JPS6229922B2 - - Google Patents
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- JPS6229922B2 JPS6229922B2 JP5148281A JP5148281A JPS6229922B2 JP S6229922 B2 JPS6229922 B2 JP S6229922B2 JP 5148281 A JP5148281 A JP 5148281A JP 5148281 A JP5148281 A JP 5148281A JP S6229922 B2 JPS6229922 B2 JP S6229922B2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はオーデイオ用の負帰還増幅器に関し、
出力トランジスタのリニアリテイによる歪の悪化
を改善し超低歪率増幅器を実現するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a negative feedback amplifier for audio,
This improves the distortion caused by the linearity of the output transistor and realizes an ultra-low distortion amplifier.
第１図に従来のオーデイオアンプの出力段を示
す。図中１はプリドライブ段の入力端子、２は出
力端子、３は定電流負荷、Q1はプリドライバー
トランジスタ、Q2，Q3はドライバートランジス
タ、Q4，Q5は出力トランジスタ、R1，R2，R3，
R4はバイアス用抵抗、ＲLは負荷抵抗、D1はバイ
アス用ダイオード、＋Ｂ、−Ｂは正負電源であり、
図示はしないが出力端子２からは初段へ負帰還が
かけられている。 FIG. 1 shows the output stage of a conventional audio amplifier. In the figure, 1 is the input terminal of the predrive stage, 2 is the output terminal, 3 is the constant current load, Q 1 is the predriver transistor, Q 2 , Q 3 are the driver transistors, Q 4 , Q 5 are the output transistors, R 1 , R 2 , R 3 ,
R 4 is a bias resistor, R L is a load resistor, D 1 is a bias diode, +B, -B are positive and negative power supplies,
Although not shown, negative feedback is applied from the output terminal 2 to the first stage.
一般にこの種のオーデイオアンプの出力トラン
ジスタのhFE（直流増幅率）特性は第２図のよう
になつている。すなわち、NPNトランジスタは
小電流ではhFEが下がり、大電流でもある値より
急激に下がる。またPNPトランジスタは小電流の
hFEは直線性がよいが、大電流になるほどダラダ
ラ下りになる。このようなトランジスタを第１図
のオーデイオアンプの出力トランジスタとして用
いると、出力端子２の出力電圧が小さい時はあま
り問題にならないが、出力電圧が大きくなると歪
率が悪化し、特に最大出力付近では急激に歪率が
悪くなつてくる。これは、出力トランジスタのコ
レクタ―エミツタ間電圧が小さくなり、第２図の
hFEよりさらに悪化するためである。そして歪率
が悪化するのは、hFEの低下により出力トランジ
スタのベース電流が増加し、出力トランジスタを
駆動するドライバートランジスタのベース電流も
増加し、プリドライバートランジスタの負荷が重
くなるためである。 Generally, the hFE (direct current amplification factor) characteristic of the output transistor of this type of audio amplifier is as shown in FIG. In other words, the hFE of an NPN transistor decreases at small currents, and rapidly decreases below a certain value even at large currents. Also, PNP transistors can handle small currents.
hFE has good linearity, but the higher the current, the slower it becomes. If such a transistor is used as the output transistor of the audio amplifier shown in Figure 1, there will not be much of a problem when the output voltage at output terminal 2 is small, but as the output voltage increases, the distortion rate will worsen, especially near the maximum output. The distortion rate becomes worse rapidly. This is because the collector-emitter voltage of the output transistor becomes smaller, as shown in Figure 2.
This is because it is even worse than hFE. The distortion rate worsens because the base current of the output transistor increases due to the decrease in hFE, and the base current of the driver transistor that drives the output transistor also increases, making the load on the pre-driver transistor heavier.
本発明は上記問題点を改善し超低歪率のオーデ
イオアンプを実現するものである。 The present invention improves the above problems and realizes an audio amplifier with ultra-low distortion.
第３図に本発明による一実施例を示す。 FIG. 3 shows an embodiment according to the present invention.
図中、R5はドライバートランジスタの電流検
出抵抗、R6は帰還抵抗である。その他は第１図
と同一の構成である。 In the figure, R5 is the current detection resistor of the driver transistor, and R6 is the feedback resistor. The rest of the configuration is the same as in FIG. 1.
第３図において、出力端子２より初段へ負帰還
がかけられているため、出力トランジスタQ4に
流れる電流i3は負荷抵抗ＲLに流れる電流とほぼ
同じで、歪みの小ない電流が流れている。しかし
正弦波信号出力において、第２図のようにパワー
トランジスタQ4，Q5のｈFEが低下しはじめる電
流ic＝（＝i3：コレクタ電流）が流れるような出力
電圧、すなわち最大出力電圧付近での出力電圧歪
は、小出力時の出力電圧歪に比べ、非常に大きい
歪となり、極端な場合第５図ａのように正弦波信
号波形のクリツプしたようになつてしまう場合が
ある。 In Figure 3, since negative feedback is applied from the output terminal 2 to the first stage, the current i 3 flowing through the output transistor Q 4 is almost the same as the current flowing through the load resistor RL , and a current with little distortion flows. There is. However, when outputting a sine wave signal, as shown in Figure 2, the output voltage is such that the current ic = (= i 3 : collector current) flows at which the h FE of the power transistors Q 4 and Q 5 begins to decrease, that is, near the maximum output voltage. The output voltage distortion at this time is much larger than the output voltage distortion at a small output, and in extreme cases, the sine wave signal waveform may become clipped as shown in FIG. 5a.
従つて、このような最大出力電圧付近での歪を
改善するには、ｈFEが低下したことにより、ドラ
イバー段、およびプリドライバー段の駆動電流が
不足してしまうため、パワートランジスタQ4，
Q5のベース端子に十分なドライブ電流を与えて
やればよい。（第５図ｂ，ｃ，ｄ参照）すなわち
ドライバートランジスタQ2に流れる電流i2は出力
トランジスタQ4に流れる電流i3をｈFEで割つた電
流が流れるため、ｈFEが非直線であれば、i2も非
直線となり、検出抵抗R5の両端には歪んだ電圧
が発生する。この電圧を帰還抵抗R6を介してプ
リドライバートランジスタQ1のベースに加える
ことにより、出力トランジスタQ4のｈFEが低下
し、ドライバートランジスタQ2のベース電流が
増加した分を補なうようにプリドライバートラン
ジスタQ1のコレクタ電流i1を増加させることがで
きる。従つて出力トランジスタQ4のｈFEが低下
してもプリドライブ段の負荷が重くならず、十分
に駆動電流が得られるため、出力の歪率が改善で
きる。 Therefore, in order to improve distortion near the maximum output voltage, the power transistors Q 4 ,
Just give enough drive current to the base terminal of Q5 . (See Figure 5 b, c, d) In other words, the current i 2 flowing through the driver transistor Q 2 is the current i 3 flowing through the output transistor Q 4 divided by h FE , so if h FE is nonlinear, then , i 2 also becomes non-linear, and a distorted voltage is generated across the detection resistor R 5 . By applying this voltage to the base of the pre-driver transistor Q 1 via the feedback resistor R 6 , the h FE of the output transistor Q 4 decreases, so as to compensate for the increase in the base current of the driver transistor Q 2 . The collector current i 1 of the predriver transistor Q 1 can be increased. Therefore, even if the h FE of the output transistor Q 4 decreases, the load on the predrive stage does not become heavy, and a sufficient drive current can be obtained, so that the output distortion factor can be improved.
第４図は本発明による他の実施例で、プリドラ
イブ段をプツンユブルトランジスタQ1，Q1′で構
成したものであり、PNPトランジスタQ1′側にも
帰還抵抗R6′を介して正帰還をかけたものであ
る。動作については、PNP側、NPN側ともそれ
ぞれ、第３図の回路と同じであるから省略する。 FIG. 4 shows another embodiment according to the present invention, in which the predrive stage is composed of push-pull transistors Q 1 and Q 1 ', and the PNP transistor Q 1 ' side is also connected via a feedback resistor R 6 '. This is a result of positive feedback. The operations on both the PNP side and NPN side are the same as the circuit shown in FIG. 3, so the explanation will be omitted.
以上のように本発明は、負帰還増幅器におい
て、ドライバートランジスタのコレクタ電流を検
出し、この電流の一部をプリドライバートランジ
スタのベースに正帰還するようにしたものである
から、出力トランジスタのｈFEの低下による歪率
の悪化を改善し、超低歪率増幅器を実現すること
ができる。 As described above, the present invention detects the collector current of the driver transistor in a negative feedback amplifier and positively feeds a portion of this current to the base of the pre-driver transistor. It is possible to improve the deterioration of the distortion factor due to the decrease in the distortion factor and realize an ultra-low distortion factor amplifier.
第１図は従来の増幅器の出力段を示す回路図、
第２図は第１図の動作を説明するためのトランジ
スタ特性図、第３図は本発明の一実施例の回路
図、第４図は本発明の他の実施例の回路図、第５
図は本発明の実施例の動作を説明するための波形
図である。
１……プリドライブ段の入力端子、２……出力
端子、３……定電流負荷、Q1，Q1′……プリドラ
イバートランジスタ、Q2，Q3……ドライバート
ランジスタ、Q4，Q5……出力トランジスタ、ＲC
……負荷、R6，R6′……帰還抵抗、４……負帰還
増幅器の入力端子、５……前段増幅器、R7，R8
……負帰還用抵抗。
Figure 1 is a circuit diagram showing the output stage of a conventional amplifier.
2 is a transistor characteristic diagram for explaining the operation of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment of the present invention. 1...Input terminal of predrive stage, 2...Output terminal, 3...Constant current load, Q1 , Q1 '...Predriver transistor, Q2 , Q3 ...Driver transistor, Q4 , Q5 ...Output transistor, R C
...Load, R 6 , R 6 ′ ... Feedback resistor, 4 ... Negative feedback amplifier input terminal, 5 ... Pre-stage amplifier, R 7 , R 8
...Resistance for negative feedback.
Claims (1)
イバートランジスタと、上記プリドライバートラ
ンジスタにより駆動されるドライバートランジス
タと、上記ドライバートランジスタにより駆動さ
れる出力トランジスタとを備え、上記出力トラン
ジスタの出力端から上記初段に負帰還をかけた増
幅器において、上記ドライバートランジスタのコ
レクタ電流を検出し、この電流の一部を上記プリ
ドライバートランジスタのベースに正帰還させた
ことを特徴とする増幅器。1 comprising a first stage, a pre-driver transistor driven by the first stage, a driver transistor driven by the pre-driver transistor, and an output transistor driven by the driver transistor, and from the output end of the output transistor to the first stage. An amplifier provided with negative feedback, wherein a collector current of the driver transistor is detected, and a portion of this current is positively fed back to the base of the pre-driver transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148281A JPS57166708A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148281A JPS57166708A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57166708A JPS57166708A (en) | 1982-10-14 |
| JPS6229922B2 true JPS6229922B2 (en) | 1987-06-29 |
Family
ID=12888171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148281A Granted JPS57166708A (en) | 1981-04-06 | 1981-04-06 | Amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57166708A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0160919U (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 |
-
1981
- 1981-04-06 JP JP5148281A patent/JPS57166708A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0160919U (en) * | 1987-10-14 | 1989-04-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57166708A (en) | 1982-10-14 |
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