JPS6230687A - 酸化物単結晶の製造法 - Google Patents
酸化物単結晶の製造法Info
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- JPS6230687A JPS6230687A JP17151585A JP17151585A JPS6230687A JP S6230687 A JPS6230687 A JP S6230687A JP 17151585 A JP17151585 A JP 17151585A JP 17151585 A JP17151585 A JP 17151585A JP S6230687 A JPS6230687 A JP S6230687A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイス用単結晶材料又は、電子デバイ
ス用基板等に用いられる酸化物単結晶の製造法に関する
。
ス用基板等に用いられる酸化物単結晶の製造法に関する
。
従来の技術
従来、単結晶と多結晶とを接合し、両者の融点以下の温
度で熱処理し、多結晶を単結晶化する固相半結晶゛育成
法が知られていたが、この場合、種子単結晶と多結晶は
、本質的に、同一結晶構造で、かつ、はぼ同一組成の、
いわゆる「ホモ(ジニアスン」型固相単結晶育成法であ
った(特開昭56−162496号公報)。
度で熱処理し、多結晶を単結晶化する固相半結晶゛育成
法が知られていたが、この場合、種子単結晶と多結晶は
、本質的に、同一結晶構造で、かつ、はぼ同一組成の、
いわゆる「ホモ(ジニアスン」型固相単結晶育成法であ
った(特開昭56−162496号公報)。
発明が解決しようとする問題点
従来の「ホモ」型固相単結晶育成法では、必ず、同一結
晶構造で、かつ同一組成の単結晶を、固相率1結晶育成
法以外の方法、例えば、ブリッジマン法や、チョクラル
スキー法、等の液相→固相による単結晶育成法や、気相
→固相による畦結晶育成法によって、別に作成する事が
必要となる。それ故、融点近くで、分解するもの、蒸気
圧が高くて、高温では、所定の組成を持つものが得られ
ないもの、更には、高温で結晶化した後、室温にまで降
温する途中で、結晶構造の転移があるもの等については
、種子結晶となる単結晶が得られないために、たとえ、
多結晶は合成できても、種子単結晶が作成できないもの
は、従来の技術では多結晶を単結晶化することはできな
かった。
晶構造で、かつ同一組成の単結晶を、固相率1結晶育成
法以外の方法、例えば、ブリッジマン法や、チョクラル
スキー法、等の液相→固相による単結晶育成法や、気相
→固相による畦結晶育成法によって、別に作成する事が
必要となる。それ故、融点近くで、分解するもの、蒸気
圧が高くて、高温では、所定の組成を持つものが得られ
ないもの、更には、高温で結晶化した後、室温にまで降
温する途中で、結晶構造の転移があるもの等については
、種子結晶となる単結晶が得られないために、たとえ、
多結晶は合成できても、種子単結晶が作成できないもの
は、従来の技術では多結晶を単結晶化することはできな
かった。
本発明は、前述の問題点を解決するために、種子結晶と
、多結晶が異なる「ヘテロ(ジニアス)」型固相単結晶
育成法を、提供するものである。
、多結晶が異なる「ヘテロ(ジニアス)」型固相単結晶
育成法を、提供するものである。
問題点を解決するための手段
酸化物単結晶を種子結晶とし、構成原子が、種子結晶と
異なる酸化物多結晶もしくは、結晶構造が種子結晶と異
なる酸化物多結晶のうち、少くともどちらか一方の条件
を満たす酸化物を、出発母材とし、出発母材に、前記、
種子結晶を接合、接触、接着等により合体せしめ、両者
の融点以下の温度にて、熱処理することにより、出発母
材を種子結晶の結晶方位によって定まる結晶方位を持つ
単結晶とする。
異なる酸化物多結晶もしくは、結晶構造が種子結晶と異
なる酸化物多結晶のうち、少くともどちらか一方の条件
を満たす酸化物を、出発母材とし、出発母材に、前記、
種子結晶を接合、接触、接着等により合体せしめ、両者
の融点以下の温度にて、熱処理することにより、出発母
材を種子結晶の結晶方位によって定まる結晶方位を持つ
単結晶とする。
作 用
本発明は、異種の種子結晶を用いて、固相エビタキーを
、両者の接合界面に誘起させて、多結晶を単結晶に転換
させるものであり、その単結晶化への駆動力は、結晶粒
界の界面エネルギーである。
、両者の接合界面に誘起させて、多結晶を単結晶に転換
させるものであり、その単結晶化への駆動力は、結晶粒
界の界面エネルギーである。
本発明は、この界面エネルギーを有効に生かし、ヘテロ
型固相単結晶育成を確立させたものであも実施例 本発明による、この固相エピタキシーが生じやすくさせ
るため種子結晶と多結晶との酸素原子の結晶格子内での
配置や配列が、相互に整合性よく合わさることが必要で
ある。本発明では、両者の酸素原子の配置や配列が、互
いに相似形であることにより高い整合性全得るものであ
る。更に、本発明では、種子結晶と出発母材との接合界
面において、両者の界面に垂直な酸素原子面の面間隔の
差を、種子結晶の原子面間隔で割った商が0.3以下に
することによる両者の原子面間隔の不一致度、すなわち
、種子結晶側の原子面間隔fatと多結晶側の単結晶化
した時の原子面間隔(b)によって、決まるミスフィツ
トパラメーター((b−a)/a)×100が小さくな
り、固相エピタキシーが生じやすくなる。
型固相単結晶育成を確立させたものであも実施例 本発明による、この固相エピタキシーが生じやすくさせ
るため種子結晶と多結晶との酸素原子の結晶格子内での
配置や配列が、相互に整合性よく合わさることが必要で
ある。本発明では、両者の酸素原子の配置や配列が、互
いに相似形であることにより高い整合性全得るものであ
る。更に、本発明では、種子結晶と出発母材との接合界
面において、両者の界面に垂直な酸素原子面の面間隔の
差を、種子結晶の原子面間隔で割った商が0.3以下に
することによる両者の原子面間隔の不一致度、すなわち
、種子結晶側の原子面間隔fatと多結晶側の単結晶化
した時の原子面間隔(b)によって、決まるミスフィツ
トパラメーター((b−a)/a)×100が小さくな
り、固相エピタキシーが生じやすくなる。
本発明では固相エピタキシーを誘起させるため、種子結
晶と出発母材との接合体を熱処理を望ましくは、多結晶
の二次粒成長開始温度近傍で行う力(種子結晶と多結晶
の熱膨張係数の差が大きいと、接合界面に応力を生じ、
接合が不完全になったシ、両者にクラックが入ったり、
破壊したりする。これら、接合不良の問題や、単結晶化
後の破壊の問題は、種子結晶と多結晶の熱膨張係数の差
を小さくしてやれば、解決できるものである。本発明は
、室温から熱処理温度までの温度範囲で熱膨張係数の差
が3ox 10−’/’C以下にすることにより、上記
、問題が解決できる。又、出発母材の単結晶化について
は、前述の様に、結晶粒子の粒界エネルギーを駆動力と
するので、多結晶の平均結晶粒径が小さい程、単結晶化
しやすい。更に、多結晶の結晶構造が、立方晶系でなく
、他の結晶系に属するものでは、熱膨張係数が、結晶方
向によって異っており、平均結晶粒径が、10μmf越
えると、内部応力が発生し、結晶粒界が、ゆるんだり、
破壊したりするため、単結晶化に支障をきたす。よって
、本発明では、出発母材として、平均結晶粒径が、10
μm以下の結晶粒子で構成されている多結晶を用いるこ
とにより、酸化物単結晶が製造できるものである。
晶と出発母材との接合体を熱処理を望ましくは、多結晶
の二次粒成長開始温度近傍で行う力(種子結晶と多結晶
の熱膨張係数の差が大きいと、接合界面に応力を生じ、
接合が不完全になったシ、両者にクラックが入ったり、
破壊したりする。これら、接合不良の問題や、単結晶化
後の破壊の問題は、種子結晶と多結晶の熱膨張係数の差
を小さくしてやれば、解決できるものである。本発明は
、室温から熱処理温度までの温度範囲で熱膨張係数の差
が3ox 10−’/’C以下にすることにより、上記
、問題が解決できる。又、出発母材の単結晶化について
は、前述の様に、結晶粒子の粒界エネルギーを駆動力と
するので、多結晶の平均結晶粒径が小さい程、単結晶化
しやすい。更に、多結晶の結晶構造が、立方晶系でなく
、他の結晶系に属するものでは、熱膨張係数が、結晶方
向によって異っており、平均結晶粒径が、10μmf越
えると、内部応力が発生し、結晶粒界が、ゆるんだり、
破壊したりするため、単結晶化に支障をきたす。よって
、本発明では、出発母材として、平均結晶粒径が、10
μm以下の結晶粒子で構成されている多結晶を用いるこ
とにより、酸化物単結晶が製造できるものである。
以下、実施例をあげる。
実施例4
ブリッジマン法で作成した、立方晶系スピネル型のMn
−Zn−7xライト単結晶(Mno、6Zno、5)F
e2o4、チョクラルスキー法で作成した六方晶系のア
ルミナ単結晶A12o3を、それぞれ種子結晶とし、M
n−Zn−フェライト単結晶では、その(100)面を
、アルミナ単結晶では、C−面とa−面を、それぞれ鏡
面加工して、第1図の種子結晶1に示すような接合面と
した。一方、試薬特級のNiO,MgOを出発原料とし
、これを、等モル比に混合し、仮焼、成形、ホットプレ
スにより、立方晶系Na0g型の(Nio、6M90.
5)0の高密度焼結体(理論密度の99%以上)を作成
した。
−Zn−7xライト単結晶(Mno、6Zno、5)F
e2o4、チョクラルスキー法で作成した六方晶系のア
ルミナ単結晶A12o3を、それぞれ種子結晶とし、M
n−Zn−フェライト単結晶では、その(100)面を
、アルミナ単結晶では、C−面とa−面を、それぞれ鏡
面加工して、第1図の種子結晶1に示すような接合面と
した。一方、試薬特級のNiO,MgOを出発原料とし
、これを、等モル比に混合し、仮焼、成形、ホットプレ
スにより、立方晶系Na0g型の(Nio、6M90.
5)0の高密度焼結体(理論密度の99%以上)を作成
した。
但し、仮焼はSOO〜900°C1大気中で行ない、成
形は通常の金型成形により、300 Kp / cdi
の圧力にて成形した。ホットプレスは、大気中12oO
°Cで300〜/−の圧力で2時間焼結を行った。
形は通常の金型成形により、300 Kp / cdi
の圧力にて成形した。ホットプレスは、大気中12oO
°Cで300〜/−の圧力で2時間焼結を行った。
この多結晶の平均結晶粒径は、6μmであった。
比較のため、ホットプレス温度を、1250’Cと13
00°Cと高め、平均結晶粒径が、それぞれ、10μm
と、20μmの多結晶も作成した。これらの多結晶を1
0X20X30−の直方体に切断加工し、2QX30m
m2の平面を、鏡面に仕上げた。多結晶の(NiO,5
”Jo、5)oの二次粒成長が、1350°Cで開始す
ることを確認した後、Mn−Zn−フェライトの種子結
晶の(100)面と、多結晶の鏡面に、−規定硝酸を両
面に塗布した後、張り合せて接着し第1図のように一体
となしたここで2は多結晶である。この接合体を、N2
ガス雰囲気中にて加熱昇温し、1260°Cで1時間保
持後、1370°Cで3時間加熱保持し、その後、室温
まで炉冷を行った。熱処理後、試料を%に切断し、切断
面を鏡面研磨し、濃塩酸にて、エツチングを行った。そ
の結果、第2図のように多結晶2の平均結晶粒径が5μ
m1及び10μmのものを用いた場合では、接合界面か
らそれぞれ、2 ff1lll 、o、smm多結晶が
く10o〉方向に単結晶化している事がX線回折、エッ
チピット観察、光学顕微鏡観察等により確認できた。但
し、第2図の1は種子結晶であり、3は多結晶から単結
晶化した領域である。
00°Cと高め、平均結晶粒径が、それぞれ、10μm
と、20μmの多結晶も作成した。これらの多結晶を1
0X20X30−の直方体に切断加工し、2QX30m
m2の平面を、鏡面に仕上げた。多結晶の(NiO,5
”Jo、5)oの二次粒成長が、1350°Cで開始す
ることを確認した後、Mn−Zn−フェライトの種子結
晶の(100)面と、多結晶の鏡面に、−規定硝酸を両
面に塗布した後、張り合せて接着し第1図のように一体
となしたここで2は多結晶である。この接合体を、N2
ガス雰囲気中にて加熱昇温し、1260°Cで1時間保
持後、1370°Cで3時間加熱保持し、その後、室温
まで炉冷を行った。熱処理後、試料を%に切断し、切断
面を鏡面研磨し、濃塩酸にて、エツチングを行った。そ
の結果、第2図のように多結晶2の平均結晶粒径が5μ
m1及び10μmのものを用いた場合では、接合界面か
らそれぞれ、2 ff1lll 、o、smm多結晶が
く10o〉方向に単結晶化している事がX線回折、エッ
チピット観察、光学顕微鏡観察等により確認できた。但
し、第2図の1は種子結晶であり、3は多結晶から単結
晶化した領域である。
しかるに、多結晶の平均結晶粒径が、20μmのもので
は、単結晶化が生じていなかった。アルミナ単結晶を種
子結晶に用いた場合では、酸素原子の配置、配列が多結
晶と種子結晶とで相似形となるC−面を接合面としたも
のでは、平均結晶粒径が6μm、10μmの多結晶を用
いたものはく111〉方向にそれぞれ2.211111
110.7 M 単結晶化しており20μmの多結晶
を用いたものは単結晶化していなかった。一方、相似形
とならないa〜面を接合面としたものでは、いずれの多
結晶を用いたものでも単結晶化が認められなかった。但
し、C−面を接合面としたものでは、(Nio、5Mq
0.5)0に多数のクラックが発生した。なお、この実
験で用いた材料の諸定数は、次の通りであった。Mn−
Zn−フェライトの格子定数は8.48人、(100)
面での酸素の原子面間隔は6.99人、熱膨張係数は1
15×10−7/C,アルミナ単結晶の格子定数はa=
4.76人、C=13.00人、0面での酸素の原子面
間隔は、4.76人、a・−面での酸素の原子面間隔は
6.50八、熱膨張係数はa軸方向で55x10−’/
Q。
は、単結晶化が生じていなかった。アルミナ単結晶を種
子結晶に用いた場合では、酸素原子の配置、配列が多結
晶と種子結晶とで相似形となるC−面を接合面としたも
のでは、平均結晶粒径が6μm、10μmの多結晶を用
いたものはく111〉方向にそれぞれ2.211111
110.7 M 単結晶化しており20μmの多結晶
を用いたものは単結晶化していなかった。一方、相似形
とならないa〜面を接合面としたものでは、いずれの多
結晶を用いたものでも単結晶化が認められなかった。但
し、C−面を接合面としたものでは、(Nio、5Mq
0.5)0に多数のクラックが発生した。なお、この実
験で用いた材料の諸定数は、次の通りであった。Mn−
Zn−フェライトの格子定数は8.48人、(100)
面での酸素の原子面間隔は6.99人、熱膨張係数は1
15×10−7/C,アルミナ単結晶の格子定数はa=
4.76人、C=13.00人、0面での酸素の原子面
間隔は、4.76人、a・−面での酸素の原子面間隔は
6.50八、熱膨張係数はa軸方向で55x10−’/
Q。
C軸方向でg5x10−’、’C,(N’0.5Mqo
、s)0の格子定数は、4.19人、熱膨張係数は、1
20X10−7/’0であった。この実施例では、接合
面で、酸素原子の配置が相似形である。M n −Z
n−フェライトの(100)面や、アルミナ単結晶のC
−面を用いた場合では、単結晶化していた。又、特許請
求の第3項でいう商は、Mn−Zn−フェライトの(1
0o)面で0.30.アルミナのC−面、で0.12、
a−面で0.36であった。熱膨張係数の点からは、ア
ルミナの単結晶のC−面を接合面とした場合が、熱膨張
係数の差が36×10 /Cと犬きく 、(Nio、訣
袂侵。
、s)0の格子定数は、4.19人、熱膨張係数は、1
20X10−7/’0であった。この実施例では、接合
面で、酸素原子の配置が相似形である。M n −Z
n−フェライトの(100)面や、アルミナ単結晶のC
−面を用いた場合では、単結晶化していた。又、特許請
求の第3項でいう商は、Mn−Zn−フェライトの(1
0o)面で0.30.アルミナのC−面、で0.12、
a−面で0.36であった。熱膨張係数の点からは、ア
ルミナの単結晶のC−面を接合面とした場合が、熱膨張
係数の差が36×10 /Cと犬きく 、(Nio、訣
袂侵。
にクラックが発生していた。多結晶の平均結晶粒径につ
いて言えば、10μm以上の20μmのもので、単結晶
化が認められなかった。
いて言えば、10μm以上の20μmのもので、単結晶
化が認められなかった。
実施例−2
試薬特級のα−F e 203を出発原料とし、これを
、圧力30014/’critで、金型成形し、実施例
−1と同様にして、1100’Cで2時間、圧力300
館/Mでホットプレスし、平均結晶粒径が、6μmの高
密度焼結体を作成した。この多結晶を、実施例−1と同
様に、Mn−Zn−フェライト単結晶の(10C))面
と、張り合わせ、大気中で1200’Cで、3時間、熱
処理を行った。なお、このα−Fe203、多結晶は、
大方晶系で、格子定数はa=5.03人、 c=13.
76人。
、圧力30014/’critで、金型成形し、実施例
−1と同様にして、1100’Cで2時間、圧力300
館/Mでホットプレスし、平均結晶粒径が、6μmの高
密度焼結体を作成した。この多結晶を、実施例−1と同
様に、Mn−Zn−フェライト単結晶の(10C))面
と、張り合わせ、大気中で1200’Cで、3時間、熱
処理を行った。なお、このα−Fe203、多結晶は、
大方晶系で、格子定数はa=5.03人、 c=13.
76人。
二次粒成長を開始する温度は、1150°Cであった。
熱処理後、実施例−1と同様に、試料体を部分し、その
切1析面を鏡面研磨し、エツチングすると、接合界面か
ら、1.5mm多結晶が単結晶化していた。
切1析面を鏡面研磨し、エツチングすると、接合界面か
ら、1.5mm多結晶が単結晶化していた。
なお、このα−Fe2o3多結晶体の熱膨張係数は、1
0oX10−7/Cであり、種子結晶の熱膨張係数との
差は、20X10−7/℃であった。比較のため、平均
結晶粒径が、10μm、16μmのα−Fe203多結
晶を作成し、同様の実験を行ったが、結晶粒径が、10
μm、15μmのものは、走査型電子顕微鏡で観察する
と結晶粒界が、ゆるんだように、一部、解離しており、
単結晶化も10μmのものが、一部単、結晶化するだけ
で、15μmのものは、単結晶化しなかった。
0oX10−7/Cであり、種子結晶の熱膨張係数との
差は、20X10−7/℃であった。比較のため、平均
結晶粒径が、10μm、16μmのα−Fe203多結
晶を作成し、同様の実験を行ったが、結晶粒径が、10
μm、15μmのものは、走査型電子顕微鏡で観察する
と結晶粒界が、ゆるんだように、一部、解離しており、
単結晶化も10μmのものが、一部単、結晶化するだけ
で、15μmのものは、単結晶化しなかった。
実施例−3
湿式共沈法で合成した8 a T L Os粉体を、実
施例−1と同様に金型成形し、大気中で1300°Cで
3時間300 嬢々Hの圧力のホットプレスにより、高
密度のBaTiO3多結晶を作成した。この多結晶は正
方晶系であり、格子定数はa=4.01人。
施例−1と同様に金型成形し、大気中で1300°Cで
3時間300 嬢々Hの圧力のホットプレスにより、高
密度のBaTiO3多結晶を作成した。この多結晶は正
方晶系であり、格子定数はa=4.01人。
a=4.05人で、その熱膨張係数は、約90×10−
ンCであった。多結晶の平均結晶粒径は1μmであった
。この多結晶を、実施例−1と同様に、Mn−Zn−フ
ェライト単結晶の(100)面と接合し、138o′C
で3時間、N−1%0゜中で熱処理を行った。なお、こ
のB a T iO3の二次粒成長開始温度は、135
0°Cであった。熱処理後、第2図の様に、試料を切断
し、その切断面を観察すると、接合界面から、1.5.
mの長さで、多結晶が単結晶化していた。なお、この熱
処理温度では、f3 a T iO3は、立方晶系に転
移しており、その格子定数はa=4.06Aであった。
ンCであった。多結晶の平均結晶粒径は1μmであった
。この多結晶を、実施例−1と同様に、Mn−Zn−フ
ェライト単結晶の(100)面と接合し、138o′C
で3時間、N−1%0゜中で熱処理を行った。なお、こ
のB a T iO3の二次粒成長開始温度は、135
0°Cであった。熱処理後、第2図の様に、試料を切断
し、その切断面を観察すると、接合界面から、1.5.
mの長さで、多結晶が単結晶化していた。なお、この熱
処理温度では、f3 a T iO3は、立方晶系に転
移しており、その格子定数はa=4.06Aであった。
比較のため、平均結晶粒径が、10μmの多結晶、及び
、20μmの多結晶を作成し、同様の実験を行ったとこ
ろ、10μmの多結晶から、結晶粒界のゆるみが一部に
見られ、単結晶化も、0.1(財)程度であシ、20μ
mの多結晶を用いた場合は、単結晶化が認められなかっ
た。又、Mn−Zn−フェライト単結晶の代りに、同じ
く立方晶系のMqO単結晶(熱膨張係数が、138X1
0−’/ °CJを用いて、同様の実験を行った。なお
MqOの格子定数はa=4.21人 である。しかし、
MqO単結晶を用いた場合には、熱膨張係数の差が60
x10 /’c近くもあり、熱処理を行っても、接合
がうまくいかず、単結晶化も、認められなかった0 これらの実施例では、第1図に示した様な、種子結晶・
多結晶の接合体を用いたが、これは、本発明は具体例の
1つでありこの方法に固定するものではない。
、20μmの多結晶を作成し、同様の実験を行ったとこ
ろ、10μmの多結晶から、結晶粒界のゆるみが一部に
見られ、単結晶化も、0.1(財)程度であシ、20μ
mの多結晶を用いた場合は、単結晶化が認められなかっ
た。又、Mn−Zn−フェライト単結晶の代りに、同じ
く立方晶系のMqO単結晶(熱膨張係数が、138X1
0−’/ °CJを用いて、同様の実験を行った。なお
MqOの格子定数はa=4.21人 である。しかし、
MqO単結晶を用いた場合には、熱膨張係数の差が60
x10 /’c近くもあり、熱処理を行っても、接合
がうまくいかず、単結晶化も、認められなかった0 これらの実施例では、第1図に示した様な、種子結晶・
多結晶の接合体を用いたが、これは、本発明は具体例の
1つでありこの方法に固定するものではない。
発明の効果
本発明では、種子結晶として、通常のブリッジマン法や
、チョクラルスキー法によって合成される酸化物単結晶
を用い、多結晶は作成できるが、単結晶は作成困難な材
料を、単結晶化できるという効果を持つものである。
、チョクラルスキー法によって合成される酸化物単結晶
を用い、多結晶は作成できるが、単結晶は作成困難な材
料を、単結晶化できるという効果を持つものである。
第1図は本発明の一実施例における種子結晶と多結晶を
示す斜視図、第2図は熱処理後、多結晶、種子結晶との
接合界面から、単結晶化した部分を示す斜視図である。
示す斜視図、第2図は熱処理後、多結晶、種子結晶との
接合界面から、単結晶化した部分を示す斜視図である。
1・・・・・・種子結晶、2・・・・・多結晶。
Claims (5)
- (1)酸化物単結晶を種子結晶とし、構成原子の一部も
しくは大部分が、種子結晶と異なる酸化物多結晶もしく
は、結晶構造が種子結晶と異なる酸化物多結晶のうち少
なくともどちらか一方の条件を満たす酸化物を、出発母
材とし、出発母材に、前記帽子結晶を、接触、接着、接
合等により、合体せしめ、両者の融点以下の温度にて、
熱処理することにより、出発母材を種子結晶の結晶方位
によって定まる結晶方位を持つ単結晶となすことを特徴
とする酸化物単結晶の製造法。 - (2)種子結晶と出発母材多結晶との界面において、両
者の酸素原子の配置や配列が、互いに相似形であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の酸化物単結晶
の製造法。 - (3)種子結晶と、出発母材多結晶の、界面において、
両者の界面に垂直な酸素原子面の面間隔の差を、種子結
晶の原子面間隔で割った商が、0.3以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第2項記載の酸化物単結晶の
製造法。 - (4)種子結晶の熱膨張係数と、出発母材の熱膨張係数
の差が、室温から、熱処理の温度までの温度範囲で、3
0×10^−^7/℃以下であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の酸化物単結晶の製造法。 - (5)出発母材として、平均結晶粒径が10μm以下の
結晶粒子で構成されている多結晶を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の酸化物単結晶の製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17151585A JPS6230687A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 酸化物単結晶の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17151585A JPS6230687A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 酸化物単結晶の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6230687A true JPS6230687A (ja) | 1987-02-09 |
Family
ID=15924549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17151585A Pending JPS6230687A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 酸化物単結晶の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6230687A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375551B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2003-03-10 | 주식회사 세라콤 | 티탄산바륨과 티탄산바륨 고용체 단결정의 제조 방법 |
US6783588B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | BaTiO3-PbTiO3 series single crystal and method of manufacturing the same piezoelectric type actuator and liquid discharge head using such piezoelectric type actuator |
JP2015003836A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 日本碍子株式会社 | 単結晶体の製造方法 |
JP2016012385A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 日本タングステン株式会社 | 薄膜磁気ヘッド用基板、磁気ヘッドスライダ、および、ハードディスクドライブ装置 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17151585A patent/JPS6230687A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375551B1 (ko) * | 2000-04-19 | 2003-03-10 | 주식회사 세라콤 | 티탄산바륨과 티탄산바륨 고용체 단결정의 제조 방법 |
US6783588B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | BaTiO3-PbTiO3 series single crystal and method of manufacturing the same piezoelectric type actuator and liquid discharge head using such piezoelectric type actuator |
US7736433B2 (en) | 2000-12-15 | 2010-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | BaTiO3—PbTiO3 series single crystal and method of manufacturing the same, piezoelectric type actuator and liquid discharge head using such piezoelectric type actuator |
JP2015003836A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 日本碍子株式会社 | 単結晶体の製造方法 |
JP2016012385A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | 日本タングステン株式会社 | 薄膜磁気ヘッド用基板、磁気ヘッドスライダ、および、ハードディスクドライブ装置 |
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