JPS6228760A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　、
Ｔｅ　％　Ｓｂ等をドープした感光体、Ｚｎ○やＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１ｌ
。 Ｍａｇ、Ｖｏｌ、　３５　”　（１９７８）等に記載さ
れており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこ
と、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２
〜１０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学
的エネルギーギャップが１．６〜２．８　ｅＶの範囲に
亘って変化すること等が知られている。但、炭素の含有
によりバンドギャップが拡がるために長波長感度が不良
となるという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈ層とへテロ接
合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ：
Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ層を中
間層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２のａ
−３ｉＣ：　Ｈ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報Ｇこみられる如く、上記の電荷発生
層と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜
層（ａ−３ｉｔ−ｘ　　ＣＸ　　：Ｈ）を設け、この傾
斜層においてａ−３ｉ：Ｈ側でＸ＝Ｏとし、ａ−３ｉＣ
：Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、中間層を設けたことによる効果は
特に連続繰返し使用において、それ程発揮されないこと
が判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニング時
に表面のａ　　ＳｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に損
傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥とし
て生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返し
使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電気
的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿度
）による影響を無視できない。また、中間層と電荷発生
層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ８発明の目的 本発明の目的は、中間層と電荷発生層との接着性に優れ
、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、画像
流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光疲労
が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（温度
、湿度）によらずに安定している感光体を提供すること
にある。 二０発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
【しちの少なくと；アモルファス水素化及び／又はフッ
素化シリコンからな゛る電荷ブロッキング層と；窒素原
子を含有するアフッ素化シリコンからなる電荷発生層と
；周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭
素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な（と；アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中
間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
くとも１種を前記中間層よりも多く含有するアモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と
が順次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、中間層は炭素、窒素及び酸素の少なく
とも１つの原子を含有しているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐剛性が優れたものとなる。また、本発明においては、
中間層と電荷発生層との間に不純物ドープド中間層を設
けているので、中間層と電荷発生層との接着性が向上す
る。また、中間層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもなく、 残留電位も低下し、電気的・光学的特性が常時安定化し
て使用環境に影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ！
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第Ｖａ族
元素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及び
Ｏの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ
　−Ｓ　１（Ｃ）（Ｎ）（○）；Ｈと表わす。）からな
るＮ゛型重電荷ブロッキング層４４、周期表第ｍａ族元
素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化されか
つＮを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３ｉＮ：Ｈと
表わす。）からなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ：Ｈか
らなる電荷発生Ｎ（不純物ドーピングなし又は真性化さ
れたもの）４３と、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素が
ヘビードープされたＰ１型又はＮ゛型であって、Ｃ，Ｎ
、０の少なくとも１つを含有するアモルファス水素化シ
リコンからなる中間層４６と、周期表第ｍａ族又は第Ｖ
ａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若
しくは不純物ドーピングなしの）されかつＮ、Ｃ及びＯ
の少なくとも１つを含有するアモルファス水素化シリコ
ン（これをａ　−Ｓ　１（Ｃ）（Ｎ）（０）：　Ｈと表
わす。）からなる中間層４５とが積層された構造からな
っている。 電荷発生層４３は暗所抵抗率ρ、と光照射時の抵抗率ρ
、との比が電子写真感光体として充分大きく光怒度（特
に可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、ａｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素原
子含有量を光学的エネルギーギヤ・ノブに置き換えて規
定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−ｃｍ以上にな
る。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ　−３ｉ
Ｎ　：　Ｈ，ａ−３ｉＯ：　Ｈについても同様である。 と記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による゛表
面電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動
作を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影客を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ　＋Ｃ＝１００ａ
ｔｏｍｉｃ％（以下、ａ　ｔｏｍ　ｉ　Ｃ％を単に％で
表わす。）としたとき１％≦ＣＣ）５９０％、更には１
０％≦〔０３５７０％であることが望ましい。このＣ含
有量によって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光
学的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、
可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果に
より照射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達
し易くなる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的
損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり
易く、がっ一部分の光は表面［４５に吸収され、感光体
の光感度が低下し易（なる。また、Ｃ含有量が９０％を
越えると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易
い上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するとき
の堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下と
するのがよい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５
の場合、１％≦（Ｎ）５９０％（更には１０％≦〔Ｎ３
５７０％）がよく、０％＜Ｃｏ）５７０％（更には５％
≦〔０３５３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、中間層４５を高抵抗化して
もよい。その為には中間層を真性化しても良い。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から中間層中への電
子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化する為
には、中間層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　ＢｚＨ６／５ｉｆｔ４２〜５０　　容ｆｆｉ
ｐｐｍＰ型　：　Ｂｚｌ１６／５ｉＨ４５０〜１０００
　　　”Ｎ型　：　ＰＨ３／５ｉＨ４１〜１０００　　
　〃また、層４５はａ−３ｉＣＯ，ａ−３ｉＮＯ，ａ−
３ｉＯ，ａ−３ｉＯ□等からなっていてよく、その膜厚
を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００人≦
ｔ＜２０００人に選択することも重要である。即ち、そ
の膜厚が５０００人を越える場合には、残留電位ＶＲが
高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系感光
体としての良好な特性を失い易い。また、膜厚を４００
人未満とした場合には、トンネル効果によって電荷が表
面上に帯電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の
低下が生じてしまう。 中間層４６は、感度の向上、残留電位の低下、中間層の
接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。 上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（ＰＨ３〕／　（ＳｉＨｎ　）−１〜
１０００　（好ましくは１０〜５００）容量ｐｐｍ　％
（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ４）＝１０〜１０００　（好
ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 中間層４６のＣ，Ｎ、０含有量は、 ０＜　〔Ｃ）５１０％、 ０＜（Ｎ）５１０％、 ０＜Ｃｏ）≦５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、ＢｚＨ
ｂ　／５ｉＨａ　＝　１〜２０容量ｐｐｍとするのがよ
い。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送［４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、必要に応じて真性化してもよい。 真性化の為のドープ量は、（ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨ４
）＝２〜２０００容ｆｆｉｐｐｍが最適である。但し、
上記値はＮ　ｔａ度に依存する為、必ずしも上記値に限
定されるものではない。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０
ｐｍとするのがよい。また、電荷輸送層の組成は、１％
〈　〔Ｎ３５３０％、好ましくは１０％≦（Ｎ）５３０
％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
ホールの注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、必要に応じて周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をグロー放電分解でドープして、真性化、更にはＮ型（
更にはＮ゛型）化する。ブロッキング層の組成によって
、次のようにドーピング量を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−５ｉＣＯ：真性化ＢＪｂ／５ｉＨ４
２〜２０容１ｐｐｍＮ型（Ｎ　”　）Ｐｔｈ／５ｉＨ４
１〜１０００〃ａ−ＳｉＮ又はａ−３ｉＮＯ：真性化Ｂ
Ｊａ／Ｓｉ！Ｉｎ　　１〜２０００　　”Ｎ型（Ｎ″″
）ＰＨｉ／５ｉｎ４１〜２０００〃ブロンキング層はＳ
Ｓ１０５Ｓｉｎ等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易いや ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）　５７０％とし、１％〈　〔Ｎ３５９
０％、好ましくは１０％〈　（Ｎ３５７０％とし、０％
≦

〔０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦

〔０〕≦３０％と
するのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は中間層４５、ブロッキング層
４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電型を
制御するための不純物として、Ｐ型化のためにポロン以
外にもＡｒ、Ｇａ、ＩｎＸＴβ等の周期表Ｉ［Ｉａ族元
素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外にも、Ａｓ
、ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　８４又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ６）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばＡ７！基板４１の表面を清浄化した
後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１
Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基
板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
不活性ガスをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状
シリコン化合物、ＣＨａ　、Ｎ２　、Ｏｚ等を適宜真空
槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔ　ｏｒｒ
の反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば
１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。これによって、上
記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電
分解し、Ｎ０型ａ　　！ｌ；＋Ｃ：　Ｈ％　１型ａ−３
ｔＮ：　Ｈ−、ａ　　３１　　：　Ｈ−、Ｐ　”又はＮ
”型ａ−３ｔＣ：　Ｈ％　ａ　　Ｓ　ｔ　ＣＯ：　Ｈを
上記の層４４．４２．４３．４６．４５として基板上に
連続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積さ
せる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｔ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｉ：Ｆ。 ａ−３ｔ　　：Ｈ：Ｆ、ａ−ＳｉＮ：Ｆｓａ−３ｉＮ：
Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ。 ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は０．５〜１０％が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状ＡＮ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状／ｌ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−　
’　Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板
４１を所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは
１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の
Ａｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒ
ｒの背圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、Ｓ　ｉ　ＨａとＰＨ３からなる反応ガスを導入
し、流量比１　：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０
−’）の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨａ又はＮ２＋ＰＨ３）
混合ガスをグロー放電分解することにより、電荷ブロッ
キング機能を担うＮ“型のａ　−ＳｉＣ：　Ｈ層４４ト
ａ−３ｉＮ：Ｈ電荷輸送層４２とを６μｍ／ｈｒの堆積
速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、ＰＨ。 及びＣＨ４を供給停止し、ＳｉＨ４を放電分解し、厚さ
５μｍのａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成した。引続いて、不
純物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚
も変化させた中間層４６を形成し、更にａ−３ｉＣＯ：
　Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：　Ｈ表面保護層４５を更゛に設
け、電子写真感光体を完成させた。比較例として、中間
層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）９中間層：　ａ−３ｉＮＯ：　Ｈ又はａ−３ｉＣ
Ｏ：　Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、ａ　　Ｓｉ　　：Ｈ電荷発生層：膜厚＝５μｎ＋
（４）、ａ　−ＳｉＮ　：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝　１
６　ｐ　ｍＮ含を量＝１２％ （５）、ａ　−ＳｉＣ：　Ｈ又はａ−３ｉＮ：Ｈ電荷ブ
ロッキング層： 膜厚＝０．５μｍ Ｃ含有量−１２％ （６）、支持体：Ａ１シリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 五二血工菫庶 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモーター
７１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現
われるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や１ｌ
ｌｌ線の再現性が良い。 ０：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 夕留−立ＶＲ（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４０Ｃｎｍにピークをもつ除電光３０　ｊ！　ｕｘ−ｓ
ｅｃを照射した後も残っている感光体表面電位。 帯電電位■。（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位針（トレック社製）で測定した
現像直前の表面電位。 半減　　　Ｅ　２／１　（１ｕｘ−ｓｅｃ）上記の装置
を用い、ダイクロインクミラー（元帥光学社製）により
像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャー
プカットし、表面電位を５００■から２５０Ｖに半減す
るのに必要な露光量。 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体のグ断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめずグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−−−−−−−　ａ　−Ｓ　ｉ系感光体４
１−・−ｍ−−−・−支持体（基板）４２・−・−・−
電荷輸送層 ４３−−−−−−−・−・・電荷発生層４４−・−・−
・・−・電荷ブロッキング層４５−−−−−−−−−−
一中間層４６・・・−−−−−−ｍ−中間層であ る。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第２図 ａ−Ｓｉ＋−ｘＣｘ：Ｈｘ 第３図 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；窒素原子を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表第I
   IIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ炭素原子、窒
   素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を含有する
   アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからな
   る中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの
   少なくとも１種を前記中間層よりも多く含有するアモル
   ファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面
   改質層とが順次積層されてなる感光体。