JPS62269406A - 表面波装置の周波数調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分！１Ｆ） この発明は、表面波基板上に薄膜を形成し〔表面波装置
の周波数調整を行なう方法に関するものである。

（発明の概要） この発明は、表面波装置の周波数調整方法におい〔、真
空蒸１１法により表面波基板上に８１０＃膜を形成し、
その形成されるＭＸ曜を変えることにより、表面波装置
の周波数調整を行なおうとするものである。

（従来の技術） 表面波装置においＣ１電甑形成後に周波数調整を行なう
ことは、実用上、はとんど不可能であるとされＣいた。

なぜなら、周波数特性は、表面波伝搬速度（音速）に１
〜存するが、この請求は表面波基板の材料によつＣ決ま
つＣしまうからである。

なお、表面波基板上に薄膜を形成することにより、表面
波装置の周波数特性が変わることが知られ〔いるが、こ
れは、わずかに実験室レベルの規模でしか実施されＣお
らず、未だ実用化には至つ〔いない。

上述した周波数調整のために用いられる薄膜材料とし〔
は、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂などの有機材料
％　８１０　＠　ｅ　Ａ　ｌ！　ｘ　Ｏ３などの無機材
料がある。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上水の材料を用い〔の薄膜形成には、以
下のような欠点があった。

まず、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂などの有機薄
膜は、膜形成につい〔は容易であるが、この薄膜により
表面波が吸収、ダンピングされ、結果としＣ表面波の伝
播損失および変換損失が大きくなるとともに、有機溶剤
に溶けやすいという欠点がある。

他方、５ｉ０１　、　Ａｔ’ｚ　Ｏｓなどの無機薄膜は
、有機溶剤に溶けにくく、表面波基板の底面加工処理後
の洗浄が容易であるが、膜形成にスパッタリング法を用
いなければならず、装置が大形化されるとともに、長時
間を要するという欠点を有しＣいる。

また、膜厚に対する周波数シフト量もいまひとつ不十分
であった。

そこで、この発明は、上−水の従来技術の欠点を解消し
、簡単に薄膜形成ができ、薄膜形成による伝搬損失およ
び変換損失も少なく、有機溶剤に強く、シかも周波数シ
フト量の大きい薄膜形成による表面波装置の周波数４Ａ
整方法を提哄するものである。

（問題点を解決するだめの手段） 表面波基板上に薄膜を形成しＣ表面波装置の周波数調整
を行なう方法におい〔、この発明では、薄膜としＣ真空
蒸弯法により形成されるＳｉＯ薄膜を用い、その形成さ
れる膜厚を変えることにより周波数調整を行なおうとす
るものである。

（発明の作用効果） この発明によれば、Ｓ１０粉末を真空蒸着することによ
り簡単に８１０薄膜を形成することができる。

このとき、適当なマスクを用いると、表面波装置の周波
数調整を所望する箇所にのみ選択的に薄膜を形成するこ
とが容易である。そしにの発明による１３ｉ０薄膜の場
合には、このようなマスクの裏側にまで回シ込むことが
ないことが確認されＣいるので、薄膜が形成される領域
を厳密に限定することができる。これらのことから、上
水したＳｉＯ薄膜を用いることにより、膜厚が均一な簿
膜が得られ、真空蒸着装置のるつぼ加熱温度と時間を調
整するだけで膜厚の制御が可能となる。表面波装置の周
波数は、この膜１蓼に依存し、膜厚を変えることにより
、周波数調整ができる。このようなことから、所望の周
波数からずれた表面波装置にこの発明を適用すれば、製
造される表面波装置の量品率を大幅に向上させることが
できる。

また、上−へし九８１０薄膜は、前水したＳｉｎ、薄膜
に比べ（、［形成が極めＣ容易であるだけでなく、周波
数シフト駄が大きく、薄い膜厚で所望の周波数調整を行
なうことができる。

また、上述したＳｉＯ薄膜は、はとんどの有機溶剤によ
つ〔侵されることがないので、表面波装置の有機溶剤に
よる洗浄や樹脂モールドを問題なく行なうことができる
。

（実施例） 第１図は、表面波基板１上にＳｉＯ薄膜を、真空蒸着法
によ膜形成する状態を図解しＣいる。真空蒸着装置ｔ２
内に設置される表面波基板１には、図示されないが、既
にインターディジタル電属や端子電極が形成されＣいる
。表面波基板１上には、たとえばステンレスからなるマ
スク６が配・書される。これによつＣ１薄膜の形成は、
マスク３の富４が形成された部分に限定される。第１図
に示す表面波基板１は、後で切断しＣＭ数個の表面波装
置を得ることが意図され°ＣいＣ１各窓４に対応し〔１
個の表面波装置が得られる。Ｂ４の形伏および大きさは
、表面波装置に含まれる端子電極に薄膜が形成されない
ように考慮される。

蒸着装ｆ２内には、モリブデンあるいはタンタルで構成
された、るつぼ５が設けられＣおり、このるつぼ５内に
ＳｉＯ扮末６を入れ、るつぼ５に例えば２５ムの電流を
約２５分間通電しＣ１２００Ｃ〜１３００′ｃに加熱し
、５ｉｎｉ末６を蒸発させＣ表面波基板１表面にＳｉＯ
薄膜を形成する。このとき表面波基板１はハロゲンラン
プ７により照射しＣ９０′ｃ〜１６０Ｃに加熱し〔おく
。形成される８１０薄膜の厚みは、蒸着時間により容易
に調整することができる。

第２図は、得られた表面波装置の一例とじＣの、表面波
フィルタの一部を断面図で示したものである。ここに例
示した表面波フィルタは、ガラス等の誘電体基板８上に
ＺｎＯなどの圧１薄膜９を形成しＣ表面波基板１を構成
したものである。誘電体基板８上には、インターデイジ
タルトランスデュ−ザ（よりＴ）ｉＱ　が形成されＣい
る。圧電薄膜９上には、ＳｉＯ薄、貞１１が形成されＣ
いる。ｔの模１象 ｌｉｈ”で現わされる。

第６図は、表面波フィルタの６ｄＢバンド幅の中心周波
数１０　（５６，５ＭＨ，ａ　）に対する入定化量の、
ｓ　ｔｏ　ｌ、、１（１１のｄ、ｌｌｈへの依存性を示
すグラフである。なお、比較列としく、５ｉＯＷｉ膜１
１に代え（ｓｉ、ｏ、薄膜を形成した場合も併せＣ示さ
れＣいる０ 第６図を参照することにより、この発明にかかる６１０
薄膜１１によれば、挿入損失をあまり増加させることな
く、中心周波数ｆ、を増加させることができる。たとえ
ば、この発明によるＳｉＯ薄ｊ漠では、〕Ｊみ１μｍで
中心周波数！、全３５ＱＫＨｚ増加させることができる
のに対し、ＳｉＯ，、薄膜では、２８０ＫＨｚ　しか増
加させることができない。

なお、工場規模の実施においＣは、表面波装置の周波数
特性は、同一ロット内ではほとんどばらつかず、異なる
ロット間で大きくばらつくことが知られＣいる。したが
つＣ１各ロット単位で周波数特性を測定しＣ１その測定
結果から、所望の周波数特性を得るだめのこの発明によ
るＳｉＯ薄膜の・Ｊみが設定される。そし〔、所定の厚
みのこの晴間によるＳｉＯ薄膜を形成するための蒸着条
件が決定され、同一ロット内のものに対しＣは、共通の
蒸着条件で薄膜形成工程が実施される。

また、このｑ明が適用される表面波装置とじては、上−
会したようなフィルタには限らない。その他、表面波共
振器、表面波共振器、遅延線などにも同様に適用す能で
ある。

さらに、この発明によるＳｉＯ薄膜１１が形成される領
域は、表面波基板１上の端子電極が形成された領域を除
く全領域であつＣもよいが、一部だけでもよい。たとえ
ば、表面波共ｔｉ器の場合、インターディジタルトラン
スデユーサの部分タケにこの発明によるＳｉＯ薄ＩＩを
設けＣも、リルクタの部分だけに８１０薄膜を設けＣも
、あるいは両方に設けＣもよい。

さらに、ｔた、表面波基板１の構造は、第２図に示した
ものには限らない。たとえば、ＰＺＴ、　　ニオブ酸リ
チウムなどの圧電単結晶材料を用いた表面波基板であつ
Ｃも、圧電セラミックからなる表面波基板でありＣもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例によるＳｉＯ薄膜を形成
するための工程を図解したものである。 第２図は、この発明によるＳ１０薄膜１１が表面波基板
１上に形成された状態を示す表面波フィルタの断面図で
ある。第３図は、表面波フィルタの６（ＬＢバンド幅中
心周波数ｆｏ　（５６，５ＭＨＨ）におけるｆ。 変化量の膜ｒ１に対する依存性を、この発明によるＳｉ
Ｏ薄模と従来のＳｉＯ、薄膜との比較で示したグラフで
ある。 図においＣ１１は表面波基板、１１はこの発明による５
ｉ０４膜である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　表面波基板上に薄膜を形成し表面波装置の周波数調整
   を行なう方法において、 前記薄膜として、真空蒸着法により形成されるＳｉＯ薄
   膜を用い、その形成される膜厚を変えることにより周波
   数調整を行なうことを特徴とする表面波装置の周波数調
   整方法。