JPS5835516A - 電気光学装置 - Google Patents
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光による入力倫を光電効果によって投影像に
変換する電気光学装置に＠する。
変換する電気光学装置に＠する。
従来、この種の電気光学装置として液晶ライ゛トパルプ
（光弁）なるものが知られて−る。その−例として、４
１Ｍ＠５６−４３６８１号会報Ｋｍては、液晶層と誘電
ミラーと、２傭の透明電極間に挾まれ九光電感応層（光
導電層）とから成る薄膜の多層構造をとる液晶ライトバ
ルブが開示されている。そして、この様な液晶ライトＡ
ｋプに於て、前記誘電ミラーは、液晶層側から入射する
投影光が光導電層には達、しない様、事前に反射させる
為に必要な要素である。
（光弁）なるものが知られて−る。その−例として、４
１Ｍ＠５６−４３６８１号会報Ｋｍては、液晶層と誘電
ミラーと、２傭の透明電極間に挾まれ九光電感応層（光
導電層）とから成る薄膜の多層構造をとる液晶ライトバ
ルブが開示されている。そして、この様な液晶ライトＡ
ｋプに於て、前記誘電ミラーは、液晶層側から入射する
投影光が光導電層には達、しない様、事前に反射させる
為に必要な要素である。
斯かる誘電２２−としては、例えばＺｎＳ 。
Ｎｍ、Ａ／Ｆ、 、 ＭｇＦ、 、 ＴＩ Ｏ，、８ｉ
０＠等から成る多層膜を用いている。仁のとき、可視
域全斌の波長光を反射する誘電きラーを得る為には、約
１５層以上の積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ
作成する必要かあ、す、相当に高度な製造技術を要する
。又、仮に前述の目的を以て作成された、ＩＩ電電ラう
であっても、実際には、投影光を完全には反射するとと
ができず、光導電層と誘電電ツーとの間に別途、光徴収
層を設けてその機能を補うことが必要であう九。
０＠等から成る多層膜を用いている。仁のとき、可視
域全斌の波長光を反射する誘電きラーを得る為には、約
１５層以上の積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ
作成する必要かあ、す、相当に高度な製造技術を要する
。又、仮に前述の目的を以て作成された、ＩＩ電電ラう
であっても、実際には、投影光を完全には反射するとと
ができず、光導電層と誘電電ツーとの間に別途、光徴収
層を設けてその機能を補うことが必要であう九。
従って、この様な従来の液晶ライトパルプで社、所期の
機能が充分には発揮されず、且つ複ｌ１ＩＸ＆構造にな
る上その製造にも手間がかかり、製造コストも高いもの
となってい友。
機能が充分には発揮されず、且つ複ｌ１ＩＸ＆構造にな
る上その製造にも手間がかかり、製造コストも高いもの
となってい友。
又、この液晶ライトパルプでは複屈折効果を利用する為
、制御電圧領域の巾が挾く、所期の色調の投影像を得る
Ｋは、駆動電圧の制御をかな抄高精度に行うことを要す
る。
、制御電圧領域の巾が挾く、所期の色調の投影像を得る
Ｋは、駆動電圧の制御をかな抄高精度に行うことを要す
る。
更に１この液晶ライトバルブを用いて、均一な色調の投
影像を形成すること及び多色像を形成することは困難で
あった。
影像を形成すること及び多色像を形成することは困難で
あった。
そこで、本発明は、斯かる従来の諸欠点を除去すると共
に、直流駆動を可能にして動画表示と多色表示が容易で
ある一般には液晶ライトバルブと呼ばれる電気光学装置
を提供することを目的とするものである。
に、直流駆動を可能にして動画表示と多色表示が容易で
ある一般には液晶ライトバルブと呼ばれる電気光学装置
を提供することを目的とするものである。
この様な目的を達成する本発明は、液晶層及び光導電層
を具え、光による入力偉を光電効果によって投影像に変
換する電気光学装置であって、前記光導電層が整流性を
示すこと、そして、検光子と複数の透孔を有する遮光層
とこの遮光層の片面ＫｍＬ、九透光性の絶縁層を介して
前記透孔の各々に対面し且り互に分離した複数の反射鏡
を前記液晶層と光導電層との間に介在させて成ることを
特徴とするものである。
を具え、光による入力偉を光電効果によって投影像に変
換する電気光学装置であって、前記光導電層が整流性を
示すこと、そして、検光子と複数の透孔を有する遮光層
とこの遮光層の片面ＫｍＬ、九透光性の絶縁層を介して
前記透孔の各々に対面し且り互に分離した複数の反射鏡
を前記液晶層と光導電層との間に介在させて成ることを
特徴とするものである。
以下、図面を用い九具体例によって本発明を詳＃Ｋｍ明
する。
する。
第１図は、ライトパルプ装置の一例の略画断面図であり
、図に於て、１０は偏光子（板）である。ｌａ、ｌｂは
共に透明基板で、ガラス板又は樹脂板よ構成る。又、２
ａ、２ｂは共に透明電極て、例えば８ｎＯ，やＩｎ、（
Ｓｎ）Ｏ，等の薄膜（厚さ、ＳＯＯ〜３０００Ａ程度）
から成る。３は液晶層、又、４はスペーサーであって、
液晶層３を密封すると共に、この層厚を調整する為のも
のである。そしてこのスペーサー４としては通常、アル
ンナ粉末やガラスファイバー粉末を混入した樹脂製接着
剤が用いられる。
、図に於て、１０は偏光子（板）である。ｌａ、ｌｂは
共に透明基板で、ガラス板又は樹脂板よ構成る。又、２
ａ、２ｂは共に透明電極て、例えば８ｎＯ，やＩｎ、（
Ｓｎ）Ｏ，等の薄膜（厚さ、ＳＯＯ〜３０００Ａ程度）
から成る。３は液晶層、又、４はスペーサーであって、
液晶層３を密封すると共に、この層厚を調整する為のも
のである。そしてこのスペーサー４としては通常、アル
ンナ粉末やガラスファイバー粉末を混入した樹脂製接着
剤が用いられる。
液晶層３に於叶る液晶構造の変化には、通常ＤＡＭのよ
うに電流効果によるものの他、ＴＮ方式（ねじれネマテ
ィック効果）、ＤＡＰ（電界制御値屈折効果）方式、相
遷移方式あるいはＧＨ（ゲストホスト効果）方式のよう
に電界効果によるものがあるが、この図示例ではＴＮ方
式が好適なものとして採用されている。具体的に、この
ＴＮ液晶層３に用いる液晶に就いては特に制限はないが
、駆動時（とりわけ、投影光による）温度上昇を考慮し
てクリアリング温度が５０℃以上、望ましくは６０℃以
上のものがこの液晶層３の厚さは一般に２〜２０μｍ程
度であシ、用いる液晶の性能、応答速度、光導電層との
相関尋の如何により適宜、設定される。
うに電流効果によるものの他、ＴＮ方式（ねじれネマテ
ィック効果）、ＤＡＰ（電界制御値屈折効果）方式、相
遷移方式あるいはＧＨ（ゲストホスト効果）方式のよう
に電界効果によるものがあるが、この図示例ではＴＮ方
式が好適なものとして採用されている。具体的に、この
ＴＮ液晶層３に用いる液晶に就いては特に制限はないが
、駆動時（とりわけ、投影光による）温度上昇を考慮し
てクリアリング温度が５０℃以上、望ましくは６０℃以
上のものがこの液晶層３の厚さは一般に２〜２０μｍ程
度であシ、用いる液晶の性能、応答速度、光導電層との
相関尋の如何により適宜、設定される。
ｌｌは、ライトパルプ装置に内蔵されている検光子（偏
光子）であり、とれはポリビニルアルコールの表面にヨ
ウ素或は２色性染料を吸着させたものを延伸して作製さ
れる。そして、この検光子１−１は、後に詳説する透光
性絶縁層７及び遮光層５上に（スピンナーコートされた
厚さ５０００Ｘ〜２μｍ程度の接着剤を用いて）接着さ
れる。
光子）であり、とれはポリビニルアルコールの表面にヨ
ウ素或は２色性染料を吸着させたものを延伸して作製さ
れる。そして、この検光子１−１は、後に詳説する透光
性絶縁層７及び遮光層５上に（スピンナーコートされた
厚さ５０００Ｘ〜２μｍ程度の接着剤を用いて）接着さ
れる。
又、検光子１１の厚さは、通常、２〜２０μｍとし、望
ましくけ、５〜１５声ｍとする・、５は遮光層であり、
カーぎンヤ金属を堆積法にょシ厚５ｓｏｏλ〜２μｍ程
度に成膜させたものである。そして、この遮光層５は第
１図のＡＡ７線に於ける切断平面図である第２図のとお
りの千両形状を有し、この遮光層５には多数の透孔６が
配列しである。尚、との透孔６の一つが、投影像に於け
る一画素に相当する。因に、これ等の透孔６の形状は、
図示例の正方形のみに限られず、任意の形状のものとす
ることができる。
ましくけ、５〜１５声ｍとする・、５は遮光層であり、
カーぎンヤ金属を堆積法にょシ厚５ｓｏｏλ〜２μｍ程
度に成膜させたものである。そして、この遮光層５は第
１図のＡＡ７線に於ける切断平面図である第２図のとお
りの千両形状を有し、この遮光層５には多数の透孔６が
配列しである。尚、との透孔６の一つが、投影像に於け
る一画素に相当する。因に、これ等の透孔６の形状は、
図示例の正方形のみに限られず、任意の形状のものとす
ることができる。
更に１第１図中の７は透光性絶縁層で、望ましくは、
１０’Ω・個以上の体２積抵抗率を有する。
１０’Ω・個以上の体２積抵抗率を有する。
これは例えば、グレー放電分解法によって形成される８
１０ 、８！、Ｎ、の膜、スパッタ蒸着法等にょ）形成
すｔｔ ル８１０ｔ ＩＩ ヤＰｂＴｔＯ，Ｉ ＰＬＺ
Ｔｅ ’Ｎ ９ ハフキシリレン等の強誘電体の膜から
成る。そして、この透光性絶縁層７の厚゛さは、１００
ＯＡ〜５μｍの範囲とするのが良い。
１０ 、８！、Ｎ、の膜、スパッタ蒸着法等にょ）形成
すｔｔ ル８１０ｔ ＩＩ ヤＰｂＴｔＯ，Ｉ ＰＬＺ
Ｔｅ ’Ｎ ９ ハフキシリレン等の強誘電体の膜から
成る。そして、この透光性絶縁層７の厚゛さは、１００
ＯＡ〜５μｍの範囲とするのが良い。
８は反射ンシーでＴｏ夛、鏡面を成す９等金属の厚さ５
００Ａ〜１μｍ１１度の堆積膜から成る。この（Ｆ−８
は岐記絶綴層７を介して透孔６の全てに対面する様に多
数個配置され、各ミラー８は第１図のＢ Ｂ’線に於け
る切断平面図である第３図のとおりに配列しである。尚
、このミラー８０１個は、各ミラーの間隙８Ｈからのも
れ光を紡ぐ目的から、少なくとも前記透孔６の面積以上
の面積（広さ）Ｋ成形しである。
００Ａ〜１μｍ１１度の堆積膜から成る。この（Ｆ−８
は岐記絶綴層７を介して透孔６の全てに対面する様に多
数個配置され、各ミラー８は第１図のＢ Ｂ’線に於け
る切断平面図である第３図のとおりに配列しである。尚
、このミラー８０１個は、各ミラーの間隙８Ｈからのも
れ光を紡ぐ目的から、少なくとも前記透孔６の面積以上
の面積（広さ）Ｋ成形しである。
９は整流性を示す光導電層で、ことで謂う、整流性とは
、後述する様に通常のダイオードに於ける′整流性と異
なり更に広い概念である。
、後述する様に通常のダイオードに於ける′整流性と異
なり更に広い概念である。
ところで、第１図の構成例に於て、連光層５の透光性絶
縁層７側の面には、カーボン層等の光吸収部材を設けて
、投影光のミラー８による反射戻り光を吸収するのが、
投影像のコントラストを上げる為には望ましいことであ
る。
縁層７側の面には、カーボン層等の光吸収部材を設けて
、投影光のミラー８による反射戻り光を吸収するのが、
投影像のコントラストを上げる為には望ましいことであ
る。
尚、本発明では、遮光層５の全体がカーボンによって構
成されていても差支えない。
成されていても差支えない。
又、反射ミ２−８け、全て導電体から成り、且つ分離し
ていな叶ればならないが、その形状の如何は問わ表い。
ていな叶ればならないが、その形状の如何は問わ表い。
反射ミラー８の全てが分離している理由は、これ等が連
続していると、同一電位になって電位差が生じない為、
作像が不可能に′＆るからである。
続していると、同一電位になって電位差が生じない為、
作像が不可能に′＆るからである。
ζこで、別の図面を用いて、第１図に示した覚書地部液
晶ライトパルプの作動に就いて詳しく説明すると共和１
本発明に於ける１整流性”の概念を明確にする。第４図
は、第１図のライトバルブ装置の作動原理を説明する模
式図である。
晶ライトパルプの作動に就いて詳しく説明すると共和１
本発明に於ける１整流性”の概念を明確にする。第４図
は、第１図のライトバルブ装置の作動原理を説明する模
式図である。
第４図に於て、透明電極２ａと２ｂとの間に電源２０に
より所定の直流電界を印加する。このとき、信号光線が
投射された領域では、発生したフォトキャリア（図中で
はｅ印で示す電子）が前記電界によシ反射ミラー８ｎに
移動する。
より所定の直流電界を印加する。このとき、信号光線が
投射された領域では、発生したフォトキャリア（図中で
はｅ印で示す電子）が前記電界によシ反射ミラー８ｎに
移動する。
これによって、透明電極２ｍと反射ミラー８ｎの間の電
圧が透孔６を通して増大し閾値を越え、液晶層３に於て
、液晶３αの配向がツイスト配向（図示例ではツイスト
角度：９０）状態から本メオトロピツク配向状ＮＫ変化
する。そして、ζこに、投影光を偏光板１Ｇ、液晶層３
及び検光子１１を通して投射すると、偏光が透孔６を通
して反射ミラー８ｎＫ至った後ここで反射され反射光Ｒ
Ｌｔが得られる。
圧が透孔６を通して増大し閾値を越え、液晶層３に於て
、液晶３αの配向がツイスト配向（図示例ではツイスト
角度：９０）状態から本メオトロピツク配向状ＮＫ変化
する。そして、ζこに、投影光を偏光板１Ｇ、液晶層３
及び検光子１１を通して投射すると、偏光が透孔６を通
して反射ミラー８ｎＫ至った後ここで反射され反射光Ｒ
Ｌｔが得られる。
他方、信号光線が入射しない領域では、フォトキャリア
が発生しないので、キャリアは透明電極２ｂＫ留り、°
反射ζツー８ｍへは移動しない・ 従って、この場合には液晶層３に印加される電圧が闇値
を越えることなく、液晶３αはツイスト配向状態に保た
れる。そこで、ここに入射した投影光（偏光）は更に検
光子１１によって吸収され、反射ミラー８ｍＫよる反射
光ＲＬ、は前記反射光ＲＬ、 Ｋ較ぺて光量が少なくな
っている。
が発生しないので、キャリアは透明電極２ｂＫ留り、°
反射ζツー８ｍへは移動しない・ 従って、この場合には液晶層３に印加される電圧が闇値
を越えることなく、液晶３αはツイスト配向状態に保た
れる。そこで、ここに入射した投影光（偏光）は更に検
光子１１によって吸収され、反射ミラー８ｍＫよる反射
光ＲＬ、は前記反射光ＲＬ、 Ｋ較ぺて光量が少なくな
っている。
この様に′して、反射光量の差に基づく投影像（・・・
投影する為の像）が形成され、液晶層３中に生じた像が
不図示のスクリーン等に拡大して投影される。
投影する為の像）が形成され、液晶層３中に生じた像が
不図示のスクリーン等に拡大して投影される。
ここで得られる投影像はポジ俊であるが、偏光板１０と
検光子１１の偏光方向が直交する様に設定するとネガ愉
となる。又、孤立した反射ミラー８１に受容されたフォ
トキャリアは電圧印−を止めても、透光性絶縁層７の電
気的高絶縁性によ！）々２−８ｆｉに貿抄、形成された
投影像は一定の永続性を有する。
検光子１１の偏光方向が直交する様に設定するとネガ愉
となる。又、孤立した反射ミラー８１に受容されたフォ
トキャリアは電圧印−を止めても、透光性絶縁層７の電
気的高絶縁性によ！）々２−８ｆｉに貿抄、形成された
投影像は一定の永続性を有する。
尚、叙上の過程に於ては、遮光層５及びミラー８によっ
て、信号光線が液晶層３側にもれ出ること及び、逆に投
影光が光導電層９に入射する不都合が阻止されている。
て、信号光線が液晶層３側にもれ出ること及び、逆に投
影光が光導電層９に入射する不都合が阻止されている。
又、叙上の作動例に於て、液晶層３中に形成される投影
像が極微細なものでない限りは、特別な投影光によらな
くても室内光の下で投影像を目視観察することもできる
。
像が極微細なものでない限りは、特別な投影光によらな
くても室内光の下で投影像を目視観察することもできる
。
次に１第５図を用い九具体的構成例に就いて説明する。
ム曽又はＭｏを２０〜５００Ａ１望ましくは３０〜２０
０人の厚さに蒸着して基層９ａを形成する。
０人の厚さに蒸着して基層９ａを形成する。
次いで、 ５ｔｔ４を主体とするガスを放電分解して基
層９ａ上にａ−８！−Ｈ層９ｂを形成する。このａ −
８ｉ−Ｈ層９ｂは弱いｎ型の半導体となり基層９ａとの
間にショトキ−バリア一層を形成する。尚、ａ−８ｉ−
Ｈ層９ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。そして、この層９
ｂの厚さは、他の層、とりわけ、液晶層３との関係で決
められるが、通常、５０００Ａ 〜２０ｘｍ の範囲
にある。
層９ａ上にａ−８！−Ｈ層９ｂを形成する。このａ −
８ｉ−Ｈ層９ｂは弱いｎ型の半導体となり基層９ａとの
間にショトキ−バリア一層を形成する。尚、ａ−８ｉ−
Ｈ層９ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。そして、この層９
ｂの厚さは、他の層、とりわけ、液晶層３との関係で決
められるが、通常、５０００Ａ 〜２０ｘｍ の範囲
にある。
更に、とのａ −８ｉ−Ｈ層９ｂ上に、ＳｉＨ４を主体
とするガスに：Ｐ）Ｉ、をＩＧｏ 〜２００００ｐｐｍ
、望ましくは、１０００〜１１００００ｐｐ混入して放
電分解を行ない、厚さ、１００〜３０００Ａ、望ましく
は５００〜２０００ＡＫ堆積した０層９ｃを形成して整
流性光導電層９を作成する。
とするガスに：Ｐ）Ｉ、をＩＧｏ 〜２００００ｐｐｍ
、望ましくは、１０００〜１１００００ｐｐ混入して放
電分解を行ない、厚さ、１００〜３０００Ａ、望ましく
は５００〜２０００ＡＫ堆積した０層９ｃを形成して整
流性光導電層９を作成する。
次いで、第１図に示した構成例と同様に、Ｍから成る反
射ミオ−８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１
の形成を行つ友後、別の透明基板１ａの両面に偏光板１
０と透明電極２ａを設けて、遮光層５と透明電極２畠と
の間にＴＮ液晶層３を封入してライトパルプ装置の一例
が完成する。この様にして得られたライトパルプ装置に
於ける光導電層９のバンドダイアグラムを第６図（ａ）
に示す。
射ミオ−８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１
の形成を行つ友後、別の透明基板１ａの両面に偏光板１
０と透明電極２ａを設けて、遮光層５と透明電極２畠と
の間にＴＮ液晶層３を封入してライトパルプ装置の一例
が完成する。この様にして得られたライトパルプ装置に
於ける光導電層９のバンドダイアグラムを第６図（ａ）
に示す。
このバンドダイアグラムから解る様に、上記装置によっ
て投影像を得る場合、透明電極２ａと２ｂ関に印加され
る電圧は、２ｂ側が負になる様に印加される。このとき
、仮に、ショトキ−バリア層を形成せずに透明電極２ｂ
に直接、ａ −８１−Ｈ層（ｉ層）９ｂを設けると、透
明電極２ｂからキャリア（−ｉ層が弱いｎｉ！！で、こ
の場合、電子）のインジェクションを生じるので、光導
電層９０暗抵抗が１０−１００・備にある場合、期待し
ない結果となる。これに対して、本例の様にショト命−
パリア層を形成すると、光導電層９へのキャリアインジ
ェクションが阻止され、光導電層９の暗抵抗が１０１３
０・備以上になる為、期待どおりの投影像を形成するこ
とが可能になる。
て投影像を得る場合、透明電極２ａと２ｂ関に印加され
る電圧は、２ｂ側が負になる様に印加される。このとき
、仮に、ショトキ−バリア層を形成せずに透明電極２ｂ
に直接、ａ −８１−Ｈ層（ｉ層）９ｂを設けると、透
明電極２ｂからキャリア（−ｉ層が弱いｎｉ！！で、こ
の場合、電子）のインジェクションを生じるので、光導
電層９０暗抵抗が１０−１００・備にある場合、期待し
ない結果となる。これに対して、本例の様にショト命−
パリア層を形成すると、光導電層９へのキャリアインジ
ェクションが阻止され、光導電層９の暗抵抗が１０１３
０・備以上になる為、期待どおりの投影像を形成するこ
とが可能になる。
又、本例に於叶る０層９ｃは、投影像を消去する際、フ
ォトキャリアを受容した反射ミラー８か゛ら透明電極２
ｂにフォトキャリアを掃引するＯゝを容易、且つ安定し
て可能にする作用を持つ・ 但し、この１層９Ｃは、電気的に低抵抗であるから、作
像の都合上、ミラー８と同様、検数に分割して電気的に
アイソレイトさせることが必要であり、実際には、第５
図に示す様に、写真蝕刻法を用いて、ミラー８とはソ同
様のパターンに形成される。
ォトキャリアを受容した反射ミラー８か゛ら透明電極２
ｂにフォトキャリアを掃引するＯゝを容易、且つ安定し
て可能にする作用を持つ・ 但し、この１層９Ｃは、電気的に低抵抗であるから、作
像の都合上、ミラー８と同様、検数に分割して電気的に
アイソレイトさせることが必要であり、実際には、第５
図に示す様に、写真蝕刻法を用いて、ミラー８とはソ同
様のパターンに形成される。
尚、この場合、平行光で入射した投影光を反射ミラー８
によって平行光として反射させるときＫは、個々の１層
９Ｃの面積を、ミラー８のそれと同等か若干、広くする
ことが必要である。
によって平行光として反射させるときＫは、個々の１層
９Ｃの面積を、ミラー８のそれと同等か若干、広くする
ことが必要である。
因に１個々の０層９ｃの面積がミラー８のそれよりも小
さいときには、ミラー８の面に凹凸ができて、入射光を
散乱させることになり、それが拡散板としその効果を示
す様になる。
さいときには、ミラー８の面に凹凸ができて、入射光を
散乱させることになり、それが拡散板としその効果を示
す様になる。
又、仮に１このｎ１１９ Ｃを設けず、ａ−８１−Ｈ層
９ｂｉ（反射ミラー８が直接、接して形成される場合に
は、両者の界面にバリアが形成されることがあり、フォ
トキャリアの掃引に場所Ａうがあったり不完全になる等
の不都合が見られることが多い。但し、上記バリアが形
成されない場合には、１層９Ｃを省略することもできる
。
９ｂｉ（反射ミラー８が直接、接して形成される場合に
は、両者の界面にバリアが形成されることがあり、フォ
トキャリアの掃引に場所Ａうがあったり不完全になる等
の不都合が見られることが多い。但し、上記バリアが形
成されない場合には、１層９Ｃを省略することもできる
。
ところで、フオ）−＋ヤリアの掃引に際して本例装置に
印加される電圧は、液晶層３に掛る電圧が闇値を越えな
い限に、透明電極２ｂが同２ａに対して正になる様な順
方向の直流電圧でも、或は、交流電圧のどちらでも良す
。
印加される電圧は、液晶層３に掛る電圧が闇値を越えな
い限に、透明電極２ｂが同２ａに対して正になる様な順
方向の直流電圧でも、或は、交流電圧のどちらでも良す
。
次に、第２．、ｏ構成例を説明する。この例では、透明
電極ｚｂ上に、５ｉ）（４を主体とするガス中にＢ、Ｈ
，を５Ｇ 〜２００００ｐＰｍ、望ましくは２００〜１
１００００ｐｐ混入してグロー放電分解を行い、その上
に設けられるａ−８ｉ−Ｈ層（１層）９ｂとの間の空乏
層の形成との関係で決−められる。
電極ｚｂ上に、５ｉ）（４を主体とするガス中にＢ、Ｈ
，を５Ｇ 〜２００００ｐＰｍ、望ましくは２００〜１
１００００ｐｐ混入してグロー放電分解を行い、その上
に設けられるａ−８ｉ−Ｈ層（１層）９ｂとの間の空乏
層の形成との関係で決−められる。
次いで、第１の構成例の場合と同様和して、ａ−８ｉ−
Ｈ層９ｂ、０層９ｃ、反射ミラー８、透光性絶縁層７、
遮光層５及び検光子１１を順次、積層した後、他の透明
電極２ｍとの間に液晶層３を封入してライトパルプ装置
を完成させ九。
Ｈ層９ｂ、０層９ｃ、反射ミラー８、透光性絶縁層７、
遮光層５及び検光子１１を順次、積層した後、他の透明
電極２ｍとの間に液晶層３を封入してライトパルプ装置
を完成させ九。
この装置に於ける光導電層９のバンドダイアダラムを第
６図（ｂ） ＩＩｃ示す、これから解る様に、投影儂を
形成する際の印加電圧の極性は、上記第１の例の場合と
同じで、且つ、同様の効果が得られる。
６図（ｂ） ＩＩｃ示す、これから解る様に、投影儂を
形成する際の印加電圧の極性は、上記第１の例の場合と
同じで、且つ、同様の効果が得られる。
又、本例に於ても、フォトギヤリアの反射ミラー８から
透明電極２ｂへの掃引を、第１の例の場合と同様に行う
ことができる。
透明電極２ｂへの掃引を、第１の例の場合と同様に行う
ことができる。
尚、１層９ａとしては、上記のものの他、５ＩＩ（４と
ＯＨ４のグロー放電分解による堆積膜（Ｐ＠ａ−８ｉ−
０−Ｈ層）にａ−８ｉ−Ｈ層９ｂを形成して得うレるヘ
テロジャンクションであっても良く、全く同様の効果が
得られる。
ＯＨ４のグロー放電分解による堆積膜（Ｐ＠ａ−８ｉ−
０−Ｈ層）にａ−８ｉ−Ｈ層９ｂを形成して得うレるヘ
テロジャンクションであっても良く、全く同様の効果が
得られる。
更に、第３の構成例では、光導電層９の構成が、上記２
例と異なるだけで、他は全く同様にして液晶ライトパル
プ装置を完成させる。本例では、光導電層９を次のとお
り作成する。即ち、透明電極２ｂ上に、ａ−８ｉ−Ｎ−
Ｈ層、Ｓｉへ膜、又はポリパラキシリレン膜を厚さ、５
０−１００００Å望ましくは１００〜３０００Ａに形成
して透光性絶縁層９ａを設けた後、上記２例の場合と全
く同様に、ａ−８ｉ−Ｈ層９ｂ％ｎＮｊ９ｃを順次積層
する。との＊５ｏｓＫ＊ｎる光導電層９のバンドダイア
ダラムを１１１Ｅ６図（Ｃ） Ｋ示す。
例と異なるだけで、他は全く同様にして液晶ライトパル
プ装置を完成させる。本例では、光導電層９を次のとお
り作成する。即ち、透明電極２ｂ上に、ａ−８ｉ−Ｎ−
Ｈ層、Ｓｉへ膜、又はポリパラキシリレン膜を厚さ、５
０−１００００Å望ましくは１００〜３０００Ａに形成
して透光性絶縁層９ａを設けた後、上記２例の場合と全
く同様に、ａ−８ｉ−Ｈ層９ｂ％ｎＮｊ９ｃを順次積層
する。との＊５ｏｓＫ＊ｎる光導電層９のバンドダイア
ダラムを１１１Ｅ６図（Ｃ） Ｋ示す。
本例では、透明電極２ｂからａ−８ｉ−Ｈ層（ｉ層）ｓ
ｂへのキャリアインジェクションは絶縁層９ａＫよシ阻
止され、又、ａ −８ｉ−Ｈ層９ｂがａｍ＃Ｐ導体であ
る為、投影倫を形成する際に印加される電圧極性は、上
記２例の場合と全く同じであシ、同様の効果が得られる
。又、フォトギヤリアの掃引操作４これ等と同様に行う
ことかで龜る。
ｂへのキャリアインジェクションは絶縁層９ａＫよシ阻
止され、又、ａ −８ｉ−Ｈ層９ｂがａｍ＃Ｐ導体であ
る為、投影倫を形成する際に印加される電圧極性は、上
記２例の場合と全く同じであシ、同様の効果が得られる
。又、フォトギヤリアの掃引操作４これ等と同様に行う
ことかで龜る。
以上、３例の液晶ライトパルプ装置に於ては、Ｓ賎を主
体とするガスの放電分解によってＰ層、ａ −８１−Ｈ
層（ｉ層）、ｎ層等の光導電層の形成を行ったが、この
他、８ｉＦ、を主体とするガスの放電分解によりても、
上記のものと同様に、 Ｐ層（＆Ｈ，等がドーピングガ
スとして用いられる）、ａ−８４−ｔ−Ｈ層（１層）、
ｎ層（ドーピングガスとしてＰＨ，等が用いられる）を
形成するととができる。
体とするガスの放電分解によってＰ層、ａ −８１−Ｈ
層（ｉ層）、ｎ層等の光導電層の形成を行ったが、この
他、８ｉＦ、を主体とするガスの放電分解によりても、
上記のものと同様に、 Ｐ層（＆Ｈ，等がドーピングガ
スとして用いられる）、ａ−８４−ｔ−Ｈ層（１層）、
ｎ層（ドーピングガスとしてＰＨ，等が用いられる）を
形成するととができる。
因に、ａ−８ｉ（ａ−８ｉ−Ｈ，ａ −８ｉ−Ｆ −Ｈ
） （Ｄ作成方法やその性質、ドーピング効果等に就い
ては、「アモルファス電子材料利用技術集成」（ｔイエ
ンスフオーラム社出版、１９８１）、その他の文献に詳
しく記載されているので、参照することができる。
） （Ｄ作成方法やその性質、ドーピング効果等に就い
ては、「アモルファス電子材料利用技術集成」（ｔイエ
ンスフオーラム社出版、１９８１）、その他の文献に詳
しく記載されているので、参照することができる。
又、容Ｊ＆に想起されることではあるが、本発明に係る
整流性光導竺層としては、叙上の他、５ｅＴｅ 、 Ａ
ｓ＠Ｂｅ、 、 ＯｄＳ 、 ０ｄＴｅ等と透光性絶縁
層との積層体やＯｄ８ （ｎ ＩＩ ）と０ｄＴｅ
（Ｐ Ｉ！ ）とのヘテロジャンクション等も適用する
ことができる。
整流性光導竺層としては、叙上の他、５ｅＴｅ 、 Ａ
ｓ＠Ｂｅ、 、 ＯｄＳ 、 ０ｄＴｅ等と透光性絶縁
層との積層体やＯｄ８ （ｎ ＩＩ ）と０ｄＴｅ
（Ｐ Ｉ！ ）とのヘテロジャンクション等も適用する
ことができる。
更に、？：、仁で、具体的実施例に基づき本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
実施例１
コーニング社製７０５９スライドガラスｌｂ上のＩｎｎ
（ａｎ ）Ｏｎ （松崎真空製）を透明電極２ｂ（Ｒ
）−１Ａ／８．基板温度（Ｔｓ）−８０℃で４０ＡＯ厚
さに蒸着し、Ｐｔ 層９ａを設けた０次いで、容量結
合タイプのグロー放電分解法によ抄ａ −８１−Ｈ層９
ｂを次のようにして厚さ１５μｍ堆積した。アノード、
カソード共に２００φ、その間の距離５０箇の反志炉に
８ｆＨ，／Ｈ，＝ ５０ Ｘのガスを２０８００Ｍ導入
し、Ｐｍｘｌ ｘ １０″′″’Ｔｈｒｒガス圧＝α０
５Ｔｏｒｒ％Ｔｓ＝２５０℃ のもとで、ＲＦ’＝１３
．５６ＭＨｚ 、 ＲＧパワー＝１５Ｗでグロー放電分
解し、ａ −８ｉ−Ｈ層をスライドガラス上に１５時間
堆積し丸、このとき、スライドガラスはアノード側にセ
ットした。この様にして得られ九ａ −８ｌ −Ｈ層は
優れた光導電性を示しクシ型電極を用いてナーフェスタ
イプで測定した場合、ル（暗抵抗率） ＝ １０’Ωａ
備、人（Ｈｅ−Ｎｅレーザー、１ｍＷ／ｄでの抵抗率）
冨１０’Ω・国である。
（ａｎ ）Ｏｎ （松崎真空製）を透明電極２ｂ（Ｒ
）−１Ａ／８．基板温度（Ｔｓ）−８０℃で４０ＡＯ厚
さに蒸着し、Ｐｔ 層９ａを設けた０次いで、容量結
合タイプのグロー放電分解法によ抄ａ −８１−Ｈ層９
ｂを次のようにして厚さ１５μｍ堆積した。アノード、
カソード共に２００φ、その間の距離５０箇の反志炉に
８ｆＨ，／Ｈ，＝ ５０ Ｘのガスを２０８００Ｍ導入
し、Ｐｍｘｌ ｘ １０″′″’Ｔｈｒｒガス圧＝α０
５Ｔｏｒｒ％Ｔｓ＝２５０℃ のもとで、ＲＦ’＝１３
．５６ＭＨｚ 、 ＲＧパワー＝１５Ｗでグロー放電分
解し、ａ −８ｉ−Ｈ層をスライドガラス上に１５時間
堆積し丸、このとき、スライドガラスはアノード側にセ
ットした。この様にして得られ九ａ −８ｌ −Ｈ層は
優れた光導電性を示しクシ型電極を用いてナーフェスタ
イプで測定した場合、ル（暗抵抗率） ＝ １０’Ωａ
備、人（Ｈｅ−Ｎｅレーザー、１ｍＷ／ｄでの抵抗率）
冨１０’Ω・国である。
次に、とのａ−８１−Ｈ層９ｂ上に電子ビーム蒸着によ
りＭを２００ＯＡの厚市に蒸着した。このであった。
りＭを２００ＯＡの厚市に蒸着した。このであった。
次いで、写真蝕刻法により、１個が９０μｍ×９０μｒ
ｎ ｔＤ ｉ［積で１００μｍ ピッチの（第３図示様
のパターンを持つ）反射ミラー８を形成した。
ｎ ｔＤ ｉ［積で１００μｍ ピッチの（第３図示様
のパターンを持つ）反射ミラー８を形成した。
更に％仁の反射ミラー８上に次のとおり、ａ −８ｉ−
Ｎ−Ｈの透光性絶縁層７を３００ＯＡ堆積し苑。このと
き、１−８ｉ−Ｈを作製し九のと同一の装置で、上記の
作製工程を経た基板をアノード側にセットし、Ｆ Ｂ＝
Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ Ｏもとで、５ＩＮ（４狙
−１０にを５５００Ｍ、純粋なＮＨ３を２０８００Ｍ導
入しガス圧を０．１５ Ｔｏｒｒとし、’ｆｅｗ２５０
℃、ＲＦパワー−ＳＷの条件で５時間堆積し友。こうし
て得られた暑−８ｉ−Ｎ−Ｈ層の体積抵抗率は１０１４
Ω・国風上である。次に、このａ −８ｉ −Ｎ −Ｈ
透光性絶縁層７上に友を２００ＯＡ蒸着し、第２図示様
のパターンの遮光層５を第３図における反射ミラー８と
の重曹中がＳｓｍＫなるよう写真蝕刻法によりパターニ
ングシタ。
Ｎ−Ｈの透光性絶縁層７を３００ＯＡ堆積し苑。このと
き、１−８ｉ−Ｈを作製し九のと同一の装置で、上記の
作製工程を経た基板をアノード側にセットし、Ｆ Ｂ＝
Ｉ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ Ｏもとで、５ＩＮ（４狙
−１０にを５５００Ｍ、純粋なＮＨ３を２０８００Ｍ導
入しガス圧を０．１５ Ｔｏｒｒとし、’ｆｅｗ２５０
℃、ＲＦパワー−ＳＷの条件で５時間堆積し友。こうし
て得られた暑−８ｉ−Ｎ−Ｈ層の体積抵抗率は１０１４
Ω・国風上である。次に、このａ −８ｉ −Ｎ −Ｈ
透光性絶縁層７上に友を２００ＯＡ蒸着し、第２図示様
のパターンの遮光層５を第３図における反射ミラー８と
の重曹中がＳｓｍＫなるよう写真蝕刻法によりパターニ
ングシタ。
従って開口部６の面積は８０μｍ×８０μｍである。
次いで、エポキシ系接着剤をスピンナーで１μｍの厚さ
に塗布し、その上にポリビニルアルコールＫＷつ素を分
散して延伸して作製し九厚さ１０Ｊ１１１０偏光フイル
ムを接着し検光子１１とした。
に塗布し、その上にポリビニルアルコールＫＷつ素を分
散して延伸して作製し九厚さ１０Ｊ１１１０偏光フイル
ムを接着し検光子１１とした。
更に１この検光子ｌｌ上にポリパラキシリレンを３００
０人の厚さに気相熱分解法により堆積シタ。ポリパラキ
シリレン上を綿布でラビングし液晶の配向処理を行った
。
０人の厚さに気相熱分解法により堆積シタ。ポリパラキ
シリレン上を綿布でラビングし液晶の配向処理を行った
。
遮光層５０周辺（その部分のポリパラキシリレンは除去
しである）Ｋ１次の１糧で必要な開口を有するようＫＵ
、Ｏ，粉末を分散させたエポキシ樹脂を厚さ８μｍＫμ
ｍ上、その上に配向処理をし九ポリパラキシリレン層（
２０００Ａの厚さを有する透明電極２ａを持つ７０５９
スライドガラス１ａを圧着した。充分エポキシ樹脂を熱
硬化させ死後これを真空槽内にＴＮ液晶と共に入れ、ロ
ータリーポンプで〜ｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒになるよう排
気した。次いで、ＴＮ液晶で、上記あらかじめ設けた開
口を塞ぎ除々にリークしながら真空槽内を常圧にして遮
光層５と透明電極２麿の関ＫＴＮ液晶を満した後、エポ
キシ樹脂で開口を塞ぎ密封した。尚、この液晶の配向は
第４図に就いて説明した様にツイスト配向であり、その
ツイスト角は９０である。用いた液晶はメルク社製ネマ
チック相１２８９でクリアリングがイ／トは６４℃、閾
値電圧はＬ４２Ｖである。透明基板１ａ上に日東電工製
偏光フィルムＮＰＦ−Ｑ−１２にュートラルグレー）を
着装し第１図に示す液晶ライトパルプ装置を完成した。
しである）Ｋ１次の１糧で必要な開口を有するようＫＵ
、Ｏ，粉末を分散させたエポキシ樹脂を厚さ８μｍＫμ
ｍ上、その上に配向処理をし九ポリパラキシリレン層（
２０００Ａの厚さを有する透明電極２ａを持つ７０５９
スライドガラス１ａを圧着した。充分エポキシ樹脂を熱
硬化させ死後これを真空槽内にＴＮ液晶と共に入れ、ロ
ータリーポンプで〜ｌＸｌ０−”Ｔｏｒｒになるよう排
気した。次いで、ＴＮ液晶で、上記あらかじめ設けた開
口を塞ぎ除々にリークしながら真空槽内を常圧にして遮
光層５と透明電極２麿の関ＫＴＮ液晶を満した後、エポ
キシ樹脂で開口を塞ぎ密封した。尚、この液晶の配向は
第４図に就いて説明した様にツイスト配向であり、その
ツイスト角は９０である。用いた液晶はメルク社製ネマ
チック相１２８９でクリアリングがイ／トは６４℃、閾
値電圧はＬ４２Ｖである。透明基板１ａ上に日東電工製
偏光フィルムＮＰＦ−Ｑ−１２にュートラルグレー）を
着装し第１図に示す液晶ライトパルプ装置を完成した。
第７図にこの液晶ライトパルプ装置を組込んだ投影装置
の概略図を示す。１０１は、白色拡散面をもつスクリー
ン、１０２は、投影光用ハロゲンランプ、１０３は、投
影光をミラー１０４に集光する為のレンズ、１０５は、
液晶ライトパルプ装置１０６で形成された投影像をスク
リーン１０１に２０倍に拡大するレンズである。１０７
はポリゴン第２−で、書込用光源１０９から射出され集
光レンズ１０８で集光されたＨｅ、−Ｎｅ レーザーを
光導電層面上の予定された位置ＫＺｏｏμｍ−のスポッ
トで投射する。
の概略図を示す。１０１は、白色拡散面をもつスクリー
ン、１０２は、投影光用ハロゲンランプ、１０３は、投
影光をミラー１０４に集光する為のレンズ、１０５は、
液晶ライトパルプ装置１０６で形成された投影像をスク
リーン１０１に２０倍に拡大するレンズである。１０７
はポリゴン第２−で、書込用光源１０９から射出され集
光レンズ１０８で集光されたＨｅ、−Ｎｅ レーザーを
光導電層面上の予定された位置ＫＺｏｏμｍ−のスポッ
トで投射する。
ここで、本実施例の投影像の形成、消去及びスクリーン
上に投影された結果について簡単に述べる。
上に投影された結果について簡単に述べる。
透明電極２ａと２ｂ′に直流電圧を２ｂ側が負極になる
ようにして６．５ｖ印加した。ポリゴン２ツー１０７を
駆動しながら書込用Ｈｅ−Ｎｅレーザーを透明基板１ｂ
を通して光導電１１９に投射した。電圧印加時間１５
ｍ５ｅｃ 、レーザーの書込強度２００μＷ／♂で予定
した投影倫番液晶に形成し、１００ ｍＷ／ｃｍ”の／
”ａｃ１ゲンランプによる投影光で投影像をスクリーン
上に投影した。得られたスクリーン上の像のコントラス
トは、明暗部の反射光強度で最大１０：ｌであった。投
影像の消去は透明電極２１と２ｂとの間Ｋ Ｉ ＫＨｚ
の交流電圧３ｖを２０ｍ５ｅｃ印加して行った。このと
き、光導電層９の逆方向暗抵抗率は１０１１Ω・国風上
で、願方向暗抵抗率は（場所ム２があるが） １０〜１
０Ω・１であった。
ようにして６．５ｖ印加した。ポリゴン２ツー１０７を
駆動しながら書込用Ｈｅ−Ｎｅレーザーを透明基板１ｂ
を通して光導電１１９に投射した。電圧印加時間１５
ｍ５ｅｃ 、レーザーの書込強度２００μＷ／♂で予定
した投影倫番液晶に形成し、１００ ｍＷ／ｃｍ”の／
”ａｃ１ゲンランプによる投影光で投影像をスクリーン
上に投影した。得られたスクリーン上の像のコントラス
トは、明暗部の反射光強度で最大１０：ｌであった。投
影像の消去は透明電極２１と２ｂとの間Ｋ Ｉ ＫＨｚ
の交流電圧３ｖを２０ｍ５ｅｃ印加して行った。このと
き、光導電層９の逆方向暗抵抗率は１０１１Ω・国風上
で、願方向暗抵抗率は（場所ム２があるが） １０〜１
０Ω・１であった。
又、前記透明電極２ａ上のポリパラキシリレンは透明電
極２ｍからのイオン注入を阻止し、液晶の寿命を増大さ
せる上で有効に作用し丸。
極２ｍからのイオン注入を阻止し、液晶の寿命を増大さ
せる上で有効に作用し丸。
°実施例２
実施例１と同様にして透明基板ｌｂ上の透明電極２ｂ面
ＫＰｔ蒸着し、次いで、ａ −８ｉ−Ｈ層９ｂを堆積し
九。このａ −８ｉ−Ｈ層９ｂ上に次に示す条件で１層
９ｃを１００ＯＡの厚さに堆積した。
ＫＰｔ蒸着し、次いで、ａ −８ｉ−Ｈ層９ｂを堆積し
九。このａ −８ｉ−Ｈ層９ｂ上に次に示す条件で１層
９ｃを１００ＯＡの厚さに堆積した。
〈堆積条件〉
Ｐｇ ＝ Ｉ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ’のもとでＳｉ
Ｈ４／Ｈ，＝１０％のガｘ ヲ２８００Ｍ 、 ＰＨｓ
／Ｈｔ ＝１００ｐｐｍ （Ｄ 、ＩＦ７ ｘを１０８
００Ｍ導入してガス圧を０．１ Ｔｈｒｒとし、Ｔｓ
＝２００Ｃ％ＲＦパワー＝ＳＷで１６分間、堆積する。
Ｈ４／Ｈ，＝１０％のガｘ ヲ２８００Ｍ 、 ＰＨｓ
／Ｈｔ ＝１００ｐｐｍ （Ｄ 、ＩＦ７ ｘを１０８
００Ｍ導入してガス圧を０．１ Ｔｈｒｒとし、Ｔｓ
＝２００Ｃ％ＲＦパワー＝ＳＷで１６分間、堆積する。
この様にして得たｎ層を写真蝕刻法〈より第３図示の反
射ミラーと同一形状にパターニングした。因に、このと
きの光導電層９のバンドダイアグラムは第６図（ａ）の
様になる。
射ミラーと同一形状にパターニングした。因に、このと
きの光導電層９のバンドダイアグラムは第６図（ａ）の
様になる。
次に１得られたｎ５ｓｃ上に実施例１と同様にして反射
ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１を
形成し、配向処理したパ２キシリレン層を有する検光子
１１と透明電極２■との関１（ＴＮ液晶を密封した後、
偏光板１０を逓嘴基板１ｇ＋上に装着し１本実施例の液
晶ライトパルプ装置を完成した。このライトバルブ装置
を組込んだ５１７図の装置を用いて、実施例１と同様に
操作して書込光信号に応じた倫がスクリーン１０１上に
再生された。但し、投影像を形成するとき、透明電極２
ｍと２ｂとに印加する電圧は亀７ｖであった。
ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１を
形成し、配向処理したパ２キシリレン層を有する検光子
１１と透明電極２■との関１（ＴＮ液晶を密封した後、
偏光板１０を逓嘴基板１ｇ＋上に装着し１本実施例の液
晶ライトパルプ装置を完成した。このライトバルブ装置
を組込んだ５１７図の装置を用いて、実施例１と同様に
操作して書込光信号に応じた倫がスクリーン１０１上に
再生された。但し、投影像を形成するとき、透明電極２
ｍと２ｂとに印加する電圧は亀７ｖであった。
又、投影像の消去動作も実施例１と同一条件で行ったが
、光導電層９の順方向暗抵抗率は１０ Ω・１で且つ、
場所ムラが少なかった。
、光導電層９の順方向暗抵抗率は１０ Ω・１で且つ、
場所ムラが少なかった。
実施例３
透明基板（７０５９スライドガラス）ｌａ上の透明電極
（Ｉｎ、（Ｓｎ）０．） ２ ａ Ｋ次Ｋ 示ス４に件
で２層９暑を１ｏｏＸの厚さに堆積した。
（Ｉｎ、（Ｓｎ）０．） ２ ａ Ｋ次Ｋ 示ス４に件
で２層９暑を１ｏｏＸの厚さに堆積した。
〈堆積条件〉
Ｐｇ ｗＩ Ｘ １０−’ Ｔｈｒｒのもとで８ｉＨ４
／Ｈ，＝ ｌＯＮのガスを４８００Ｍ 、 ＢＪＬ／Ｈ
＝１００ｐｐｍツカｘ ヲ１０８００Ｍ導入してガス圧
０．１ Ｔｏｒｒとし、Ｔｓ＝ ２５０ｔ：、ＲＦパワ
ー＝１０Ｗで１００秒間堆積した。こうして得られた２
層９ａ上に実施例１と同様にしてａ −８ｉ−Ｈ層９ｂ
−を堆積し、次いで、実施例２と同一条件で１層９Ｃを
堆積しパターニングした後、実施例１と同様にして反射
ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１を
形成し、配向処理したポリパラキシリレン層ヲ有する検
光子１１と透明電極２ａとの間ＶｃＴＮ液晶を密封し、
偏光板ｌＯを透明基板ｌａ上に装着して本実施例の液晶
ライトパルプ装置を完成した。本実施例における光導電
層９のバンドダイアグラムは第６図（ロ）のようＫなり
、逆方向暗抵抗率は１０１３Ω・国風上、順方向暗抵抗
率はｌＯΩ・備で場所ムラは少なかった。実施例１と同
様にして書込信号に応じた儂がスクリーン１０１Ｊ：に
再生された。その際の投影像形成の駆動印加電圧は実施
例２と同様に６．７ｖである。
／Ｈ，＝ ｌＯＮのガスを４８００Ｍ 、 ＢＪＬ／Ｈ
＝１００ｐｐｍツカｘ ヲ１０８００Ｍ導入してガス圧
０．１ Ｔｏｒｒとし、Ｔｓ＝ ２５０ｔ：、ＲＦパワ
ー＝１０Ｗで１００秒間堆積した。こうして得られた２
層９ａ上に実施例１と同様にしてａ −８ｉ−Ｈ層９ｂ
−を堆積し、次いで、実施例２と同一条件で１層９Ｃを
堆積しパターニングした後、実施例１と同様にして反射
ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５及び検光子１１を
形成し、配向処理したポリパラキシリレン層ヲ有する検
光子１１と透明電極２ａとの間ＶｃＴＮ液晶を密封し、
偏光板ｌＯを透明基板ｌａ上に装着して本実施例の液晶
ライトパルプ装置を完成した。本実施例における光導電
層９のバンドダイアグラムは第６図（ロ）のようＫなり
、逆方向暗抵抗率は１０１３Ω・国風上、順方向暗抵抗
率はｌＯΩ・備で場所ムラは少なかった。実施例１と同
様にして書込信号に応じた儂がスクリーン１０１Ｊ：に
再生された。その際の投影像形成の駆動印加電圧は実施
例２と同様に６．７ｖである。
投影像の消去動作も実施例１と同一条件で行うことがで
きた。
きた。
実施例４
透明基板（７０５！ｌスライドガラス）ｌａ上の透明電
極（Ｉｎ、 （８ｎ ）Ｏ，） ２ ａ上Ｋａ−８ｉ−
Ｎ−Ｈから成る透光性絶縁膜９ａを、実施例１に於て透
光性絶縁層１を作製した条件と同−条件で２０００ＡＯ
厚さに形成した。次いで、実施例１と同様にしてａ−８
ｉ−Ｈ層９ｂを堆積した後、実施例２と同一条件で１層
９ｃを形成しバタ一二ンダする０次いで、実施例１と同
様にして反射ミラー８、透光性絶縁層７、端光層５及び
検光子１１を形成し、配向処理したポリバラキシリレン
膜を有する検光子１１と透明電極２ａとの間に〒Ｎ液晶
を密封し、偏光板１０を透明基板ｌａ上に８着し、本実
施例の液晶ライトパルプ装置を完成した。
極（Ｉｎ、 （８ｎ ）Ｏ，） ２ ａ上Ｋａ−８ｉ−
Ｎ−Ｈから成る透光性絶縁膜９ａを、実施例１に於て透
光性絶縁層１を作製した条件と同−条件で２０００ＡＯ
厚さに形成した。次いで、実施例１と同様にしてａ−８
ｉ−Ｈ層９ｂを堆積した後、実施例２と同一条件で１層
９ｃを形成しバタ一二ンダする０次いで、実施例１と同
様にして反射ミラー８、透光性絶縁層７、端光層５及び
検光子１１を形成し、配向処理したポリバラキシリレン
膜を有する検光子１１と透明電極２ａとの間に〒Ｎ液晶
を密封し、偏光板１０を透明基板ｌａ上に８着し、本実
施例の液晶ライトパルプ装置を完成した。
本実施例における光導電層９のバンドダイアグラムは＃
１６図（Ｃ）のようＫなり、実施例２及び実施例３と同
様にその逆方向暗抵抗率は１０’″Ω・国風上、順方向
暗抵抗率は１Ｇ’Ω・備であり、場所＾うは少なかっ九
。
１６図（Ｃ）のようＫなり、実施例２及び実施例３と同
様にその逆方向暗抵抗率は１０’″Ω・国風上、順方向
暗抵抗率は１Ｇ’Ω・備であり、場所＾うは少なかっ九
。
この液晶ライトパルプ装置を組込んだ＠７図の装置を用
いて、実施例１と同様の操作で書込光信号に応じた像が
スクリーン１０１上に再生されえ。但し、投影像形成の
際の駆動電圧は６．７Ｖであった。又、投影像の消去動
作も実施例１と同一条件にで行うことができた。
いて、実施例１と同様の操作で書込光信号に応じた像が
スクリーン１０１上に再生されえ。但し、投影像形成の
際の駆動電圧は６．７Ｖであった。又、投影像の消去動
作も実施例１と同一条件にで行うことができた。
以上に詳しく説明し九本発明の電気光学装置によれば、
１、直流電圧駆動によって電気光学効果を利用した表示
が可能であって、その際、動画表示が容易である。
が可能であって、その際、動画表示が容易である。
λ 電圧の巾が広くとれて、駆動電圧の制御が容易であ
る。
る。
３、投影像を形成し九とき、表示面全体で画質が安定し
ている。
ている。
４、装置が長寿命である。
５、 装置構成要素、とりわけ、反射ミラーの構造が簡
略で、装置をコンパクト圧することができる。
略で、装置をコンパクト圧することができる。
６、 反射ミラー要素によって直流電圧駆動に於けるフ
ォトキャリアの受容が可能である。
ォトキャリアの受容が可能である。
１、ｊ１光屡の開口部６にカラーフィルターを配列する
ことが容易であるから、多色表示に有用することが可能
である。
ことが容易であるから、多色表示に有用することが可能
である。
１ 投影像のメモリー作用を有する。
等々の諸効果が得られる。
第１図乃至第３図は本発明装置の一構成例の概要説明図
、第４図は本発明装置の作動例を説明する模式図、嬉５
図は本発明装置に於ける光導電層の詳細構成を説明する
略画断面図、第６図（Ｓ）、（ロ）、（Ｃ）は何れもバ
ンドダイアグラムを示す略図、第７図は本発明装置を含
む投影光学系の概略配置図である。 図に於て、２ａ、２ｂは透明電極、３は液晶層、３ｄは
液晶分子、５は透光層、７は透光性絶縁層、８は反射゛
ミラー、９は光導電層、９ａは基層又は２層又は透光性
絶縁層９ｂは１層、９ｃは１層、１０は偏光板、１１は
検光子、１０１ ａスクリーン、１０２＃ｉハロゲンラ
ンプ、１０３、１０８は集光レンズ、１０４は投影光反
射ミラー、１０５は投影像拡大レンズ、１０６はライト
バルブ装置、１０７はポリゴンミラー、１０Ｇはレーザ
ー発振源である・ 特許出願人 キャノン株式会社 ８− 第４図 第ｆ図
、第４図は本発明装置の作動例を説明する模式図、嬉５
図は本発明装置に於ける光導電層の詳細構成を説明する
略画断面図、第６図（Ｓ）、（ロ）、（Ｃ）は何れもバ
ンドダイアグラムを示す略図、第７図は本発明装置を含
む投影光学系の概略配置図である。 図に於て、２ａ、２ｂは透明電極、３は液晶層、３ｄは
液晶分子、５は透光層、７は透光性絶縁層、８は反射゛
ミラー、９は光導電層、９ａは基層又は２層又は透光性
絶縁層９ｂは１層、９ｃは１層、１０は偏光板、１１は
検光子、１０１ ａスクリーン、１０２＃ｉハロゲンラ
ンプ、１０３、１０８は集光レンズ、１０４は投影光反
射ミラー、１０５は投影像拡大レンズ、１０６はライト
バルブ装置、１０７はポリゴンミラー、１０Ｇはレーザ
ー発振源である・ 特許出願人 キャノン株式会社 ８− 第４図 第ｆ図
Claims (1)
- 液晶層及び光導電層を具え、光による入力儂を光電効果
によりて投影像に変換する電気光学装置に於て、前記光
導電層が整流性ｉ示す仁と、そして、検光子と複数の透
孔を有する値光層とこめ層党層の片面に接し九透光性の
絶縁層を介して前記透孔の各々に対画し且り互に分離し
た複数０反射鏡を前記液晶層と光導電層との閾に介在さ
せて成ることを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134448A JPS5835516A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 電気光学装置 |
| US06/396,051 US4538884A (en) | 1981-07-10 | 1982-07-07 | Electro-optical device and method of operating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134448A JPS5835516A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835516A true JPS5835516A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15128582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134448A Pending JPS5835516A (ja) | 1981-07-10 | 1981-08-26 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835516A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214827A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-27 | Seiko Instr Inc | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH07175081A (ja) * | 1993-01-27 | 1995-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 光センサー、情報記録装置および情報記録方法 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56134448A patent/JPS5835516A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02214827A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-27 | Seiko Instr Inc | 反射型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH07175081A (ja) * | 1993-01-27 | 1995-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 光センサー、情報記録装置および情報記録方法 |
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