JPH01202846A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH01202846A JPH01202846A JP2800288A JP2800288A JPH01202846A JP H01202846 A JPH01202846 A JP H01202846A JP 2800288 A JP2800288 A JP 2800288A JP 2800288 A JP2800288 A JP 2800288A JP H01202846 A JPH01202846 A JP H01202846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- section
- pipe
- cap
- metal pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、頂部にガラスで絶縁された端子を設けたキャ
ップとスタッドを有する型の半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a semiconductor device of the type having a cap and stud having a glass insulated terminal on the top.
従来のこの種の半導体装置の構造を、第3図の断面図に
よって説明する。突起部に雄ねじを刻設したスタッド5
は、半導体ペレット4がソルダでマウントされ、また頂
部にガラス絶縁部2を有するキャップ3が溶接されてい
る。ガラス絶縁部2を貫通する金属バイブ7内には半導
体ペレット4の電極に接続された内部ワイヤ6がとおっ
ているが、金属パイプ7の先端はかしめられ、直接に電
気接続を行なう外部端子lを形成している。The structure of a conventional semiconductor device of this type will be explained with reference to the cross-sectional view of FIG. Stud 5 with a male thread carved into the protrusion
A semiconductor pellet 4 is mounted with solder, and a cap 3 having a glass insulating part 2 is welded to the top. An internal wire 6 connected to the electrode of the semiconductor pellet 4 passes through the metal vibrator 7 that penetrates the glass insulation part 2, but the tip of the metal pipe 7 is caulked to connect an external terminal l for direct electrical connection. is forming.
このような構造であるから、スタッド5の雄ねじで固定
し、一方の電気接続をなすとともに外部端子1にリード
を取付けて、半導体装置を取付ける。With such a structure, the semiconductor device is fixed by fixing with the male screw of the stud 5, making one electrical connection, and attaching a lead to the external terminal 1.
上述した従来の半導体装置は、ガラスにより絶縁された
金属パイプがガラス絶縁部から、かしめ部分まで同一形
状であるから、キャップ外で曲げ方向の力が加わるとガ
ラスにクラックが入る。そのため気密封止が保たれなく
なり、半導体ペレットが劣化するという欠点があった。In the conventional semiconductor device described above, the metal pipe insulated by glass has the same shape from the glass insulating part to the caulked part, so if a bending force is applied outside the cap, the glass will crack. Therefore, there was a drawback that the airtight seal could not be maintained and the semiconductor pellet deteriorated.
本発明の目的は、上記の欠点を除去した、半導体装置を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device that eliminates the above-mentioned drawbacks.
本発明は、半導体ペレットを搭載したスタッドに、直接
取り付けたキャップの頂部ガラス絶縁部に、気密封止し
て貫通している金属パイプが、その先端をかしめられて
電気接続端子を形成する型の半導体装置において、
前記金属パイプの、ガラス絶縁部に埋込まれた部分の一
部外周に、環状の凸部を有するようにしたものである。The present invention relates to a type in which a metal pipe is hermetically sealed and penetrates through the top glass insulating part of a cap directly attached to a stud carrying a semiconductor pellet, and the tip of the metal pipe is caulked to form an electrical connection terminal. In the semiconductor device, a part of the metal pipe embedded in the glass insulating part has an annular protrusion on the outer periphery thereof.
ガラス絶縁部分に埋込まれた金属パイプと、ガラスとの
接触が、従来のように管軸方向のみでなく、管軸に直角
方向にもなされるので、金属パイプの折曲げ方向の外力
に対する強度が強くなり、ガラスクラックが生じない。The metal pipe embedded in the glass insulation part makes contact with the glass not only in the direction of the tube axis as in the conventional case, but also in the direction perpendicular to the tube axis, which increases the strength against external forces in the bending direction of the metal pipe. becomes stronger, and glass cracks do not occur.
以下1図面を参照して本発明の実施例につき説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to one drawing.
第1図は第1実施例の縦断面図であって、基本的には従
来と構造が同一であるが、キャップ3の頂部のガラス絶
縁部2に貫通封止された金属パイプ10がガラスに埋込
まれた部分の一部に環状の凸部11を設けである点が異
なる。環状の凸部11はドーナツ状の金属板を金属パイ
プ10の外周に溶接して形成している。FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view of the first embodiment, which is basically the same in structure as the conventional one, except that a metal pipe 10 that is sealed through the glass insulating part 2 at the top of the cap 3 is connected to the glass. The difference is that a part of the embedded portion is provided with an annular convex portion 11. The annular convex portion 11 is formed by welding a donut-shaped metal plate to the outer periphery of the metal pipe 10.
この半導体装置の組立ては、スタッド5に半導体ペレッ
ト4をマウントしてから、半導体ペレット4の電極に内
部ワイヤ6をポンディングして接続する0次にキャップ
3の金属パイプ10に内部ワイヤ6を挿入しておき、キ
ャップ3のフランジ部分をスタッド5に溶接してから、
金属パイプ10の先端をかしめることで外部端子lを形
成する。これにより同時に封止がなされる。Assembling this semiconductor device involves mounting the semiconductor pellet 4 on the stud 5, connecting the internal wire 6 to the electrode of the semiconductor pellet 4 by bonding it, and then inserting the internal wire 6 into the metal pipe 10 of the cap 3. Then, after welding the flange part of cap 3 to stud 5,
An external terminal l is formed by caulking the tip of the metal pipe 10. This simultaneously seals.
次に、第2実施例につき、第2図の縦断面図で説明する
。金属パイプ10の環状の凸部11はパイプ軸方向の断
面を三角形にしているので、キャップ3の製作において
ガラスを流しこみ金属パイプ10を埋込む際に、ボイド
が入りにくく、ガラスとの密着が良い。また、特に図示
しないが、パイプ軸方向の断面が半円形になるようにし
てもよい。Next, a second embodiment will be explained with reference to the longitudinal sectional view of FIG. 2. Since the annular convex portion 11 of the metal pipe 10 has a triangular cross section in the axial direction of the pipe, when pouring glass and embedding the metal pipe 10 in manufacturing the cap 3, it is difficult to form voids and it is difficult to form a close contact with the glass. good. Further, although not particularly shown in the drawings, the cross section in the axial direction of the pipe may be semicircular.
以上説明したように本発明は、ガラス絶縁部を頂部に有
するキャップの外部端子を形成する金属パイプのガラス
に埋込まれた部分の一部に環状の凸部を設けることによ
って、外部端子への折曲げ方向の外力に対する強度を強
めたもので、前記外力がかかってもガラスクラックが生
ずることなく、気密封止を保つことができる。As explained above, the present invention provides a ring-shaped convex part in a part of the part embedded in the glass of the metal pipe forming the external terminal of the cap having the glass insulating part on the top. It has increased strength against external forces in the bending direction, and can maintain airtight sealing without causing glass cracks even when the external forces are applied.
第1図、第2図は本発明の実施例の縦断面図、第3図は
従来例の縦断面図である。
1・・・外部端子、 2・・・ガラス絶縁部。
3・・・キャップ、 4・・・半導体ペレット、5
・・・スタッド、 7.10・・・金属パイプ、1
1・・・環状の凸部。1 and 2 are longitudinal sectional views of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a conventional example. 1...External terminal, 2...Glass insulation part. 3... Cap, 4... Semiconductor pellet, 5
...Stud, 7.10...Metal pipe, 1
1... Annular convex part.
Claims (1)
たキャップの頂部ガラス絶縁部に、気密封止して貫通し
ている金属パイプが、その先端をかしめられて電気接続
端子を形成する型の半導体装置において、 前記金属パイプの、ガラス絶縁部に埋込まれた部分の一
部外周に、環状の凸部を有することを特徴とする半導体
装置。[Claims] A metal pipe hermetically seals and penetrates the top glass insulating part of the cap directly attached to the stud carrying the semiconductor pellet, and its tip is caulked to form an electrical connection terminal. type semiconductor device, characterized in that the metal pipe has an annular convex portion on a part of the outer periphery of the portion embedded in the glass insulating portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2800288A JPH01202846A (en) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2800288A JPH01202846A (en) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01202846A true JPH01202846A (en) | 1989-08-15 |
Family
ID=12236591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2800288A Pending JPH01202846A (en) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01202846A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0361326U (en) * | 1989-10-20 | 1991-06-17 |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP2800288A patent/JPH01202846A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0361326U (en) * | 1989-10-20 | 1991-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4107727A (en) | Resin sealed semiconductor device | |
JPH09180775A (en) | Cap mounting structure for high tension cable | |
JPH01202846A (en) | Semiconductor device | |
JPH05340822A (en) | Temperature sensor | |
US4068368A (en) | Closure for semiconductor device and method of construction | |
JPH0454660Y2 (en) | ||
US2965818A (en) | Manufacture of semiconductor rectifier devices | |
KR101875196B1 (en) | Inserted lead wire type compact polymer high voltage bushing | |
JPH01147837A (en) | Semiconductor device | |
JPS6210616Y2 (en) | ||
JPH0238369Y2 (en) | ||
JPH0665840U (en) | Temperature sensor | |
JPH0414860Y2 (en) | ||
JP4784476B2 (en) | Cylindrical fuse | |
JPS6038275Y2 (en) | Axial lead type cylindrical capacitor | |
JPH0238382Y2 (en) | ||
US3381184A (en) | Lead termination structure | |
JPS6253949B2 (en) | ||
JPS6058650A (en) | Electronic component | |
JPH0312215Y2 (en) | ||
JPH056673U (en) | Battery with terminal | |
JPH023627Y2 (en) | ||
JPS6017736Y2 (en) | oxygen concentration detector | |
JPH0635442Y2 (en) | Electromagnetic connection terminal mounting structure | |
JP3404603B2 (en) | Composite sensor |