JPS62278187A - 半導体単結晶層の成長方法 - Google Patents
半導体単結晶層の成長方法Info
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- JPS62278187A JPS62278187A JP11843886A JP11843886A JPS62278187A JP S62278187 A JPS62278187 A JP S62278187A JP 11843886 A JP11843886 A JP 11843886A JP 11843886 A JP11843886 A JP 11843886A JP S62278187 A JPS62278187 A JP S62278187A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
この発明は、立方晶の単結晶半導体基板上に形成された
絶縁層上に同じ立方晶の単結晶半導体層を形成する方法
に関するものである。
絶縁層上に同じ立方晶の単結晶半導体層を形成する方法
に関するものである。
［従来の技術〕
従来から、レーザビームを用いて絶縁層上の多結晶シリ
コン層を溶融再凝固させて単結晶化する方法は、たとえ
ば３次元構造などの新しい構造の半導体装置の基礎技術
として注目されてきた。
コン層を溶融再凝固させて単結晶化する方法は、たとえ
ば３次元構造などの新しい構造の半導体装置の基礎技術
として注目されてきた。
第８図の断面図を参照して、テキサスインスッルメンツ
社のＨ，Ｗ、Ｌａｍ達（ＥＣ５Ｍｅｅｔｉｎｇ、１９８
０年、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ）によっ
て発表されたラテラルシーディング法が図解されている
。単結晶シリコン基板１０上には絶縁層１２が形成され
ており、絶縁層１２上には単結晶化されるべき多結晶シ
リコン層１３が形成されている。このシリコン層１３は
絶縁層１２の開口部１１を介して基板結晶１０に種付け
されて、左から右に走査するレーザビーム１４によって
溶融再凝固しながら単結晶化される。
社のＨ，Ｗ、Ｌａｍ達（ＥＣ５Ｍｅｅｔｉｎｇ、１９８
０年、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ）によっ
て発表されたラテラルシーディング法が図解されている
。単結晶シリコン基板１０上には絶縁層１２が形成され
ており、絶縁層１２上には単結晶化されるべき多結晶シ
リコン層１３が形成されている。このシリコン層１３は
絶縁層１２の開口部１１を介して基板結晶１０に種付け
されて、左から右に走査するレーザビーム１４によって
溶融再凝固しながら単結晶化される。
この方法は単結晶化されたシリコン層１３の結晶方位が
基板結晶によって完全に規定されるので理想的な結晶成
長技術であるとされており、国内では特公昭４２−１２
０８７号公報で公表されている。
基板結晶によって完全に規定されるので理想的な結晶成
長技術であるとされており、国内では特公昭４２−１２
０８７号公報で公表されている。
しかし、原理的に優れていると考えられたこの手法は、
実際には成功を収めていない。すなわち、半導体層１３
の種付けされた結晶成長は開口部１１から１００〜２０
０μｍ程度しか進まず、また積層欠陥や双晶などの結晶
欠陥が多数発生し、良好な単結晶層とは言い難いもので
あった。
実際には成功を収めていない。すなわち、半導体層１３
の種付けされた結晶成長は開口部１１から１００〜２０
０μｍ程度しか進まず、また積層欠陥や双晶などの結晶
欠陥が多数発生し、良好な単結晶層とは言い難いもので
あった。
［発明が解決しようとする間塵点］
上述のラテラルシープインク法が成功していない原因は
、従来レーザビームのガウス分布に近いパワー分布を補
償するような工夫をすることなくビーム走査を行なって
溶融再凝固させていたからである。すなわち、レーザビ
ーム１４によって照射されているシリコン層１３の領域
は、ビームの走査方向を横切る方向において第９Ａ図の
ような温度分布を有している。第９Ｂ図において、この
ような温度領域がシリコン層１３上を移動した状態の平
面図が第８図のような断面図と対比されて示されている
。レーザビーム１４は太い矢印で示されている方向に移
動する。このとき、多数の細い矢印で示されているよう
に、ビーム移動の両側縁の低温度部から走査帯の中心軸
に向かって多数の細長い結晶が延びて成長する。そして
、走査帯の中央部において、それらの細長い結晶が出会
うため、開口部１１で種付けされて単結晶化されたシリ
コン層１３の領域（ハツチングされた領域Ｓ）の成長が
その後阻止されてしまう。すなわち、この単結晶領域Ｓ
が成長するのは開口部かられずか１００〜２００μｍに
限られている。
、従来レーザビームのガウス分布に近いパワー分布を補
償するような工夫をすることなくビーム走査を行なって
溶融再凝固させていたからである。すなわち、レーザビ
ーム１４によって照射されているシリコン層１３の領域
は、ビームの走査方向を横切る方向において第９Ａ図の
ような温度分布を有している。第９Ｂ図において、この
ような温度領域がシリコン層１３上を移動した状態の平
面図が第８図のような断面図と対比されて示されている
。レーザビーム１４は太い矢印で示されている方向に移
動する。このとき、多数の細い矢印で示されているよう
に、ビーム移動の両側縁の低温度部から走査帯の中心軸
に向かって多数の細長い結晶が延びて成長する。そして
、走査帯の中央部において、それらの細長い結晶が出会
うため、開口部１１で種付けされて単結晶化されたシリ
コン層１３の領域（ハツチングされた領域Ｓ）の成長が
その後阻止されてしまう。すなわち、この単結晶領域Ｓ
が成長するのは開口部かられずか１００〜２００μｍに
限られている。
このような走査帯の両側縁部からの結晶の侵入を阻止し
ようとして、第１０Ａ図、第１０Ｂ図。
ようとして、第１０Ａ図、第１０Ｂ図。
および第１０Ｃ図で図解されているような反射防止膜を
シリコン層１３上に形成することが試みられた。第１０
Ａ図は平面図であって、シリコン層１３上に形成された
反射防止膜１５．１６が示されている。所定の幅を有す
る反射防止膜のストライブ１６は、レーザビームの走査
方向に沿って所定の間隔で配置されている。また、開口
部１１の直上領域には、その開口部を介して基板１０に
逃げる熱による温度低下を補うために反射防止帯１５が
設けられている。第１０Ｂ図と第１０Ｃ図は、それぞれ
第１０Ａ図における線１０Ｂ−１０Ｂと線１０Ｃ−１０
０に沿った断面構造を示している。
シリコン層１３上に形成することが試みられた。第１０
Ａ図は平面図であって、シリコン層１３上に形成された
反射防止膜１５．１６が示されている。所定の幅を有す
る反射防止膜のストライブ１６は、レーザビームの走査
方向に沿って所定の間隔で配置されている。また、開口
部１１の直上領域には、その開口部を介して基板１０に
逃げる熱による温度低下を補うために反射防止帯１５が
設けられている。第１０Ｂ図と第１０Ｃ図は、それぞれ
第１０Ａ図における線１０Ｂ−１０Ｂと線１０Ｃ−１０
０に沿った断面構造を示している。
この場合、レーザビームの走査方向を横切る方向におい
て、ストライプ１６の効果によって周期的に変動する温
度分布の波を形成し、それによって走査帯の両側縁部か
らの結晶が中央部へ侵入することを阻止しようとするも
のである。同様に、下地酸化膜の厚みに変化をつけるこ
とによって、走査方向を横切る方向の熱分布の制御も試
みられた。
て、ストライプ１６の効果によって周期的に変動する温
度分布の波を形成し、それによって走査帯の両側縁部か
らの結晶が中央部へ侵入することを阻止しようとするも
のである。同様に、下地酸化膜の厚みに変化をつけるこ
とによって、走査方向を横切る方向の熱分布の制御も試
みられた。
しかし、いずれの試みも開口部１１から２００μｍ以上
の単結晶の成長を達成することはできなかった。
の単結晶の成長を達成することはできなかった。
することである。
［問題点を解決するための手段］
本発明による立方晶の半導体単結晶の成長方法は、絶縁
層上の多結晶半導体層を種付用開口部を介して半導体基
板の単結晶に種付けし、エネルギビームでその半導体層
を部分的に溶融再凝固させながら走査し、その走査に伴
って移動する半導体層の再凝固する液固界面を１以上の
ｆｌ １１１面に一致させながら移動させるよにしたも
のである。
層上の多結晶半導体層を種付用開口部を介して半導体基
板の単結晶に種付けし、エネルギビームでその半導体層
を部分的に溶融再凝固させながら走査し、その走査に伴
って移動する半導体層の再凝固する液固界面を１以上の
ｆｌ １１１面に一致させながら移動させるよにしたも
のである。
［作用］
本発明による半導体単結晶層の成長方法においては、立
方晶半導体結晶で一般に最も安定な（１１１）面が液固
界面（結晶成長面）に一致させられて移動するので、そ
の結晶成長は最も安定して行なわれ、粒界や結晶欠陥の
発生を生ずるような歪が極めて少なくなり、長い単結晶
成長が得られる。
方晶半導体結晶で一般に最も安定な（１１１）面が液固
界面（結晶成長面）に一致させられて移動するので、そ
の結晶成長は最も安定して行なわれ、粒界や結晶欠陥の
発生を生ずるような歪が極めて少なくなり、長い単結晶
成長が得られる。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例に用いるシリコン単結晶基板
を示している。その主面は（ＯＯ１）面であり、オリエ
ンテーションフラット面は（１１０）面である。
を示している。その主面は（ＯＯ１）面であり、オリエ
ンテーションフラット面は（１１０）面である。
第２Ａ図と第２Ｂ図を参照して、第１図の半導体基板を
用いた半導体単結晶層成長用ウェハが概略的に図解され
ている。第２Ａ図はそのウェハの一部を示す平面図であ
り、第２Ｂ図は第２Ａ図に・ご＋２６４９１２”−２°
゛°４°′″’ｌ１ｒｉｌｊｉｌＮａ’ｋｙＲＬ ｒｌ
、゛）る。シリコン単結晶基板１０上には約１０μｍ幅
ン多結晶層１３が形成されている。シリコン層１３上に
は、第１０Ａ図と同様にパターン化された反射防止膜１
５．１６が形成されている。しかし、本実施例の場合、
レーザビームの走査方向に沿って配置されるストライプ
１６は基板単結晶１０の［１００］方向と一致させられ
ている。さらに、このウェハ表面には表面保護用の薄い
絶縁膜１７が設けられている。
用いた半導体単結晶層成長用ウェハが概略的に図解され
ている。第２Ａ図はそのウェハの一部を示す平面図であ
り、第２Ｂ図は第２Ａ図に・ご＋２６４９１２”−２°
゛°４°′″’ｌ１ｒｉｌｊｉｌＮａ’ｋｙＲＬ ｒｌ
、゛）る。シリコン単結晶基板１０上には約１０μｍ幅
ン多結晶層１３が形成されている。シリコン層１３上に
は、第１０Ａ図と同様にパターン化された反射防止膜１
５．１６が形成されている。しかし、本実施例の場合、
レーザビームの走査方向に沿って配置されるストライプ
１６は基板単結晶１０の［１００］方向と一致させられ
ている。さらに、このウェハ表面には表面保護用の薄い
絶縁膜１７が設けられている。
第３Ａ図と第３Ｂ図は、のようなウェハをレーザビーム
で左から右へ走査する場合の状態を概略的に図解してい
る。レーザビームの走査において、たとえば連続発振す
る約１５Ｗのアルゴンレーザを用いることができ、約１
００μｍのスポットサイズのビームで、約１２ｃｍ／ｓ
ｅｃの速度で走査することができる。レーザビーム１４
が照射されているシリコン層１３のうち、反射防止スト
ライプ１６の下の領域はレーザエネルギをよく吸収−二 、′するので他の領域より温度が高くなる。そして、−
布の波が形成される。したがって、シリコン層１３の単
結晶成長の先端における液固界面において、；・ストラ
イプ１６直下の領域では再凝固が遅れ、他、′の領域で
は凝固が進むことになる。その結果、結晶成長の液固界
面は第３Ａ図の参照番号２０で示されているように鋸歯
状になる。また、シリコン層１３中の熱は開口部１１方
向や下方に逃げるので、液固界面２０は第３Ｂ図に示さ
れているようにシリコン層１３の下方で進み上方で送れ
る結果となる。
で左から右へ走査する場合の状態を概略的に図解してい
る。レーザビームの走査において、たとえば連続発振す
る約１５Ｗのアルゴンレーザを用いることができ、約１
００μｍのスポットサイズのビームで、約１２ｃｍ／ｓ
ｅｃの速度で走査することができる。レーザビーム１４
が照射されているシリコン層１３のうち、反射防止スト
ライプ１６の下の領域はレーザエネルギをよく吸収−二 、′するので他の領域より温度が高くなる。そして、−
布の波が形成される。したがって、シリコン層１３の単
結晶成長の先端における液固界面において、；・ストラ
イプ１６直下の領域では再凝固が遅れ、他、′の領域で
は凝固が進むことになる。その結果、結晶成長の液固界
面は第３Ａ図の参照番号２０で示されているように鋸歯
状になる。また、シリコン層１３中の熱は開口部１１方
向や下方に逃げるので、液固界面２０は第３Ｂ図に示さ
れているようにシリコン層１３の下方で進み上方で送れ
る結果となる。
第４図に示されたウェハの一部の透視図において、基板
単結晶１０から結晶方位を受は継いで、絶縁層１２上で
［１００］方向に成長しようとするシリコン層１３の単
結晶領域におけるｆｌ １１）面の組合わせによって、
参照番号３０で示されているような鋸歯状の境界を形成
することができる。
単結晶１０から結晶方位を受は継いで、絶縁層１２上で
［１００］方向に成長しようとするシリコン層１３の単
結晶領域におけるｆｌ １１）面の組合わせによって、
参照番号３０で示されているような鋸歯状の境界を形成
することができる。
すなわち、（１１１）面と（１１１）面は下地絶縁層１
２との交線が互いに９０°で交わり、第３Ａ図の液固界
面２０と同様な鋸歯状の境界３０を形成することができ
る。また、この境界３０はシー したがって、開口部１
１の幅１反射防止膜１５と１６の厚さ、およびストライ
ブ１６の幅と間隔などを適切に設定することにより、結
晶成長の液固界面２０を（１１１）面および（１１１）
面を組合わせた境界３Ｇと一致させることができる。
２との交線が互いに９０°で交わり、第３Ａ図の液固界
面２０と同様な鋸歯状の境界３０を形成することができ
る。また、この境界３０はシー したがって、開口部１
１の幅１反射防止膜１５と１６の厚さ、およびストライ
ブ１６の幅と間隔などを適切に設定することにより、結
晶成長の液固界面２０を（１１１）面および（１１１）
面を組合わせた境界３Ｇと一致させることができる。
この場合、シリコンの最も安定な結晶面であるｆｌ １
１１面が移動しながら単結晶が成長することになるので
、粒界や結晶欠陥が発生するような歪が極めて小さくな
り、安定した単結晶成長が得られることになる。
１１面が移動しながら単結晶が成長することになるので
、粒界や結晶欠陥が発生するような歪が極めて小さくな
り、安定した単結晶成長が得られることになる。
第５図の上段はこのようにして得られたシリコン層１３
の単結晶成長帯の光学顕微鏡写真を示しており、下段に
その構造が図解されている。この単結晶成長帯は、９μ
ｍの開口部１１．厚さ５０Ｑｎｍのシリコン窒化膜から
なる反射防止膜１５と１６．および厚さ６０人のシリコ
ン窒化膜からなる表面保護膜を用いて得られたものであ
る。写真の単結晶帯は結晶欠陥を表わすためにセコエツ
チングされているが、下段の線図で図解されているよう
に単結晶帯に平行な亜粒界（ｓｕｂ−Ｇ。
の単結晶成長帯の光学顕微鏡写真を示しており、下段に
その構造が図解されている。この単結晶成長帯は、９μ
ｍの開口部１１．厚さ５０Ｑｎｍのシリコン窒化膜から
なる反射防止膜１５と１６．および厚さ６０人のシリコ
ン窒化膜からなる表面保護膜を用いて得られたものであ
る。写真の単結晶帯は結晶欠陥を表わすためにセコエツ
チングされているが、下段の線図で図解されているよう
に単結晶帯に平行な亜粒界（ｓｕｂ−Ｇ。
Ｂ、 ）以外には結晶欠陥が観察されず、開口部ができ
るシリコン単結晶基板を示している。この°°ム板の主
面は（１１０）面であり、オリニオチー！ 一ジョンフラット面は（１１０）面である。
るシリコン単結晶基板を示している。この°°ム板の主
面は（１１０）面であり、オリニオチー！ 一ジョンフラット面は（１１０）面である。
第７Ａ図と第７Ｂ図は、第６図のシリコン単結晶基板１
０を用いてシリコン層１３を単結晶化する場合における
第４図と同様な透視図である。第７Ａ図は単結晶を［１
１０Ｆ方向に成長させる場合であり、第７Ｂ図は［ＯＱ
１３方向に成長させる場合である。第７Ａ図と第７Ｂ
図において、（丁ＩＴ）°面（１１１）面はそれぞれ１
０９．４７°と７０．５２°の立体角で交わり、いずれ
の面もシリコン層１３内において垂直に立っている。
０を用いてシリコン層１３を単結晶化する場合における
第４図と同様な透視図である。第７Ａ図は単結晶を［１
１０Ｆ方向に成長させる場合であり、第７Ｂ図は［ＯＱ
１３方向に成長させる場合である。第７Ａ図と第７Ｂ
図において、（丁ＩＴ）°面（１１１）面はそれぞれ１
０９．４７°と７０．５２°の立体角で交わり、いずれ
の面もシリコン層１３内において垂直に立っている。
したがって、このようなｆｌ １１１面の組合わせによ
る境界面を単結晶成長の液固界面と一致させるためには
、下地絶縁層の開口部１１の幅を約２μｍのように小さ
くシ、さらにストライブ１６の幅と間隔を第７Ａ図の場
合にはたとえばそれぞれ４μｍと１０μｍにし、第７Ｂ
図の場合にはそれぞれ６μｍと１０μｍにすればよい。
る境界面を単結晶成長の液固界面と一致させるためには
、下地絶縁層の開口部１１の幅を約２μｍのように小さ
くシ、さらにストライブ１６の幅と間隔を第７Ａ図の場
合にはたとえばそれぞれ４μｍと１０μｍにし、第７Ｂ
図の場合にはそれぞれ６μｍと１０μｍにすればよい。
このようにすれば、シリコン層１３の上方と下方の放熱
差はを主面とする単結晶基板を用いた場合と同様にシリ
コン層１３が良好に単結晶化される。但し、この場合の
単結晶層１３の主面は（１１０）面であり、第１図の基
板を用いた場合には（ＯＯ１）面になることは言うまで
もない。
差はを主面とする単結晶基板を用いた場合と同様にシリ
コン層１３が良好に単結晶化される。但し、この場合の
単結晶層１３の主面は（１１０）面であり、第１図の基
板を用いた場合には（ＯＯ１）面になることは言うまで
もない。
以上の実施例では、特定の面方位や軸方位を指定して説
明したが、等価な関係にある面方位や軸方位の等価な組
合わせであれば同等に実施し得ることが明らかである。
明したが、等価な関係にある面方位や軸方位の等価な組
合わせであれば同等に実施し得ることが明らかである。
また、上記実施例では、レーザビームを用いる場合を説
明したが、たとえば線状の電子ビームを用いても同様な
結果が得られる。
明したが、たとえば線状の電子ビームを用いても同様な
結果が得られる。
［発明の効果コ
以上のように、本発明による立方晶の半導体単結晶層の
成長方法によれば、結晶成長の液固界面を安定な結晶面
であるｆｌ １１１面を組合わせて形成される境界と一
致させるようにしたので、結晶粒界や結晶欠陥が導入さ
れることなく良質の単結晶半導体層が形成される。
成長方法によれば、結晶成長の液固界面を安定な結晶面
であるｆｌ １１１面を組合わせて形成される境界と一
致させるようにしたので、結晶粒界や結晶欠陥が導入さ
れることなく良質の単結晶半導体層が形成される。
第１図は本発明に用いられるシリコン単結晶基板を示す
斜視図である。 第２Ａ図と第２Ｂ図は本発明によるシリコン単結晶層形
成用のウェハの構造を示す図である。 第３Ａ図と第３Ｂ図は本発明によるレーザビームによる
走査の状態を説明する図である。 第４図は第３Ａ図および第３Ｂ図に示されたウェハと１
１１１）面の組合わせによる境界との関係を図解する透
視図である。 第５図は本発明による一実施例によって得られた単結晶
層の光学顕微鏡写真である。 第６図は本発明のもう１つの実施例に用いられるシリコ
ン単結晶基板の斜視図である。 第７Ａ図と第７Ｂ図は第６図のシリコン単結晶基板を用
いたウェハと＋１１１１面の組合わせによる境界との関
係を示す透視図である。 第８図は従来のラテラルシーディング法を示す断面図で
ある。 第９Ａ図は従来のラテラルシー、ディング法において単
結晶化されるべき半導体層の温度分布を説明する図であ
り、第９Ｂ図はそのような温度分布で走査した場合の溶
融再凝固組織を示す図である。 第１０Ａ図は第９Ａ図のような温度分布を修正するため
の反射防止膜のパターンををする従来のウェハの上面図
であり、第１０Ｂ図と第１０Ｃ図は第１０Ａ図のウェハ
の断面図である。 図において、１０はシリコン基板、１１は種付用開口部
、１２は下地絶縁層、１３は多結晶シリコン層、１４は
レーザビーム、１５は開口部１１の上方の反射防止膜、
１６は反射防止膜のストライブ、１７は表面保護用の絶
縁膜、２０は単結晶成長の液固界面、３０はｆｌ １１
１面の組合わせによる境界を示す。 なお、各図において同一符号は同一部分または相当部分
を示す。 特許出願人 工業技術院長 等々力 達〔００１〕 （ｔＴの ｓ 第２Ｂ図 第４図 〔ｌｌＯ〕 （ｌｌＯ） 第５図 ’ （＋１０） 第７Ａ図 。、７ｏ。 第７Ａ図 に！−
斜視図である。 第２Ａ図と第２Ｂ図は本発明によるシリコン単結晶層形
成用のウェハの構造を示す図である。 第３Ａ図と第３Ｂ図は本発明によるレーザビームによる
走査の状態を説明する図である。 第４図は第３Ａ図および第３Ｂ図に示されたウェハと１
１１１）面の組合わせによる境界との関係を図解する透
視図である。 第５図は本発明による一実施例によって得られた単結晶
層の光学顕微鏡写真である。 第６図は本発明のもう１つの実施例に用いられるシリコ
ン単結晶基板の斜視図である。 第７Ａ図と第７Ｂ図は第６図のシリコン単結晶基板を用
いたウェハと＋１１１１面の組合わせによる境界との関
係を示す透視図である。 第８図は従来のラテラルシーディング法を示す断面図で
ある。 第９Ａ図は従来のラテラルシー、ディング法において単
結晶化されるべき半導体層の温度分布を説明する図であ
り、第９Ｂ図はそのような温度分布で走査した場合の溶
融再凝固組織を示す図である。 第１０Ａ図は第９Ａ図のような温度分布を修正するため
の反射防止膜のパターンををする従来のウェハの上面図
であり、第１０Ｂ図と第１０Ｃ図は第１０Ａ図のウェハ
の断面図である。 図において、１０はシリコン基板、１１は種付用開口部
、１２は下地絶縁層、１３は多結晶シリコン層、１４は
レーザビーム、１５は開口部１１の上方の反射防止膜、
１６は反射防止膜のストライブ、１７は表面保護用の絶
縁膜、２０は単結晶成長の液固界面、３０はｆｌ １１
１面の組合わせによる境界を示す。 なお、各図において同一符号は同一部分または相当部分
を示す。 特許出願人 工業技術院長 等々力 達〔００１〕 （ｔＴの ｓ 第２Ｂ図 第４図 〔ｌｌＯ〕 （ｌｌＯ） 第５図 ’ （＋１０） 第７Ａ図 。、７ｏ。 第７Ａ図 に！−
Claims (10)
- （１）立方晶の単結晶半導体基板と、前記基板の１主面
上に形成されかつ前記主面の一部を露出させる種付用開
口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成されかつ前
記開口部を介して前記基板に種付される立方晶の多結晶
半導体層を備えたウェハを用意し、 エネルギビームで前記半導体層を部分的に溶融再凝固さ
せながら走査し、それによって、前記開口部を介して前
記基板を種結晶として前記半導体層を単結晶化する方法
において、 前記エネルギビームの走査に伴って移動する前記半導体
層の再凝固する液固界面を１以上の｛１１１｝面に一致
させながら移動させることを特徴とする半導体単結晶層
の成長方法。 - （２）前記半導体層上には、前記エネルギビームの走査
方向に沿って、所定の幅を有する細い反射防止膜の帯が
所定の間隔で設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体単結晶層の成長方法。 - （３）前記半導体層上には、前記開口部の直上領域にも
反射防止膜が形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の半導体単結晶層の成長方法。 - （４）前記主面は１つの｛１００｝面であり、前記エネ
ルギビームの走査方向は前記主面内の１つの＜１００＞
方向であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかの項に記載された半導体単結晶層の
成長方法。 - （５）前記主面は１つの｛１１０｝面であり、前記エネ
ルギビームの走査方向は前記主面内の１つの＜１１０＞
方向であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかの項に記載された半導体単結晶層の
成長方法。 - （６）前記主面は１つの｛１１０｝面であり、前記エネ
ルギビームの走査方向は前記主面内の１つの＜１００＞
方向であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかの項に記載された半導体単結晶層の
成長方法。 - （７）前記基板と半導体層はシリコンからなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか
の項に記載された半導体単結晶層の成長方法。 - （８）前記ウェハは、薄い絶縁物の表面保護膜によって
表面が保護されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第７項のいずれかの項に記載された半導体
単結晶層の成長方法。 - （９）前記エネルギビームは連続発振のアルゴンレーザ
ビームであり、少なくとも４８８０Åと５１４５Åの波
長の１つを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第８項のいずれかの項に記載された半導体単結晶
層の成長方法。 - （１０）前記エネルギビームは連続的な電子ビームであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第８項
のいずれかの項に記載された半導体単結晶層の成長方法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843886A JPS62278187A (ja) | 1986-05-24 | 1986-05-24 | 半導体単結晶層の成長方法 |
| DE8787103146T DE3779672T2 (de) | 1986-03-07 | 1987-03-05 | Verfahren zum herstellen einer monokristallinen halbleiterschicht. |
| EP87103146A EP0235819B1 (en) | 1986-03-07 | 1987-03-05 | Process for producing single crystal semiconductor layer |
| US07/022,717 US4822752A (en) | 1986-03-07 | 1987-03-06 | Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process |
| US07/587,500 US5371381A (en) | 1986-03-07 | 1990-09-24 | Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11843886A JPS62278187A (ja) | 1986-05-24 | 1986-05-24 | 半導体単結晶層の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278187A true JPS62278187A (ja) | 1987-12-03 |
| JPH0479993B2 JPH0479993B2 (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=14736638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11843886A Granted JPS62278187A (ja) | 1986-03-07 | 1986-05-24 | 半導体単結晶層の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278187A (ja) |
-
1986
- 1986-05-24 JP JP11843886A patent/JPS62278187A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479993B2 (ja) | 1992-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |