのちに、上記パターン状のレジストを
除去する段階においては、一般に有機溶剤が用いられこ
の溶剤によりレジストを溶解除去する方法を採用してい
る。このため、剥離現像によりコスト低減や公衆衛生上
の利点を得ることができても、上記レジストの除去段階
で有機溶剤を使用する限り、この段階での公衆衛生上の
問題やコストアップの問題は依然として残されている。
However, after a resist pattern is formed by such peeling development and the necessary circuit forming processing such as etching and plating is performed, an organic solvent is generally used in the step of removing the patterned resist. A method is adopted in which the resist is dissolved and removed using a solvent. Therefore, even if stripping development can reduce costs and provide public health benefits, as long as organic solvents are used in the resist removal step, there will be no public health problems or increased costs at this step. still remains.

したがって、この発明は、レジストパターンの形成段階
とともにその除去段階においても、コスト低減や公衆衛
生面の改善を図りうる画像形成材料とこれを用いた回路
形成方法を提供することを目的としている。
Therefore, an object of the present invention is to provide an image forming material and a circuit forming method using the same, which can reduce costs and improve public health both in the resist pattern formation stage and in the resist pattern removal stage.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討し
た結果、#離現像型ドライフィルムレジストとしてその
光重合性組成物層が特定の皮膜形成性ポリマーを含むも
のを用いたときには、剥離現像によって所望のレジスト
パターンを形成できるとともに、その除去に際してアル
カリ水溶液を適用でき、この水溶液によれば前記従来の
有機溶剤を用いる場合に比しコスト低減や公衆衛生面の
改善を図りうるちのであることを知り、この発明を完成
するに至った。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the inventors found that when a photopolymerizable composition layer containing a specific film-forming polymer is used as a #release-developable dry film resist, In addition to being able to form a desired resist pattern, an alkaline aqueous solution can be applied to remove it, and this aqueous solution can reduce costs and improve public health compared to the conventional organic solvents. This led to the completion of this invention.

すなわち、この発明は、透明支持体と、a)アルカリ水
溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリ
マーとを主成分とする皮膜形成性ポリマー、b)光重合
性不飽和化合物およびC)光重合開始剤を必須成分とし
て含有する光重合性組成物層とを含む剥離現像型ドライ
フィルムレジストからなる画像形成材料に係る第一の発
明と、上記の画像形成材料を、回路を形成するべき基板
上に、光重合性組成物層側が当接面となるように積層し
、パターン状の露光を行ったのち、剥離現像によりレジ
ストパターンを形成し、エツチングやメッキなどの所要
の回路形成処理を施したのち上記パターン状のレジスト
をアルカリ水溶液により除去することを特徴とする回路
形成方法に係る第二の発明とからなるものである。
That is, the present invention provides a transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound, and C) a photopolymerizable A first invention relating to an image forming material comprising a peelable and developable dry film resist comprising a photopolymerizable composition layer containing an initiator as an essential component, and the above image forming material is applied onto a substrate on which a circuit is to be formed. Then, the photopolymerizable composition layer side was laminated so that the contact surface was exposed, patterned exposure was performed, a resist pattern was formed by peeling development, and required circuit formation processing such as etching and plating was performed. This invention also comprises a second invention relating to a circuit forming method characterized in that the patterned resist is then removed using an alkaline aqueous solution.

〔発明の構成・作用〕[Structure and operation of the invention]

この発明の画像形成材料における光重合性組成物層は、
a)アルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと
含ハロゲンポリマーとを主成分とする皮膜形成性ポリマ
ー、b)光重合性不飽和化合物およびC)光重合開始剤
を必須成分として含有するものであって、上記a成分が
特にアルカリ水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーを
含むことにより、露光硬化後の上記組成物層はアルカリ
水溶液に可溶性ないし膨潤性の性質が付与されたものと
なる。
The photopolymerizable composition layer in the image forming material of this invention is
a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound, and C) a photopolymerization initiator as essential components. Since the component a contains a polymer that is particularly soluble or swellable in an aqueous alkaline solution, the composition layer after exposure and curing is imparted with the property of being soluble or swellable in an aqueous alkaline solution.

この発明において用いられる上記のアルカリ水溶液に可
溶性ないし膨潤性のポリマーとしては、アクリル酸もし
くはメタクリル酸の単独重合体、またはこれら不飽和単
量体とアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アル
キルエステル、アクリルアミド、アクリロニトリル、ス
チレンなどの他の単量体との共重合体、あるいは無水マ
レイン酸、マレイン酸、マレイン酸半エステルなどとス
チレン、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸ア
ルキルエステル、ブタジェンなどの他の単量体との共重
合体などがある。
The polymer soluble or swellable in the aqueous alkali solution used in this invention is a homopolymer of acrylic acid or methacrylic acid, or a combination of these unsaturated monomers with an acrylic acid alkyl ester, a methacrylic acid alkyl ester, acrylamide, or acrylonitrile. , copolymers with other monomers such as styrene, or copolymers of maleic anhydride, maleic acid, maleic acid half esters, etc. with other monomers such as styrene, acrylic acid alkyl esters, methacrylic acid alkyl esters, butadiene, etc. There are copolymers of

この発明において上記のアルカリ水溶液に可溶性ないし
膨潤性のポリマーと併用される含ハロゲンポリマーは、
光重合性組成物層に剥離現像性を付与するためのもので
あり、その具体例としては、塩素化ポリエチレン、塩素
化ポリプロピレン、塩化ゴムなどが挙げられる。
In this invention, the halogen-containing polymer used in combination with the polymer soluble or swellable in an aqueous alkaline solution is
It is used to impart peel developability to the photopolymerizable composition layer, and specific examples thereof include chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, and chlorinated rubber.

a成分としての皮膜形成性ポリマーは、上述のアルカリ
水溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーと含ハロゲンポ
リマーとを主成分とするものであるが、両ポリマーは一
般に相溶性が悪く、画像形成材料中で両ポリマーが相分
離をすると好ましい結果が得られない場合がある。そこ
で、これを防ぐために両者と相溶性の良い第3のポリマ
ーを使用するのが好ましく、この例としてポリメタクリ
ル酸メチルが好適に使用できる。
The film-forming polymer as component a is mainly composed of the above-mentioned polymer that is soluble or swellable in aqueous alkaline solution and a halogen-containing polymer. If both polymers undergo phase separation, favorable results may not be obtained. Therefore, in order to prevent this, it is preferable to use a third polymer that is compatible with both of them, and polymethyl methacrylate can be suitably used as an example of this.

これら各ポリマーの使用割合としては、アルカリ水溶液
に可溶性ないし膨潤性のポリマーが50〜90重量%、
好適には50〜80重量%ミ含ハロゲンポリマーが10
〜50重量%、好適には1θ〜40重量%、両者に相溶
性の良い第3のポリマーが0〜40重量%、好適には1
0〜40重量%となるようにするのがよい。アルカリ水
溶液に可溶性ないし膨潤性のポリマーが50重量%未満
ではアルカリ水溶液によるレジストの除去性が悪くなり
、また含ハロゲンポリマーが10重重量未満となると剥
離現像性に問題を生じやすく、いずれも好ましくない。
The proportion of each of these polymers used is 50 to 90% by weight of a polymer that is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution;
Preferably, the halogen-containing polymer contains 50 to 80% by weight of 10
-50% by weight, preferably 1θ - 40% by weight, and 0-40% by weight of a third polymer having good compatibility with both, preferably 1
It is preferable to adjust the amount to 0 to 40% by weight. If the content of the polymer that is soluble or swellable in an alkaline aqueous solution is less than 50% by weight, the removability of the resist by the aqueous alkaline solution will be poor, and if the halogen-containing polymer is less than 10% by weight, problems will likely occur in peeling and developability, both of which are undesirable. .

b成分の光重合性不飽和化合物としては、エチレン性不
飽和結合を分子内に1個有するモノエチレン性不飽和化
合物と2個以上有するポリエチレン性不飽和化合物とが
含まれる。特に好ましくはポリエチレン性不飽和化合物
を単独でまたはモノエチレン性不飽和化合物との混合系
で用いるのがよい。
The photopolymerizable unsaturated compound of component b includes a monoethylenically unsaturated compound having one ethylenically unsaturated bond in the molecule and a polyethylenically unsaturated compound having two or more ethylenically unsaturated bonds. Particularly preferably, a polyethylenically unsaturated compound is used alone or in a mixed system with a monoethylenically unsaturated compound.

モノエチレン性不飽和化合物の例としては、アクリル酸
またはそのエステル類、メタクリル酸またはそのエステ
ル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル
化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、N−ビ
ニル化合物、スチレン類、クロトン酸エステル類などが
ある。
Examples of monoethylenically unsaturated compounds include acrylic acid or its esters, methacrylic acid or its esters, acrylamides, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, N-vinyl compounds, styrenes, These include crotonic acid esters.

その具体例としては、アクリル酸エステル類ではアクリ
ル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸アミル、
アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルな
どが、メタクリル酸エステル類ではメタクリル酸メチル
、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタク
リル酸イソプロピルなどが、アクリルアミド類ではアク
リルアミドや、N−アルキル基がメチル基、エチル基、
ブチル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、2−
エチルヘキシル基などからなるN−アルキルアクリルア
ミドなどが、メタクリルアミド類ではメタクリルアミド
や、N−アルキル基がメチル基、エチル基、イソプロピ
ル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基など
からなるN−アルキルメタクリルアミドなどがある。
Specific examples of acrylic esters include propyl acrylate, butyl acrylate, amyl acrylate,
2-ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, etc.; methacrylate esters include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, etc.; acrylamides include acrylamide, N-alkyl group is methyl group, ethyl group, etc. basis,
Butyl group, isopropyl group, tert-butyl group, 2-
N-alkyl acrylamide, which consists of an ethylhexyl group, etc., is methacrylamide, and N-alkyl methacrylate, whose N-alkyl group is a methyl group, ethyl group, isopropyl group, tert-butyl group, 2-ethylhexyl group, etc. There are amides, etc.

また、アリル化合物では酢酸アリル、カプロン酸アリル
、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸
アリルなどのアリルエステル類が、ビニルエーテル類で
はヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、
デシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエー
テルなどのアルキルビニルエーテルが1、ビニルエステ
ル類ではビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビ
ニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート
、ビニルバレレート、ビニルカプロエートなどが、N−
ビニル化合物ではN−ビニルピロリドンなどが、スチレ
ン類ではスチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチ
レン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、安息
香酸スチレンなどが、クロトン酸エステル類ではクロト
ン酸メチル、クロトン酸エチル、クロトン酸ブチル、ク
ロトン酸ヘキシル、クロトン酸イソプロピルなどがある
In addition, allyl compounds include allyl esters such as allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, and allyl palmitate, and the vinyl ethers include hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether,
Alkyl vinyl ethers such as decyl vinyl ether and 2-ethylhexyl vinyl ether are 1, and vinyl esters such as vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, and vinyl caproate are N-
Vinyl compounds include N-vinylpyrrolidone, styrenes include styrene, methylstyrene, chloromethylstyrene, alkoxystyrene, halogenated styrene, and styrene benzoate, and crotonate esters include methyl crotonate, ethyl crotonate, and crotonate. Examples include butyl, hexyl crotonate, and isopropyl crotonate.

つぎに、ポリエチレン性不飽和化合物の例としては、多
価アルコールのポリアクリレート類およびポリメタクリ
レート類が挙げられる。上記多価アルコールとしては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレンオキシド、ポ
リブチレンオキシド、(β−ヒドロキシエトキシ)ベン
ゼン、グリセリン、ジグリセリン、ネオペンチルグリコ
ール、トリメチロールプロパン、トリエチロールプロパ
ン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、
ソルビタン、ソルビトール、1・4−ブタンジオール、
1・2・4−ブタントリオール、2−プテンート4−ジ
オール、2−ブチル−2−エチル−プロパンジオール、
2−ブテンート4−ジオール、1・3−プロパンジオー
ル、トリエタノールアミン、デカリンジオール、3−ク
ロルート2−プロパンジオールなどがある。
Next, examples of polyethylenically unsaturated compounds include polyacrylates and polymethacrylates of polyhydric alcohols. The polyhydric alcohol mentioned above is
Polyethylene glycol, polypropylene oxide, polybutylene oxide, (β-hydroxyethoxy)benzene, glycerin, diglycerin, neopentyl glycol, trimethylolpropane, triethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol,
Sorbitan, sorbitol, 1,4-butanediol,
1,2,4-butanetriol, 2-ptento-4-diol, 2-butyl-2-ethyl-propanediol,
Examples include 2-butenoto-4-diol, 1,3-propanediol, triethanolamine, decalindiol, and 3-chloroto-2-propanediol.

また、ポリエチレン性不飽和化合物の他の例としては、
オリゴエステル7クリレート、オリゴエステルメタクリ
レート、エポキシアクリレート、エポキシメタクリレー
ト、ウレタンアクリレート、ウレタンメタクリレートな
どの名称で市販されている分子内にアクリロイル基また
はメタクリロイル基を2個以上有するアクリレートオリ
ゴマーやメタクリレートオリゴマーなどがある。
In addition, other examples of polyethylenically unsaturated compounds include:
There are acrylate oligomers and methacrylate oligomers having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups in the molecule, which are commercially available under the names of oligoester 7 acrylate, oligoester methacrylate, epoxy acrylate, epoxy methacrylate, urethane acrylate, urethane methacrylate, etc.

このような構成成分からなるb成分としての光重合性不
飽和化合物は、前記a成分としての皮膜形成性ポリマー
100重量部に対して通常10〜500重量部、好まし
くは30〜200重量部の範囲で用いられる。この量が
少なすぎては光重合性、つまり露光硬化性に劣り、また
多くなりすぎると剥離性能に劣り、いずれの場合も剥離
現像性に支障をきたしやすい。またこのb成分が多くな
りすぎると、硬化物のアルカリ水溶液に対する溶解性な
いし膨潤性が低下するため、レジスト除去性に問題をき
たしやすい。
The photopolymerizable unsaturated compound as component b consisting of such constituent components is usually in the range of 10 to 500 parts by weight, preferably 30 to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the film-forming polymer as component a. used in If this amount is too small, the photopolymerizability, that is, the exposure curing property will be poor, and if it is too large, the peeling performance will be poor, and in either case, the peeling and developing properties are likely to be impaired. Furthermore, if the amount of component b is too large, the solubility or swelling property of the cured product in an alkaline aqueous solution decreases, which tends to cause problems in resist removability.

この発明に使用されるC成分としての光重合開始剤には
、従来公知のものが広く包含される。具体的にはカルボ
ニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、レドックス系
化合物、アゾならびにジアゾ化合物、光還元性色素など
が挙げられる。
The photopolymerization initiator as component C used in this invention includes a wide variety of conventionally known photopolymerization initiators. Specific examples include carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, redox compounds, azo and diazo compounds, and photoreducible dyes.

上記のカルボニル化合物としては、ベンゾイン、ベンゾ
フェノン、アントラキノン、2−メチルアントラキノン
、2−tert−ブチルアントラキノン、9・10−フ
ェナントレンキノン、ジアセチル、ベンジル、ミヒラー
ズケトン、4・4′−ヒスジエチル、アミノベンゾフェ
ノンなどが、有機硫黄化合物としては、ジブチルジスル
フィド、ジオクチルジスルフィド、ジベンジルジスルフ
ィド、ジフェニルジスルフィド、ジベンゾイルジスルフ
ィド、ジアセチルジスルフィドなどがある。
Examples of the above carbonyl compounds include benzoin, benzophenone, anthraquinone, 2-methylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 9,10-phenanthrenequinone, diacetyl, benzyl, Michler's ketone, 4,4'-hisdiethyl, aminobenzophenone, etc. Examples of organic sulfur compounds include dibutyl disulfide, dioctyl disulfide, dibenzyl disulfide, diphenyl disulfide, dibenzoyl disulfide, and diacetyl disulfide.

また、過酸化物としては、過酸化水素、ジーtert−
ブチルペルオキシド、過酸化ベンゾイル、メチルエチル
ケトンペルオキシドなどが、レドックス系化合物として
は、過酸化物と還元剤の組み合わせからなるもの、たと
えば第一鉄イオンと過酸化水素、第一鉄イオンと過硫酸
イオン、第二鉄イオンと過酸化物などが、アゾおよびジ
アゾ化合物としては、α・α′−アゾビスイソブチロニ
トリル、2−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、1
−アゾビス−シクロヘキサンカルボニトリル、p−アミ
ノジフェニルアミンのジアゾニウム塩などが、光還元性
色素としては、ローズベンガル、エリスロシン、エオシ
ン、アクリフラビン、リボフラビン、チオニンなどがあ
る。
In addition, as peroxides, hydrogen peroxide, g-tert-
Butyl peroxide, benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, etc. are used as redox compounds. Diferric ions and peroxides are used as azo and diazo compounds such as α・α′-azobisisobutyronitrile, 2-azobis-2-methylbutyronitrile,
Examples of photoreducible dyes include rose bengal, erythrosin, eosin, acriflavin, riboflavin, and thionin.

これら光重合開始剤は1種であっても2種以上を組み合
わせて用いてもよい。その使用量は前記す成分としての
光重合性不飽和化合物100重量部に対して通常0.1
〜20重量部の範囲とすればよい。
These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The amount used is usually 0.1 parts by weight per 100 parts by weight of the photopolymerizable unsaturated compound as the above-mentioned component.
The amount may be in the range of 20 parts by weight.

この発明の光重合性組成物層は、上記したようなa、b
、C成分を必須成分とするが、これら成分のほか必要に
応じて熱重合防止剤、着色剤、密着性向上剤、充填剤お
よび可塑剤などの各種添加剤を含有させるようにしても
よい。
The photopolymerizable composition layer of this invention comprises a, b as described above.
, component C are essential components, but in addition to these components, various additives such as a thermal polymerization inhibitor, a coloring agent, an adhesion improver, a filler, and a plasticizer may be included as necessary.

この発明においてこのような光重合性組成物層は、上記
の各成分を溶剤に均一に溶解分散させ、これを透明支持
体上に乾燥後の厚みが5〜1100II、好ましくは5
〜50μmとなるように塗布し乾燥することにより、形
成される。
In this invention, such a photopolymerizable composition layer is obtained by uniformly dissolving and dispersing each of the above components in a solvent, and depositing this on a transparent support to a thickness of 5 to 1100 II, preferably 5 to 1,100 II after drying.
It is formed by coating and drying to a thickness of ~50 μm.

上記の溶剤としてはアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル類が好適に使用さ
れる。また、トルエン、ベンゼン、キシレンなどの芳香
族炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、トリクロロエ
チ!ノン、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素、メ
タノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなど
のアルコール類なども混合溶剤などの形で使用できる。
As the above-mentioned solvent, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, and esters such as ethyl acetate, butyl acetate, and amyl acetate are preferably used. Also, aromatic hydrocarbons such as toluene, benzene, xylene, carbon tetrachloride, chloroform, trichloroethyl! Halogenated hydrocarbons such as carbon dioxide, methylene chloride, alcohols such as methanol, ethanol, propatool, and butanol can also be used in the form of mixed solvents.

また、上記の透明支持体としては、光重合性組成物層を
光重合させうる300〜500nmの波長域の光の透過
性が良好で、表面が均一であるものが選ばれる。このよ
うな透明支持体の具体例としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン、三酢酸セルロース、二酢酸
セルロース、ポリカーボネート、セロファンなど各種の
プラスチックフィルムがある。その中でも強度2寸法安
定性、耐熱性および吸湿性などの点よりポリエチレンテ
レフタレートが好適である。透明支持体の好ましい厚み
は10〜50μmである。
Moreover, as the above-mentioned transparent support, one is selected that has good transmittance to light in a wavelength range of 300 to 500 nm that allows photopolymerization of the photopolymerizable composition layer, and has a uniform surface. Specific examples of such transparent supports include various plastic films such as polyethylene terephthalate, polypropylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, polycarbonate, and cellophane. Among these, polyethylene terephthalate is preferred from the viewpoint of strength, two-dimensional stability, heat resistance, and moisture absorption. The preferred thickness of the transparent support is 10 to 50 μm.

この発明の画像形成材料は、以上の如くして得られる透
明支持体と光重合性組成物層とを含む剥離現像型ドライ
フィルムレジストからなり、既述のとおり、上記組成物
層中にa成分として前記特定のポリマーを含むことを大
きな特徴とす−るものである。なお、この材料には、保
存中での光重合性組成物層の保護を図るため、ポリエチ
レン、ポリプロピレンあるいは剥離処理を施した各種プ
ラスチックフィルムなどからなる保護フィルムを上記組
成物層の上に設けるようにしてもよい。
The image-forming material of the present invention consists of a peelable and developable dry film resist comprising the transparent support obtained as described above and a photopolymerizable composition layer, and as described above, component a is present in the composition layer. A major feature is that it contains the above-mentioned specific polymer. In addition, in order to protect the photopolymerizable composition layer during storage, a protective film made of polyethylene, polypropylene, or various plastic films subjected to release treatment may be provided on the composition layer. You can also do this.

つぎに、このように構成されるこの発明の画像形成材料
を用いて回路を形成する方法につき説明する。
Next, a method for forming a circuit using the image forming material of the present invention constructed as described above will be explained.

この方法は、まず、回路を形成するべき基板、たとえば
プリント配線板を得るための銅張り積層基板などの表面
を清浄化し、この清浄化面に、前記構成のこの発明の画
像形成材料を、保護フィルムを有している場合は保護フ
ィルムを剥がしてがら、光重合性組成物層側が当接面と
なるように基板に圧着させる。このときの圧着温度は通
常20〜80℃程度である。
In this method, first, the surface of a substrate on which a circuit is to be formed, such as a copper-clad laminate board for obtaining a printed wiring board, is cleaned, and the image forming material of the present invention having the above structure is applied to the cleaned surface for protection. If a film is included, the protective film is peeled off and the photopolymerizable composition layer is pressed onto the substrate so that the contact surface becomes the contact surface. The pressure bonding temperature at this time is usually about 20 to 80°C.

つぎに、回路パターンを有するたとえば陰画マスクを透
明支持体の上に重ね、300〜500nmの波長の光を
含む光源、たとえ’Gf高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キ
セノン灯、カーボンアーク灯などにより露光する。
Next, for example, a negative mask having a circuit pattern is placed on a transparent support and exposed to light from a light source containing light with a wavelength of 300 to 500 nm, such as a 'Gf high pressure mercury lamp, ultra-high pressure mercury lamp, xenon lamp, carbon arc lamp, etc. .

このように露光したのち、基板を好ましくは20〜40
℃の温度下に保った状態で、透明支持体を基板から剥離
すると、パターン露光における露光部分の光重合性組成
物層は光硬化して基板上に残り、非露光部分は硬化しな
いまま透明支持体と共に剥離除去され、これにより基板
上に所望のレジストパターンが形成される。
After being exposed in this way, the substrate is preferably
When the transparent support is peeled off from the substrate while kept at a temperature of ℃, the photopolymerizable composition layer in the exposed areas in pattern exposure is photocured and remains on the substrate, while the unexposed areas remain uncured and remain on the transparent support. The resist material is peeled off along with the resist material, thereby forming a desired resist pattern on the substrate.

つぎに、レジストを有しない基板露出面、プリント配線
基板の場合はレジストを有しない銅面を、塩化第二鉄液
や塩化第二銅液のようなエツチング液によりエツチング
処理する。しかるのち、3〜8重景重量度の水酸化ナト
リウムや水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液中に好ま
しくは40〜80℃の温度下で浸漬するか、あるいはこ
のようなアルカリ水溶液をスプレーすることにより、硬
化したレジストは溶解ないし膨潤し基板から剥離する。
Next, the exposed surface of the substrate without resist, or in the case of a printed wiring board, the copper surface without resist, is etched using an etching solution such as ferric chloride solution or cupric chloride solution. Thereafter, by immersing it in an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide having a molecular weight of 3 to 8, preferably at a temperature of 40 to 80°C, or by spraying such an alkaline aqueous solution, The hardened resist dissolves or swells and peels off from the substrate.

その後よく水洗いして乾燥することにより、基板上にエ
ツチングされた陽画像回路パターンが得られる。
Thereafter, by thoroughly rinsing with water and drying, a positive image circuit pattern etched onto the substrate is obtained.

また、上記の方法において陰画マスクの代わりに陽画マ
スクを用いたときには、上記同様にしてレジストパター
ンを形成したのち、レジストを有しない基板面に対して
エツチング処理の代わりに銅、半田、金などのメッキ処
理を施し、その後上記同様にしてアルカリ水溶液による
レジストの除去を行えば、基板上にメッキされた陽画像
回路パターンを得ることができる。
In addition, when a positive mask is used instead of a negative mask in the above method, after forming a resist pattern in the same manner as above, copper, solder, gold, etc. are applied to the substrate surface that does not have a resist instead of etching. By performing plating treatment and then removing the resist using an alkaline aqueous solution in the same manner as described above, a positive image circuit pattern plated on the substrate can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明においては、剥離現像型ドライ
フィルムレジストの光重合性組成物層中に特定の皮膜形
成性ポリマーを含ませるようにしたことにより、レジス
トパターンを剥離現像によって容易に形成できるととも
に、その除去を安価でかつ公衆衛生上の問題の少ないア
ルカリ水溶液によって行えるため、従来に較べて安価で
かつ衛生的に回路形成を行えるという効果がある。
As described above, in this invention, by including a specific film-forming polymer in the photopolymerizable composition layer of the peel-and-developable dry film resist, a resist pattern can be easily formed by peel-and-develop. In addition, since it can be removed using an alkaline aqueous solution that is inexpensive and poses few public health problems, there is an effect that circuit formation can be performed more cheaply and hygienically than in the past.

〔実施例〕〔Example〕

以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。なお、以下において部とあるは重量部を意味する
ものとする。
EXAMPLES Below, examples of the present invention will be described in more detail. In addition, in the following, parts shall mean parts by weight.

実施例1 スーパークロンCPE−907−HA)ベンゾフェノン
           6部パラメトキシフェノール 
     0.1部トリブロモメチルフェニルスルホン
  1部クリスタルバイオレット      0.2 
部メチルエチルケトン       300部上記材料
を均一に溶解混合することにより、光重合性組成物の溶
液を作製した。この液を厚さ25μmのポリエチレンテ
レフタレートフィルム上に乾燥後の厚みが25μmにな
るように塗布したのち、80℃で5分間乾燥処理を行う
ことにより、剥離現像型ドライフィルムレジストからな
る画像形成材料を得た。
Example 1 Superchron CPE-907-HA) Benzophenone 6 parts paramethoxyphenol
0.1 part tribromomethylphenylsulfone 1 part crystal violet 0.2
1 part methyl ethyl ketone 300 parts A solution of the photopolymerizable composition was prepared by uniformly dissolving and mixing the above materials. This liquid was applied onto a polyethylene terephthalate film with a thickness of 25 μm so that the thickness after drying would be 25 μm, and then dried at 80°C for 5 minutes to form an image forming material consisting of a peelable and developable dry film resist. Obtained.

この画像形成材料を、表面を清浄にした銅張りガラスエ
ポキシ積層基板の銅張面に、光重合性組成物層側が当接
面となるように、50℃の温度下で加圧積層し、さらに
この画像形成材料の透明支持体上に回路パターンを有す
る陰画原稿を密着させ、3KWの超高圧水銀灯で60c
mの距離より10秒間の露光を行った。つぎに、基板を
30℃にして画像形成材料の透明支持体であるポリエチ
レンテレフタレートフィルムを基板から引き剥がすと、
非露光部分はフィルムと共に基板から剥離除去されて基
板の銅張面には硬化した露光部分からなる陽画像回路を
構成するレジストパターンが形成された。
This image forming material was laminated under pressure at a temperature of 50°C on the copper-clad surface of a copper-clad glass epoxy laminate substrate whose surface had been cleaned, with the photopolymerizable composition layer side facing the contact surface, and then A negative original having a circuit pattern was brought into close contact with the transparent support of this image forming material, and a 60cm
Exposure was performed for 10 seconds from a distance of m. Next, when the substrate was heated to 30°C and the polyethylene terephthalate film, which is the transparent support of the image forming material, was peeled off from the substrate,
The non-exposed portions were peeled off from the substrate together with the film, and a resist pattern constituting a positive image circuit consisting of the cured exposed portions was formed on the copper-clad surface of the substrate.

このようにして得られたレジストパターンを有する銅張
り基板を40度ボーメの塩化第二鉄水溶液によりエツチ
ング処理して露出した銅箔をエツチング除去した。その
後、濃度3重量%の水酸化ナトリウム水溶液(液温50
℃)に5分間浸漬したところ、硬化したレジストは膨潤
して基板より剥離した。この基板を水洗、乾燥すること
により所望のプリント配線板が得られた。
The copper-clad substrate having the resist pattern thus obtained was etched with a ferric chloride aqueous solution at 40 degrees Baumé to remove the exposed copper foil. After that, a sodium hydroxide aqueous solution with a concentration of 3% by weight (liquid temperature 50%
℃) for 5 minutes, the cured resist swelled and peeled off from the substrate. A desired printed wiring board was obtained by washing this board with water and drying it.

実施例2 陰画原稿とは逆の陽画原稿を使用した以外は・実施例1
と同様にして銅張り積層基板上に陰画回路を構成するレ
ジストパターンを形成した。つぎに、この基板の露出し
た銅張面上に半田メッキを施したのち、アルカリ水溶液
によってレジストを除去することにより、銅張面上に半
田メッキされた陽画回路パターンを形成した。
Example 2 Example 1 except that a positive original was used, which was the opposite of the negative original.
In the same manner as above, a resist pattern constituting a negative circuit was formed on a copper-clad laminate board. Next, solder plating was applied to the exposed copper-clad surface of this board, and the resist was removed with an alkaline aqueous solution to form a solder-plated positive circuit pattern on the copper-clad surface.

その後、半田は溶かさないが銅を溶かすことのできるア
ルカリエッチャント(ジャパンメタルフイニツシング社
製の商品名)にて40℃でエツチングを行うと、半田メ
ッキされた所望のプリント配線板が得られた。
After that, etching was performed at 40°C using an alkaline etchant (trade name manufactured by Japan Metal Finishing Co., Ltd.) that does not melt solder but can melt copper, and the desired solder-plated printed wiring board was obtained. .

比較例1 実施例1の皮膜形成性ポリマーの代わりに、塩素化ポリ
エチレン(実施例1と同じもの)50部とポリメチルメ
タクリレート(実施例1と同じもの)50部を用いた以
外は、実施例1と同様にして画像形成材料を得た。さら
にこの材料を用いて実施例1,2と同様にして基板への
積層、露光および剥離現像を行ったところ、実施例1,
2と同様のレジストパターンを形成できた。
Comparative Example 1 Example 1, except that 50 parts of chlorinated polyethylene (same as Example 1) and 50 parts of polymethyl methacrylate (same as Example 1) were used instead of the film-forming polymer of Example 1. An image forming material was obtained in the same manner as in Example 1. Furthermore, using this material, lamination on a substrate, exposure and peeling development were performed in the same manner as in Examples 1 and 2.
A resist pattern similar to 2 was able to be formed.

しかし、その後実施例1.2と同様のエツチング処理ま
たはメッキ処理を施したのち、同様の条件で5分間アル
カリ水溶液に浸漬してみたが、硬化したレジスト皮膜を
基板から剥離除去することができなかった。
However, after applying the same etching or plating treatment as in Example 1.2, the resist film was immersed in an alkaline aqueous solution for 5 minutes under the same conditions, but the hardened resist film could not be peeled off from the substrate. Ta.

比較例2 実施例1の皮膜形成性ポリマーの代わりに、ポリメチル
メタクリレート(実施例1と同じもの)40部とスチレ
ン−マレイン酸イソプロピル半エステル(実施例1と同
じもの)60部を用いた以外は、実施例1と同様にして
画像形成材料を得た。
Comparative Example 2 The film-forming polymer of Example 1 was replaced with 40 parts of polymethyl methacrylate (same as in Example 1) and 60 parts of styrene-isopropyl maleate half ester (same as in Example 1). An image forming material was obtained in the same manner as in Example 1.

この材料を用いて実施例1,2と同様にして基板への積
層、露光を行ったのち、剥離現像を行ってみたが、露光
部分も非露光部分もいずれも基板上に残りポリエチレン
テレフタレートフィルムだけが剥がれてしまった。すな
わち、上記材料では剥離現像によって基板上に所望のレ
ジストパターンを形成することができなかった。
After laminating and exposing this material to a substrate in the same manner as in Examples 1 and 2, peeling and development was performed, but both exposed and non-exposed areas remained on the substrate, leaving only the polyethylene terephthalate film. has peeled off. That is, with the above materials, it was not possible to form a desired resist pattern on the substrate by peeling and development.

比較例3 実施例1の皮膜形成性ポリマーの代わりに、ポリメチル
メタクリレート(実施例1と同じもの)20部とスチレ
ン−マレイン酸イソプロピル半エステル(実施例1と同
じもの)80部を用いた以外は、実施例1と同様にして
画像形成材料を得た。
Comparative Example 3 The film-forming polymer of Example 1 was replaced with 20 parts of polymethyl methacrylate (same as Example 1) and 80 parts of styrene-isopropyl maleate half ester (same as Example 1). An image forming material was obtained in the same manner as in Example 1.

この材料を用いて実施例1,2と同様にして基板への積
層、露光を行ったのち、剥離現像を行ってみたが、上記
比較例2の場合と同様に露光部分も非露光部分も基板に
残ってしまい、所望のレジストパターンを形成すること
ができなかった。
Using this material, the substrate was laminated and exposed in the same manner as in Examples 1 and 2, and then peeled and developed. Therefore, the desired resist pattern could not be formed.

実施例3 の部品名スーパークロンCR−)J レート ベンゾフェノン           5部パラメトキ
シフェノール      o、 i 5p−)ルエンス
ルホニルクロリド   1部ビクトリアピュアーブルー
     0.3部メチルエチルケトン       
300部上記の光重合性組成物溶液を用いて実施例1と
同様にして画像形成材料を作製し、この材料を用いて以
下実施例1,2と同様にして回路形成を行ったところ、
剥離現像によるレジストパターンの形成およびアルカリ
水溶液によるパターン状レジストの除去がいずれも容易
で、実施例1.2と同様の所望の回路パターンを有する
プリント配線板を得ることができた。
Part name of Example 3 Super Chron CR-) J rate benzophenone 5 parts paramethoxyphenol o, i 5p-) Luenesulfonyl chloride 1 part Victoria Pure Blue 0.3 part Methyl ethyl ketone
An image forming material was prepared in the same manner as in Example 1 using 300 parts of the above photopolymerizable composition solution, and a circuit was formed using this material in the same manner as in Examples 1 and 2.
Both the formation of a resist pattern by peeling and development and the removal of the patterned resist by an alkaline aqueous solution were easy, and a printed wiring board having the same desired circuit pattern as in Example 1.2 could be obtained.

実施例4 ンCPE−907LTA) ジエチルチオキサントン       3部ジメチルア
ミノ安息香酸イソアミル  3部パラメトキシフェノー
ル      0.1 部トリブロモメチルフェニルス
ルホン  1部ビクトリアピュアーブルー     0
.3部メチルエチルケトン       300部上記
の光重合性組成物溶液を用いて実施例1と同様にして画
像形成材料を作製し、この材料を用いて以下実施例1.
2と同様にして回路形成を行ったところ、剥離現像によ
るレジストパターンの形成およびアルカリ水溶液による
パターン状レジストの除去がいずれも容易で、実施例1
,2と同様の所望の回路パターンを有するプリント配線
板を得ることができた。
Example 4 (CPE-907LTA) Diethylthioxanthone 3 parts Isoamyl dimethylaminobenzoate 3 parts Paramethoxyphenol 0.1 part Tribromomethylphenyl sulfone 1 part Victoria Pure Blue 0
.. 3 parts Methyl ethyl ketone 300 parts An image forming material was prepared in the same manner as in Example 1 using the above photopolymerizable composition solution, and using this material, Example 1.
When a circuit was formed in the same manner as in Example 2, it was found that both the formation of a resist pattern by peeling development and the removal of the patterned resist with an alkaline aqueous solution were easy.
A printed wiring board having a desired circuit pattern similar to that of , 2 could be obtained.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透明支持体と、a)アルカリ水溶液に可溶性ない
し膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリマーとを主成分と
する皮膜形成性ポリマー、b)光重合性不飽和化合物お
よびc)光重合開始剤を必須成分として含有する光重合
性組成物層とを含む剥離現像型ドライフィルムレジスト
からなる画像形成材料。
(1) A transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound, and c) a photopolymerization initiator. An image-forming material comprising a peel-and-developable dry film resist and a photopolymerizable composition layer contained as an essential component.
(2)透明支持体と、a)アルカリ水溶液に可溶性ない
し膨潤性のポリマーと含ハロゲンポリマーとを主成分と
する皮膜形成性ポリマー、b)光重合性不飽和化合物お
よびc)光重合開始剤を必須成分として含有する光重合
性組成物層とを含む剥離現像型ドライフィルムレジスト
からなる画像形成材料を、回路を形成するべき基板上に
、光重合性組成物層側が当接面となるように積層し、パ
ターン状の露光を行つたのち、剥離現像によりレジスト
パターンを形成し、エッチングやメッキなどの所要の回
路形成処理を施したのち、上記パターン状のレジストを
アルカリ水溶液により除去することを特徴とする回路形
成方法。
(2) A transparent support, a) a film-forming polymer whose main components are a polymer soluble or swellable in an alkaline aqueous solution and a halogen-containing polymer, b) a photopolymerizable unsaturated compound, and c) a photopolymerization initiator. An image forming material consisting of a peelable and developable dry film resist containing a photopolymerizable composition layer as an essential component is placed on a substrate on which a circuit is to be formed, so that the photopolymerizable composition layer side is the contact surface. After laminating and exposing in a pattern, a resist pattern is formed by peeling and development, and after performing necessary circuit forming processing such as etching and plating, the patterned resist is removed with an alkaline aqueous solution. A method for forming a circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62119541A (en) * 1985-11-15 1987-05-30 モートン インターナショナル インコーポレイテッド Radiation polymerizing mixture, recording material produced therefrom and making of relief recording body

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62119541A (en) * 1985-11-15 1987-05-30 モートン インターナショナル インコーポレイテッド Radiation polymerizing mixture, recording material produced therefrom and making of relief recording body

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