JPS62286257A - Flat base type semiconductor device - Google Patents
Flat base type semiconductor deviceInfo
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- JPS62286257A JPS62286257A JP12966586A JP12966586A JPS62286257A JP S62286257 A JPS62286257 A JP S62286257A JP 12966586 A JP12966586 A JP 12966586A JP 12966586 A JP12966586 A JP 12966586A JP S62286257 A JPS62286257 A JP S62286257A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
１ 発明の詳細な説明
〔産某上のズ１］用分野〕
本発明はフラットベース形半導体装置に関し、船にスナ
バ−用フラットベース形ダイオードの外装構造に関する
ものである。[Detailed Description of the Invention] 1. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Applications 1] The present invention relates to a flat base type semiconductor device, and relates to an exterior structure of a flat base type diode for a snubber on a ship. .
従来のダイオードの一般的な荷造を第２図に示す。同図
において、１１は半導体素子としてのダイオード素子２
を収容可能に形成されたスタッドで、銅からなる六角部
１１−ｓに、鋼からなるネジ１１−亀と鉄からなるケー
ス１１−１とが接続されて講放される。そして、この六
角部１１−雪とネジ１１−＄は一体化構造を有しケース
１１−１は前記六角部１１−１とろう付けにて固着され
、スタッド１１となる。また、１３は銅からなシ、下部
にツバ部１３ａ ｔ”有する陰極棒、１４はセラミック
からなる絶縁リング、１５は鋼からなる皿バネである。FIG. 2 shows the typical packaging of conventional diodes. In the figure, 11 is a diode element 2 as a semiconductor element.
The hexagonal part 11-s made of copper is connected to the screw 11-1 made of steel and the case 11-1 made of iron and released. The hexagonal part 11 and the screw 11 have an integrated structure, and the case 11-1 is fixed to the hexagonal part 11-1 by brazing to form the stud 11. Further, 13 is a cathode rod made of copper and has a collar portion 13a t'' at the bottom, 14 is an insulating ring made of ceramic, and 15 is a disc spring made of steel.
さらに、１６はキャップで、セラミックからなる絶縁体
１６−１に、銅からなる中継筒１６−Ｓと鉄からなるフ
ランジ１６−ｓとが接続されて構成される。このとき、
絶縁体１６−１と中継筒１６−ｓ、７ランジ１６−８は
各々ろう付けて絶縁体１６−１に固着されて、キャップ
１６を構成する。また、１７は銅の撚線からなるリード
である。Furthermore, 16 is a cap, which is constructed by connecting an insulator 16-1 made of ceramic to a relay tube 16-S made of copper and a flange 16-s made of iron. At this time,
The insulator 16-1, the relay tube 16-s, and the seven flange 16-8 are each fixed to the insulator 16-1 by brazing to form the cap 16. Further, 17 is a lead made of twisted copper wire.
このように構成されたダイオードの組立ては、まずスタ
ッド１１内にダイオード素子２を挿入する。次に、陰極
棒１３に絶縁リング１４２皿バネ１５を挿嵌させてこれ
らをそのツバ部１３ａの上面に挿着したうえ、このツバ
部１３ａの下面をダイオード素子２上に載置する。この
とき、陰極棒１３は、スタッド１１０ケース１１−１と
絶縁リング１４によ）中心出しが行なわれる。また、皿
バネ１５はスタッド１１のケース１１−１内壁によって
位置決めが行なわれる。To assemble the diode configured as described above, first, the diode element 2 is inserted into the stud 11. Next, the insulating ring 142 and disc spring 15 are inserted into the cathode rod 13, and these are inserted onto the upper surface of the collar 13a, and the lower surface of the collar 13a is placed on the diode element 2. At this time, the cathode rod 13 is centered (by the stud 110, the case 11-1, and the insulating ring 14). Further, the disc spring 15 is positioned by the inner wall of the case 11-1 of the stud 11.
次いで、図示しない加圧装置にて皿バネ１５ｔ−上部よ
り圧縮しながら、スタッド１１のケース１１−１の上ｍ
ｔ中心方向に絞り込むことにより、陰極棒１３のツバ部
１３ａとダイオード素子２．スタッド１１の六角部１１
−３とが皿バネ１５によシ圧接され、一体化される。Next, while compressing the disc spring 15t from above using a pressure device (not shown), the upper m of the case 11-1 of the stud 11 is pressed.
By narrowing down toward the center, the collar 13a of the cathode bar 13 and the diode element 2. Hexagonal part 11 of stud 11
-3 are pressed together by the disc spring 15 and integrated.
次いで、このように一体化されたスタッド１１と陰極棒
１３にキャップ１６を被せ、キャップ１６０７ランジ１
６−畠とスタッド１１のケース１１−１の溶接用突起部
１１８Ｌとを溶接にて固着する。これによシ、ダイオー
ド素子２はスタッド１１とキャップ１６とによシ密封さ
れる。Next, the stud 11 and cathode bar 13 integrated in this way are covered with the cap 16, and the cap 1607 and the flange 1
6- Fix the welding protrusion 118L of the case 11-1 of the stud 11 to the field by welding. Thereby, the diode element 2 is sealed by the stud 11 and the cap 16.
最後に、キャップ１６の中継筒１６−３ Ｋ’）−ド１
７を挿入し、この中継筒１６−２の上部及び下部を機様
的に圧縮して、これら中継筒１６−３とリード１７．中
継筒１６−１と陰極棒１３とが圧着により電気的に接続
される。Finally, connect the relay tube 16-3 K')-de 1 of the cap 16.
7 is inserted, and the upper and lower parts of this relay tube 16-2 are mechanically compressed, and these relay tubes 16-3 and leads 17. The relay tube 16-1 and the cathode rod 13 are electrically connected by crimping.
ところが、このような従来のスタッド形ダイオードにお
いては、例えばゲート・ターンオフ・サイリスタのスナ
バ−用に使用すると、ｌ）陰項棒１３の長さが長く、か
つ直径が小さいため、インダクタンスが大きくなる。ま
た、２）陰極棒１３の回シに鉄系の材質例えば１′ユバ
ネ１５があると、′１ＸＡ電中において皿バネ１５によ
りインダクタンスが大きくなる。などの問題が発生する
。その結果、ターンオフ時のスパイク電圧が大きくなｊ
５、ケ−）・ターンオフ・サイリスタの可制ａｔ流を低
下させるという欠点があった。However, when such a conventional stud-type diode is used, for example, as a snubber of a gate turn-off thyristor, the inductance becomes large because (1) the length of the anode rod 13 is long and the diameter is small. Further, 2) If the rotation of the cathode rod 13 is made of iron-based material, such as the 1' spring 15, the inductance increases due to the disc spring 15 in the 1XA electric current. Problems such as this occur. As a result, the spike voltage at turn-off becomes large.
5.K) There was a drawback of reducing the controllable AT current of the turn-off thyristor.
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たｔので、電流通路を大きくするとともに短かくして、
その電流通路部のインダクタンスを小さくしたフラット
ベース形半導体装置を提供することを目的とする。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, so the current path is made larger and shorter,
It is an object of the present invention to provide a flat base type semiconductor device in which the inductance of the current path portion is reduced.
本発明に係るフラットベース形半導体装置は、半導体素
子を収容しかつその周側面を囲むように形成された下部
電極としてのベースと、このベースに収容された半導体
素子の上面に載置されてその密封容器を構成する上部電
極として電極ブロックを具備し、この電極ブロックと前
記ベース間に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロ
ックに挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて加圧接
触することにより、これらベース、電極ブロック間の周
側面を囲むべく形成された対土用キャップにより各々の
両端部を封着して前記半導体素子を密封するようにした
ものでおる。A flat base type semiconductor device according to the present invention includes a base serving as a lower electrode that houses a semiconductor element and is formed to surround the peripheral side of the semiconductor element, and a base that is placed on the upper surface of the semiconductor element housed in the base. An electrode block is provided as the upper electrode constituting the sealed container, and the semiconductor element sandwiched between the electrode block and the base is pressed by a pressure member made of a non-magnetic material inserted into the electrode block. Through pressure contact, both ends of the base and the electrode block are sealed by a soil cap formed to surround the circumferential surface between the base and the electrode block, thereby sealing the semiconductor element.
本発明のフラットベース形半導体装置においては、密封
容器を構成する上部′Ｆ８！極の形状全ブロック状にし
、その回５にるる加圧部材の材質をステンレスなどの蔚
磁性ｆ本とするととにょシ、装置自体と回路のインダク
タンス２．３．さくすることができる３゜
〔実施例〕
以下、本発明を１直に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。In the flat base type semiconductor device of the present invention, the upper part 'F8! constituting the sealed container! If the shape of the pole is entirely block-shaped, and the material of the pressurizing member is a magnetic material such as stainless steel, the inductance of the device itself and the circuit will be 2.3. 3° [Example] The present invention will be described in detail below based on an example that directly shows the present invention.
第１図は本発明の一実施例によるフラットベース形ダイ
オードの構造を示す断面図である。第１図において、１
は従来と同様のダイオード素子２を収容してその周側面
を囲むように形成された下部電極としてのベースであり
、このベース１は制からなる円板状のブロック１−１と
鉄からなる筒状のケース１−ｉとがろう付けにより固着
され、そのケース１−ｓの外周面には溶接用リング１−
３ンが形成されている。３は前記ベース１内に収容され
るダイオード素子２上に載置されて密封容器の一部をな
す上部電極としての陰極ブロックでらυ、この陰極ブロ
ック３は銅からなシ、下部にツバ部３−１が形成される
とともに、上部に鉄からなる溶接リング３−ｓがろう付
けによシ固着されている。なお、これらベース１と陰極
ブロック３には、それぞれ中心にネジ穴加工によシ取付
は用ネジ部１１Ｌｍ３ａが設けられ、外側にもネジ加工
によシそれぞれ取付は用ネジ部１ｂ、３ｂが設けられて
いる。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a flat base diode according to an embodiment of the present invention. In Figure 1, 1
1 is a base serving as a lower electrode which is formed to house a diode element 2 and surround the circumferential side of the diode element 2 similar to the conventional one, and this base 1 includes a disc-shaped block 1-1 made of a diode element and a cylinder made of iron. A shaped case 1-i is fixed by brazing, and a welding ring 1-s is attached to the outer peripheral surface of the case 1-s.
Three rings are formed. 3 is a cathode block υ as an upper electrode placed on the diode element 2 housed in the base 1 and forming a part of the sealed container.This cathode block 3 is not made of copper and has a flange part at the bottom. 3-1 is formed, and a welding ring 3-s made of iron is fixed to the upper part by brazing. The base 1 and the cathode block 3 are each provided with a screw hole 11Lm3a in the center for mounting, and screw holes 1b and 3b are also provided on the outside for mounting. It is being
また、４は陰極ブロック３のツバ部３−１に当接して挿
嵌可能に形成されたセラミックからなる絶縁リング、５
は同じく陰極ブロック３に挿嵌可能に形成された５ＵＳ
３０４のステンレス材からなる加圧部材としての皿バネ
、６はセラミックからなるリング状の絶縁体６−１と、
該絶縁体６−ｔの上、下部分にそれぞれろう付けされた
鉄からなる７ランジ６−３および６−ａとから構成され
たキャップであシ、このキャップ６は、ベース１の溶接
す／グ１−ｓと陰極ブロック３の溶接リング３−ｓとの
間に封着されて七調部を密封するものとなっている。Further, reference numeral 4 denotes an insulating ring made of ceramic, which is formed so as to be able to be inserted into the collar portion 3-1 of the cathode block 3;
5US is also formed so that it can be inserted into the cathode block 3.
304 is a disc spring as a pressure member made of stainless steel, 6 is a ring-shaped insulator 6-1 made of ceramic,
The cap is composed of seven flanges 6-3 and 6-a made of iron that are brazed to the upper and lower parts of the insulator 6-t, respectively. It is sealed between the ring 1-s and the weld ring 3-s of the cathode block 3 to seal the seventh tone part.
しかして、上記実施例構成のダイオードの組立てに際し
ては、まずベース１内にダイオード素子２全挿入し、陰
極ブロック３に絶縁リング４１皿バネ５を挿入して、ダ
イトド素子２上に載置する。Therefore, when assembling the diode of the above-described embodiment, first, the diode element 2 is fully inserted into the base 1, the insulating ring 41 and disc spring 5 are inserted into the cathode block 3, and the diode element 2 is placed on top of the diode element 2.
次に、図示しない加圧装置にて皿バネＳ１を上部：）圧
縮しながら、ベース１のケース１−ｍ上部を中心方向に
絞υ込む。これは、従来の組立方法と全く同様でちる。Next, while compressing the upper part of the disc spring S1 using a pressure device (not shown), the upper part of the case 1-m of the base 1 is squeezed toward the center. This is exactly the same as the conventional assembly method.
次いで、キャップ６ ｋ陰極ブロック３とベース１に被
せ、このキャップ６のフランジ６−ｓと陰極ブロック３
の溶接リング３−３＃キヤツプ６のフランジ６−ｓと上
記ケース１−１の溶接リング１−ａとをそれぞれ＠着さ
せて溶接にて固着する。これにより、ダイオード素子２
はベース１とキャップ６、陰極ブロック３とにより＠封
される。Next, the cap 6k is placed over the cathode block 3 and the base 1, and the flange 6-s of the cap 6 and the cathode block 3 are
The flange 6-s of the welding ring 3-3# cap 6 and the welding ring 1-a of the case 1-1 are respectively attached and fixed by welding. As a result, diode element 2
is sealed by the base 1, cap 6, and cathode block 3.
このようにして製作されたフラットベース形ダイオード
は、第２図に示した従来９１のものに比べて、高さが大
幅に小さくなる。例えば４００Ａクラスのタイオードに
て比較すると、ダイオード素子２底部からキャップ６上
部までの高さは、従来。The height of the flat base diode manufactured in this manner is significantly smaller than that of the conventional 91 shown in FIG. For example, when comparing a 400A class diode, the height from the bottom of the diode element 2 to the top of the cap 6 is conventional.
８０■あったものが、本発明のものは２５ｍとなる。The length was 80m, but the length of the present invention is 25m.
また、陰極棒１３の最小寸法は従来、 ｌ０ＦＩＩＩ＋
ちったものが、本発明の陰極ブロック３では２０ｍとな
る。In addition, the minimum dimension of the cathode rod 13 was conventionally l0FIII+
However, in the cathode block 3 of the present invention, the length is 20 m.
これは、従来構造においてはキャップ１６により陰極棒
１３とリード１Ｔとを接続するため、構造・寸法的な制
約（高さ寸法が大きくかつ陰極棒の直径が小さくなるこ
とと、キャップ１６とスタッド１１とで密封容器を構成
するため）が生じて高さが高くなる。これに対し、本発
明においては、上記従来構造の制約を取υ去υ、リード
１７との接続は陰極ブロック３のネジ部３ａ、３ｂで行
なえるようにしたので、そのリードの寸法（直径）が大
きくとれる。また、陰極ブロック３も密封容器を構成す
る構造としたので、高さ寸法が小さくできるとともに、
直径を大きくとることが可能となる。This is because in the conventional structure, the cathode rod 13 and the lead 1T are connected by the cap 16, so there are structural and dimensional constraints (the height dimension is large and the diameter of the cathode rod is small, and the cap 16 and the stud 1T are connected to each other). to form a sealed container), resulting in an increase in height. In contrast, in the present invention, the limitations of the conventional structure are removed, and the connection with the lead 17 can be made using the threaded portions 3a and 3b of the cathode block 3, so that the dimensions (diameter) of the lead You can get a large amount. In addition, since the cathode block 3 is also structured to constitute a sealed container, the height dimension can be reduced, and
It becomes possible to increase the diameter.
したがって、かかる本発明のダイオードを、ゲート・タ
ーンオフ・サイリスタのスナバ−用に使用すると、ダイ
オード自体のインダクタンスが小さくなシ、ソのターン
オフ時のスノ（イク電圧が小さくなるので、サイリスタ
の可制御電流が大きくとれる。また、各々のベース１
、陰極ブロック３にはネジ部が設けられているので、外
部回路と接続するリードも太いものが使用でき、回路に
おけるインダクタンスも小さくなる等の利点を奏する。Therefore, when the diode of the present invention is used for a snubber of a gate turn-off thyristor, the inductance of the diode itself is small, and the snubber voltage at turn-off becomes small, so that the controllable current of the thyristor is reduced. can be taken large. Also, each base 1
Since the cathode block 3 is provided with a threaded portion, thick leads can be used for connection to an external circuit, and the inductance in the circuit can be reduced.
なお、上記実施例ではダイオードに近用した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、サ
イリスタやトライブックなどにも適用できることはいう
までもないっ
〔発明の効果〕
以上のよう（Ｃ１本発明のフラットベース形半導体装置
によれば、半導体素子を密封する密封容器を構成する上
部−極の形状をブロック状にし、その回りにある加圧部
材に非磁性体を用いることにより、外装電極の高さ寸法
が短かくかつ直径が大きくとれるので、装置自体１回路
のインダクタンスを減少させることができる効果がある
。In the above embodiments, the case where the diode is used is explained, but the present invention is not limited to this, and it goes without saying that it can be applied to thyristors, try books, etc. [Effects of the Invention] (C1) According to the flat base type semiconductor device of the present invention, the shape of the upper pole constituting the hermetic container for sealing the semiconductor element is made into a block shape, and the pressure member around the upper pole is made of a non-magnetic material. Since the height dimension of the exterior electrode is short and the diameter can be made large, the device itself has the effect of reducing the inductance of one circuit.
第１図は本発明の一実施例によるダイオードの断面図、
第２図は従来例によるスタッド形ダイオードの断面図で
ある。
１ ＠１１１１ｅベース、１ １ ＠ ｅ １１ ｍ
ブロック、１−１＃・嗜φケース、１−１１・−溶接用
リング、１ａｊｂ’−・赤ネジ部、２・ｅ１ダイオード
素子、３・・・・陰極フ゛ロック、３−１・・拳・ツバ
部、３−１・・・・溶接リング、３ａ＋３Ｌ＋・・・・
ネジ部、４・φφ・絶巖リング、５・・ ・・皿バネ（
加圧部材）、６・・・・キャップ、６−１・・・・絶綴
体、６−ｚ、６ ａ ・・拳寺７ランジ代 理
人 大 岩 増 融第１図
２ ＋ り゛イブｒ−ド棄コト
旦・ Ｐ′を名賢プロー１７
ｆＬ： ヤマッデFIG. 1 is a cross-sectional view of a diode according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a sectional view of a conventional stud-type diode. 1 @1111e base, 1 1 @e 11 m
Block, 1-1#, φ case, 1-11, welding ring, 1ajb'-, red screw part, 2, e1 diode element, 3, cathode block, 3-1, fist, brim Part, 3-1...Welding ring, 3a+3L+...
Threaded part, 4, φφ, absolute ring, 5... Belleville spring (
Pressure member), 6... Cap, 6-1... Zetsutsutai, 6-z, 6 a... Kenji 7 lunge substitute
Figure 1 2
Claims (2)
形成された下部電極としてのベースと、このベースに収
容された半導体素子の上面に載置されてその密封容器を
構成する上部電極としての電極ブロックを具備し、この
電極ブロックと前記ベース間に挾み込まれた半導体素子
を、その電極ブロックに挿嵌された非磁性体からなる加
圧部材にて加圧接触することにより、これらベース、電
極ブロック間の周側面を囲むべく形成された封止用キャ
ップにより各々の両端部を封着して前記半導体素子を密
封してなることを特徴とするフラットベース形半導体装
置。(1) A base as a lower electrode that houses a semiconductor element and is formed to surround the peripheral side of the semiconductor element, and an upper electrode that is placed on the upper surface of the semiconductor element housed in this base to form a sealed container thereof. The semiconductor element sandwiched between the electrode block and the base is brought into pressure contact with a pressure member made of a non-magnetic material inserted into the electrode block. 1. A flat base type semiconductor device, characterized in that the semiconductor element is hermetically sealed by sealing both ends of each with a sealing cap formed to surround a circumferential surface between a base and an electrode block.
はいずれか一方に取付け用ネジ部を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフラットベース形半導
体装置。(2) The flat base type semiconductor device according to claim 1, wherein a mounting screw portion is provided on either or both of the base and the electrode block serving as the lower electrode.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12966586A JPS62286257A (en) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | Flat base type semiconductor device |
| DE19873718598 DE3718598A1 (en) | 1986-06-04 | 1987-06-03 | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| US07/289,441 US4893173A (en) | 1986-06-04 | 1988-12-22 | Low-inductance semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12966586A JPS62286257A (en) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | Flat base type semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286257A true JPS62286257A (en) | 1987-12-12 |
| JPH0469818B2 JPH0469818B2 (en) | 1992-11-09 |
Family
ID=15015122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12966586A Granted JPS62286257A (en) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | Flat base type semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286257A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6108026B1 (en) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | Pressure contact type semiconductor module |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP12966586A patent/JPS62286257A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6108026B1 (en) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | Pressure contact type semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469818B2 (en) | 1992-11-09 |
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