JPS62274274A - 光半導体素子試験装置 - Google Patents

光半導体素子試験装置

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Publication number
JPS62274274A
JPS62274274A JP11883986A JP11883986A JPS62274274A JP S62274274 A JPS62274274 A JP S62274274A JP 11883986 A JP11883986 A JP 11883986A JP 11883986 A JP11883986 A JP 11883986A JP S62274274 A JPS62274274 A JP S62274274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical semiconductor
heat plate
holes
substrate
units
Prior art date
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Pending
Application number
JP11883986A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Hishikari
功 菱刈
Denji Inagake
稲掛 伝治
Tadashi Kobayashi
正 小林
Shinichi Taya
田谷 信一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chino Corp
Original Assignee
Chino Corp
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Publication date
Application filed by Chino Corp filed Critical Chino Corp
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Publication of JPS62274274A publication Critical patent/JPS62274274A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [産業上の利用分野) この発明は、レーザーダイオードのような光半導体素子
の試験装置に関するものである。
〔従来の技術] 近年、レーザーダイオードのような光半導体素子は多方
面に使用されている。このため、製造工程において一度
に数百個、数千側という多数の素子を100℃近くまで
高温加熱し、素子の加熱前後の光出力特性等を測定し、
変化率の大きい不良品を選別する高温スクリーニング試
験等が必要となる。
[この発明が解決しようとする問題点]通常、この種の
試験装置は、光半導体素子、受光素子、測定回路部等よ
り構成され、たとえば恒温槽内に光半導体素子、受光素
子を対向して収納し、熱に弱い測定回路部を外部に設け
、配線により受光素子出力を測定回路部で測定している
この場合、試験する素子数に応じて、配線本数は、数百
本、数千本と非常に多くなってしまう問題点があった。
また、光半導体素子のみを第1の恒温槽に入れ、光ファ
イバによりその出力光を第2の恒温槽に入れ、光ファイ
バによりその出力光を第2の恒温槽内の受光素子に導き
、第1の恒温槽を高温とし、第2の恒温槽を常温とし、
受光素子出力を外部の測定回路部に導く方法もある。
この場合、恒温槽の構造がm雑なものとなってしまい、
また、配線本数も非常に多くなってしまう問題点があっ
た。
この発明の目的は、以上の点に鑑み、省配線を図り、小
型、安価、高信頼性の光半導体素子試験装置を提供する
ことである。
[問題点を解決するための手段) この発明は、複数の貫通孔を有し所定の温度とされるヒ
ートプレートの貫通孔の一方側から第1塁板ユニツトに
設けられたWI数の光半導体素子を挿入し、他方側から
光半導体素子からの光を受光する第2の基板ユニットに
設けられた複数の受光素子を挿入し、第2の基板ユニッ
トを冷却手段により冷却するようにした光半導体素子試
験装置である。
[実施例] 第1図は、この発明の一実13i例を示す構成説明図で
ある。
図において、複数のレーザーダイオードのような光半導
体素子LD1、LD2.・・・の出力光は、フォトダイ
オードのような受光素子PD1.PD2・・・で検出さ
れ、増幅器A1.A2、・・・で増幅され、切換スイッ
チ5W11.5W12、S W 21.5W22、・・
・を切換えることによりAPC(光出力を一定にして、
レーザーダイオードを流れる電流値を測定)とACC(
レーザーダイオードを流れる電流値を一定として、光出
力を測定)のいずれかに用いられる。
図では、APCで、増幅器1*A1、A2、・・・の出
力は、比較器C1、C2、・・・により光出力の設定信
号と比較され、トランジスタTr1、Tr2、・・・を
駆動し、光半導体素子L D 11.L D 2、・・
・の出力光が一定となるよう駆動・制御が行われ、リレ
ー等のスイッチ手段L1、L2、・・・を駆動信号によ
りスキャニングして順次駆動し、駆動電流11、I2、
・・・の電流値データが出力される。
また、ACCでは、比較器C1、C2、・・・により駆
動電流11、I2、・・・と駆動ff1l設定信号とが
比較されトランジスタTr 1、Tr 2、・・・を駆
動し、電1+11111.12.・・・が一定となるよ
う駆動・°制御が行われ、増幅器AI、A2、・・・の
光出力データがスイッチ手段Ll、L2.・・・を介し
て順次出力される。
そ′して、このような測定装置において、光半導体LD
I、LD2、・・・が一枚の第1の基板ユニット1に設
けられ、これに対向して受光素子PD1、PO2、・・
・が他の1枚の第2の基板ユニット占の一方の側に設け
られ、この基板ユニット2の他方の側に増幅器A1、A
2、・・・、比較器01、C2、・・・等の測定回路部
が設けられている。
第2図は、この発明のやや具体的な一実施例を示す一部
断面側面説明図、第3図は、正面説明図である。
図において、箱体3内に、ヒートプレート4が上方から
下方に立設され、このヒートプレート4に多数の貫通孔
4a、・・・が設けられている。このヒートプレート4
の貫通孔4a、・・・の一方側から第1の基板ユニット
1に設けられた複数の光半導C[子LD1、LD2、・
・・が挿入され、ヒートプレート4の貫・通孔4a、・
・・の他方側から光半導体LD1、LD2、・・・から
の光を受光する第2の基板ユニット2に設けられた複数
の受光素子PDI、PO2、・・・が挿入される。これ
ら、第1、第2の基板ユニット1.2は、信組が用意さ
れ、各々何十個かの光半導体素子LD1.LD2、・・
・受光素子PDI、PO2、・・・を含み、第1の基板
ユニット1、・・・は、把手1a、・・・を有し、ヒー
トプレート4の表面に着脱可能とされ、第2の基板ユニ
ット2、・・・は、ヒートプレート4の裏面側の一定位
置に設けられている。
そして、各第2の基板ユニット2に測定回路部5、・・
・が設けられてめり、各第1のW坂ユニット1、・・・
と第2の基板ユニット2、・・・とは、ケーブル5a、
・・・で接続され、8第2の基板ユニット2、・・・間
は、ケーブル6bで接続され、箱体3の下部の制御部7
と接続している。これらケーブル6a16b、・・・を
通じて、第1図で示した設定信号、駆動信号、出力信号
等が入出力される。また、箱体3の前面には開閉113
a 、上部に外部エアAを吸い込み、第2の基板2、・
・・を冷却する冷却手段としての空冷ファン3b、下部
に第2の基板2、・・・付近を通過したエアAを排出す
る開口3Cが設けられている。
第4因は、要部の詳l1iJ2明図を示す。ヒートプレ
ート4は、熱伝導の良好な金属ブロック4bの両面に熱
伝導の悪い材質の板材4Cを設け、貫通孔4aに円筒状
の絶縁部材4dを設け、金属ブロック4bには、ヒータ
8が設けられている。
第1の基板ユニット1は、全体が薄い直方体状とされ、
内部のプリント基板1b上に複数のソケット1Cを設け
、このソケット1cの先端部に光半導体素子LDI、・
・・を装着し、把手1aと反対側のソケット1Cが突出
した当接板1dをヒートプレート4の板材4Cの表面に
当接させ、ソケット1Cを貫通孔4aに挿入する。また
、このとき、ヒートプレート4の突起部4Cが第1のプ
リント基板ユニット1の受は部1eの回部に嵌合し、第
1の基板ユニット1がヒートプレート、4に着脱可能と
される。また、プリント板1bのコネクタ1tがヒート
プレート4側のコネクタ4fと接続される。
第2の基板ユニットには、一方の側に受光素子PD1、
・・・の足部2a・・・が接続され、この受光素子PD
1、・・・が突出した当接板2bをヒートプレート4の
板材4Cに当接させ、受光素子PC)1、・・・を貫通
孔4Cに挿入させた状態におく。コネクタ4fからのケ
ーブル6aは、第2の基板ユニット2に接続され、ケー
ブル6bを介して信号の入出力が行われる。
このように、光半導体LD1、・・・受光素子PD1、
・・・をヒートプレート4に装着し、ヒータ8に電力を
供給して所定のスクリーニング温度に劃−し、たとえば
、プログラム制御し、光半導体素子LD1.・・・のス
クリーニング試験を行う。受光素子PD1、・・・には
熱に強いものを用い、また!!2の基板ユニット2の測
定回路部5は、空冷ファン3bにより冷却されるので劣
化等の心配はない。
以上の例では、スクリーニング試験の例について述べた
が、エージング試験、開発素子の加熱試験等の各種加熱
試験にも適用できる。
[発明の効果1 以上述べたように、この発明は、恒温槽等を用いず、ヒ
ートプレートを用いているので、小型、コンパクトのも
のとなり、温度分布、安定性も良好なものとなる。また
、光半導体素子、受光素子は、ヒートプレートの貫通孔
に位置決めされて挿入されるので、互いの位置ずれが少
く、安定した高精度の測定・試験が可能となる。また、
各ユニットは、保持板でヒートプレートに@着するので
熱の逃げも少い。また、第1の基板ユニットは、換等は
迅速、容易なものとなる。また、測定回路部は、第2の
基板ユニットに設けられ、冷却手段により冷却されてい
るので劣1ヒのおそれはなく、また、第1の基板ユニッ
ト、ヒートプレートに近接させて設けられているので配
線の引き回しは、少く、小型、高゛信頼性のものとなる
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図、第4図は、この発明の一実施
例を示す構成説明図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数の貫通孔を有し所定の温度とされるヒートプレ
    ートと、このヒートプレートの貫通孔の一方から挿入さ
    れる複数の光半導体素子が設けられた第1の基板ユニッ
    トと、前記ヒートプレートの貫通孔の他方側から挿入さ
    れ前記光半導体素子からの光を受光する複数の受光素子
    が設けられるとともに測定回路部が設けられた第2の基
    板ユニットと、この第2の基板ユニットを冷却する冷却
    手段とを備えたことを特徴とする光半導体素子試験装置
    。 2、前記第1の基板ユニットは、ヒートプレートに着脱
    可能な構成とされたことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の光半導体素子試験装置。 3、前記ヒートプレート、第1の基板、第2の基板は、
    箱体内に立設して収納され、箱体の上部に冷却手段とし
    て空冷ファンを設けたことを特徴とする特許請求の範囲
    1項または第2項記載の光半導体素子試験装置。
JP11883986A 1986-05-23 1986-05-23 光半導体素子試験装置 Pending JPS62274274A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013257266A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Sharp Corp バーンイン装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59222774A (ja) * 1983-06-02 1984-12-14 Shin Nippon Denko Kk 発光素子用試験装置

Patent Citations (1)

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