JPS6233390A - Magnetic bubble memory element - Google Patents

Magnetic bubble memory element

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JPS6233390A
JPS6233390A JP60172321A JP17232185A JPS6233390A JP S6233390 A JPS6233390 A JP S6233390A JP 60172321 A JP60172321 A JP 60172321A JP 17232185 A JP17232185 A JP 17232185A JP S6233390 A JPS6233390 A JP S6233390A
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JP
Japan
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formulas
tables
mathematical
chemical formulas
chemical
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Pending
Application number
JP60172321A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruhiko Matsuyama
松山　治彦
Fusaji Shoji
房次 庄子
Hiroshi Umezaki
梅崎　宏
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetic bubble memory element using an insulating film between layers excellent in a flattening effect for obtaining a good transfer characteristic by forming the insulating film between layers by hot setting a specific polyimide precursor. CONSTITUTION:A conductor pattern 3 using SiO2 film and Au as the first insulating film on a bubble garnet film 1 is formed. N, N' dimethyl acetamide solution of the polyimide precursor represented by an expression is rotated and applied, heated and hardened in a nitrogen atmosphere to form an insulating film 4-1 and an etching of a soft magnetic substance is carried out to form a soft magnetic substance pattern 5. The polyimide precursor is high in solubility to a solvent and becomes a polyamide varnish of homogeneous and high density, so that a thick film can be easily formed. Thereby, a flattening can be more highly accurately performed, so that a magnetic bubble memory element having an extremely excellent transfer characteristic is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はコンダクタパターン上に層間絶縁膜を介して軟
磁性体パターンを形成する磁気バブルメモリ素子に係り
、特に微小径（１１＋ｉ以下）のバブルを用いた高密度
素子において良好なバブル転送特性を得るための層間絶
縁膜に関するものである。Detailed Description of the Invention [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory element in which a soft magnetic material pattern is formed on a conductor pattern via an interlayer insulating film, and particularly relates to a magnetic bubble memory element in which a soft magnetic material pattern is formed on a conductor pattern via an interlayer insulating film. The present invention relates to an interlayer insulating film for obtaining good bubble transfer characteristics in the high-density device used.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

磁気バブルメモリ素子に用いる軟磁性体であるパーマロ
イパターンは、面内方向の回転磁界を印加することＫよ
り、パターン１７１部に磁極を発生する。バブルの転送
はこの磁極を利用して行う。このパーマロイパターンは
層間絶縁膜を介して、コンダクタパターン上に形成され
るが、その際、コンダクタの段差がそのままパーマロイ
パターンに転写されると、パーマロイパターンに段差が
発生し、回転磁界あるいは垂直方向のバイアス磁界によ
り、その段差部分に不一安な磁極が発生する。この段差
邪の磁極はバブルの転送に悪影響を与え、転送特性の省
下り原因となる。A permalloy pattern, which is a soft magnetic material used in a magnetic bubble memory element, generates a magnetic pole in the pattern 171 by applying a rotating magnetic field in an in-plane direction. Bubble transfer is performed using these magnetic poles. This permalloy pattern is formed on the conductor pattern via an interlayer insulating film, but at that time, if the steps of the conductor are transferred as they are to the permalloy pattern, steps will occur in the permalloy pattern, and the rotating magnetic field or vertical direction will Due to the bias magnetic field, unstable magnetic poles are generated at the step portion. This uneven magnetic pole has a negative effect on bubble transfer, causing deterioration in transfer characteristics.

従来、この問題の解決法として、前記の層間絶縁膜に熱
硬化型の樹脂を用いる方法が提案されている（特開昭５
５−２２２９５号、梅崎他磁気バブルメモリ素子）。こ
の方法は樹刀旨浴液を塗布晦べ−りして、コンダクタ・
パー７０４間の層間絶縁膜とするもので、極めて簡便か
つ再現性よくコンダクタ段差の平坦化を図ることがで曇
る。Conventionally, as a solution to this problem, a method has been proposed in which a thermosetting resin is used for the interlayer insulating film (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 5-22295, Umezaki et al. magnetic bubble memory device). This method involves applying and buffing the conductor with a bathing liquid.
By forming an interlayer insulating film between the conductor layers 704, it is possible to planarize the conductor step very easily and with good reproducibility.

しかし、この方法は樹脂溶液の流動性を利用するもので
あるため、その平坦化効果は微小径（１μｍ以下）のバ
ブルを用いる高密度素子に対しては必ずしも十分ではな
い。これはバブル径が微小になる程、バイアス磁界が増
大し、パーマロイパターンのわずかな段差においても、
大きな不要磁極が発生しバブルの転送特性も悪影響を受
けるためである（特開昭５５−２２２９３号）。However, since this method utilizes the fluidity of the resin solution, its flattening effect is not necessarily sufficient for high-density devices using bubbles with minute diameters (1 μm or less). This is because the bias magnetic field increases as the bubble diameter becomes smaller, and even at the slightest step in the permalloy pattern,
This is because large unnecessary magnetic poles are generated and the bubble transfer characteristics are also adversely affected (Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-22293).

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、このような微小径のバブルを用いた素
子においても良好な転送特性を得るための平坦化効果の
優れた層間絶縁膜を用いた磁気バブルメモリ素子を提供
することにある。An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory element using an interlayer insulating film with an excellent planarization effect in order to obtain good transfer characteristics even in an element using bubbles of such minute diameter.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、具体的には層間絶縁膜の一部が下記一般式（Ｉ）
で表わされるポリイミド前駆体を加熱硬化したものとす
ることで上記目的が達成される。That is, specifically, a part of the interlayer insulating film has the following general formula (I)
The above object is achieved by heat-curing the polyimide precursor represented by:

のいずれか一種類の基であり、ルは１〜２ｏである） 本発明の第一の特徴は上記のポリイミド前駆体を加熱硬
化することにより、下地の段差を従来のポリイミドを用
いた場合と比べ一層高精度に平坦化できるため、極めて
優れた転送特性を有する磁気バブルメモリ素子が得られ
ることにある。第２の特徴は、層間絶縁膜の下層を上記
一般式（Ｉｌのポリイミド前駆体を加熱硬化したものを
用いて下地段差を高精度に平坦化するとともに、更に上
層に２５０℃以上、好−ましくは５００℃以上のガラス
転移温度を有する膜を形成することにより、後工程でこ
の層間絶縁膜上に形成する軟磁性体の形成温度マージン
を大きくできることにある。即ち一般に基板温度が３０
０℃を越えるような蒸着、スパッタリング方式による軟
磁性体形成工程においても下地となる層間絶縁膜が軟化
することがないため、形成した軟磁性体膜にシワなどの
変形がない。この様な効果をもつものとしては、アルミ
ナ、二酸化ケイ素。The first feature of the present invention is that by heating and curing the above-mentioned polyimide precursor, the difference in level of the base layer can be improved compared to when using conventional polyimide. Since flattening can be performed with higher precision than in the conventional method, a magnetic bubble memory element having extremely excellent transfer characteristics can be obtained. The second feature is that the lower layer of the interlayer insulating film is made of a heat-cured polyimide precursor of the general formula (Il) to flatten the underlying step with high precision, and the upper layer is heated to a temperature of preferably 250°C or higher. Specifically, by forming a film with a glass transition temperature of 500°C or higher, the temperature margin for forming the soft magnetic material to be formed on this interlayer insulating film in a later process can be increased.
Since the underlying interlayer insulating film does not soften even in the soft magnetic material formation process using vapor deposition or sputtering methods at temperatures exceeding 0° C., the formed soft magnetic material film does not undergo deformation such as wrinkles. Examples of substances that have this effect are alumina and silicon dioxide.

窒化ケイ素などに代表される無機絶縁物、下記一般式用
で表わされるポリイミド前駆体を加熱硬化して得られる
ものがある。Some materials are obtained by heating and curing inorganic insulators such as silicon nitride, and polyimide precursors represented by the following general formula.

ｖ　　、’＠、のいずれか一種類の基であり、ルは１０
〜５００である。） また前記のｆＩ　ｌ　ｒＩＩＩ式で示したポリイミド前
駆体は、溶媒に対する溶解性が高く、均質で高濃度のポ
リアミド酸フェスとなることから、厚い膜厚を容易に形
成することができる。溶媒としては、Ｎ−メチル−２−
ビクリドン、ベンジルビａリドン、　Ｎ、Ｎ’−ジメチ
ルア七ドアミドージメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド等の極性溶媒が好ましく、特に後から述べるス
ピン塗布を行う場合には、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
、　Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセトアミドが好ましい６磁気
バブルメモリ素子の層間絶縁膜は上記ポリアミド酸フェ
スをコンダクタが設けられた凸凹のある基板上に塗布し
、熱硬化処理するとポリイミド系樹脂膜が形成される。v is one type of group, '@, and le is 10
~500. ) Furthermore, the polyimide precursor represented by the fI l rIII formula has high solubility in a solvent and forms a homogeneous and highly concentrated polyamic acid face, so that a thick film can be easily formed. As a solvent, N-methyl-2-
Polar solvents such as bicridone, benzylbialidone, N,N'-dimethylani7adoamide, dimethylformamide, and dimethyl sulfoxide are preferable, and especially when performing spin coating as described later, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N '-dimethylacetamide is preferable 6. The interlayer insulating film of the magnetic bubble memory element is formed by applying the above-mentioned polyamide acid film onto a substrate having irregularities provided with a conductor and heat-curing the film to form a polyimide resin film.

塗布法としてはスピン塗布法、ロールコート法、ディッ
プ法。Application methods include spin coating, roll coating, and dipping.

印刷法等があるが、基板全面に均一に生産性よく塗膜を
形成するには、スピン塗布法が最も好ましい。熱硬化処
理温度１４０〜４００℃好ましくは２５０〜４００℃１
時間１０〜１８０分、好ましくは３０〜１２０分が良い
。雰囲気はＡｒ、　Ｎ２等の不活性ガス中か又は圧力Ｑ
、ＩＰα　以下の減圧状態である。また、前記した眉間
絶縁膜上層にアルミナ二酸化ケイ素、磁化ケイ素などに
代表される無機絶縁物を用いる場合のこれらの形成方法
としてはＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｇｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法、・スパッタリング法、蒸
着法などが好ましい。Although there are printing methods and the like, the spin coating method is most preferable in order to form a coating film uniformly and productively over the entire surface of the substrate. Heat curing treatment temperature: 140-400°C, preferably 250-400°C1
The time is 10 to 180 minutes, preferably 30 to 120 minutes. The atmosphere is an inert gas such as Ar or N2, or pressure Q.
, IPα or less. Furthermore, when using an inorganic insulating material such as alumina silicon dioxide or magnetized silicon for the upper layer of the glabellar insulating film, CV D (Chgmical Vapor
Preferable methods include a deposition method, a sputtering method, and a vapor deposition method.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、実施例により本発明の詳細な説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.

実施例１ バブルガーネット膜１の上に第１の絶縁膜としてｓｉｏ
、膜２およびＡｔＬを用いたコンダクタパターン３を形
成する（第１図（α１）。ここでＳｉｎ、。Example 1 SIO was used as the first insulating film on the bubble garnet film 1.
, a film 2 and a conductor pattern 3 using AtL are formed (FIG. 1 (α1). Here, Sin.

コンダクタの膜厚はそれぞれ１００”’　＊　５５０　
ｎｍである次に次式で表わされるポリイミド前駆体のＮ
、Ｎ’ジメチルアセトアミド溶液（樹脂分１０ｕｌｔチ
）Ｕ　　　　　　　　　ｃｒＬ今５） を回転塗布し、窒素雰囲気中で加熱硬化し絶縁膜４−１
を形成した（第１図（ｂ））。熱硬化は２００℃で３０
分、更に５５０℃で５０分間行った。またこの時の絶縁
膜４−１であるポリイミドの膜厚はｓｓｏｎｍとした。The film thickness of each conductor is 100''*550
N of the polyimide precursor represented by the following formula, which is nm
, N' dimethylacetamide solution (resin content: 10 ult) was spin-coated and cured by heating in a nitrogen atmosphere to form an insulating film 4-1.
was formed (Fig. 1(b)). Heat curing is 30 at 200℃
The temperature was further increased for 50 minutes at 550°C. Further, the film thickness of the polyimide which is the insulating film 4-1 at this time was set to ssonm.

次にこの絶縁膜４−１の上に高周波スパッタ法により、
基板温度２５０〜５００℃で軟磁性体（膜厚５５０ｒＬ
ｒｎ）を形成した後この上にレジストパターン形成し、
イオンミリングにより、軟磁性体のエツチングを行い軟
磁性体パターン５を形成した（第１図（Ｃ１）。Next, on this insulating film 4-1, by high frequency sputtering method,
Soft magnetic material (film thickness 550rL) at substrate temperature 250~500℃
After forming rn), a resist pattern is formed on this,
The soft magnetic material was etched by ion milling to form a soft magnetic material pattern 5 (FIG. 1 (C1)).

この様にして形成した磁気バグルメモリ素子では、コン
ダクタ５段差上の絶縁膜４−１の平坦化効果により、軟
磁性体部に不要な磁極の発生がほとんど認められず、バ
ブル転送が可能なバイアス磁界の余裕度（以下、「転送
マージン」と略称する）が従来の４〜５％から１０〜１
２％と向上した。In the magnetic bugle memory element formed in this manner, due to the flattening effect of the insulating film 4-1 on the five steps of the conductor, almost no unnecessary magnetic poles are observed in the soft magnetic material part, and a bias magnetic field that enables bubble transfer is generated. margin (hereinafter referred to as "transfer margin") has increased from the conventional 4 to 5% to 10 to 1.
This improved to 2%.

実施例２ 第１表の／％１〜屓６に示すポリイミド前駆体を用いて
、絶縁膜４−１を形成した以外はすべて実施例１と同様
にして、磁気バブルメモリ素子を製造し、転送マージン
を調べた。何れも良好な結果が得られた。Example 2 A magnetic bubble memory element was manufactured and transferred in the same manner as in Example 1 except that the insulating film 4-1 was formed using the polyimide precursor shown in /%1 to %6 of Table 1. I looked at the margins. Good results were obtained in all cases.

実施例３ パブルガーネツ）　！Ｉ　１の上に第１の絶縁膜として
５　ｔ　０２　ｇ　２およびＡμを用いたコシダクタパ
ターン３を形成する（第２図（α））。ここでＳｉｎ、
、コンダクタの膜厚はそれぞれｊＱＱｎｍ　、　５５０
ｎｍであＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド溶ｉ（樹脂分
１（至）ｔｌを回転塗布し、窒素雰囲気中で加熱硬化し
絶縁膜４−１を形成した（第２図（Ａ））。熱硬化は２
００″Ｃで３０分、更に５５０℃で３０分間行りた。ま
たこの時のＩｌ！縁膜４−１であるポリイミドの膜厚は
２５０　ｎｍとした。次にこの絶ｍＪｌｉ　４−１の上
にＣＶＤ法によりアルミナ膜を１１００ｎ形成し上層絶
縁膜４−２を形成した（第２図（Ｃ））。この後、上層
絶縁膜４−２の上に抵抗加熱蒸着法により基板温度５０
０℃で、軟磁性体３５０ｎｍを形成した後、この上にレ
ジストパターンを形成し、イオンミリングにより軟磁性
体のエツチングを行い軟磁性体パターン５を形成した（
第２図μ））。Example 3 Pabulgarnets)! A cosiductor pattern 3 using 5 t 02 g 2 and Aμ is formed as a first insulating film on I 1 (FIG. 2 (α)). Here Sin,
, the film thickness of the conductor is jQQnm, 550, respectively.
N,N'-dimethylacetamide solution I (resin content 1 (up) tl) was spin-coated and cured by heating in a nitrogen atmosphere to form an insulating film 4-1 (FIG. 2(A)). Curing is 2
The process was carried out at 00''C for 30 minutes and then at 550℃ for 30 minutes.The thickness of the polyimide film 4-1 at this time was 250 nm.Next, the film thickness of the polyimide film 4-1 was 1100 nm of alumina film was formed using the CVD method to form the upper layer insulating film 4-2 (FIG. 2(C)).After this, the substrate temperature was lowered to 50 nm using the resistance heating evaporation method on the upper layer insulating film 4-2.
After forming a soft magnetic material with a thickness of 350 nm at 0° C., a resist pattern was formed on this, and the soft magnetic material was etched by ion milling to form a soft magnetic material pattern 5 (
Figure 2 μ)).

このようにして形成した磁気バブルメモリ素子は、実施
例１．２と同様に良好な転送特性を示した。The magnetic bubble memory element thus formed exhibited good transfer characteristics as in Example 1.2.

実施例４ 実施例３と同様にして、絶縁膜４−１まで形成しく第２
図（ｂ）　）　、その後、次式で表わされるポリイミド
前駆体のＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド（１′Ｌ　←
２５０） 溶液（樹脂分５ｗｔ％）を回転塗布し、窒素雰囲気中で
加熱硬化し１００ｒＬｒｒＬ厚の上層絶縁膜４−２を形
成した（第２図（Ｃ））。この後、上層絶縁膜４−２の
上にスパッタ法により基板温度５５０　’Ｃで、軟磁性
体５５０　ｎｍを形成した後、この上にレジストパター
ンを形成し、イオンミリングにより軟磁性体のエツチン
グを行い、軟磁性体パターン５を形成したＣ第２図〔ｄ
））。Example 4 In the same manner as in Example 3, the second layer was formed up to the insulating film 4-1.
Figure (b)), then the polyimide precursor N,N'-dimethylacetamide (1'L ←
250) A solution (resin content: 5 wt %) was spin-coated and cured by heating in a nitrogen atmosphere to form an upper insulating film 4-2 with a thickness of 100 rLrrL (FIG. 2(C)). After that, a soft magnetic material with a thickness of 550 nm is formed on the upper insulating film 4-2 by sputtering at a substrate temperature of 550'C, a resist pattern is formed on this, and the soft magnetic material is etched by ion milling. Figure 2 (d) shows the soft magnetic material pattern 5 formed by
)).

このようＫして形成した愚見ノープルメモリ素子は、前
述の実施例と同様に良好な転送特性を示した。なおこの
際の上層絶縁膜のガラス転移温度は５５０℃であった。The Gumi no-pull memory element formed in this manner exhibited good transfer characteristics as in the above-mentioned embodiments. Note that the glass transition temperature of the upper insulating film at this time was 550°C.

実施例５ 第２表の腐１〜４６に示すポリイミドａ駆体な用いて、
上層絶縁膜４−２を形成した以外は全て実施例４と同様
にして、出気バブルメモリ素子を製造し、何れも良好な
転送特性マージンが得られた。Example 5 Using the polyimide a precursors shown in 1 to 46 of Table 2,
Exhaust bubble memory devices were manufactured in the same manner as in Example 4 except that the upper insulating film 4-2 was formed, and good transfer characteristic margins were obtained in all cases.

比較例 絶縁膜４−１形成材料として次式で表わされるポリイミ
ド前駆体のＮ、Ｎ’−ジメチルアセトアミド溶液（樹脂
分９ｗｔチ） （ｒＬＬｉ２Ｏ２ を用いた以上は、すべて実施例１と同様にして、磁気バ
ブルメモリ素子を製造した。転送マージンは４〜５％で
あり、本発明に係る実施例１〜５の素子と比べ、極めて
低い値であった。Comparative Example Insulating film 4-1 was formed using an N,N'-dimethylacetamide solution of a polyimide precursor represented by the following formula (resin content: 9 wt) (rLLi2O2), but in the same manner as in Example 1. A magnetic bubble memory device was manufactured.The transfer margin was 4 to 5%, which was an extremely low value compared to the devices of Examples 1 to 5 according to the present invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、コンダクタパターンにより発生する段
差は著しく低減され、特に微小なバブル（直径１０μｍ
以下）を有する磁気バブル素子において、著しい特性改
善の効果が見られた。。According to the present invention, the level difference caused by the conductor pattern is significantly reduced, and in particular, the level difference caused by the conductor pattern is significantly reduced.
A significant characteristic improvement effect was observed in the magnetic bubble element having the following). .

すなわち、コンダクタパターンを横切るパーマロイ転送
路において、通常の樹脂を用いた場合には、転送マージ
ン（バブル転送が可能な）くイアス＄界の余裕度）は４
〜５％であったものが、本発明の層間絶縁膜を用いた素
子では１０〜１２％の転送マージンが得られた。In other words, when normal resin is used in the permalloy transfer path that crosses the conductor pattern, the transfer margin (margin of bubble transfer possible) is 4.
Although the transfer margin was ~5%, the device using the interlayer insulating film of the present invention obtained a transfer margin of 10~12%.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図および第２図は本発明の実施例における磁気バブ
ルメモリ素子の作製工程を示す図である。 １・・・バブルガーネット膜 ２・・・ＳＬＯ，膜 ３・・・コンダクタ ４−１・・・絶縁膜 ４−２・・・上層絶縁膜 ５・・・軟磁性体パターンFIGS. 1 and 2 are diagrams showing the manufacturing process of a magnetic bubble memory element in an embodiment of the present invention. 1... Bubble garnet film 2... SLO, film 3... Conductor 4-1... Insulating film 4-2... Upper layer insulating film 5... Soft magnetic material pattern

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、コンダクタパターン上に層間絶縁膜を介して軟磁性
体パターンを形成する磁気バブルメモリ素子において、
層間絶縁膜が下記一般式（ I ）で表わされるポリイミ
ド前駆体を加熱硬化したものよりなることを特徴とする
磁気バブルメモリ素子。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （但し、Ｒ＿１は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれ
た少なくとも一種類の基であり、Ａｒ＿１は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれか一種類の
基であり、Ａｒ＿２は▲数式、化学式、表等があります
▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼のいず れか一種類の基であり、ｎは１〜２０である）２、コン
ダクタパターン上に層間絶縁膜を介して軟磁性体パター
ンを形成する磁気バブルメモリ素子において、層間絶縁
膜の下層が下記一般式（ I ）で表わされるポリイミド
前駆体を加熱硬化した ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （但し、Ｒ＿１は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼のうちから選ばれ
た少なくとも一種類の基であり、Ａｒ＿１は▲数式、化
学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 のいずれか一種類の基であり、Ａｒ＿２は▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいずれか一
種類の 基であり、ｎは１〜２０である）ものよりなり、層間絶
縁膜の上層が２５０℃以上、好ましくは３００℃以上の
ガラス転移温度を有するものよりなることを特徴とする
磁気バブルメモリ素子。 ３、層間絶縁膜の上層がアルミナ、二酸化硅素、窒化ケ
イ素などの無機絶縁物よりなることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の磁気バブルメモリ素子。 ４、層間絶縁膜の上層がポリイミド膜からなることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の磁気バブルメモリ
素子。 ５、層間絶縁膜の上層が下記一般式（II）で表わされる ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （但し、Ａｒ＿３は▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼のいずれか一種類の基で あり、Ａｒ＿４は▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼のい ずれか一種類の基であり、ｎは１０〜５００である。） ポリイミド前駆体を加熱硬化したものよりなることを特
徴とした、特許請求の範囲第２項または第４項記載の磁
気バブルメモリ素子。[Claims] 1. In a magnetic bubble memory element in which a soft magnetic material pattern is formed on a conductor pattern via an interlayer insulating film,
A magnetic bubble memory element characterized in that the interlayer insulating film is made of a polyimide precursor represented by the following general formula (I) that is heated and hardened. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) (However, R_1 has ▲numerical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼,
▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, and Ar_1 is at least one type of group selected from ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼,▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, and Ar_2 is one type of group. ▼, and n is 1 to 20) 2. In a magnetic bubble memory element in which a soft magnetic material pattern is formed on a conductor pattern via an interlayer insulation film, interlayer insulation The lower layer of the film is made by heating and curing a polyimide precursor represented by the following general formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(I) (However, R_1 has ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.) ▼,
▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, and Ar_1 is at least one type of group selected from ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲mathematical formulas,
There are chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, Ar_2 is one of the following groups: ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ (n is 1 to 20), and the upper layer of the interlayer insulating film has a glass transition temperature of 250°C or higher, preferably 300°C or higher. . 3. The magnetic bubble memory device according to claim 2, wherein the upper layer of the interlayer insulating film is made of an inorganic insulator such as alumina, silicon dioxide, or silicon nitride. 4. The magnetic bubble memory device according to claim 2, wherein the upper layer of the interlayer insulating film is made of a polyimide film. 5. The upper layer of the interlayer insulating film is expressed by the following general formula (II) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...(II) (However, Ar_3 has ▲Mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.)
, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼ It is one type of group, and Ar_4 is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼,
▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼, ▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼,▲Mathematical formulas, chemical formulas,
There are tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼
, ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, and n is 10 to 500. ) The magnetic bubble memory element according to claim 2 or 4, characterized in that it is made of a polyimide precursor cured by heating.
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