JPS6230615B2

JPS6230615B2 -

Info

Publication number: JPS6230615B2
Application number: JP56133149A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Masaki
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-08-25
Filing date: 1981-08-25
Publication date: 1987-07-03
Also published as: JPS5834435A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光による入力像を光電効果によつて
投影像に変換する電気光学装置に関する。

従来、この種の電気光学装置として液晶ライト
バルブ（光弁）なるものが知られている。その一
例として、特開昭56−43681号公報に於ては、液
晶層と誘電ミラーと、２個の透明電極間に挾まれ
た光電感応層（光導電層）とから成る薄膜の多層
構造をとる液晶ライトバルブが援開示されてい
る。そして、この様な液晶ライトバルブに於て、
前記誘電ミラーは、液晶層側から入射する投影光
が光導電層には達しない様、事前に反射させる為
に必要な要素である。

斯かる誘電ミラーとしては、例えばZnS、
NaAlF₆、MgF₂、TiO₂、SiO₂等から成る多層膜
を用いている。このとき、可視域全域の波長光を
反射する誘電ミラーを得る為には、約15層以上の
積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ作成す
る非要があり、相当に高度な製造技術を要する。
又、仮に前述の目的を以て作成された誘電ミラー
であつても、実際には、投影光を完全には反射す
ることができず、光導電層と誘電ミラーとの間に
別途、光吸収層を設けてその機能を補うことが必
要であつた。

従つて、この様な従来の液晶ライトバルブで
は、所期の機能が充分には発揮されず、且つ複雑
な構造になる上その製造にも手間がかかり、製造
コストも高いものとなつていた。

そこで、本発明は、斯かる従来の諸欠点を除去
すると共に、直流駆動を可能にして動画表示が容
易である一般には液晶ライトバルブと呼ばれる電
気光学装置を提供することを目的とするものであ
る。この様な目的を達成する本発明は、液晶層及
び光導電層を具え、光による入力像を光電効果に
よつて投影像に変換する電気光学装置であつて、
前記光導電層が整流性を示すこと、並びに、複数
の透孔を有する遮光層及び、この遮光層の片面に
接した透光性の絶縁層を介して前記透孔の各々に
対面し且つ互に分離した複数の反射鏡を前記液晶
層と光導電層との間に介在させて成ることを特徴
とするものである。

以下、図面を用いた具体例によつて本発明を詳
細に説明する。

第１図は、ライトバルブ装置の一例の略画断面
図であり、図に於て、１０は偏光子（板）であ
る。１ａ，１ｂは共に透明基板で、ガラス板又は
樹脂板より成る。又、２ａ，２ｂは共に透明電極
で、例えばSnO₂やIn₂（Sn）O₃等の薄膜（厚さ、
500〜3000Å程度）から成る。３は液晶層、又、
４はスペーサーであつて、液晶層３を密封すると
共に、この層厚を調整する為のものである。そし
てこのスペーサー４としては通常、アルミナ粉末
やガラスフアイバー粉末を混入した樹脂製接着剤
が用いられる。液晶層３に於ける液晶構造の変化
には、通常、DSMのように電流効果によるもの
の他、TN方式（ねじれネマテイツク効果）、
DAP（電界制御複屈折効果）方式、相遷移方式
あるいはGH（ゲストホスト効果）方式のように
電界効果によるものがあるが、この図示例では
GH方式が好適なものとして採用されている。具
体的に、このGH（ゲストホスト）液晶層３に用
いる液晶に就いては特に制限はないが、駆動時の
温度上昇を考慮してクリアリング温度が50℃以
上、望ましくは、60℃以上のものが選定される。
又、液晶の配向はホモジニアスであるが、ツイス
トしてもGH方式に用いる他の配向でも勿論、問
題ない。液晶にゲストとして混入される染料とし
ては耐光性の良い、例えば、アンスラキノン系の
染料が好ましく用いられる。このとき、液晶中の
染料の含有量は、液晶の種類によつて左右される
が、通常、重量％で、0.05〜10％、望ましくは、
0.1〜５％である。更に、この液晶層３の厚さ
は、一般に、１〜20μｍ程度とし、液晶の性能、
応答速度、駆動電圧等によつて適切な厚さが設定
される。

５は遮光層であり、カーボンや金属を堆積法に
より厚さ500Å〜２μｍ程度に成膜させたもので
ある。そして、この遮光層５は第１図のＡ，
A′線に於ける切断平面図である第２図のとおり
の平面形状を有し、この遮光層５には多数の透孔
６が配列してある。尚、この透孔６の一つが、投
影像に於ける一画素に相当する。因に、これ等の
透孔６の形状は、図示例の正方例のみに限られ
ず、任意の形状のものとすることができる。更
に、第１図中の７は透光性絶縁層で、望ましく
は、10¹²Ω・cm以上の体積抵抗率を有する。これ
は例えば、グロー放電分解法によつて形成される
SiC、Si₃N₄の膜、スパツタ蒸着法等により形成さ
れるSiO₂膜やPbTiO₃、PLZT、ポリパラキシリ
レン等の強誘電体の膜から成る。そして、この透
光性絶縁層７の厚さは、1000Å〜５μｍの範囲と
するのが良い。

８は反射ミラーであり、鏡面を成すAl等金属
の厚さ500Å〜１μｍ程度の堆積膜から成る。こ
のミラー８は前記絶縁層７を介して透孔６の全て
に対面する様に多数個配置され、各ミラー８は第
１図のＢ，B′線に於ける切断平面図である第３図
のとおりに配列してある。尚、このミラー８の１
個は、各ミラーの間隙８Ｈからのもれ光を防ぐ目
的から、少なくとも前記透孔６の面積以上の面積
（広さ）に成形してある。

９は整流性を示す光導電層で、ここで謂う、整
流性とは、後述する様に通常のダイオードに於け
る整流性と異ない更に広い概念である。

ところで、第１図の構成例に於て、遮光層５の
透光性絶縁層７側の面には、カーボン層等の光吸
収部材を設けて、投影光のミラー８による反射戻
り光を吸収するのが、投影像のコントラストを上
げる為には望ましいことである。

又、反射ミラー８は、全て導電体から成り、且
つ分離していなければならないが、その形状の如
何は問わない。反射ミラー８の全てが分離してい
る理由は、これ等が連続していると、同一電位に
なつて電位差が生じない為、作像が不可能になる
からである。

ここで、別の図面を用いて、第１図に示した光
書込型液晶ライトバルブの作動に就いて詳しく説
明すると共に、本発明に於ける“整流性”の概念
を明確にする。第４図は、第１図のライトバルブ
装置の作動原理を説明する模式図である。

第４図に於て、透明電極２ａと２ｂとの間に電
源２０により所定の直流電界を印加する。このと
き、信号光線が投射された領域では、発生したキ
ヤリア（図中では印で示す電子）が前記電界に
より反射ミラー８に移動する。これによつて、透
明電極２ａと反射ミラー８の間の電圧が透孔６を
通して増大し閾値を越え、液晶層３に於て、誘電
異方性が正の液晶分子３αと染料３βとがホモジ
ーニアス配向状態からホメオトロピツク配向状態
に変化する。そして、ここに、投影光を偏光板１
０を通して投射すると、偏光が透孔６を通して反
射ミラー８に至つた後ここで反射され反射光RL₂
が得られる。

他方、信号光線が入射しない領域では、フオト
キヤリアが発生しないので、キヤリアは透明電極
２ｂに留り、反射ミラー８へは移動しない。従つ
て、この場合には液晶層３に印加される電圧が閾
値を越えることなく、液晶分子３αと染料３βは
ホモジーニアス配向状態に保たれる。そこで、こ
こに入射した投影光（偏光）は液晶層３中の二色
性染料３βによつて吸収され、反射ミラー８によ
る反射光RL₁は前記反射光RL₂に較べて光量が少
なくなつている。

この様にして、反射光量の差に基づく投影像
（…投影する為の像）が形成され、液晶層３中に
生じた像が不図示のスクリーン等に拡大して投影
される。

尚、叙上の過程に於ては、遮光層５及びミラー
８によつて、信号光線が液晶層３側にもれ出るこ
と及び、逆に投影光が光導電層９に入射する不都
合が阻止されている。

又、叙上の作動例に於て、液晶層３中に形成さ
れる投影像が極微細なものでない限りは、特別な
投影光によらなくても室内光の下で投影像を目視
観察することもできる。

次に、第５図を用いた具体的構成例に就いて説
明する。

第１の構成例では、第５図に示す様に、透明基
板１ｂに設けた透明電極２ｂ上に、Pt、Pd、Au
又はMoを20〜500Å、望ましくは30〜200Åの厚
さに蒸着して基層９ａを形成する。次いで、
SiH₄を主体とするガスを放電分解して基層９ａ
上にａ−Si−Ｈ層９ｂを形成する。このａ−Si−
Ｈ層９ｂは弱いｎ型の半導体となり基層９ａとの
間にシヨトキーバリアー層を形成する。尚、ａ−
Si−Ｈ層９ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。そし
て、この層９ｂの厚さは、他の層、とりわけ、液
晶層３との関係で決められるが、通常、5000Å〜
20μｍの範囲にある。

更に、このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に、SiH₄を主体
とするガスにPH₃を100〜20000ppm、望ましく
は、1000〜10000ppm混入して放電分解を行い、
厚さ、100〜3000Å、望ましくは500〜2000Åに堆
積したｎ層９ｃを形成して整流性光導電層９を作
成する。

次いで、第１図に示した実施例と同様に、Al
から成る反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層
５の形成を行つた後、別の透明基板１ａの両面に
偏光板１０と透明電極２ａを設けて、遮光層５と
透明電極２ａとの間にGH液晶層３を封入してラ
イトバルブ装置の一例が完成する。この様にして
得られたライトバルブ装置に於ける光導電層９の
バンドダイアグラムを第６図ａに示す。

このバンドダイアグラムから解る様に、上記装
置によつて投影像を得る場合、透明電極２ａと２
ｂ間に印加される電圧は、2b側が負になる様に
印加される。このとき、仮に、シヨトキーバリア
層を形成せずに透明電極２ｂに直接、ａ−Si−Ｈ
層（ｉ層）９ｂを設けると、透明電極２ｂからキ
ヤリア（…ｉ層が弱いｎ型で、この場合、電子）
のインジエクシヨンを生じるので、光導電層９の
暗抵抗が10⁸〜10⁹Ω・cmにある場合、期待しない
結果となる。これに対して、本例の様にシヨトキ
ーバリア層を形成すると、光導電層９へのキヤリ
アインジエクシヨンが阻止され、光導電層９の暗
抵抗が10¹²Ω・cm以上になる為、期待どおりの投
影像を形成することが可能になる。

又、本例に於けるｎ層９ｃは、投影像を消去す
る際、フオトキヤリアを受容した反射ミラー８か
ら透明電極２ｂにフオトキヤリアを掃引するのを
容易、且つ安定して可能にする作用を持つ。

但し、このｎ層９ｃは、電気的に低抵抗である
から、作像の都合上、ミラー８と同様、複数に分
割して電気的にアイソレイトさせることが必要で
あり、実際には、第５図に示す様に、写真蝕刻法
を用いて、ミラー８とほゞ同様のパターンに形成
される。

尚、この場合、平行光で入射した投影光を反射
ミラー８によつて平行光として反射させるときに
は、個々のｎ層９ｃの面積を、ミラー８のそれと
同等か若干、広くすることが必要である。因に、
個々のｎ層９ｃの面積がミラー８のそれよりも小
さいときには、ミラー８の面に凹凸ができて、入
射光を散乱させることになり、それが拡散板とし
ての効果を示す様になる。

又、仮に、このｎ層９ｃを設けず、ａ−Si−Ｈ
層９ｂに反射ミラー８が直接、接して形成される
場合には、両者の界面にバリアが形成されること
があり、フオトキヤリアの掃引に場所ムラがあつ
たり不完全になる等の不都合が見られることが多
い。但し、上記バリアが形成されない場合には、
ｎ層９ｃを省略することもできる。

ところで、フオトキヤリアの掃引に際して本例
装置に印加される電圧は、液晶層３に掛る電圧が
閾値を越えない限り、透明電極２ｂが同２ａに対
して正になる様な順方向の直流電圧でも、或は、
交流電圧のどちらでも良い。

次に、第２の構成例を説明する。この例では、
透明電極２ｂ上に、SiH₄を主体とするガ中に
B₂H₆を50〜20000ppm、望ましくは200〜
10000ppm混入してグロー放電分解を行い、厚
さ、30〜1000Å、望ましくは50〜300Åに堆積し
たＰ層９ｃを形成する。このＰ層９ａの適切な厚
さは、信号光線の吸収量、及びＰ層９ａとその上
に設けられるａ−Si−Ｈ層（ｉ層）９ｂとの間の
空乏層の形成との関係で決められる。

次いで、第１の構成例の場合と同様にして、ａ
−Si−Ｈ層９ｂ、ｎ層９ｃ、反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を順次、積層した後、他の
透明電極２ａとの間に液晶層３を封入してライト
バルブ装置を完成させた。この装置に於ける光導
電層９のバンドダイアグラムを第６図ｂに示す。
これから解る様に、投影像を形成する際の印加電
圧の極性は、上記第１の例の場合と同じで、且
つ、同様の効果が得られる。

又、本例に於ても、フオトキヤリアの反射ミラ
ー８から透明電極２ｂへの掃引を、第１の例の場
合と同様に行うことができる。尚、Ｐ層９ａとし
ては、上記のものの他、SiH₄とCH₄のグロー放電
分解による堆積膜（Ｐ型ａ−Si−Ｃ−Ｈ膜）にａ
−Si−Ｈ層９ｂを形成して得られるヘテロジヤン
クシヨンであつても良く、全く同様の効果が得ら
れる。

更に、第３の構成例では、光導電層９の構成
が、上記２例と異なるだけで、他は全く同様にし
て液晶ライトバルブ装置を完成させる。本例で
は、光導電層９を次のとおり作成する。即ち、透
明電極２ｂ上に、ａ−Si−Ｈ膜、SiO₂膜、又はポ
リパラキシリレン膜を厚さ、50〜10000Å、望ま
しくは100〜3000Åに形成して透光性絶縁層９ａ
を設けた後、上記２例の場合と全く同様に、ａ−
Si−Ｈ層９ｂ、ｎ層９ｃを順次、積層する。

この第３の例に於ける光導電層９のバンドダイ
アグラムを第６図ｃに示す。

本例では、透明電極２ｂからａ−Si−Ｈ層（ｉ
層）９ｂへのキアリアインジエクシヨンは絶縁層
９ａにより阻止され、又、ａ−Si−Ｈ層９ｂがｎ
型半導体である為、投影像を形成する際に印加さ
れる電圧極性は、上記２例のの場合と全く同じで
あり、同様の効果が得られる。又、フオトキヤリ
アの掃引操作もこれ等と同様に行うことができ
る。

以上、３例の液晶ライトバルブ装置に於ては、
SiH₄を主体とするガスの放電分解によつてＰ
層、ａ−Si−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層等の光導電層の
形成を行つたが、この他、SIF₄を主体とするガ
スの放電分解によつても、上記のものと同様に、
Ｐ層（B₂H₆等がドーピングガスとして用いられ
る）、ａ−Si−Ｆ−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層（ドーピン
グガスとしてPH₃等が用いられる）を形成するこ
とができる。

因に、ａ−Si（ａ−Si−Ｈ、ａ−Si−Ｆ−Ｈ）
の作成方法やその性質、ドーピング効果等に就い
ては、「アモルフアス電子材料利用技術集成」（サ
イエンスフオーラム社出版、1981）、その他の文
献に詳しく記載されているので、参照することが
できる。

又、容易に想起されることではあるが、本発明
に係る整流性光導電層としては、叙上の他、
SeTe、As₂Se₃、CdS、CdTe等と透光性絶縁層と
の積層体やCdS（ｎ型）とCdTe（Ｐ型）とのヘ
テロジヤンクシヨン等も適用することができる。

更に、ここで、具体的実施例に基づき本発明を
詳細に説明する。

実施例１コーニング社製7059スライドガラス１ｂ上の
In₂（Sn）O₃（松崎真空製）を透明電極２ｂと
し、これに電子ビームによりPtをＰ_B（ベースプ
レツシヤー）＝１×10^-6Torr蒸着レイト（Ｒ）＝
１Å／Ｓ、基板温度（Ts）＝80℃で40Åの厚さに
蒸着し、Pt層９ａを設けた。次いで、容量結合タ
イプのグロー放電分解法によりａ−Si−Ｈ層９ｂ
を次のようにして厚さ、10μｍ堆積した。アノー
ド、カソード共に200φ、その間の距離50mmの反
応炉にSiH₄／H₂＝50％のガスを20SCCM導入
し、Ｐ_B＝1910^-6Torrガス圧＝0.05Torr、Ts＝
250℃のもとで、RF＝13.56MHz、RFパワー＝
15Wでグロー放電分解し、ａ−Si−Ｈ層をスライ
ドガラス上に10時間堆積した。スライドガラスは
アノード側にセツトした。この様にして得られた
ａ−Si−Ｈ層は優れた光導電性を示しクシ型電極
を用いてサーフエスタイプで側定した場合、ρ_p
（暗抵抗率）＝10¹⁰Ω・cm、ρ_L（He−Neレーザ
ー、１ｍＷ／cm²での抵抗率）＝10⁵Ω・cmである。

次に、このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に電子ビーム蒸
着によりAlを2000Åの厚さに蒸着した。このと
き、Ｐ_B＝１×10^-5Torr、Ts＝60℃、Ｒ＝10Å／
Ｓであつた。次いで、写真蝕刻法により、１個が
90μｍ×90μｍの面積で100μｍピツチの（第３
図示様のパターンを持つ）反射ミラー８を形成し
た。更に、この反射ミラー８上に次のとおり、ａ
−Si−Ｎ−Ｈの透光性絶縁層７を3000Å堆積し
た。このとき、ａ−Si−Ｈを作製したのと同一の
装置で、上記の作製工程を経た基板をアノード側
にセツトし、Ｐ_B＝１×10^-6Torrのもとで、
SiH₄／H₂＝10％を5SCCM、純粋なNH₃を
20SCCM導入しガス圧を0.15Torrとし、Ts＝250
℃、RFパワー＝5Wの条件で５時間堆積した。こ
うして得られたａ−Si−Ｎ−Ｈ層の体積抵抗率は
10¹⁴Ω・cm以上である。次に、このａ−Si−Ｎ−
Ｈ透光性絶縁層７上にAlを2000Å蒸着し、第２
図示様のパターンの遮光層５を第３図における反
射ミラー８との重複巾が５μｍになるよう写真蝕
刻法によりパターニングした。従つて開口部６の
面積は80μｍ×80μｍである。次いで遮光層５上
にポリパラキシリレンを2000Åの厚さに気相熱分
解法により堆積した。ポリパラキシリレン上を綿
布でラビングし液晶の配向処理を行つた。

遮光層５の周辺（その部分のポリパラキシリレ
ンは除去してある）に、次の工程で必要な開口を
有するようにAl₂O₃粉末を分散させたエポキシ樹
脂を厚さ５μｍに塗布し、その上に配向処理をし
たポリパラキシリレン層（2000Åの厚さ）を有す
る透明電極２ａを持つ7059スライドガラス１ａを
圧着した。充分エポキシ樹脂を熱硬化させた後こ
れを真空槽内にゲストホスト液晶と共に入れ、ロ
ータリーポンプで〜１×10^-2Torrになるよう排
気した。次いで、ゲストホスト液晶で、上記あら
かじめ設けた開口を塞ぎ徐々にリークしながら真
空槽内を常圧にして遮光層５と透明電極２ａの間
にゲストホスト液晶を満した後、エポキシ樹脂で
開口を塞ぎ密封した。尚、この液晶の配向は、ホ
モジーニアス配向である。ゲストホスト液晶に
は、メルク社製ネマテイツク相1291にBDHケミ
カル社製アンスラキノン系ブルーダイD5を重量
比で0.5％分散させたものを用いた。上記液晶の
クリアリングポイントは107℃であり、閾値電圧
は2.2Vである。透明基板１ａ上に日東電工製偏
光フイルムNPF−Ｑ−12（ニユートラルグレ
ー）を着装し第１図に示すゲストホスト液晶ライ
トバルブ装置を完成した。

第７図にこの液晶ライトバルブ装置を組込んだ
投影装置の概略図を示す。１０１は、白色拡散面
をもつスクリーン、１０２は、投影光用ハロゲン
ランプ、１０３は、投影光をミラー１０４に集光
する為のレンズ、１０５は、ゲストホスト液晶ラ
イトバルブ装置１０６で形成された投影像をスク
リーン１０１に20倍に拡大するレンズある。１０
７はポリゴンミラーで、書込用光源１０９から射
出され、集光レンズ１０８で集光されたHe−Ne
レーザーを光導電層面上に予定された位置に100
μｍφのスポツトで投射する。

ここで、本実施例の投影像の形成、消去及び、
スクリーン上に投影された結果について簡単に述
べる。

透明電極２ａと２ｂに直流電圧を２ｂ側が負極
になるようにして4.2V印加した。ポリゴンミラ
ー１０７を駆動しながら書込用He−Neレーザー
を透明基板１ｂを通して光導電層９に投射した。
電圧印加時間20ｍsec、レーザーの書込強度、200
μＷ／cm²で予定した投影像をゲストホスト液晶に
形成し、100μＷ／cm²のハロゲンランプによる投
影光で投影像をスクリーン上に投影した。得られ
たスクリーン上の像のコントラストは、明暗部の
反射光強度で最大６：１であつた。

投影像の消去は、透明電極２ａと２ｂとの間に
1KHzの交流電圧2Vを20ｍsec印加して行なつ
た。

このとき、光導電層９の逆方向暗抵抗率は10¹³
Ω・cm以上で、順方向暗抵抗率は（場所ムラがあ
るが）10⁸〜10⁹Ω・cmであつた。

又、前記ポリパラキシリレンは透明電極２ａ或
は遮光層５からのイオン注入を阻止し、液晶の寿
命を増大させる上で有効に作用した。

実施例２実施例１と同様にして透明基板１ｂ上の透明電
極２ｂ面にPtを蒸着し、次いでａ−Si−Ｈ層９ｂ
を堆積した。このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に次に示す
条件でｎ層９ｃを1000Åの厚さに堆積した。

＜堆積条件＞Ｐ_B＝１×10^-6TorrのもとでSiH₄／H₂＝10％の
ガスを2SCCM、PH₃／H₂＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
200℃、RFパワー＝8Wで16分間、堆積する。

この様にして得たｎ層を写真蝕刻法により第３
図示の反射ミラーと同一形状にパターニングし
た。因に、このときの光導電層９のバンドダイア
グラムは第６図ａの様になる。

次に、得られたｎ層９ｃ上に実施例１と同様に
して反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５を
形成し、配向処理したポリパラキシリレン層を有
する遮光層５と透明電極２ａとの間にゲストホス
ト液晶を密封した後、偏光板１０を透明基板１ａ
上に装着して本実施例の液晶ライトバルブ装置を
完成した。このライトバルブ装置を組込んだ第７
図の装置を用いて、実施例１と同様に操作して書
込光信号に応じた像がスクリーン１０１上に再生
された。但し、投影像を形成するとき、透明電極
２ａと２ｂとに印加する電圧は4.3Vであつた。

又、投影像の消去動作も実施例１と同一条件で
行つたが、光導電層９の順方向暗抵抗率は10⁸
Ω・cmで且つ、場所ムラが少なかつた。

実施例３透明基板（7059スライドガラス）１ａ上の透明
電極（In₂（Sn）O₃）２ａに次に示す条件でＰ層
９ａを100Åの厚さに堆積した。

＜堆積条件＞Ｐ_B＝１×10^-6TorrのもとでSiH₄／H₂＝10％の
ガスを4SCCM、B₂H₆／H₂＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
250℃、RFパワー＝10Wで100秒間、堆積した。
こうして得られたＰ層９ａ上に実施例１と同様に
してａ−Si−Ｈ層９ｂを堆積し、次いで、実施例
２と同一条件でｎ層９ｃを堆積しパターニングし
た後、実施例１と同様にして反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を形成し、配向処理したポ
リパラキシリレン層を有する遮光層５と透明電極
２ａとの間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板
１０を透明基板１ａ上に装着して本実施例の液晶
ライトバルブ装置を完成した。本実施例における
光導電層９のバンドダイアグラムは第６図ｂのよ
うになり、逆方向暗抵抗率は10¹³Ω・cm以上、順
方向暗抵抗率は10⁸Ω・cmで場所ムラは少なかつ
た。実施例１と同様にして書込光信号に応じた像
がスクリーン１０１上に再生した。その際の投影
像形成の駆動印加電圧は実施例２と同様に4.3V
である。投影像の消去動作も実施例１と同一条件
で行うことができた。

実施例４透明基板（7059スライドガラス）１ａ上の透明
電極（In₂（Sn）O₃）２ａ上にａ−Si−Ｎ−Ｈか
ら成る透光性絶縁膜９ａを、実施例１に於て透光
性絶縁層７を作製した条件と同一で2000Åの厚さ
に形成した。次いで、実施例１と同様にしてａ−
Si−Ｈ層９ｂを堆積した後、実施例２と同一条件
でｎ層９ｃを形成しパターニングする。次いで、
実施例１と同様にして反射ミラー８、透光性絶縁
層７、遮光層５を形成し、配向形成したポリパラ
キシリレン膜を有する遮光層５と透明電極２ａと
の間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板１０を
透明基板１上に装着し、本実施例の液晶ライトバ
ルブ装置を完成した。

本実施例における光導電層９のバンドダイアグ
ラムは第６図ｃのようになり、実施例２及び実施
例３と同様にその逆方向暗抵抗率は10¹³Ω・cm以
上、順方向暗抵抗率は10⁸Ω・cmであり、場所ム
ラは少なかつた。

この液晶ライトバルブ装置を組込んだ第７図の
装置を用いて、実施例１と同様の操作で書込光信
号に応じた像がスクリーン１０１上に再生され
た。但し、投影像形成の際の駆動電圧は4.4Vで
あつた。又、投影像の消去動作も他の実施例と同
一条件にて行うことができた。

以上に詳しく説明した本発明の電気光学装置に
よれば、１直流電圧駆動によつて電気光学効果を利用し
た表示が可能であつて、その際、動画表示が容
易である。

２電圧の巾が広くとれて、駆動電圧の制御が容
易である。

３投影像を形成したとき、表示面全体で画質が
安定している。

４装置が長寿命である。

５装置構成要素、とりわけ、反射ミラーの構造
が簡略で、装置をコンパクトにすることができ
る。

６反射ミラー要素によつて直流電圧駆動に於け
るフオトキヤリアの受容が可能である。等々の
諸効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は、本発明装置の一構成例の
概要説明図、第４図は本発明装置の作動例を説明
する模式図、第５図は本発明装置に於ける光導電
層の詳細構成を説明する略画断面図、第６図ａ，
ｂ，ｃは何れも、バンドダイアグラムを示す略
図、第７図は、本発明装置を含む投影光学系の概
略配置図である。図に於て、２ａ，２ｂは透明電極、３は液晶
層、３αは液晶分子、３βは染料、５は遮光層、
７は透光性絶縁層、８は反射ミラー、９は光導電
層、９ａは基層又はＰ層又は透光性絶縁層、９ｂ
はｉ層、９ｃはｎ層、１０は偏光板、１０１はス
クリーン、１０２はハロゲンランプ、１０３，１
０８は集光レンズ、１０４は投影光反射ミラー、
１０５は投影像拡大レンズ、１０６は液晶ライト
バルブ装置、１０７はポリゴンミラー、１０９は
レーザー発振源である。

Claims

【特許請求の範囲】

１液晶層及び光導電層を具え、光による入力像
を光電効果によつて投影像に変換する電気光学装
置に於いて、前記光導電層が整流性を示すこと、
並びに、複数の透孔を有する遮光層及び、この遮
光層の片面に接した透光性の絶縁層を介して前記
透孔の各々に対面し且つ互に分離した複数の反射
鏡を前記液晶層と光導電層との間に介在させて成
ることを特徴とする電気光学装置。