JPS62276892A - Electronic component - Google Patents

Electronic component

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JPS62276892A
JPS62276892A JP61119238A JP11923886A JPS62276892A JP S62276892 A JPS62276892 A JP S62276892A JP 61119238 A JP61119238 A JP 61119238A JP 11923886 A JP11923886 A JP 11923886A JP S62276892 A JPS62276892 A JP S62276892A
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JP
Japan
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peltier element
pedestal
package
fixed
optical fiber
Prior art date
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Pending
Application number
JP61119238A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kunio Aiki
相木 国男
Atsushi Sasayama
佐々山 厚
Tsutomu Kawasaki
勉 川崎
Tsugio Nemoto
根本 次男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS62276892A publication Critical patent/JPS62276892A/en
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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain favorable thermal diffusivity and achieve stable optical communications by constructing a pedestal from a material, the thermal expansivity of which is very close to that of lower electrode plate made of peltier element. CONSTITUTION:A pedestal 9 that is held between a peltier element 10 and the bottom of package 7 is constructed from copper tungsten having high thermal conductivity as well as thermal expansivity which is very close to that of electrode plates 27 made of alumina ceramic of peltier element 10 and the peltier element 10 is fixed with solder having the low melting point. This configuration prevents soldering 47, with which the pedestal 9 the peltier element 10 are connected, from being subject to fatigue failure and not only improves reliability for junction and thermal conductivity but also achieves favorable thermal diffusivity and stable optical communications.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はパッケージ底上に台座を介してペルチェ素子を
固定した電子部品、特に、前記台座上に固定されたペル
チェ素子上にレーザダイオードチップを搭載したサブキ
ャリアを有する電子部品に関する。
Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electronic component in which a Peltier element is fixed on the bottom of a package via a pedestal, and particularly to an electronic component having a Peltier element fixed on the pedestal. The present invention relates to an electronic component having a subcarrier on which a laser diode chip is mounted.

〔従来の技術] 光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この光通信用レーザモジュール(半導体レー
ザ装置)については、たとえば、71面嘱報JVo1.
38、No、2/1985、P84〜P89に記載され
ている。
[Prior Art] A semiconductor laser device is used as one of the light sources for optical communication. Regarding this optical communication laser module (semiconductor laser device), for example, 71-page publication JVo1.
38, No. 2/1985, P84-P89.

この文献には、レーザ光を発光するレーザ素子、このレ
ーザ素子から発光される後方放射光をモニターするGe
−PD(受光素子)、前記レーザ素子の温度をモニター
するサーミスタ、温度調整用のターラ(ペルチェ素子)
がそれぞれパッケージに内蔵されているとともに、レー
ザ光をパフケージ外に案内する光ファイバが配設されて
いる。前記ペルチェ素子の低温側はソルダーによって放
熱板に固定されている。また、外部端子となるリードは
デュアルインライン型となっている。前記デュアルイン
ライン型リードの構造の一つとして、リードが絶縁性の
ガラスを介してパッケージの底に貫通状態で取り付けら
れたものが記載されている。
This document describes a laser element that emits laser light, and a Ge
-PD (light receiving element), thermistor that monitors the temperature of the laser element, Tala (Peltier element) for temperature adjustment
are built into each package, and an optical fiber is provided to guide the laser beam to the outside of the puff cage. The low temperature side of the Peltier element is fixed to the heat sink by solder. Also, the leads that serve as external terminals are of a dual in-line type. As one of the dual in-line lead structures described above, a structure in which the leads are attached through insulating glass to the bottom of the package is described.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

前記文献にも記載されているように、リードをデュアル
インライン型とする一つの構造としては、パッケージの
底に2列にリードを配設する構造がある。この場合、前
記リードを導電性のパフケージに絶縁的に固定するため
、ガラスが使用されるが、パッケージを構成する金属と
ガラスは、相互に略同−の熱膨張係数を有する材質が選
ばれて使用されていて、一般的には、パッケージをFe
−Ni −Co (コバール)、で構成するとともに、
リードをホウケイ酸ガラス(コバールガラス)で固定し
ている。
As described in the above-mentioned document, one structure in which the leads are of a dual in-line type is a structure in which the leads are arranged in two rows at the bottom of the package. In this case, glass is used to insulatively fix the leads to the conductive puff cage, and the metal and glass that make up the package are selected from materials that have approximately the same coefficient of thermal expansion. is used and is commonly used to package Fe
-Ni -Co (Kovar), and
The lead is fixed with borosilicate glass (Kovar glass).

本発明者は、前記ペルチェ素子の放熱効果を高める技術
について検討した。以下は、公知とされた技術ではない
が、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次のとおりである。
The present inventor studied a technique for enhancing the heat dissipation effect of the Peltier element. Although the following is not a publicly known technique, it is a technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.

すなわち、パッケージにリードを貫通させかつ絶縁的に
支持させる場合は、前述のようにパフケージ底板はコバ
ールで構成せざるを得ない。しかし、前記コバールは熱
伝導率が0.04cal/cm−sec・0cと低いた
め、ペルチェ素子の熱放散性は良好であるとは言えない
。そこで、ペルチェ素子の高温部側でのより早い熟成n
tを図るために、ペルチェ素子とパッケージ底との間に
、熱伝導度の良好な銅板からなる台座を介在させた。
That is, in the case where the package has leads passing through it and is insulatively supported, the puff cage bottom plate must be made of Kovar as described above. However, since Kovar has a low thermal conductivity of 0.04 cal/cm-sec·0c, the heat dissipation of the Peltier element cannot be said to be good. Therefore, faster aging on the high temperature side of the Peltier element
In order to achieve this, a pedestal made of a copper plate with good thermal conductivity was interposed between the Peltier element and the bottom of the package.

この構造は、パッケージ底からの熱伝導度向上による熱
放散性が良くなることから、ペルチェ素子の上部に搭載
されるレーザダイオードチップを効果的に冷却できる。
This structure improves heat dissipation due to improved thermal conductivity from the bottom of the package, so it can effectively cool the laser diode chip mounted on the top of the Peltier element.

しかし、前記ペルチェ素子の電極板はアルミナセラミッ
クとなっているため、熱サイクル試験を行うと、熱膨張
係数の大きい銅板との間に繰り返し熱応力が発生し、ア
ルミナセラミック板と銅板を固定する半田が疲労破壊を
起こしてしまうことが本発明者によってあきらかにされ
た。
However, since the electrode plate of the Peltier element is made of alumina ceramic, when a thermal cycle test is performed, thermal stress is repeatedly generated between the electrode plate and the copper plate, which has a large coefficient of thermal expansion, and the solder that fixes the alumina ceramic plate and the copper plate The inventor has revealed that this causes fatigue failure.

本発明の目的は放熱性の良好な電子部品を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide an electronic component with good heat dissipation.

本発明の他の目的はペルチェ素子を台座に固定する半田
の疲労破壊が起き難い高信頼性構造の電子部品を提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide an electronic component with a highly reliable structure in which fatigue failure of the solder that fixes the Peltier element to the pedestal is less likely to occur.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

C問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を而単に説明すれば、下記のとおりである。
Means for Solving Problem C] A brief summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、本発明の光通信用光電子装置にあっては、ペ
ルチェ素子とパッケージの底との間に介在される台座を
、前記ペルチェ素子のアルミナセラミックからなる電極
板と熱膨張係数が近似し、かつ熱伝導度が高い銅タング
ステンで構成するとともに、前記ペルチェ素子を低融点
の半田で固定している。
That is, in the optoelectronic device for optical communication of the present invention, the pedestal interposed between the Peltier element and the bottom of the package has a coefficient of thermal expansion similar to that of the electrode plate made of alumina ceramic of the Peltier element, and It is made of copper tungsten, which has high thermal conductivity, and the Peltier element is fixed with low melting point solder.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、光通信用光電子装置にあっては
、ペルチェ素子とパッケージの底との間に介在される台
座を、前記ペルチェ素子のアルミナセラミックからなる
電極板と熱膨張係数が近似し、かつ熱伝導度が高い銅タ
ングステンで構成しているため、台座とペルチェ素子を
接続する半田が疲労破壊し難くなり、接合の信頼性が高
くなるとともに、熱伝導性が良好となることから、熱放
散性も安定し、安定した光通信が達成できる。
According to the above means, in the optoelectronic device for optical communication, the pedestal interposed between the Peltier element and the bottom of the package has a coefficient of thermal expansion similar to that of the electrode plate made of alumina ceramic of the Peltier element. And since it is made of copper tungsten, which has high thermal conductivity, the solder that connects the pedestal and Peltier element is less likely to suffer from fatigue failure, increasing the reliability of the bond and providing good thermal conductivity. Heat dissipation is also stable, and stable optical communication can be achieved.

〔実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例に・ついて説明す
る。
[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

ここで、図面について簡単に説明する。第1図は本発明
の一実施例による光電子装置におけるペルチェ素子を半
田を介して台座に固定した状態を示す拡大断面図、第2
図は同じく光電子装置の要部を示す斜視図、第3図は同
じくパッケージ蓋を取り除いた状態の平面図、第4図は
同じく光電子装置の断面図、第5図は同じくパッケージ
本体を示す斜視図、第6図は同じくサブキャリアを示す
斜視図、第7図は同じくサブキャリアにおけるヒートシ
ンクの平面図、第8図は同じく位置決め固定体の内端の
半田リングを示す断面図、第9図は同じくサブキャリア
におけるレーザダイオードチップの搭載状態を示す斜視
図、第10図は同じく光ファイバの固定状態を示す模式
図である。
Here, the drawings will be briefly explained. FIG. 1 is an enlarged sectional view showing a state in which a Peltier element in a photoelectronic device according to an embodiment of the present invention is fixed to a pedestal via solder;
The figure is a perspective view showing the main parts of the optoelectronic device, FIG. 3 is a plan view with the package lid removed, FIG. 4 is a sectional view of the optoelectronic device, and FIG. 5 is a perspective view showing the package body. , FIG. 6 is a perspective view of the subcarrier, FIG. 7 is a plan view of the heat sink in the subcarrier, FIG. 8 is a sectional view of the solder ring at the inner end of the positioning fixture, and FIG. 9 is the same. FIG. 10 is a perspective view showing the state in which the laser diode chip is mounted on the subcarrier, and FIG. 10 is a schematic diagram showing the state in which the optical fiber is fixed.

この実施例では、波長が1.3μmあるいは1゜5μm
となるレーザ光を発光するレーザダイオードチップを内
蔵した光通信における発信装置としての光電子装置に本
発明を適用した例について説明する。
In this example, the wavelength is 1.3 μm or 1°5 μm.
An example in which the present invention is applied to an optoelectronic device as a transmitting device in optical communication that includes a built-in laser diode chip that emits laser light will be described.

ここで、本発明の光電子装置の構造について説明する。Here, the structure of the optoelectronic device of the present invention will be explained.

光電子装置は、第2図〜第4図に示されるように、パッ
ケージ1は箱型となるとともに、このパッケージ1の一
端にパッケージ1を取り付けるための取付孔2を設けた
フランジ3を有し、かつ他端にファイバ支持体4を有し
て光フアイバケーブル5を案内する構造となっている。
In the optoelectronic device, as shown in FIGS. 2 to 4, a package 1 is box-shaped and has a flange 3 provided with a mounting hole 2 for mounting the package 1 at one end of the package 1. It has a fiber support 4 at the other end and is structured to guide an optical fiber cable 5.

この光電子装置は、前記パッケージ1の底から2列に亘
ってリード6を突出させ、デュアルインライン構造を構
成している。前記パッケージ1は、一端にフランジ3を
有しかつ上部が開口した箱型のパッケージ本体7と、こ
のパッケージ本体7の開口部を機密的に被うパフケージ
蓋8とからなっている。
This optoelectronic device has two rows of leads 6 protruding from the bottom of the package 1, forming a dual in-line structure. The package 1 consists of a box-shaped package body 7 having a flange 3 at one end and an open top, and a puff cage lid 8 that tightly covers the opening of the package body 7.

また、前記パッケージ本体7の底上には台座9が固定さ
れているとともに、この台座9上にはペルチェ素子IO
が固定され、このペルチェ素子10上にはサブキャリア
11が固定されている。このサブキャリア11は、搭載
部12および支持部13なる突部を主面に存するヒート
シンク14を台座部材とし、このヒートシンク14上に
レーザダイオードチップ15.このレーザダイオードチ
ップ15から発光されるレーザ光を先端(内端)から取
り込む光ファイバ16を案内する筒状の位置決め固定体
17.前記レーザ光をモニターする受光素子!8.前記
ヒートシンク13の温度をモニターするサーミスタ19
が、それぞれ固定されている。そして、前記光フアイバ
ケーブル5のパッケージ1内における部分は、ジャケッ
トが除去されてコアとこのコアを被うクラフトからなる
光ファイバ16となり、かつ前記位置決め固定体17に
案内されてその先端を前記レーザダイオードチップ15
の一方の出射面に対面させている。また、各素子の電極
と所定のリード6間は導電性のワイヤ20によって電気
的に接続されている。なお、この光電子装置はそのパッ
ケージ内に樹脂や半田付は用のフラックスを内在させな
いものとし、これら樹脂等に起因する特性劣化を生じさ
せないように配慮されている。
Further, a pedestal 9 is fixed on the bottom of the package body 7, and a Peltier device IO is mounted on this pedestal 9.
is fixed, and a subcarrier 11 is fixed on this Peltier element 10. This subcarrier 11 has a heat sink 14 having a mounting portion 12 and a protruding portion 13 on its main surface as a pedestal member, and a laser diode chip 15 . A cylindrical positioning fixture 17 that guides the optical fiber 16 that takes in the laser light emitted from the laser diode chip 15 from its tip (inner end). A light receiving element that monitors the laser beam! 8. a thermistor 19 for monitoring the temperature of the heat sink 13;
are each fixed. The part of the optical fiber cable 5 inside the package 1 has its jacket removed and becomes an optical fiber 16 consisting of a core and a craft covering the core. diode chip 15
The light emitting surface is faced to one side. Furthermore, the electrodes of each element and predetermined leads 6 are electrically connected by conductive wires 20. Note that this optoelectronic device does not contain resin or soldering flux in its package, and care has been taken to prevent characteristic deterioration due to these resins.

このような光電子装置は、前記レーザダイオードチップ
15からレーザ光を発光させ、この発光させたレーザ光
を光フアイバケーブル5によって所望個所に伝送するこ
とによって光通信を行う。
Such a photoelectronic device performs optical communication by emitting laser light from the laser diode chip 15 and transmitting the emitted laser light to a desired location via the optical fiber cable 5.

この際、この光電子装置は、受光素子18でレーザ光を
モニターし、この情報に基づいてレーザダイオ−トチ・
ノブ15の出力を制御し、安定した光通信を行う。また
、この光電子装置は、前記サーミスタ19でヒートシン
ク14の温度をモニターし、この情報に基づいてペルチ
ェ素子10を制御して常時レーザダイオードチップ15
が一定の温度域で駆動するようにし、光通信の安定を図
るようになっている。
At this time, this optoelectronic device monitors the laser beam with the light receiving element 18, and based on this information, the laser diode
The output of the knob 15 is controlled to perform stable optical communication. In addition, this optoelectronic device monitors the temperature of the heat sink 14 with the thermistor 19, controls the Peltier element 10 based on this information, and constantly controls the laser diode chip 15.
The system is designed to operate within a certain temperature range to stabilize optical communications.

ここで、光電子装置の構造各部の説明を行う前に、本発
明に係わる部分、すなわち、前記サブキャリア11とパ
ッケージ底との間に介在される台座9について説明する
Here, before explaining each structural part of the optoelectronic device, the part related to the present invention, that is, the pedestal 9 interposed between the subcarrier 11 and the bottom of the package will be explained.

第1図に示されるように、前記台座9は、その上に半田
47を介してペルチェ素子10が固定されるため、放熱
のために熱伝導度の良好なものが望まれるが、このペル
チェ素子10の上下の電極板27は、熱膨張係数が6.
7X10−b/’c程度となるアルミナセラミックによ
って構成されている。前記台座9として熱膨張係数が1
7.0X10−”/’cとなる熱伝導度の良好な銅等を
用いると、台座9と電極板27とを接合する半田47が
、温度サイクルにより疲労破壊することから、これを避
けるため、前記台座9は、熱膨張係数がたとえば、6.
0〜7.Qxl 0−b/’ c、熱伝導度が0.5〜
0.67cal/cm=sec−″cとなる銅タングス
テン(CuW)によって構成されている。また、この台
座9は電極板27よりも面積が広くなり、より広い面積
のパッケージ本体7の底面に熱を伝達するようになって
いる。
As shown in FIG. 1, since the pedestal 9 has a Peltier element 10 fixed thereon via solder 47, it is desired that the pedestal 9 has good thermal conductivity for heat dissipation. The upper and lower electrode plates 27 of 10 have a coefficient of thermal expansion of 6.
It is made of alumina ceramic of about 7X10-b/'c. The pedestal 9 has a thermal expansion coefficient of 1.
If copper or the like having a good thermal conductivity of 7.0 x 10-''/'c is used, the solder 47 that joins the pedestal 9 and the electrode plate 27 will suffer fatigue failure due to temperature cycling.To avoid this, The pedestal 9 has a thermal expansion coefficient of, for example, 6.
0-7. Qxl 0-b/'c, thermal conductivity is 0.5~
The pedestal 9 is made of copper tungsten (CuW) with a temperature of 0.67 cal/cm = sec-''c.The pedestal 9 has a larger area than the electrode plate 27, and heat is applied to the bottom surface of the package body 7, which has a larger area. It is designed to convey.

また、前記ペルチェ素子10は通常130’C程度の低
融点の半田で組み立てられている。このため、前記半田
47の融点が高いと、ペルチェ素子10の台座9への固
定時、ペルチェ素子10の組立が損なわれてしまう。そ
こで、前記半田47は融点が120°C程度のInSn
からなる半田が用いられている。また、前記台座9はフ
ランクスレスによる接続、すなわち、鑞付けによってパ
ッケージ本体7の底に固定されている。
Further, the Peltier element 10 is usually assembled with solder having a low melting point of about 130'C. Therefore, if the melting point of the solder 47 is high, assembly of the Peltier element 10 will be impaired when the Peltier element 10 is fixed to the pedestal 9. Therefore, the solder 47 is made of InSn having a melting point of about 120°C.
Solder consisting of is used. Further, the pedestal 9 is fixed to the bottom of the package body 7 by a flankless connection, that is, by brazing.

このような台座9を用いることによって、ペルチェ素子
10の高温部側の熱は熱伝導度の大きいCuWからなる
台座9によって、ペルチェ素子10の電極板27よりも
広い面積のパッケージ本体7の底板面に熱を効率よく伝
達するため、ペルチェ素子10による冷却効果が増大し
放熱効果が安定する。
By using such a pedestal 9, the heat on the high temperature side of the Peltier element 10 is transferred to the bottom plate surface of the package body 7, which has a wider area than the electrode plate 27 of the Peltier element 10. Since heat is efficiently transferred to the Peltier element 10, the cooling effect by the Peltier element 10 increases and the heat dissipation effect becomes stable.

この光電子装置は、鉄−ニッケルーコバルト(FeNi
−Co)合金からなるコバールによって形成された平板
なパッケージ蓋8、光フアイバケーブル5、ペルチェ素
子10のような個別部品といくつかのサブアセンブリ部
品によって構成されている。
This optoelectronic device consists of iron-nickel-cobalt (FeNi)
It is composed of individual parts such as a flat package lid 8 made of Kovar (-Co) alloy, an optical fiber cable 5, and a Peltier element 10, and several subassembly parts.

つぎに、このような光電子装置の各部について説明する
Next, each part of such a photoelectronic device will be explained.

パフケージ本体7を主要構成部品とするバフケージ本体
サブアセンブリ部品は、第5図に示されるように、パッ
ケージ本体7.フランジ3.ファイバ支持体4.リード
6、台座9からなっている。
As shown in FIG. 5, the buff cage main body sub-assembly parts including the main component of the puff cage main body 7 are the package main body 7. Flange 3. Fiber support 4. It consists of 6 leads and 9 pedestals.

パッケージ本体7は、その一端に取付孔2を有するフラ
ンジ3を張り付けた構造となっている。また、第3図に
も示されるように、パッケージ本体7の底には2列に亘
ってそれぞれ7本のリード6が配設されている。各リー
ド6はパッケージ本体7の底板を貫通するとともに、底
板を構成するコバールと熱膨張係数が略等しいコバール
ガラスからなる絶縁性支持体21によってパッケージ本
体7に絶縁的に固定されている。これらのり一ド6は、
たとえば、第2図および第3図に示されるように、手前
および後側のリード列の左端のり一ド6がそれぞれ受光
素子18の外部端子となるとともに、手前側のリード列
の左から2木目および3本口のり一ド6はレーザダイオ
ードチンフ゛15の外部端子となり、かつ、手前側のリ
ード列の左から4本口および5木目のり一ド6はサーミ
スタ19の外部端子となる。また、手前および後側のリ
ード列の右端のり一ド6は、それぞれペルチェ素子10
の外部端子となる。そして、他のり一ト°′6はこの実
施例では使用しない空きリードとなる。
The package body 7 has a structure in which a flange 3 having a mounting hole 2 is attached to one end thereof. Further, as shown in FIG. 3, seven leads 6 are arranged in two rows at the bottom of the package body 7. Each lead 6 passes through the bottom plate of the package body 7 and is insulatively fixed to the package body 7 by an insulating support 21 made of Kovar glass, which has substantially the same coefficient of thermal expansion as Kovar constituting the bottom plate. These glued 6 are
For example, as shown in FIGS. 2 and 3, the left end glue 6 of the front and rear lead rows becomes the external terminal of the light receiving element 18, and the second wood from the left of the front lead row The three-way glue 6 becomes the external terminal of the laser diode chimney 15, and the fourth and fifth wood-grained glue 6 from the left in the lead row on the front side become the external terminals of the thermistor 19. In addition, the right end glue 6 of the front and rear lead rows is connected to a Peltier element 10, respectively.
This serves as an external terminal. The other slot 0'6 becomes an empty lead that is not used in this embodiment.

前記ペルチェ素子lOに繋がるワイヤ20は樹脂やフラ
ックスを使用しない溶接等によってり一ド6に接続され
るが、それ以外のワイヤ20ば、リード6に超音波ワ・
イヤボンディングによって接続される。超音波ワイヤボ
ンディングは超音波振動を利用してワイヤボンディング
を行うため、図のように長いリード6の上端にワイヤ2
0を接続する場合、リード6が振動してボンディングが
確実に行えなくなる。そこで、この実施例では、超音波
ワイヤボンディングによってワイヤ20が接続されるリ
ード6は、第2図、第3図、第5図に示されるように、
補強板22によって連結され、超音波ワイヤボンディン
グ時、リード6が振動しないようになっている。
The wire 20 connected to the Peltier element IO is connected to the lead 6 by welding without using resin or flux, but the other wires 20 are connected to the lead 6 by ultrasonic wave.
Connected by earbonding. Ultrasonic wire bonding uses ultrasonic vibration to perform wire bonding, so wire 2 is attached to the top end of long lead 6 as shown in the figure.
If 0 is connected, the lead 6 will vibrate and bonding cannot be performed reliably. Therefore, in this embodiment, the leads 6 to which the wires 20 are connected by ultrasonic wire bonding are as shown in FIGS. 2, 3, and 5.
They are connected by a reinforcing plate 22 to prevent the leads 6 from vibrating during ultrasonic wire bonding.

また、前記補強板22は、以下の構造を採用することに
よって、光電子装置の高周波域での使用を安定させる役
割をも果たしている。すなわち、前記補強板22は絶縁
性のセラミック板からなるとともに、リード6との接、
鋳面は、それぞれ部分的にメクライズが施されている。
Further, the reinforcing plate 22 also plays the role of stabilizing the use of the optoelectronic device in a high frequency range by adopting the following structure. That is, the reinforcing plate 22 is made of an insulating ceramic plate, and is in contact with the lead 6.
The casting surfaces are partially meklyzed.

このメタライズ層は、リード6に沿って一定の幅を有す
るように設けられているため、リード6における電流の
流れる面積が増大し、寄生インダクタンスが低くなり、
565 M b i tにも及ぶ高周波域での光通信も
安定して行えるようになっている。
Since this metallized layer is provided to have a constant width along the lead 6, the area through which the current flows in the lead 6 is increased, and the parasitic inductance is reduced.
It is now possible to stably perform optical communications in a high frequency range of up to 565 Mbit.

パッケージ本体サブアセンブリ部品は、パッケージ本体
7のフランジ3とは逆となる端面にファイバ支持体4が
取り付けられている。このファイバ支持体4は、それぞ
れ筒体からなるアウター支持体25と、このアウター支
持体25の内端に嵌合されるインナー支持体26とから
なっている。
The package body subassembly part has a fiber support 4 attached to the end face of the package body 7 opposite to the flange 3. The fiber support 4 includes an outer support 25 each formed of a cylindrical body, and an inner support 26 fitted into the inner end of the outer support 25.

アウター支持体25はその内端をパッケージ本体7の端
に貫通状態でかつ気密的に鑞接されている。
The outer support 25 has its inner end penetrated and hermetically soldered to the end of the package body 7.

また、このアウター支持体25の外端部は薄肉管構造と
なり、カシメによって容易に潰れるようになっている。
Further, the outer end portion of the outer support body 25 has a thin-walled tube structure and is easily crushed by caulking.

また、前記インナー支持体26は外端を前記アウター支
持体25の内端に嵌合させる構造となるとともに、内端
は細く延在しかつ先端は傾斜面となっている。また、こ
の傾斜面部分にはリング状の半田30が設けられている
Further, the inner support 26 has a structure in which the outer end is fitted into the inner end of the outer support 25, and the inner end extends thinly and has an inclined surface at the tip. Further, a ring-shaped solder 30 is provided on this inclined surface portion.

このようなファイバ支持体4にあって、光フアイバケー
ブル5は、ファイバ支持体4に挿入されるに先立って、
その先端側は一定の長さに亘ってジャケットが除去され
るが、そのジャケットが除去された光フアイバ16部分
が前記インナー支持体26全域およびアウター支持体2
5の一部に亘って延在し、ジャケットが付いた部分がア
ウター支持体25の外端部分に延在するようになる。
In such a fiber support 4, before the optical fiber cable 5 is inserted into the fiber support 4,
The jacket is removed over a certain length on the tip side, and the portion of the optical fiber 16 from which the jacket has been removed extends over the entire area of the inner support 26 and the outer support 2.
5, and the jacketed portion extends to the outer end portion of the outer support 25.

パッケージ本体サブアセンブリ部品は、その底上に台座
9が固定されている。この台座9はパッケージ本体7の
フランジ3側底面に鑞付けによって固定されている。こ
の台座9は前記ペルチェ素子10上下の電極板27が熱
膨張係数が6.7×10−6/’c程度となるアルミナ
セラミックによって構成されていることからこの電極板
27と熱膨張係数が6.0〜?、0XIO−6/’cと
なる銅タングステン(CuW)によって構成されている
。また、このCuWは熱伝導度が0. 5〜0゜67c
al/cm−sec−’cと高く、ペルチェ素子10の
熱放散性を高めるようになっている。
The package body subassembly part has a pedestal 9 fixed on its bottom. This pedestal 9 is fixed to the bottom surface of the package body 7 on the side of the flange 3 by brazing. Since the electrode plates 27 above and below the Peltier element 10 are made of alumina ceramic having a thermal expansion coefficient of approximately 6.7 x 10-6/'c, this pedestal 9 has a thermal expansion coefficient of 6.7 x 10-6/'c. .0~? , 0XIO-6/'c. Moreover, this CuW has a thermal conductivity of 0. 5~0°67c
The heat dissipation property of the Peltier element 10 is increased by a high value of al/cm-sec-'c.

また、前記台座9の一端はフランジ3側のパッケージ本
体7の周壁に接触し、台座9から周壁を介してフランジ
3に熱が伝わるようになっている。
Further, one end of the pedestal 9 contacts the peripheral wall of the package body 7 on the flange 3 side, so that heat is transmitted from the pedestal 9 to the flange 3 via the peripheral wall.

なお、パッケージ本体7の底を構成するコバールの熱膨
張係数は5.3xlO−6/’cである。また、前記台
座9として使用できるものとしては、他にSiC等があ
る。
Note that the thermal expansion coefficient of Kovar forming the bottom of the package body 7 is 5.3xlO-6/'c. Furthermore, other materials that can be used as the pedestal 9 include SiC and the like.

サブアセンブリ部品としてのサブキャリア11は、第6
図に示されるような構造となっている。
The subcarrier 11 as a subassembly part is the sixth
The structure is as shown in the figure.

このサブキャリア11は、第6図に示されるように、矩
形板からなるヒートシンク14を主構成部品としている
。このヒートシンク14はその主面に搭載部12および
支持部13を有している。これら搭載部12および支持
部13は突状となっている。搭載部12はヒートシンク
I4の主面の中央領域を横切るように配設されるととも
に、支持部13は一端側にかつ前記搭載部12に平行に
延在している。また、これら搭載部12および支持部1
3はヒートシンク14の中心線に対してθはど傾斜した
傾斜軸に直交する方向に延在している。
As shown in FIG. 6, this subcarrier 11 has a heat sink 14 made of a rectangular plate as its main component. The heat sink 14 has a mounting portion 12 and a support portion 13 on its main surface. These mounting portion 12 and support portion 13 have a protruding shape. The mounting portion 12 is arranged to cross the central region of the main surface of the heat sink I4, and the support portion 13 extends parallel to the mounting portion 12 on one end side. In addition, these mounting portions 12 and supporting portions 1
3 extends in a direction perpendicular to an inclined axis that is inclined at θ with respect to the center line of the heat sink 14 .

また、前記支持部13には筒状の位置決め固定体I7が
貫通固定されている。この位置決め固定体17は、光フ
ァイバ16を案内する支持体軸となるとともに、光ファ
イバ16の先端位置を調整できる調整可能な軸となって
いる。このため、位置決め固定体17は塑性変形し易い
材料、たとえば、キュプロニッケルで形成されるととも
に、第4図に示されるように、支持部I3に挿嵌される
細い変形可能な調整軸28と、支持部13の外側壁に段
付面が当接する大径の支持体軸29とからなっている。
Further, a cylindrical positioning fixing member I7 is fixedly fixed to the support portion 13 through the support portion 13. This positioning fixing body 17 serves as a support shaft that guides the optical fiber 16, and also serves as an adjustable shaft that can adjust the position of the tip of the optical fiber 16. For this reason, the positioning fixing body 17 is made of a material that is easily plastically deformed, for example, cupronickel, and as shown in FIG. It consists of a large-diameter support shaft 29 whose stepped surface abuts against the outer wall of the support portion 13.

また、支持体軸29の外端の孔部分はテーパ状となり、
光ファイバ16が挿入し易いようになっている。また、
位置決め固定体17の内径は光ファイバ16の直径のφ
125μmよりも僅かζこ太い径となっている。
Further, the hole portion at the outer end of the support shaft 29 is tapered,
The optical fiber 16 can be easily inserted. Also,
The inner diameter of the positioning fixture 17 is equal to the diameter of the optical fiber 16.
The diameter is slightly larger than 125 μm.

また、前記調整軸28の先端は、光ファイバ16を調整
軸28に固定するための接合面積を増大するために、は
すに切られて傾斜面を有するようになっている。また、
このはすに切られた部分には、第8図に示されるように
、ブランクスの付着していない半田30があらかじめ取
り付けられている。前記半田30は、最初にφ125μ
mの光ファイバ16よりも僅かに太いダミー31、たと
えば、φ150μmのピアノ線を位置決め固定体17に
挿入させ、この状態で、位置決め固定体17の調整軸2
8の先端に半田を付着させ、その後、第8図に示される
ように、前記ダミー31であるピアノ線を抜き取り、か
つ超音波洗浄等によって付着しているフラックス等を除
去することによって形成する。なお、この半田30の形
成方法は、前記ファイバガイド4のインナーガイド26
の先端のはす部分に設ける場合にも同様にして行われる
Further, the tip of the adjustment shaft 28 is cut into a bevel and has an inclined surface in order to increase the bonding area for fixing the optical fiber 16 to the adjustment shaft 28. Also,
As shown in FIG. 8, solder 30 to which no blank is attached is attached in advance to this cross-cut portion. The solder 30 is initially φ125μ
A dummy 31 that is slightly thicker than the optical fiber 16 of m, for example, a piano wire with a diameter of 150 μm, is inserted into the positioning fixture 17, and in this state, the adjustment shaft 2 of the positioning fixture 17 is inserted into the positioning fixture 17.
8, and then, as shown in FIG. 8, the piano wire serving as the dummy 31 is pulled out, and the attached flux and the like are removed by ultrasonic cleaning or the like. Note that this method of forming the solder 30 is based on the inner guide 26 of the fiber guide 4.
This is done in the same way when it is provided on the beveled part of the tip.

一方、前記位置決め固定体17の先端、すなわち、調整
軸28の先端延長線上の搭載部12上には、サブマウン
ト32がフラックスレスの低融点半田、たとえば、Pb
−3n−Inからなる半田で固定される。前記サブマウ
ント32は、熱伝導度が高くかつ熱膨張係数αがSiや
化合物半導体に近似した絶縁性の5iC(α:3.7X
lO−bloC)で構成されている。また、第9図に示
されるように、前記サブマウント32の主面には、導電
性のメタライズ層33が設けられている。そして、この
メタライズ層33上には、それぞれAu−5n共晶層3
4.35を介してそれぞれ独立してレーザダイオードチ
ップ15およびAuからなるペデスタル36が固定され
ている。したがって、前記レーザダイオードチップ15
の下部電極はメタライズ層33を介して前記ペデスタル
36と電気的に接続されている。前記レーザダイオード
チップ15は、第9図に示されるように、レーザ光37
を出射する共振器38がサブマウント32から遠く離れ
る、いわゆるp−upの状態でサブマウント32に固定
されている。また、前記レーザダイオードチップ15の
上面の電極は2本のワイヤ20によって搭載部12に電
気的に接続されるとともに、前記ペデスタル36とリー
ド6とは、第2図および第3図に示されるように、2本
のワイヤ20で電気的に接続される。これは、前記レー
ザダイオードチップ15の上部電極の搭載部12との接
続、ペデスタル36とり−ド6とのワイヤ20による接
続は、この光電子装置にあっては、レーザダイオードチ
ップ15をドライブする側を高速トランジスタの関係か
らマイナスとして使用するための極性変更のためである
。なお、前記レーザダイオードチップ15はサブマウン
ト32に搭載された状態で搭載部12上に固定される。
On the other hand, on the distal end of the positioning fixing body 17, that is, on the mounting portion 12 on the extension line of the distal end of the adjustment shaft 28, a submount 32 is soldered with fluxless low melting point solder, for example, Pb.
It is fixed with solder made of -3n-In. The submount 32 is made of insulating 5iC (α: 3.7×
It is composed of lO-bloC). Further, as shown in FIG. 9, a conductive metallized layer 33 is provided on the main surface of the submount 32. Then, on this metallized layer 33, an Au-5n eutectic layer 3 is provided.
A laser diode chip 15 and a pedestal 36 made of Au are fixed independently through 4.35. Therefore, the laser diode chip 15
The lower electrode is electrically connected to the pedestal 36 via the metallized layer 33. The laser diode chip 15 emits a laser beam 37, as shown in FIG.
A resonator 38 that emits light is fixed to the submount 32 in a so-called p-up state, which is far away from the submount 32. Further, the electrode on the upper surface of the laser diode chip 15 is electrically connected to the mounting portion 12 by two wires 20, and the pedestal 36 and the lead 6 are connected as shown in FIGS. 2 and 3. are electrically connected to each other by two wires 20. In this optoelectronic device, the connection of the upper electrode of the laser diode chip 15 to the mounting portion 12 and the connection of the pedestal 36 to the lead 6 by the wire 20 are connected to the side that drives the laser diode chip 15. This is to change the polarity so that it can be used as a negative because of the high speed transistor. Note that the laser diode chip 15 is fixed on the mounting portion 12 while being mounted on the submount 32.

また、この実施例の光電子装置では、レーザダイオード
チップ15をヒートシンク14の中心線から外して一方
に偏らせている。これは、前記ペデスタル36とリード
6との間に張られるワイヤ20の長さを短くするためで
あり、ワイヤ20の長さを短くすることによって寄生イ
ンダクタンスの低減を図り、光電子装置を高周波域でも
安定して駆動させるためである。
Further, in the optoelectronic device of this embodiment, the laser diode chip 15 is offset from the center line of the heat sink 14 and biased to one side. This is to shorten the length of the wire 20 stretched between the pedestal 36 and the lead 6. By shortening the length of the wire 20, parasitic inductance is reduced, and the optoelectronic device can be used even in a high frequency range. This is for stable driving.

また、前記レーザダイオ−トチ、プ15がヒートシンク
14の中心線から外れ、かつ光ファイバ16を案内する
位置決め固定体17が中心線から外れていることから、
パッケージ本体サブアセンブリ部品のファイバ支持体4
の延長線上には位置決め固定体17は位置しなくなる。
Furthermore, since the laser diode torch 15 is off the center line of the heat sink 14 and the positioning fixture 17 for guiding the optical fiber 16 is off the center line,
Fiber support 4 of package body subassembly parts
The positioning fixing body 17 is no longer located on the extension line.

この結果、ファイバ支持体4から位置決め固定体17に
亘って延在する光ファイバ16を無理な力が加わらない
ように配設すると、第10図に示されるように、光ファ
イバ16は曲線を描いて延在することになる。このよう
に、光ファイバ16が固定される2点間で曲線を描いて
延在することは、温度変動に伴って固定2点間距離が変
化しても、光ファイバ16に無理な力が加わらなくなり
、通信に支障を来さなくなる。すなわち、固定2点間に
おいて光ファイバ16が直線的にビンと張った状態とな
っていると、熱膨張・熱収縮によって、前記光ファイバ
16の2個所の相対的位置関係が変化した場合、光ファ
イバ16に力が加わり、あるいは光ファイバ16が破断
したりするが、第1O図に示されるように、光ファイバ
16が曲線を描いて延在していることから、光ファイバ
16の2点間の間隔が常温状態のA点から高温状態のB
点に延びたりあるいはA点から低温状態の0点に縮んだ
りした場合、光ファイバ16は一点鎖線あるいは二点鎖
線で示すように屈曲して変化対応するため、光ファイバ
16に無理な応力が加わらなくなり、光ファイバ16の
損傷は防止できるようになる。
As a result, if the optical fiber 16 extending from the fiber support 4 to the positioning fixture 17 is arranged so that no excessive force is applied, the optical fiber 16 will draw a curved line as shown in FIG. It will be extended. In this way, the fact that the optical fiber 16 extends in a curved line between the two fixed points means that even if the distance between the two fixed points changes due to temperature fluctuations, no unreasonable force is applied to the optical fiber 16. This eliminates the problem of communication. In other words, if the optical fiber 16 is stretched linearly between two fixed points, if the relative positional relationship between the two points of the optical fiber 16 changes due to thermal expansion or contraction, the light A force is applied to the fiber 16 or the optical fiber 16 is broken, but since the optical fiber 16 extends in a curved line as shown in FIG. The interval is from point A at room temperature to point B at high temperature.
When the optical fiber 16 is extended to a point or shrunk from the point A to the zero point in a low temperature state, the optical fiber 16 bends as shown by a dashed line or a dashed double dotted line to accommodate the change, so that no unreasonable stress is applied to the optical fiber 16. Therefore, damage to the optical fiber 16 can be prevented.

また、前記ヒートシンク14の主面には受光素子18を
取り付けたチップキャリア39がAu−3n共晶層を介
して固定されている。前記チ・ノブキャリア39はセラ
ミックのブロックからなるとともに、その−側面(主面
)および上面に亘って素子固定用メタライズ層40およ
びワイヤ固定用メタライズ層41がそれぞれ設けられて
いる。受光素子18は前記素子固定用メタライズ層40
上にAu−3i共品層を介して固定されている。また、
この受光素子18の上面の電極と、前記ワイヤ固定用メ
タライズ層41とはワイヤ42で電気的に接続されてい
る。なお、前記チップキャリア39はチップキャリア3
9の矩形の一辺がヒートシンク14の一辺と一致するよ
うにヒートシンク14に固定されるため、受光素子18
の受光面は、レーザ光37に対して垂直とはならず1頃
斜する。
Further, a chip carrier 39 to which a light receiving element 18 is attached is fixed to the main surface of the heat sink 14 via an Au-3n eutectic layer. The chi-knob carrier 39 is made of a ceramic block, and is provided with an element fixing metallized layer 40 and a wire fixing metallized layer 41 over its lower side (principal surface) and upper surface, respectively. The light receiving element 18 is formed by the metallized layer 40 for fixing the element.
It is fixed on top with an Au-3i common layer interposed therebetween. Also,
The electrode on the upper surface of the light receiving element 18 and the wire fixing metallized layer 41 are electrically connected by a wire 42. Note that the chip carrier 39 is the chip carrier 3.
The light receiving element 18 is fixed to the heat sink 14 so that one side of the rectangle 9 coincides with one side of the heat sink 14.
The light-receiving surface is not perpendicular to the laser beam 37 but is oblique to the laser beam 37.

このため、受光素子18の受光面での反射光がレーザダ
イオードチップ15の出射面に戻らないことから、戻り
光による雑音の発生は防げる。
Therefore, since the light reflected from the light receiving surface of the light receiving element 18 does not return to the output surface of the laser diode chip 15, generation of noise due to the returned light can be prevented.

また、前記ヒートシンク14の支持部13の上面には、
ヒートシンク14の温度をモニターするサーミスタ19
がサーミスタ支持チップ43を介して固定されている。
Further, on the upper surface of the support portion 13 of the heat sink 14,
A thermistor 19 that monitors the temperature of the heat sink 14
is fixed via a thermistor support chip 43.

前記サーミスタ支持チップ43はセラミックプロ・ツク
からなるとともに、その表裏面に図示しないメタライズ
層を有している。
The thermistor support chip 43 is made of a ceramic block and has metallized layers (not shown) on its front and back surfaces.

そして、サーミスタ19はAu−3i共品層によってサ
ーミスタ支持チップ43の上面に固定される。この結果
、サーミスタ支持チップ43の露出するメタライズ層部
分はサーミスタ19の下部電極に導通状態となる。そこ
で、サーミスタ19の電極とり一部6との導通を図る場
合は、第2図および第3図に示されるように、所定のり
一部6とサーミスタ19の上部電極とが2本のワイヤ2
0で接続され、所定のり一部6とサーミスタ支持チップ
43のメタライズ層とが2本のワイヤ20で接続される
ことになる。また、前記ヒートシンク14には、第6図
に示されるように、窪み44あるいは孔45が設けられ
ている。これらの窪み44および孔45には、同図の二
点鎖線に示されるように、位置調整用レバー46等の先
端が入れられ、窪み44や孔45の周壁の一部を前記位
置調整用レバー46の支点として動かし、位置調整用レ
バー46の他端側で位置決め固定体17の調整軸28を
上下左右に塑性変形させて光ファイバ16との光軸合わ
せを行うようになっている。
The thermistor 19 is fixed to the upper surface of the thermistor support chip 43 by the Au-3i common layer. As a result, the exposed metallized layer portion of the thermistor support chip 43 becomes electrically connected to the lower electrode of the thermistor 19. Therefore, in order to establish electrical conduction with the electrode holding portion 6 of the thermistor 19, as shown in FIGS.
0, and the predetermined glue portion 6 and the metallized layer of the thermistor support chip 43 are connected by two wires 20. Further, the heat sink 14 is provided with a recess 44 or a hole 45, as shown in FIG. As shown by the two-dot chain line in the figure, the tip of a position adjustment lever 46 or the like is inserted into these recesses 44 and holes 45, and a part of the peripheral wall of the recess 44 or hole 45 is inserted into the position adjustment lever. The adjustment shaft 28 of the positioning fixing body 17 is plastically deformed vertically and horizontally at the other end of the position adjustment lever 46 to align the optical axis with the optical fiber 16.

このような構造のサブキャリア11のサブアセンブリは
、次の手順で行われる。最初にヒートシンク14の支持
部13に位置決め固定体17がフラックスレスの鑞接に
よって挿嵌固定される。つぎに、サーミスタ19が搭載
されたサーミスタ支持子・ノブ43が、Au−3n共晶
層によってヒートシンク14の支持部13上に固定され
る。つぎに、受光素子18を搭載したチップキャリア3
9がAu−3n共晶層によってヒートシンク14に固定
される。そして、最後にレーザダイオードチップ15を
搭載したサブマウント32がヒートシンク14の搭載部
12に固定され、第6図に示されるようなサブキャリア
11が製造される。
Subassembly of the subcarrier 11 having such a structure is performed in the following steps. First, the positioning fixing body 17 is inserted and fixed to the support portion 13 of the heat sink 14 by fluxless soldering. Next, the thermistor support/knob 43 on which the thermistor 19 is mounted is fixed onto the support portion 13 of the heat sink 14 by the Au-3n eutectic layer. Next, the chip carrier 3 on which the light receiving element 18 is mounted
9 is fixed to the heat sink 14 by an Au-3n eutectic layer. Finally, the submount 32 on which the laser diode chip 15 is mounted is fixed to the mounting portion 12 of the heat sink 14, and the subcarrier 11 as shown in FIG. 6 is manufactured.

つぎに、光電子装置を組み立てる場合は、最初に、前述
のようなサブアセンブリ部品およびペルチェ素子10.
光フアイバケーブル5.パッケージM8等の個別部品が
用意される。その後、パッケージ本体サブアセンブリ部
品のパッケージ本体7の底に固定された台座9上に、ペ
ルチェ素子lOがフラックスレスの半田47で固定され
る。その後、このペルチェ素子10上にサブキャリア1
1がフラックスレスの半田で固定される。つぎに、ペル
チェ素子リード20とリード6を接続する。
Next, when assembling an optoelectronic device, first the subassembly parts and the Peltier element 10.
Fiber optic cable5. Individual parts such as package M8 are prepared. Thereafter, the Peltier element IO is fixed with fluxless solder 47 on the pedestal 9 fixed to the bottom of the package body 7 of the package body subassembly component. After that, the subcarrier 1 is placed on this Peltier element 10.
1 is fixed with fluxless solder. Next, the Peltier element lead 20 and the lead 6 are connected.

続いて先端から所定長さに亘ってジャケントが除去され
た光フアイバケーブル5が前記ファイバガイド4および
位置決め固定体17に挿入されるとともに、先端はレー
ザダイオードチップ15の出射面の手前数十μmの位置
に静止させられる。この状態では、前記ファイバ支持体
4の外端の薄肉部分がカシメられる。この結果、光フア
イバケーブル5は、このカシメによってジャケット部分
が押し潰されるため仮固定される。つぎに、ファイバ支
持体4の内端の光フアイバ16部分が前記リング状のフ
ラックスレスの半田30の一時的な溶融によって固定さ
れる。
Next, the optical fiber cable 5 from which the jacket has been removed over a predetermined length from the tip is inserted into the fiber guide 4 and the positioning fixture 17, and the tip is inserted several tens of micrometers in front of the emission surface of the laser diode chip 15. be held still in position. In this state, the thin portion at the outer end of the fiber support 4 is caulked. As a result, the optical fiber cable 5 is temporarily fixed because the jacket portion is crushed by this caulking. Next, the optical fiber 16 portion at the inner end of the fiber support 4 is fixed by temporarily melting the ring-shaped fluxless solder 30.

つぎに、レーザダイオードチップ15.受光素子18.
サーミスタ19の電極と、リード6とを電気的にワイヤ
20を用いて接続する。この際、前記ワイヤ20の接続
は超音波ワイヤボンディングによって行われるが、ワイ
ヤ20のリード6の上端への接続時、リード6は補強板
22で補強されていることから、リード6が超音波ワイ
ヤボンディング時の振動につられて振動することがなく
、確実なワイヤボンディングが行えることになる。
Next, laser diode chip 15. Light receiving element 18.
The electrode of the thermistor 19 and the lead 6 are electrically connected using a wire 20. At this time, the wire 20 is connected by ultrasonic wire bonding, but when the wire 20 is connected to the upper end of the lead 6, since the lead 6 is reinforced with the reinforcing plate 22, the lead 6 is connected to the ultrasonic wire bonding. There is no vibration due to vibration during bonding, and reliable wire bonding can be performed.

つぎに、レーザダイオードチップ15を駆動させてレー
ザ光37を発光させ、このレーザ光37を光ファイバ1
6の先端から取り込んでレーザ光37の光強度を検出し
なからレーザダイオードチップ15と光ファイバ16の
光軸合わせを行う。
Next, the laser diode chip 15 is driven to emit a laser beam 37, and this laser beam 37 is connected to the optical fiber 1.
The optical axis of the laser diode chip 15 and the optical fiber 16 is aligned after detecting the light intensity of the laser light 37 taken in from the tip of the laser diode chip 6 .

この光軸合わせ時、第6図に示されるように、位置調整
用レバー46によって位置決め固定体17の調整軸28
を2次元的に塑性変形させることによって行われる。前
記調整軸28は塑性変形することから、光軸合わせ後は
戻り等がな(、末永く設定時の高い光結合状態を維持す
るようになる。
When aligning the optical axis, as shown in FIG.
This is done by plastically deforming the material two-dimensionally. Since the adjustment shaft 28 is plastically deformed, it does not return after the optical axis is aligned (and maintains the high optical coupling state at the time of setting for a long time).

つぎに、パッケージM8をパッケージ本体7の開口部に
鑞接等によって気密的に取り付けることによって、第4
図に示されるような光電子装置が組み立てられる。
Next, by attaching the package M8 to the opening of the package body 7 airtightly by soldering or the like, the fourth
An optoelectronic device as shown is assembled.

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
According to such an embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本発明によれば、光電子装置にあっては、ペルチ
ェ素子とパッケージ本体の底との間には熱伝導度がよい
銅タングステンからなる台座が介在されていることから
、ペルチェ素子の高温部側の熱放散が効率的に行え、効
果的にペルチェ素子上のサブキャリアを冷却できるため
、光電子装置が安定動作するという効果が得られる。
(1) According to the present invention, in the optoelectronic device, since the pedestal made of copper tungsten with good thermal conductivity is interposed between the Peltier element and the bottom of the package body, the Peltier element can be heated to high temperatures. Since heat dissipation on the side can be efficiently performed and the subcarriers on the Peltier element can be effectively cooled, the effect of stable operation of the optoelectronic device can be obtained.

(2)本発明の光電子装置にあっては、ペルチェ素子と
パッケージ本体の底との間に介在される台座は、ペルチ
ェ素子の電極板の熱膨張係数に近似した値を存する熱膨
張係数を有する銅タングステンによって構成されている
ため、熱サイクルをかけても、電極板と台座との間には
大きな熱応力は加わらず、台座と電極板を接続する半田
が疲労破壊するようなことはなくなり、接合の信頼度が
安定するという効果が得られる。
(2) In the optoelectronic device of the present invention, the pedestal interposed between the Peltier element and the bottom of the package body has a coefficient of thermal expansion that approximates the coefficient of thermal expansion of the electrode plate of the Peltier element. Since it is made of copper tungsten, even when subjected to thermal cycles, no large thermal stress is applied between the electrode plate and the pedestal, and the solder connecting the pedestal and electrode plate will not suffer fatigue failure. The effect of stabilizing the reliability of the joint can be obtained.

(3)上記(2)により、本発明の光電子装置にあって
は、ペルチェ素子を台座に固定する半田の劣化は起きな
いことから、半田の熱抵抗は小さくかつ一定するため、
冷却が安定し、光通信が安定して行えるという効果が得
られる。
(3) According to (2) above, in the optoelectronic device of the present invention, the solder that fixes the Peltier element to the pedestal does not deteriorate, so the thermal resistance of the solder is small and constant;
The effect is that cooling is stable and optical communication can be performed stably.

(4)本発明によれば、レーザダイオードチップ。(4) According to the invention, a laser diode chip.

受光素子、サーミスタ、光ファイバを案内する位置決め
固定体はヒートシンクに一体的に組み込まれてサブキャ
リアとなっている。また、パッケージ本体、フランジ、
リード、台座、ファイバガイドは一体となってパッケー
ジ本体サブアセンブリ部品となっている。したがって、
光電子装置の組立にあっては、このサブキャリアをバ・
7ケ一ジ本体サブアセンブリ部品に固定されたペルチェ
素子上に固定すること、前記サブキャリアの位置決め固
定体に固定された光ファイバとレーザダイオードチップ
との光軸合わせを行うことによって、重要部分の組立が
終了するため、高精度の組立が可能となるという効果が
得られる。
The light-receiving element, thermistor, and a positioning fixture that guides the optical fiber are integrated into the heat sink to form a subcarrier. In addition, the package body, flange,
The lead, pedestal, and fiber guide are integrated into a subassembly part of the package body. therefore,
When assembling optoelectronic devices, this subcarrier is
By fixing the laser diode chip on the Peltier element fixed to the seven-case main body subassembly, and by aligning the optical axis of the optical fiber and the laser diode chip fixed to the positioning fixing body of the subcarrier, important parts can be Since the assembly is completed, it is possible to assemble with high precision.

(5)上記(4)により、本発明によれば、2つのサブ
アセンブリ部品と数個の個別部品による組立によるため
、生産性が高くなるという効果が得られる。
(5) According to the above (4), according to the present invention, since the assembly is performed using two sub-assembly parts and several individual parts, it is possible to obtain the effect of increasing productivity.

(6)本発明の光電子装置は、その組立において、レー
ザダイオードチップと光ファイバとの光軸合わせは、サ
ブキャリアの位置決め固定体の首振り状の位置調整で行
われるため高精度の光軸合わせが行えるため、品質が裔
いという効果が得られる。
(6) During assembly of the optoelectronic device of the present invention, the optical axes of the laser diode chip and the optical fiber are aligned by oscillating position adjustment of the positioning fixing body of the subcarrier, resulting in highly accurate optical axis alignment. As a result, quality can be inherited.

(7)本発明の光電子装置は、レーザダイオードチップ
と光ファイバとの光軸合わせ時、位置決め固定体を位置
変動させるが、この位置変動は位置決め固定体の塑性変
形によって行われるため、塑性変形させた後は、元に戻
ったりすることもないので、常に設定時の光結合状態を
維持できることになり信頼性が安定するという効果が得
られる。
(7) The optoelectronic device of the present invention changes the position of the positioning fixture when aligning the optical axes of the laser diode chip and the optical fiber, but this positional variation is performed by plastic deformation of the positioning fixture. After this, the optical coupling state does not return to its original state, so the optical coupling state at the time of setting can always be maintained, resulting in the effect of stable reliability.

(8)本発明の光電子装置は、バ、ケージ内において、
光ファイバは固定2点間では曲線を描くように延在して
いることから、温度変動があっても、光ファイバはその
曲率を変えて延在するだけであることから光ファイバに
損傷が一切発生せず特性が安定する。
(8) The optoelectronic device of the present invention has the following characteristics in the cage:
Since an optical fiber extends in a curved manner between two fixed points, even if there is a temperature change, the optical fiber will only change its curvature and extend, so there will be no damage to the optical fiber. This does not occur and the characteristics are stable.

(9)本発明の光電子装置にあっては、レーザダイオー
ドチップが一方に偏って配設されているため、レーザダ
イオードチップとリードとの間に亘って張られるワイヤ
の長さが短くなり、高周波域での使用も安定する。
(9) In the optoelectronic device of the present invention, since the laser diode chip is arranged biased to one side, the length of the wire stretched between the laser diode chip and the lead is shortened, and the high frequency It is also stable for use in the area.

(10)上記(1)〜(9)により、本発明によれば、
所望温度で安定して動作する高精度な光電子装置を安価
に提供することができるという相乗効果が得られる。
(10) According to the above (1) to (9), according to the present invention,
A synergistic effect is obtained in that a highly accurate optoelectronic device that operates stably at a desired temperature can be provided at a low cost.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、第11図に示
されるように、台座9のフランジ3例の端を折り曲げて
、この折曲部分48をフランジ3側のパフケージ本体7
の周壁に密着させる構造とすれば、より放熱効果が増大
する。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, as shown in FIG.
If the structure is such that it is brought into close contact with the peripheral wall of the device, the heat dissipation effect will be further increased.

また、第12図に示されるように、本発明の光電子装置
は、フランジ3をパッケージ本体7の底側に設けるとと
もに、リード6をパッケージ本体7両側から突出させる
構造としても、前記実施例同様な効果が得られる。
Further, as shown in FIG. 12, the optoelectronic device of the present invention may have a structure in which the flange 3 is provided on the bottom side of the package body 7 and the leads 6 protrude from both sides of the package body 7, similar to the above embodiment. Effects can be obtained.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用光電子装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。
In the above description, the invention made by the present inventor is mainly applied to the manufacturing technology of optoelectronic devices for optical communication, which is the background field of application, but the invention is not limited thereto.

本発明は少なくとも半田を用いてペルチェ素子を台座に
固定する技術に適用できる他、接着材に固定した場合に
も同様の効果がある。
The present invention can be applied to a technique of fixing a Peltier element to a pedestal using at least solder, and also has similar effects when fixed to an adhesive.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

本発明の光通信用光電子装置にあっては、ペルチェ素子
とパッケージの底との間に介在される台座を、前記ペル
チェ素子のアルミナセラミックからなる電極板と熱膨張
係数が近似し、かつ熱伝導度が高い銅タングステンで構
成しているため、台座とペルチェ素子を接続する半田が
疲労破壊し難くなり、信乾性が高くなるとともに、熱伝
導性が良好となることから、熱放散性も安定し、安定し
た光通信が達成できる。
In the optoelectronic device for optical communication of the present invention, the pedestal interposed between the Peltier element and the bottom of the package has a coefficient of thermal expansion similar to that of the electrode plate made of alumina ceramic of the Peltier element, and has thermal conductivity. Since it is made of high-strength copper tungsten, the solder that connects the pedestal and the Peltier element is less likely to suffer fatigue damage, resulting in high reliability and good thermal conductivity, resulting in stable heat dissipation. , stable optical communication can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例による光電子装置におけるペ
ルチェ素子を半田を介して台atこ固定した状態を示す
拡大断面図、 第2図は同じく光電子装置の要部を示す斜視図、第3図
は同じくパッケージ蓋を取り除いた状態の平面図、 第4図は同じく光電子装置の断面図、 第5図は同じくパッケージ本体を示す斜視図、第6図は
同じくサブキャリアを示す斜視図、第7図は同じくサブ
キャリアにおけるヒートシンクの平面図、 第8図は同じく位置決め固定体の内端の半田リングを示
す断面図、 第′9図は同じくサブキャリアにおけるレーザダイオー
ドチップの搭載状態を示す斜視図、第10図は同、しく
光ファイバの固定状態を示す模式図、 第11図は本発明の他の実施例による光電子装置を示す
斜視図、 第12図は本発明の他の実施例による光電子装置を示す
斜視図である。 101.パッケージ、2・・・取付孔〜3・・・フラン
ジ、4・・・ファイバ支持体、5・・・光フアイバケー
ブル、6・・・リード、7・・・パッケージ本体、8・
・・パッケージ蓋、9・・・台座、10・・・ペルチェ
素子、11・・・サブキャリア、12・・・搭載部、1
3・・・支持部、14・・・ヒートシンク、15・・・
レーザダイオードチップ、16・・・光ファイバ、17
・・・位置決め固定体、18・・・受光素子、19・・
・サーミスタ、20・・・ワイヤ、21・・・絶縁性支
持体、22・・・補強板、23・・・ガイド孔、24・
・・支持体、24a・・・支持ブロック、25・・・ア
ウター支持体、26・・・インナー支持体、27・・・
電極板、28・・・調整軸、29・・・支持体軸、30
・・・半田、31・・・ダミー、32・・・サブマウン
ト、33・・・メタライズ層、34.35・・・Au−
5n共品層、36・・・ペデスタル、37・・・レーザ
光、38・・・共振器、39・・・チップキャリア、4
0・・・素子固定用メタライズ層、41・・・ワイヤ固
定用メタライズ層、42・・・ワイヤ、43・・・サー
ミスタ支持チップ、44・・・窪み、45・・・孔、4
6・・・位置調整用レバー、47・・・半田、48・・
・折曲部分。
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which a Peltier element in an optoelectronic device according to an embodiment of the present invention is fixed to a stand via solder, FIG. 2 is a perspective view showing the main parts of the optoelectronic device, and FIG. 4 is a sectional view of the optoelectronic device, FIG. 5 is a perspective view of the package body, FIG. 6 is a perspective view of the subcarrier, and FIG. 8 is a sectional view showing the solder ring at the inner end of the positioning fixing body; FIG. FIG. 10 is a schematic diagram showing a fixed state of the optical fiber, FIG. 11 is a perspective view showing a photoelectronic device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a schematic diagram showing a photoelectronic device according to another embodiment of the present invention. FIG. 101. Package, 2... Mounting hole to 3... Flange, 4... Fiber support, 5... Optical fiber cable, 6... Lead, 7... Package body, 8...
...Package lid, 9...Pedestal, 10...Peltier element, 11...Subcarrier, 12...Mounting section, 1
3... Support part, 14... Heat sink, 15...
Laser diode chip, 16... optical fiber, 17
... Positioning fixed body, 18... Light receiving element, 19...
- Thermistor, 20... Wire, 21... Insulating support, 22... Reinforcement plate, 23... Guide hole, 24...
... Support body, 24a... Support block, 25... Outer support body, 26... Inner support body, 27...
Electrode plate, 28...Adjustment shaft, 29...Support shaft, 30
...Solder, 31...Dummy, 32...Submount, 33...Metallization layer, 34.35...Au-
5n common product layer, 36... Pedestal, 37... Laser light, 38... Resonator, 39... Chip carrier, 4
0... Metalized layer for element fixing, 41... Metalized layer for wire fixing, 42... Wire, 43... Thermistor support chip, 44... Hole, 45... Hole, 4
6...Lever for position adjustment, 47...Solder, 48...
・Bending part.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、パッケージと、このパッケージ底上に固定される台
座と、この台座上に搭載されるペルチェ素子とを有する
電子部品であって、前記台座は前記ペルチェ素子の下部
電極板と熱膨張係数が近似した材質で構成されているこ
とを特徴とする電子部品。 2、前記台座は銅タングステンで構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子部品。 3、前記パッケージの底はコバールガラスで支持された
貫通状態のリードが配設されているとともに、前記台座
は銅タングステンで構成されかつ半田を介して前記ペル
チェ素子が固定されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の電子部品。 4、前記ペルチェ素子上にはレーザダイオードチップを
搭載したサブキャリアが固定されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の電子部品。
[Claims] 1. An electronic component comprising a package, a pedestal fixed to the bottom of the package, and a Peltier element mounted on the pedestal, the pedestal being a lower electrode plate of the Peltier element. An electronic component characterized by being made of a material with a coefficient of thermal expansion similar to that of the electronic component. 2. The electronic component according to claim 1, wherein the pedestal is made of copper tungsten. 3. The bottom of the package is provided with penetrating leads supported by Kovar glass, the pedestal is made of copper tungsten, and the Peltier element is fixed via solder. An electronic component according to claim 1. 4. The electronic component according to claim 1, wherein a subcarrier on which a laser diode chip is mounted is fixed on the Peltier element.
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