JPS6226570B2 - - Google Patents
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- JPS6226570B2 JPS6226570B2 JP10421779A JP10421779A JPS6226570B2 JP S6226570 B2 JPS6226570 B2 JP S6226570B2 JP 10421779 A JP10421779 A JP 10421779A JP 10421779 A JP10421779 A JP 10421779A JP S6226570 B2 JPS6226570 B2 JP S6226570B2
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- light absorption
- gaas
- epitaxial
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- Expired
Links
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多数の発光ダイオードからなり図形文
字等を表示する素子の製造に適した化合物半導体
エピタキシヤルウエハに関する。
字等を表示する素子の製造に適した化合物半導体
エピタキシヤルウエハに関する。
多数の発光ダイオードからなる表示素子、例え
ば、7行5列(5×7)の発光ダイオードからな
るドツトマトリツクス表示素子は簡単な図形数
字、仮名文字、欧字等の表示に用いられる。
ば、7行5列(5×7)の発光ダイオードからな
るドツトマトリツクス表示素子は簡単な図形数
字、仮名文字、欧字等の表示に用いられる。
これらの表示素子のうち、小形のものは、モノ
リシツク型が多い。しかしながらGaP単結晶基板
を用いた緑色、黄色、橙色、赤色等の発光ダイオ
ードの場合、単結晶基板、エピタキシヤル層とも
に可視光に対して透明度の高いGaP、GaAs1-x px
(0.5≦x≦1)等が用いられるため、発生した光
の一部が上記表示素子の背面で反射した後表面か
ら放射されるため、表示された図形等の輪郭がに
じみ、不鮮明になり、またクロストークが発生す
るという問題点があつた。
リシツク型が多い。しかしながらGaP単結晶基板
を用いた緑色、黄色、橙色、赤色等の発光ダイオ
ードの場合、単結晶基板、エピタキシヤル層とも
に可視光に対して透明度の高いGaP、GaAs1-x px
(0.5≦x≦1)等が用いられるため、発生した光
の一部が上記表示素子の背面で反射した後表面か
ら放射されるため、表示された図形等の輪郭がに
じみ、不鮮明になり、またクロストークが発生す
るという問題点があつた。
本発明者等は、上記の問題点を解決するために
鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達したもので
ある。
鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達したもので
ある。
本発明の目的はGaP単結晶基板上に光吸収層及
びGaAs1-x px(0.5≦x≦1)からなる動作層を
エピタキシヤル成長させてなる新規な化合物半導
体エピタキシヤルウエハを提供することである。
びGaAs1-x px(0.5≦x≦1)からなる動作層を
エピタキシヤル成長させてなる新規な化合物半導
体エピタキシヤルウエハを提供することである。
本発明の上記の目的は、GaP単結晶基板上に
GaAs1-xPx(0.5≦x≦1)からなる動作層をエ
ピタキシヤル成長させてなる化合物半導体エピタ
キシヤルウエハにおいて、上記GaP単結晶基板と
上記動作層の間にGaAs1-yPy(x>y≧0)から
なる光吸収層が形成されているウエハによつて達
せられる。
GaAs1-xPx(0.5≦x≦1)からなる動作層をエ
ピタキシヤル成長させてなる化合物半導体エピタ
キシヤルウエハにおいて、上記GaP単結晶基板と
上記動作層の間にGaAs1-yPy(x>y≧0)から
なる光吸収層が形成されているウエハによつて達
せられる。
本発明に係るエピタキシヤルウエハを図面に基
づいて説明する。第1図は本発明に係るエピタキ
シヤルウエハの縦断面図である。第1図におい
て、1はGaP単結晶基板である。該基板の表面は
(100)面、または(100)面に対して5゜以内の
傾き(off−angle)を有する面が適当である。2
はGaPエピタキシヤル層、いわゆるプライマー層
である。3は混晶率が1、すなわちGaPからy、
すなわち後記する光吸収層4の混晶率まで連続的
に変化する層である。層3は混晶率の相違に起因
する結晶欠陥を最小限に抑制するために設けられ
た層である。4は光吸収層である。光吸収層4は
pn接合で発生する光を充分に吸収する層、すな
わち、禁止エネルギー間隔が動作層の禁止エネル
ギー間隔よりも充分に小さい層であることが必要
である。したがつて、層4を形成するGaAs1-yPy
混晶層の混晶率yは、後記する動作層6を形成す
るGaAg1-xPx混晶層の混晶率xよりも小さいこと
が必要である。例えば、動作層が緑色発光ダイオ
ードの製造に用いられるNドープGaPエピタキシ
ヤル層の場合、光吸収層は混晶率yが0.6以下が
好ましい。また橙色、黄色系発光ダイオードの製
造に用いられる、可視光に対して透明度の高い
GaP単結晶基板上に成長させたGaAs1−xpx
(0.5≦x≦1)エピタキシヤル層を動作層とする
場合、発光波長が緑色発光ダイオードに比較して
長いため光吸収層の混晶率yは0.5以下とするこ
とがより好ましい。5は光吸収層4と下記動作層
6の間に設けられた第2の勾配層である。上記勾
配層5の結晶率は光吸収層4の値から動作層6の
値まで連続的に変化させる。6は動作層である。
動作層6の混晶率は所望の発光波長が得られる値
に設定される。7はN(窒素)ドープ動作層であ
る。層6及び7を形成する混晶率xが0.5よりも
大きいGaAs1−xpxは間接遷移型であるため発
光能率を大きくするためにアイソエレクトロニツ
クトラツプ(Iso−electronic Trap)として窒素
がドープされる。pn接合は層7中に形成され
る。
づいて説明する。第1図は本発明に係るエピタキ
シヤルウエハの縦断面図である。第1図におい
て、1はGaP単結晶基板である。該基板の表面は
(100)面、または(100)面に対して5゜以内の
傾き(off−angle)を有する面が適当である。2
はGaPエピタキシヤル層、いわゆるプライマー層
である。3は混晶率が1、すなわちGaPからy、
すなわち後記する光吸収層4の混晶率まで連続的
に変化する層である。層3は混晶率の相違に起因
する結晶欠陥を最小限に抑制するために設けられ
た層である。4は光吸収層である。光吸収層4は
pn接合で発生する光を充分に吸収する層、すな
わち、禁止エネルギー間隔が動作層の禁止エネル
ギー間隔よりも充分に小さい層であることが必要
である。したがつて、層4を形成するGaAs1-yPy
混晶層の混晶率yは、後記する動作層6を形成す
るGaAg1-xPx混晶層の混晶率xよりも小さいこと
が必要である。例えば、動作層が緑色発光ダイオ
ードの製造に用いられるNドープGaPエピタキシ
ヤル層の場合、光吸収層は混晶率yが0.6以下が
好ましい。また橙色、黄色系発光ダイオードの製
造に用いられる、可視光に対して透明度の高い
GaP単結晶基板上に成長させたGaAs1−xpx
(0.5≦x≦1)エピタキシヤル層を動作層とする
場合、発光波長が緑色発光ダイオードに比較して
長いため光吸収層の混晶率yは0.5以下とするこ
とがより好ましい。5は光吸収層4と下記動作層
6の間に設けられた第2の勾配層である。上記勾
配層5の結晶率は光吸収層4の値から動作層6の
値まで連続的に変化させる。6は動作層である。
動作層6の混晶率は所望の発光波長が得られる値
に設定される。7はN(窒素)ドープ動作層であ
る。層6及び7を形成する混晶率xが0.5よりも
大きいGaAs1−xpxは間接遷移型であるため発
光能率を大きくするためにアイソエレクトロニツ
クトラツプ(Iso−electronic Trap)として窒素
がドープされる。pn接合は層7中に形成され
る。
基板1及びエピタキシヤル層2〜7は通常は
Si、S、Te等をドープしたn型である。したが
つて上記ウエハにZn等のp型不純物を拡散また
はイオン注入することにより発光ダイオードが形
成される。また各発光ダイオード間に分離層
(Isolation層)を形成することにより、例えば7
セグメント表示素子、5×7ドツトマトリツクス
表示素子等を製造することができる。
Si、S、Te等をドープしたn型である。したが
つて上記ウエハにZn等のp型不純物を拡散また
はイオン注入することにより発光ダイオードが形
成される。また各発光ダイオード間に分離層
(Isolation層)を形成することにより、例えば7
セグメント表示素子、5×7ドツトマトリツクス
表示素子等を製造することができる。
本発明にかかるウエハを用いることにより、に
じみ及びクロストークの少ない優れた表示素子を
製造することができ産業上の利用価値は極めて大
である。
じみ及びクロストークの少ない優れた表示素子を
製造することができ産業上の利用価値は極めて大
である。
次に本発明ウエハーの製造例に基づいて本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
製造例
鏡面研摩、洗浄済の厚さ280μmのSドープn
型GaP(n型キヤリアー濃度3×1017/cm3)単
結晶基板(表面の面方位は(100)面に対して<
110>方向へ5゜傾いた面)及び高純度Ga入り石
英ボートを内径70mm長さ100cmの水平エピタキシ
ヤル反応器内に設置した。Arガスを上記反応器
に導入して空気を充分に置換除去した後、Arの
供給を停止して高純度H2ガスをキヤリアーガス
として毎分2000ml/分導入しながら昇温を開始し
た。
型GaP(n型キヤリアー濃度3×1017/cm3)単
結晶基板(表面の面方位は(100)面に対して<
110>方向へ5゜傾いた面)及び高純度Ga入り石
英ボートを内径70mm長さ100cmの水平エピタキシ
ヤル反応器内に設置した。Arガスを上記反応器
に導入して空気を充分に置換除去した後、Arの
供給を停止して高純度H2ガスをキヤリアーガス
として毎分2000ml/分導入しながら昇温を開始し
た。
Ga入り石英ボート及びGaP単結晶基板の温度
がそれぞれ750℃及び910℃で一定に保持されてい
ることを確認した後、H2Sを20ppm含有するN2ガ
スを20ml/分、Ga輸送用のHClガスを30ml/分及
びPH3を12%含有するH2ガスを200ml/分導入し
て第1図の層1に相当するGaPエピタキシヤル層
を15分間成長させた。
がそれぞれ750℃及び910℃で一定に保持されてい
ることを確認した後、H2Sを20ppm含有するN2ガ
スを20ml/分、Ga輸送用のHClガスを30ml/分及
びPH3を12%含有するH2ガスを200ml/分導入し
て第1図の層1に相当するGaPエピタキシヤル層
を15分間成長させた。
次に、H2Sを含有するN2及びHClの供給量を上
記の値に保つたまま、PH3を含有するH2の供給量
を30分間に100ml/分まで減少させ、一方AsH3を
12%含有するH2を0から100ml/分まで増加させ
て、混晶率が1から0.55まで連続的に変化する層
(第1図層3)を成長させた。
記の値に保つたまま、PH3を含有するH2の供給量
を30分間に100ml/分まで減少させ、一方AsH3を
12%含有するH2を0から100ml/分まで増加させ
て、混晶率が1から0.55まで連続的に変化する層
(第1図層3)を成長させた。
次に各成分の供給量を上記の値に保持して15分
間GaAs0.45P0.55エピタキシヤル層からなる光吸
収層4を成長させた。光吸収層4の成長が終了し
た後、AsH3を含有するH2ガスの供給量を30分間
に100ml/分から0まで減少させた。
間GaAs0.45P0.55エピタキシヤル層からなる光吸
収層4を成長させた。光吸収層4の成長が終了し
た後、AsH3を含有するH2ガスの供給量を30分間
に100ml/分から0まで減少させた。
また、同時にPH3の供給量を30分間に100ml/
分から200ml/分に増加させて第2の勾配層5を
形成した。層5を成長させた後GaPエピタキシヤ
ル層6を30分間成長させた。さらにNをドープす
るために高純度NH3を200ml/分導入してNドー
プGaPエピタキシヤル層7を30分間成長させて光
吸収層を有するGaPエピタキシヤルウエハの製造
を終了した。
分から200ml/分に増加させて第2の勾配層5を
形成した。層5を成長させた後GaPエピタキシヤ
ル層6を30分間成長させた。さらにNをドープす
るために高純度NH3を200ml/分導入してNドー
プGaPエピタキシヤル層7を30分間成長させて光
吸収層を有するGaPエピタキシヤルウエハの製造
を終了した。
上記ウエハを用いて製造した5×7ドツトマト
リツクス表示素子のクロストークは従来品の1/
5程度であつた。
リツクス表示素子のクロストークは従来品の1/
5程度であつた。
第1図は本発明に係るエピタキシヤルウエハの
縦断面図の1例である。 1…GaP単結晶基板、2…GaPエピタキシヤル
層、3…第1の勾配層、4…光吸収層、5…第2
の勾配層、6…動作層、7…Nドープ動作層。
縦断面図の1例である。 1…GaP単結晶基板、2…GaPエピタキシヤル
層、3…第1の勾配層、4…光吸収層、5…第2
の勾配層、6…動作層、7…Nドープ動作層。
Claims (1)
- 1 GaP単結晶基板上にGaAs1-xPx(0.5≦x≦
1)からなる動作層をエピタキシヤル成長させて
なる化合物半導体エピタキシヤルウエハにおい
て、上記GaP単結晶基板と上記動作層の間に
GaAs1-yPy(x>y≧0)からなる光吸収層が形
成されていることを特徴とするウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10421779A JPS5627918A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Compound semiconductor epitaxial wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10421779A JPS5627918A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Compound semiconductor epitaxial wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5627918A JPS5627918A (en) | 1981-03-18 |
JPS6226570B2 true JPS6226570B2 (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=14374784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10421779A Granted JPS5627918A (en) | 1979-08-16 | 1979-08-16 | Compound semiconductor epitaxial wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5627918A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63134178U (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | ||
US5456765A (en) * | 1992-06-09 | 1995-10-10 | Mitsubishi Kasei Corporation | Epitaxial wafer of gallium arsenide phosphide |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53136983A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | Mitsubishi Monsanto Chem | Method of producing electronic light emitting compound semiconductor |
-
1979
- 1979-08-16 JP JP10421779A patent/JPS5627918A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53136983A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-29 | Mitsubishi Monsanto Chem | Method of producing electronic light emitting compound semiconductor |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63134178U (ja) * | 1987-02-25 | 1988-09-02 | ||
US5456765A (en) * | 1992-06-09 | 1995-10-10 | Mitsubishi Kasei Corporation | Epitaxial wafer of gallium arsenide phosphide |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5627918A (en) | 1981-03-18 |
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