JPS62279596A - デユアルポ−トram - Google Patents

デユアルポ−トram

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Publication number
JPS62279596A
JPS62279596A JP61122701A JP12270186A JPS62279596A JP S62279596 A JPS62279596 A JP S62279596A JP 61122701 A JP61122701 A JP 61122701A JP 12270186 A JP12270186 A JP 12270186A JP S62279596 A JPS62279596 A JP S62279596A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sam
ram
transfer
data
register
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61122701A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Inoue
一成 井上
Hisanori Hamano
浜野 尚徳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61122701A priority Critical patent/JPS62279596A/ja
Publication of JPS62279596A publication Critical patent/JPS62279596A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリアル入力ポートをもったデュアルポート・
ランダムアクセスメモリ (以下「デュアルポートRA
MJという)に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のデュアルポートRAMの基本的なブロック系統を
第4図に示す。第4図において、1はRAM、2はアド
レス・バッファ、3はコラム・デコーダ、4はロウ・デ
コーダ、5はデータ・レジスタ、6はデータ・セレクタ
である。
シリアルアクセスメモリ (以下rsAMJという)の
データはRAMIの1個のロウ(ROW)分に相当し、
書込み、読出しおよびRRAM−3A間の転送が可能で
あり、通常のダイナミックRAM ((D)RAM)に
比べ高速アクセスが可能である。
上述した装置を用いて第5図に示すような画像の一部修
正を行なう場合の動作について説明する。
RAMIはディスプレイモニタと連結されており、読出
しサイクルを繰り返すものとする。その間に一旦RAM
Iの1個のロウ分のデータをSAMに転送し、次にSA
Mのデータを全ビット入力する、すなわち、RAMIの
データを修正するか否かにかかわらず、全ビット人力す
る。その後SAMからRAMIへの転送サイクルにより
RAMIの1個のロウ分の修正を完了する。必要により
、RAM1のN個のロウについても、前記のサイクル又
は転送サイクルのみを繰り返すこととなる。しかし、従
来のダイナミックRAM ((D)RAM)は1サイク
ルがリード、ライトあるいはリードモディファイライト
サイクルに限られており、修正したいデータ数分の修正
サイクルを要する。したがって、1回の転送サイクルで
1個のロウ分すべてのデータの修正が可能なデュアルポ
ートRAMは画像処理用としてのフレキシビリティは高
い。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のデュフルボー)RAMは以上のように構成されて
いるので、RAMIのデータの一部変更時でも、他のデ
ータの保持のため、一旦RAMIからSAMへ1個のロ
ウ分のデータを転送し、必要なデータ入力を行なった後
に再びS A MからRAMIに転送することが必要で
あるという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、SAM内のマスクビットにより
、SAMからRAMへの転送において任意のビットの転
送インヒビットを可能とするデュアルポートRAMを得
ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
このような目的を達成するために本発明は、1チップ上
に随時書込み読出し可能なRAMポートと少なくとも書
込みの可能なSAMポートとを有するデュアルポートR
AMにおいて、S A Mのデータを保持するためのデ
ータレジスタと、RAMへの転送時に任意のビットを転
送インヒビットするマスクビットレジスタとを設けるよ
うにしたものである。
〔作用〕
本発明においては、S A MからRAMへの転送禁止
はマスクビットによりなされ、転送が禁止されたSAM
のビットは入力データの如何によらずRAMへは転送さ
れない。
〔実施例〕
本発明に係わるデュアルポートRAMの一実施例を第1
図に示す。第1図において、5はSAMのデータビット
保持用データレジスタ、6はアドレスデータaによりプ
リセットされた番地からシリアル入力をスタートするデ
ータレジスタビットを選択するデータ・セレクタ、7お
よび8はRAMのメモリセルに連結されているビットラ
インおよび反転ビ・ノドライン、9はセンス・アンプ、
lOはRRAM−3A間のデータ転送を命令する転送り
ロックbが入力されるトランジスタ、11はマスクビッ
トCnにより制御される転送制御ゲート、12はメモリ
セルである。第1図において、ビットライン7、反転ビ
ットライン8.センスアンプ9およびメモリセル12は
RAMに属する。
また、データ、・レジスタ5およびデータ・セレクタ6
はS A Mに属する。
次に、第1図の装置の動作の概要について、まず、RA
Mの読み出しに関して説明する。1本のワードライン(
図示せず)が選択されると、そのワードラインにつなが
るメモリセルはすべてセンスアンプ9を介して読み出し
可能となる。その中の1メモリセルの情報が入出力線に
乗り、出力される。次に、データ転送サイクルにおいて
は、1メモリセルの情報が人出力線に乗るのではなく、
転送ゲートであるトランジスタ10を介してデータ・レ
ジスタ5に対して、lワードラインにつながる全メモリ
セルの情報が送られる。
次に、第1図の装置の動作を詳細に説明する。
転送りロックbは、第3図tag、 (blに示すよう
に、RASクロックのrLJエツジ時のDT・0E(8
号のrLJにより発生する。実際の転送は、トランジス
タ10がオンすることによってなされる。
データ・セレクタ6から出力されるマスクビット信号c
nは、第3図(d)に示すSCクロックdにより、第3
図(elに示すデータeの入力時にその都度リセットさ
れる。マスクビット信号Cとしては外部からの信号でも
よいが、本実施例においてはシリアルデータ入力時の「
で1信号く第3図(C))のrLJにより発生する。S
AMデータ入力時にSAMからRAMへの転送をインヒ
ビットされたビットは、マスクビット信号Cにより転送
制御ゲート1工がオフとなるので、RAMIの内容は変
更されないこととなる。転送りロックbは転送サイクル
終了後にリセットされる。
次にデータ・セレクタ6の動作について第2図を用いて
説明する。第2図において、20は転送サイクル終了時
にアドレス入力により1箇所のみ「1」にセットされ、
以後はSCクロックdが入力される毎に1ビツトずつシ
フトするシリアルアドレス発生用シフトレジスタ、21
はアンドゲート、22は転送サイクル終了時に発生され
るセット信号fによりセットされるマスクビットレジス
タ、23はゲート、24はインバータ回路である。
このように、転送サイクルの終わりにマスクビットレジ
スタ22およびシフトレジスタ20を初期化し、それ以
降、データ人力時にSCCクロックでデータをサンプル
すると共にSOE信号gにてデータをSAMに書き込む
か否かを制御する。
すなわち、データ入力時に「匠π信号gがrLJでSC
クロックdが入力されると、シフトレジスタ20が「1
」の所のアンドゲート21が「1」となり、マスクビッ
トレジスタ22はリセットされ、ゲート23よりデータ
レジスタ5にデータが書き込まれる。
次にSOE信号gをrHJにした状態でSCクロックd
を入力すると、シフトレジスタ20の状態に無関係にす
べてのアンドゲート21はrOJとなるためマスクビッ
トレジスタ22はリセットされず、ゲート23も開かな
いためデータレジスタ5は変化しない。
このようにデータの書き込まれたビットに対応するマス
クピットレジスタ22のみリセットされるため、上述し
たように、SAMからRAMへの転送時には、マスクピ
ットレジスタ22のリセットされたピントのみマスクビ
ット信号cnが「l」となり、転送制御ゲート11が開
かれるため、SAMからRAMへの転送が行なわれる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、SAMのデータを保持す
るためのデータレジスタと、SAMからRAMへの転送
時に任意のビットを転送インヒビソトするマスクビット
レジスタとを備えることにより、SAMからRAMへの
転送をデータの入力時にリセットされるマスクビットに
よりインヒビット可能とすることができ、RAMの内容
をSAMから書き変えたい時に一旦RA MからSAM
へ転送する必要がなく、またSAMへのデータ入力も変
更必要数だけ入力すればよいので、変更に要する時間を
短縮できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わるデュアルポートRAMの一実施
例を示す回路図、第2図は第1図のRAMを構成するデ
ータ・セレクタを示す回路図、第、3図は第1図のRA
Mの動作を説明するためのタイムチャート、第4図は従
来のデュアルポートRAMのブロック系統図、第5図は
データ書変えの一例を示す説明図である。 5・・・・データ・レジスタ、6・・・・データ・セレ
クタ、7・・・・ビットライン、8・・・・反転ビット
ライン、9・・・・センス・アンプ、10・・・・トラ
ンジスタ、11・・・・転送制御ゲート、12・・・・
メモリセル、2o・・・・シフトレジスタ、21・・・
・アンドゲート、22・・・・マスクピットレジスタ、
23・・・・ゲート、24・・・・インバータ回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1チップ上に随時書込み読出し可能なRAMポートと少
    なくとも書込みの可能なSAMポートとを有するデュア
    ルポートRAMにおいて、前記SAMは、データを保持
    するためのデータレジスタと、前記SAMからRAMへ
    の転送時に任意のビットを転送インヒビットするマスク
    ビットレジスタとを備え、前記RAMへの転送終了時に
    前記マスクビットレジスタをセットし、有効なシリアル
    データが入力される毎にマスクビットレジスタをリセッ
    トするようにしたことを特徴とするデュアルポートRA
    M。
JP61122701A 1986-05-28 1986-05-28 デユアルポ−トram Pending JPS62279596A (ja)

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JP61122701A JPS62279596A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 デユアルポ−トram

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JP61122701A JPS62279596A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 デユアルポ−トram

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JPS62279596A true JPS62279596A (ja) 1987-12-04

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0460692A2 (en) * 1990-06-08 1991-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory with failure handling circuit
JPH0512859A (ja) * 1987-08-26 1993-01-22 Texas Instr Inc <Ti> メモリへのデータ書込み用データ処理装置
US5528551A (en) * 1987-05-21 1996-06-18 Texas Instruments Inc Read/write memory with plural memory cell write capability at a selected row address

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