JPS622782Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622782Y2 JPS622782Y2 JP1977173261U JP17326177U JPS622782Y2 JP S622782 Y2 JPS622782 Y2 JP S622782Y2 JP 1977173261 U JP1977173261 U JP 1977173261U JP 17326177 U JP17326177 U JP 17326177U JP S622782 Y2 JPS622782 Y2 JP S622782Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- semiconductor laser
- package
- receiving element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体レーザ用パツケージに係り、特
に半導体レーザ光をモニタする受光素子を内蔵さ
せることのできる半導体レーザ用パツケージに関
するものである。
に半導体レーザ光をモニタする受光素子を内蔵さ
せることのできる半導体レーザ用パツケージに関
するものである。
本考案による半導体レーザ用パツケージはパツ
ケージ中に、2個以上の半導体チツプを内蔵させ
るに必要な電極を3個以上備えた半導体レーザ用
パツケージとして利用することができる。
ケージ中に、2個以上の半導体チツプを内蔵させ
るに必要な電極を3個以上備えた半導体レーザ用
パツケージとして利用することができる。
1個のパツケージ中で2個以上の半導体レーザ
や、半導体レーザと受光素子等複数個の半導体チ
ツプを動作させる必要がある場合が多くなりつつ
ある。例えば、半導体レーザの光出力をモニタし
駆動電流へ帰還して制御する場合には、半導体レ
ーザと受光素子とが必要である。勿論、各素子を
別々のパツケージに入れ自由に組合せることも考
えられるが、光の取出し方やその光結合効率を考
えると近接させた方が便利である。
や、半導体レーザと受光素子等複数個の半導体チ
ツプを動作させる必要がある場合が多くなりつつ
ある。例えば、半導体レーザの光出力をモニタし
駆動電流へ帰還して制御する場合には、半導体レ
ーザと受光素子とが必要である。勿論、各素子を
別々のパツケージに入れ自由に組合せることも考
えられるが、光の取出し方やその光結合効率を考
えると近接させた方が便利である。
更に殆んどの半導体レーザでは2つの共振端面
より光が出力されるが、本来の使用目的に使われ
るのは一端面よりの光出力である場合が大多数で
ある。この場合には他端面よりの光出力は無為に
放出されるのみで利用されない。両端面よりの光
出力は比例しており、利用されずに放出させるの
は無駄である。この光をモニタ用として利用する
には、パツケージの外へ光を導くよりも、同一パ
ツケージ中に受光素子を内蔵せしめて光信号を電
気信号に変えて取り出す方がよい。
より光が出力されるが、本来の使用目的に使われ
るのは一端面よりの光出力である場合が大多数で
ある。この場合には他端面よりの光出力は無為に
放出されるのみで利用されない。両端面よりの光
出力は比例しており、利用されずに放出させるの
は無駄である。この光をモニタ用として利用する
には、パツケージの外へ光を導くよりも、同一パ
ツケージ中に受光素子を内蔵せしめて光信号を電
気信号に変えて取り出す方がよい。
従来は、電極を多くする目的では、トランジス
タ用のパツケージや、IC用のパツケージが知ら
れているが、いずれも同一平面上に電極が配され
ている。これは場合によつては便利であるが、パ
ツケージを取付ける際に回転の自由度を制限さ
れ、取つけが容易でないという欠点がある。
タ用のパツケージや、IC用のパツケージが知ら
れているが、いずれも同一平面上に電極が配され
ている。これは場合によつては便利であるが、パ
ツケージを取付ける際に回転の自由度を制限さ
れ、取つけが容易でないという欠点がある。
本考案は上記欠点に鑑みてなされたものであ
り、放熱器取付け用のスタツドボルトを有し、複
数の半導体チツプが主面に配設されるパツケージ
基体上面に、電極となる第1の導電体および第2
の導電体を複数の半導体チツプを囲うように積重
ねることによつて、スタツドボルトを介して放熱
器に取付けた際、パツケージがどの様な回転位置
で固定された場合でも電極を容易に取り出せるよ
うにしたことを目的とするものである。
り、放熱器取付け用のスタツドボルトを有し、複
数の半導体チツプが主面に配設されるパツケージ
基体上面に、電極となる第1の導電体および第2
の導電体を複数の半導体チツプを囲うように積重
ねることによつて、スタツドボルトを介して放熱
器に取付けた際、パツケージがどの様な回転位置
で固定された場合でも電極を容易に取り出せるよ
うにしたことを目的とするものである。
以下に本考案の一実施例を図に基づいて説明す
る。図はパツケージを同心円筒状で軸対象に構成
したものの断面図であり、図中、1は半導体レー
ザチツプ、2は受光素子、3は本パツケージの基
体であつてチツプ1及び受光素子2の一方の電極
(第1の電極)を兼ねている。
る。図はパツケージを同心円筒状で軸対象に構成
したものの断面図であり、図中、1は半導体レー
ザチツプ、2は受光素子、3は本パツケージの基
体であつてチツプ1及び受光素子2の一方の電極
(第1の電極)を兼ねている。
尚本実施例では、半導体レーザチツプ1として
GaAs−GaAlAs,TJS形レーザチツプを用い放熱
効果向上の為基体3には放熱器取付け用のスタツ
ドボルト8を備えている。4は受光素子2の他の
一方の円環状の電極(第1の導電体)、5は半導
体レーザチツプ1の他の一方の円環状の電極(第
2の導電体)、6は基体3と電極4との第1の電
気的絶縁体で、円環状のものである。7は電極4
と5との第2の電気的絶縁体で、円環状のもので
ある。9,10は電極4,5とチツプ1、受光素
子2とを接続する接続体、11は第1の絶縁体6
の中空部12内に位置して、上記基体3の主面に
一体に立設されたチツプ固定壁で、この固定壁1
1の一側面11aに、半導体レーザチツプ1およ
び受光素子2が設定されている。
GaAs−GaAlAs,TJS形レーザチツプを用い放熱
効果向上の為基体3には放熱器取付け用のスタツ
ドボルト8を備えている。4は受光素子2の他の
一方の円環状の電極(第1の導電体)、5は半導
体レーザチツプ1の他の一方の円環状の電極(第
2の導電体)、6は基体3と電極4との第1の電
気的絶縁体で、円環状のものである。7は電極4
と5との第2の電気的絶縁体で、円環状のもので
ある。9,10は電極4,5とチツプ1、受光素
子2とを接続する接続体、11は第1の絶縁体6
の中空部12内に位置して、上記基体3の主面に
一体に立設されたチツプ固定壁で、この固定壁1
1の一側面11aに、半導体レーザチツプ1およ
び受光素子2が設定されている。
すなわち、上記実施例のものはパツケージ基体
3の主面に、第1の絶縁体6、第1の導電体4、
第2の絶縁体7、および第2の導電体5が順次積
み重ねられて固着され、かつ第1の導電体4およ
び第2の導電体5が半導体レーザチツプ1および
受光素子2を囲う形状になつているものである。
3の主面に、第1の絶縁体6、第1の導電体4、
第2の絶縁体7、および第2の導電体5が順次積
み重ねられて固着され、かつ第1の導電体4およ
び第2の導電体5が半導体レーザチツプ1および
受光素子2を囲う形状になつているものである。
この様に構成されたものにおいて、第2の電極
5と第1の電極となる基体3との間に電源を接続
(第2の電極5は円環状であるためどの位置で接
続してもよい。)して半導体レーザを動作させる
と、光は同図上で上方及び下方へ出射される。下
方へ出射された光の一部は受光素子2へ照射され
る。その結果、受光素子2が太陽電池であれば基
体3と電極4の間に起電力が生じ、受光素子2が
APDである場合には、電極4から受光素子2を
通して基体3へ流れる電流に変化が生じる。受光
素子2の負荷抵抗を適当に選べば、半導体レーザ
よりの光出力に比例した電気出力を得ることがで
きる。これによつて半導体レーザチツプ1に流す
電流を自動的に制御すれば、半導体レーザ1より
の上方への光出力を制御することができるもので
ある。
5と第1の電極となる基体3との間に電源を接続
(第2の電極5は円環状であるためどの位置で接
続してもよい。)して半導体レーザを動作させる
と、光は同図上で上方及び下方へ出射される。下
方へ出射された光の一部は受光素子2へ照射され
る。その結果、受光素子2が太陽電池であれば基
体3と電極4の間に起電力が生じ、受光素子2が
APDである場合には、電極4から受光素子2を
通して基体3へ流れる電流に変化が生じる。受光
素子2の負荷抵抗を適当に選べば、半導体レーザ
よりの光出力に比例した電気出力を得ることがで
きる。これによつて半導体レーザチツプ1に流す
電流を自動的に制御すれば、半導体レーザ1より
の上方への光出力を制御することができるもので
ある。
また、パツケージをスタツドボルト8を介して
放熱器に取付ける際には、両電極、つまり第1の
導電体4と第2の導電体5とを半導体レーザチツ
プ1および受光素子2を囲う形状とし、上下方向
に2段に分けた構成としたから、電極をどの位置
からでも取り出せるので、パツケージ取付時の回
転自由度が制限されることがなくなり、どの様な
回転位置でも固定でき、取り付け易いうえ、製造
時においても、接続体9,10が絡み合つて断線
するおそれが少なくなる。さらに上記基体1の主
面に、側面を設定面とするチツプ固定壁11を設
けてあるから、この固定壁11の上下端に半導体
レーザチツプ1および受光素子2をそれぞれ分け
て取り付けるだけで、上記各電極4,5に容易に
配線でき、上記断線事故防止に一層寄与できる。
また上記固定壁11を設けることにより、互の遮
断性を必要とするような複数のチツプを用いる場
合には、各チツプを固定壁11の一側面と他側面
に分けて取り付けることができる利点もある。し
かも、光軸は電極(第1および第2の導電体4,
5)面に垂直でスタツトボルト8に平行であるか
ら、どの様な回転位で固定されても熱的、光学的
に問題はないものである。さらに、第1の導電体
4および第2の導電体5は円環状である場合、イ
ンダクタンスが小さいという利点もあるものであ
る。
放熱器に取付ける際には、両電極、つまり第1の
導電体4と第2の導電体5とを半導体レーザチツ
プ1および受光素子2を囲う形状とし、上下方向
に2段に分けた構成としたから、電極をどの位置
からでも取り出せるので、パツケージ取付時の回
転自由度が制限されることがなくなり、どの様な
回転位置でも固定でき、取り付け易いうえ、製造
時においても、接続体9,10が絡み合つて断線
するおそれが少なくなる。さらに上記基体1の主
面に、側面を設定面とするチツプ固定壁11を設
けてあるから、この固定壁11の上下端に半導体
レーザチツプ1および受光素子2をそれぞれ分け
て取り付けるだけで、上記各電極4,5に容易に
配線でき、上記断線事故防止に一層寄与できる。
また上記固定壁11を設けることにより、互の遮
断性を必要とするような複数のチツプを用いる場
合には、各チツプを固定壁11の一側面と他側面
に分けて取り付けることができる利点もある。し
かも、光軸は電極(第1および第2の導電体4,
5)面に垂直でスタツトボルト8に平行であるか
ら、どの様な回転位で固定されても熱的、光学的
に問題はないものである。さらに、第1の導電体
4および第2の導電体5は円環状である場合、イ
ンダクタンスが小さいという利点もあるものであ
る。
なお、上記実施例では、半導体レーザチツプ1
個と受光素子1を含む例であるが、2個とも半導
体レーザであつてもよいし、数も2ケに限定され
ずこれ以上であつてもよい。
個と受光素子1を含む例であるが、2個とも半導
体レーザであつてもよいし、数も2ケに限定され
ずこれ以上であつてもよい。
さらに、半導体レーザチツプとして、GaAs−
GaAlAs TJSレーザを用いたが、これに限らず他
の構造を持つ半導体レーザチツプであつてもよ
い。
GaAlAs TJSレーザを用いたが、これに限らず他
の構造を持つ半導体レーザチツプであつてもよ
い。
更に、上記実施例では、パツケージは同心同筒
状で軸対称に構成したが、4角形でも3角形でも
同一目的効果を実現することができる。
状で軸対称に構成したが、4角形でも3角形でも
同一目的効果を実現することができる。
この発明は以上述べたように、放熱器取付け用
のスタツドボルトを有し、複数の半導体チツプが
主面に配設されるパツケージ基体の主面に、絶縁
体を介して複数の半導体チツプを囲う第1の導電
体及び第2の導電体を積み重ねた構成としたの
で、パツケージ取付時の回転自由度も無制限であ
り、しかも配線作業も容易で、信頼性を確保でき
るという効果がある。
のスタツドボルトを有し、複数の半導体チツプが
主面に配設されるパツケージ基体の主面に、絶縁
体を介して複数の半導体チツプを囲う第1の導電
体及び第2の導電体を積み重ねた構成としたの
で、パツケージ取付時の回転自由度も無制限であ
り、しかも配線作業も容易で、信頼性を確保でき
るという効果がある。
図は本考案の一実施例を示す断面図である。
1は半導体レーザチツプ、2は受光素子、3は
パツケージ基体、4は第1の導電体、5は第2の
導電体、6及び7は第1及び第2の絶縁体、11
はチツプ固定壁、11aはチツプ設定面(側
面)、12は孔又は切欠き部である。
パツケージ基体、4は第1の導電体、5は第2の
導電体、6及び7は第1及び第2の絶縁体、11
はチツプ固定壁、11aはチツプ設定面(側
面)、12は孔又は切欠き部である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 放熱器取付け用のスタツドボルトを有し、複
数の半導体チツプが主面に配設されるパツケー
ジ基体と、このパツケージ基体主面に第1の絶
縁体を介して固着され、上記複数の半導体を囲
う第1の導電体と、この第1の導電体上に積み
重ねられた第2の絶縁体を介して固着され、上
記複数の半導体を囲う第2の導電体とを具備し
た半導体レーザ用パツケージ。 (2) 第1の導電体及び第2の導電体を円環状のも
のとしたことを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第1項記載の半導体レーザ用パツケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977173261U JPS622782Y2 (ja) | 1977-12-21 | 1977-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977173261U JPS622782Y2 (ja) | 1977-12-21 | 1977-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5498176U JPS5498176U (ja) | 1979-07-11 |
JPS622782Y2 true JPS622782Y2 (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=29178798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1977173261U Expired JPS622782Y2 (ja) | 1977-12-21 | 1977-12-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS622782Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639465Y2 (ja) * | 1988-12-16 | 1994-10-12 | 株式会社安川電機 | 発・受光素子 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126783A (en) * | 1975-04-01 | 1976-11-05 | Int Standard Electric Corp | Laser bolt mounting stool and laser device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5335410Y2 (ja) * | 1974-05-28 | 1978-08-30 |
-
1977
- 1977-12-21 JP JP1977173261U patent/JPS622782Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51126783A (en) * | 1975-04-01 | 1976-11-05 | Int Standard Electric Corp | Laser bolt mounting stool and laser device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5498176U (ja) | 1979-07-11 |
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