JPS62277753A - 半導体パツケ−ジ - Google Patents
半導体パツケ−ジInfo
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- JPS62277753A JPS62277753A JP61121886A JP12188686A JPS62277753A JP S62277753 A JPS62277753 A JP S62277753A JP 61121886 A JP61121886 A JP 61121886A JP 12188686 A JP12188686 A JP 12188686A JP S62277753 A JPS62277753 A JP S62277753A
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- electrode
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
く産業上の利用分野〉
この発明は半導体パッケージに関するものでおる。
〈従来の技術とその問題点〉
従来の半導体パッケージは、DIR(デコアルインライ
ンパッケージ)やチップギヤリア等のフラットタイプの
パッケージの場合、端子は1辺に1列に並べていたため
、端子の数を多くするには限界があり、無理に多ビン化
すればパンケージ本体が大きくなってしまうこともあっ
て、多ピン化には対応できない。
ンパッケージ)やチップギヤリア等のフラットタイプの
パッケージの場合、端子は1辺に1列に並べていたため
、端子の数を多くするには限界があり、無理に多ビン化
すればパンケージ本体が大きくなってしまうこともあっ
て、多ピン化には対応できない。
またPGA (ピングリッドアレイ)のように端子を格
子状に並べた場合には、構造上の問題として下面からピ
ンをアレイ状に並べる構造となって、ビン間隔が大きい
ため、パッケージ本体が大きくなり、高価となる欠点を
有している。
子状に並べた場合には、構造上の問題として下面からピ
ンをアレイ状に並べる構造となって、ビン間隔が大きい
ため、パッケージ本体が大きくなり、高価となる欠点を
有している。
〈問題点を解決するための手段〉
今後ICチップの配線の微細化が進み、多ピン化が要求
されると、これらのパンケージ形態ではICチップサイ
ズに1ヒ較して不釣合いに大きいパッケージが必要とな
る。
されると、これらのパンケージ形態ではICチップサイ
ズに1ヒ較して不釣合いに大きいパッケージが必要とな
る。
そこで本発明者は多ピン化の要望に対応できる小型のパ
ッケージ形態を得るべく検討の結果、この発明に至った
ものである。
ッケージ形態を得るべく検討の結果、この発明に至った
ものである。
即ち、このJu明は2枚のグリーンシートからなる基板
の下面にバンプメッキを形成し、グリーンシート上面に
ワイヤボンド用の電極を設けるとともに、電極とバンプ
メッキとの間にスルーホールを形成し、該スルーホール
内に配線を行なって電極とバンプメッキを導通させた構
造とした半導体パッケージを提供するものである。
の下面にバンプメッキを形成し、グリーンシート上面に
ワイヤボンド用の電極を設けるとともに、電極とバンプ
メッキとの間にスルーホールを形成し、該スルーホール
内に配線を行なって電極とバンプメッキを導通させた構
造とした半導体パッケージを提供するものである。
く作用〉
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
図面はこの発明の半導体パッケージの構造を示す断面図
であり、基板1は2枚のグリーンシートla、1bから
構成されている。そしてこの基板1の下面には端子の代
わりにバンプメッキ2が施されている。
であり、基板1は2枚のグリーンシートla、1bから
構成されている。そしてこの基板1の下面には端子の代
わりにバンプメッキ2が施されている。
またグリーンシート1aの上面にはワイヤボンド用の電
極3を形成し、グリーンシート1bの下面にはバンプメ
ッキ2用の電極4が形成されている。そしてワイヤボン
ド用の電極3とバンプメッキ用の電極4との間はスルー
ホールと接合面に配線パターン5を形成して両電極3.
4を導通させる構造となっている。
極3を形成し、グリーンシート1bの下面にはバンプメ
ッキ2用の電極4が形成されている。そしてワイヤボン
ド用の電極3とバンプメッキ用の電極4との間はスルー
ホールと接合面に配線パターン5を形成して両電極3.
4を導通させる構造となっている。
このような構造において、基板1は通常のグリーンシー
トと同じくホットプレス後低温焼成すれば得られる。そ
してICチップ6を実装後、キャップ7にて気密封止し
、さらに下面にバンプメッキ2を形成すればよい。図に
おいて8はICチップ6と電極3をつなぐボンディング
ワイヤであ、る。
トと同じくホットプレス後低温焼成すれば得られる。そ
してICチップ6を実装後、キャップ7にて気密封止し
、さらに下面にバンプメッキ2を形成すればよい。図に
おいて8はICチップ6と電極3をつなぐボンディング
ワイヤであ、る。
このような411I造の半導体パッケージは(1)パッ
ケージ下面全面を利用でき、また端子の代わりにバンプ
メッキによって外部電極を取出すから、多ビン化しても
パッケージサイズがそれほど大きくならない。
ケージ下面全面を利用でき、また端子の代わりにバンプ
メッキによって外部電極を取出すから、多ビン化しても
パッケージサイズがそれほど大きくならない。
(21基板を構成する2枚のグリーンシートの接合面で
配線パターンを引き回せるので基板のワイヤボンド電極
部およびバンプメッキ電極部の位置は固定ではなく、あ
る程度自由度があること。
配線パターンを引き回せるので基板のワイヤボンド電極
部およびバンプメッキ電極部の位置は固定ではなく、あ
る程度自由度があること。
(3)気密封止構造のため、信頼性は4i)1脂封止パ
ツケージより高い。
ツケージより高い。
(4)基本的な#I造がチップキャリア等と変らないの
でパッケージ単価がPGAのように高くならない。
でパッケージ単価がPGAのように高くならない。
などの利点を有するのである。
図面はこの発明の半導体パッケージの一実施例を示す断
面図である。 1・・・基板 1a、1b・・・グリーンシー
ト2・・・バンプメッキ 3・・・電極4・・・電
極 5・・・配線パターン6・・・ICチ
ップ 7・・・キャップ8・・′・ボンディング
ワイヤ
面図である。 1・・・基板 1a、1b・・・グリーンシー
ト2・・・バンプメッキ 3・・・電極4・・・電
極 5・・・配線パターン6・・・ICチ
ップ 7・・・キャップ8・・′・ボンディング
ワイヤ
Claims (1)
- 2枚のグリーンシートからなる基板の下面にバンプメッ
キを形成し、グリーンシート上面にワイヤボンド用の電
極を設けるとともに、電極とバンプメッキとの間にスル
ーホールを形成し、該スルーホール内に配線を行なつて
電極とバンプメッキを導通させた構造としたことを特徴
とする半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61121886A JPS62277753A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61121886A JPS62277753A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体パツケ−ジ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62277753A true JPS62277753A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14822344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61121886A Pending JPS62277753A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体パツケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62277753A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63258048A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5914531A (en) * | 1994-02-10 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
US6686226B1 (en) | 1994-02-10 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame |
JP2012256777A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板、回路モジュール及び回路基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61121886A patent/JPS62277753A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63258048A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5914531A (en) * | 1994-02-10 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
US6114192A (en) * | 1994-02-10 | 2000-09-05 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a ball grid array package structure using a supporting frame |
US6686226B1 (en) | 1994-02-10 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device a ball grid array package structure using a supporting frame |
US6861294B2 (en) | 1994-02-10 | 2005-03-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor devices and methods of making the devices |
JP2012256777A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | 回路基板、回路モジュール及び回路基板の製造方法 |
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