JPS62279686A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野］ 本発明は位置及び速度検出器に使用される磁気抵抗効果
素子に関するものである。

〔従来の技術〕

Ｆｅ−ＮｉやＮｉ−Ｃｏ合金などの強磁性体、Ｉｎ−３
ｂなどの半導体のもつ磁気抵抗効果を利用した磁電変換
素子は、信号磁界に対する再生感度が高い素子として位
置及び速度検出器等に使用されている。

このような素子は、例えば第１図に示すようにガラス基
板１上にストライプ状の磁気抵抗効果素子薄膜パターン
２を形成し使用される。すなわち薄膜パターン２の長手
方向に電流を流し、これと直角方向に外部磁場を印加し
てその磁場の大きさによる磁気抵抗の変化を電圧又は電
流の変化として外部に出力信号として取り出すもの−で
ある。

この磁気抵抗効果は、温度によって例えば第２図のよう
に変化する。つまり自己発熱や外気温度、他の機器から
の熱伝導等によって磁気抵抗効果素子の温度が変化する
ので出力が変動する。

またこれを位置及び速度検出器として使用する際に外部
磁場を与える永久磁石または連続磁気記録媒体の磁化も
温度が上昇するにつれ低下する傾向にあり、出力変動の
一因となっていた。従って、温度補償回路を併設しなけ
ればならず、使用温度範囲も強磁性磁気抵抗効果素子で
一２０℃〜＋１００°Ｃと狭かった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は上記の欠点をなくし、複雑な温度補償回
路を必要とせず、周囲温度の影響の少ない磁気抵抗効果
素子を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
、強磁性薄膜又は半導体膜により形成された磁気抵抗効
果素子において、前記強磁性薄膜又は半導体膜の上又は
下の少くとも一つに温度上昇に伴ない透磁率が低下する
強磁性膜を配置するようにしたものである。

〔実施例〕

第３図は本発明の実施例の斜視図、第４図はＸ−Ｘ断面
図で、ガラス基板ｌ上に電子ビーム蒸着法で８１Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜を５００人厚さに形成後、フォトリンにより
２０μｍ幅のパターン２を４を２００人厚さ被覆したも
のである。

そして、同様な方法で磁気抵抗効果素子をＮｉ−２０Ｃ
Ｏ，被覆材料をかえた素子をつくりその磁気抵抗効果を
外部磁界３００ｅＮｉ　−Ｃｏ合金のときは１０００ｅ
で周囲温度−２０，２０゜８０℃の３点について測定し
その平均温度係数を求めた結果を従来品と比較し第１表
に示す。

第　　１　　表 第１表かられかるように、本発明の実施例は、いづれも
温度に対する磁気抵抗効果の変化は小さいことが分る。

この理由は、低温では、強磁性体４の透磁率が大きいた
め、磁気抵抗効果素子付近の磁束は強ｃｎ性体４の中を
多く流れる。ところが高温になると、強磁性体４の透磁
率は減少するので磁気抵抗効果素子の方に多く流れるよ
うになり、結果として磁気抵抗効果の温度変化が小さく
なるのである。つまり強磁性体４は透磁率の温度係数が
負であれば良いことを意味している。

従って、このような磁性体を第５図もしくは第６図に示
す他の実施例のように配置してもよいことは明らかであ
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気抵抗効果の温度変化が小さくなる
ので温度補償回路を必要とせず、使用温度範囲も広（な
る。

また、外部磁場印加用の永久磁石または連続記録媒体の
温度上昇による磁化の減少の影響も補償する磁気抵抗効
果素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気抵抗効果素子の斜視図、第２図は８
ＯＮｉ−Ｆｅ磁気抵抗素子膜も磁気抵抗効果に及ぼす磁
界、度と温度の影響を示す図、第３図は本発明の実施例
の斜視図、第４図はＸ−Ｘ断面図、第５図及び第６図は
それぞれ本発明の異なる実施例の断面図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２・・・磁気抵抗効果素子薄膜パターン３・・・ＳｉＯ
□膜 ４・・・５颯磁性体 ｌＩ”ｊ−，１・ −１１−−一一 第　　１　　図　　　　　　　　　　第　　、　　口笛
　　２　　図　　　　　　　　　第　　４　　図ＯＳＯ
ｆｏｏ　　　　　１ｆＤ １・・・ガラス基板 ２・・・磁気抵抗効果素子薄膜パターン３・・・５ｉｎ
２膜 ４・・強磁性体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 強磁性薄膜又は半導体膜により形成された磁気抵抗効果
   素子において前記強磁性薄膜又は半導体膜の上又は下の
   少くとも一つに温度上昇により透磁率の低下する強磁性
   膜を配置した磁気抵抗効果素子。