JPS62265575A - 暗電流補償装置 - Google Patents
暗電流補償装置Info
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- JPS62265575A JPS62265575A JP2343687A JP2343687A JPS62265575A JP S62265575 A JPS62265575 A JP S62265575A JP 2343687 A JP2343687 A JP 2343687A JP 2343687 A JP2343687 A JP 2343687A JP S62265575 A JPS62265575 A JP S62265575A
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- dark current
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放射検出装置における暗電流補償装置に関する
。
。
カメラの自動焦点回路のような光学装置においては、受
光量を測定するのに、特に電荷結合デバイス(以下CC
Dと呼ぶ)形の光検出器が広く使われている。
光量を測定するのに、特に電荷結合デバイス(以下CC
Dと呼ぶ)形の光検出器が広く使われている。
例えば、ノーマン・エル・スタウフア−の米国特許第4
.185.191号には複数の小レンズの後に複数のC
CDをベアにして配置したTTL (レンズ透過)形自
動焦点装置が記載されている。個々のCCDの出力の比
較により信号が作られ、この信号により装置はレンズに
対して適正な焦点位置を定めることができる。この装置
では個々の検出器に生じた電荷は取り出され、シフトレ
ジスタに転送され、上記米国特許に記載の方法で比較さ
れる。
.185.191号には複数の小レンズの後に複数のC
CDをベアにして配置したTTL (レンズ透過)形自
動焦点装置が記載されている。個々のCCDの出力の比
較により信号が作られ、この信号により装置はレンズに
対して適正な焦点位置を定めることができる。この装置
では個々の検出器に生じた電荷は取り出され、シフトレ
ジスタに転送され、上記米国特許に記載の方法で比較さ
れる。
ノーマン・エル・スタウフア−とテニス・ジエイ・ウィ
ルワーデイングの米国特許第4,249,073号、ジ
ェイムス・ディー・ジョセフとテニス・ジェイ・ウィル
ワーデイングの米国特許第4,250゜376号、ノー
マン・エル・スタウファートテニス・ジェイ・ウイルワ
ーデイングの米国特許第4+204.330号およびリ
チャード・エイ・ラングライス、フランシス・ティ・オ
ガワおよびテニス・ジエイ・ウィルワーディングの米国
特許第4,333.OQT号には一眼レフカメラでCO
D検出器を使用した自動焦点装置のさらに進んだものが
開示されている。
ルワーデイングの米国特許第4,249,073号、ジ
ェイムス・ディー・ジョセフとテニス・ジェイ・ウィル
ワーデイングの米国特許第4,250゜376号、ノー
マン・エル・スタウファートテニス・ジェイ・ウイルワ
ーデイングの米国特許第4+204.330号およびリ
チャード・エイ・ラングライス、フランシス・ティ・オ
ガワおよびテニス・ジエイ・ウィルワーディングの米国
特許第4,333.OQT号には一眼レフカメラでCO
D検出器を使用した自動焦点装置のさらに進んだものが
開示されている。
これらのすべての装置においては“暗電流”(dark
current)として知られる現象があり、この暗
電流は光センサが検知した光量とは関係なく、他の外囲
因子、熱が主たるものであるが、によって生ずるもので
ある。暗電流信号は検知光量による信号に重畳されるが
その値は検出器間で差はなくほぼ一定値である。したが
って、検出器の出力は必要な信号より大きいけれども、
検出した光量をなお表わしており、ある種の回路におい
ては暗電流信号成分が信号に含まれていても特別な問題
は生じない。しかしながら、ある電子装置(例えばA/
D変換器)においては最大入力容量があって、入力信号
がこれを超えると情報の欠損が生じ自動焦点検出の誤動
作となることが判っている。
current)として知られる現象があり、この暗
電流は光センサが検知した光量とは関係なく、他の外囲
因子、熱が主たるものであるが、によって生ずるもので
ある。暗電流信号は検知光量による信号に重畳されるが
その値は検出器間で差はなくほぼ一定値である。したが
って、検出器の出力は必要な信号より大きいけれども、
検出した光量をなお表わしており、ある種の回路におい
ては暗電流信号成分が信号に含まれていても特別な問題
は生じない。しかしながら、ある電子装置(例えばA/
D変換器)においては最大入力容量があって、入力信号
がこれを超えると情報の欠損が生じ自動焦点検出の誤動
作となることが判っている。
検出器からの信号の大きさを減らすには検出器の受光部
のサイズを減らせばよいが、そうすると装置の感度が低
下する。
のサイズを減らせばよいが、そうすると装置の感度が低
下する。
この問題のひとつの解決法は個々の信号から暗電流に相
当する信号値と減算して後入力容量に制限のある電子回
路に入力することである。
当する信号値と減算して後入力容量に制限のある電子回
路に入力することである。
今まではこの暗電流の大きさを決めることならびに自動
焦点回路の非常に速い動作の間に、この減算を行うこと
が困難であった。
焦点回路の非常に速い動作の間に、この減算を行うこと
が困難であった。
前記の特許に開示されているように、個々の検出器から
の信号はシフトレジスタに並列に入力され直列に出力さ
れる。実際のところではシフトレジスタからの最初のい
くつかのシフトは、“空バケット”シフトであって、こ
の中には検出した光量についての情報はなにも含まれて
いない。本発明はシフトレジスタからの“空バケット”
出力のひとつに装置に対する補償信号を供給することに
よって暗電流の問題を解決するものである。例へばシフ
トレジスタの3番目の“空バケット”が検出器の暗電流
を表わす電荷を有しているとすれば、他の放射検出信号
を含んだ各バケット出力が次段の高感度電子回路に入力
される前に、この3番目の信号値を減数値として利用す
ることができる。
の信号はシフトレジスタに並列に入力され直列に出力さ
れる。実際のところではシフトレジスタからの最初のい
くつかのシフトは、“空バケット”シフトであって、こ
の中には検出した光量についての情報はなにも含まれて
いない。本発明はシフトレジスタからの“空バケット”
出力のひとつに装置に対する補償信号を供給することに
よって暗電流の問題を解決するものである。例へばシフ
トレジスタの3番目の“空バケット”が検出器の暗電流
を表わす電荷を有しているとすれば、他の放射検出信号
を含んだ各バケット出力が次段の高感度電子回路に入力
される前に、この3番目の信号値を減数値として利用す
ることができる。
この処理をするひとつの方法は検出器を1個付加し、こ
れに対して入射線を遮断し、かつ、これを他の検出器と
同一の周囲条件下におくことによってこの検出器がシフ
トレジスタの3番目のバケットに入れる暗電流値を発生
させることである。ついでこの信号がシフトレジスタか
ら出て来たときに、その値を出力回路のフローテングゲ
イトによって形成されたサンプルホールド回路にストア
して、シフトレジスタからの他の信号値からこの値を減
算する。
れに対して入射線を遮断し、かつ、これを他の検出器と
同一の周囲条件下におくことによってこの検出器がシフ
トレジスタの3番目のバケットに入れる暗電流値を発生
させることである。ついでこの信号がシフトレジスタか
ら出て来たときに、その値を出力回路のフローテングゲ
イトによって形成されたサンプルホールド回路にストア
して、シフトレジスタからの他の信号値からこの値を減
算する。
第1図の従来の技術で見られるようなCCDシフトレジ
スタの最初の9ケのバケットの出力を示すグラフである
。矩形波10はバケット1〜9の内容を示している。図
示の通りそれぞれのバケットには装置内での一般的なノ
イズレベル(バックグランドノイズ)による小さい値の
電荷がある。
スタの最初の9ケのバケットの出力を示すグラフである
。矩形波10はバケット1〜9の内容を示している。図
示の通りそれぞれのバケットには装置内での一般的なノ
イズレベル(バックグランドノイズ)による小さい値の
電荷がある。
この小さな信号は基準レベルと称され一般的にすべての
バケットに対して等しい。通常この信号はシステム内で
補正され特に問題は生じない。スタート信号が与えられ
ると、第3図に関連して述べるように、COD検出器は
蓄えていた電荷をCCDに接続されているバケットへ移
す(この例では4.6および8のバケットが最初の3ケ
の検出器からの電荷を受は取る)。検出器の電荷はそれ
ぞれの検出器が受けた光量に対応するものだけではなく
、検出器に影響を及ぼすような周囲条件、主として温度
、によって生じた“暗電流°を含んでいる。通例として
最初の3ケのバケットは空にするがその個数は変えるこ
とができる。さらに空バケット信号のひとつを小さい基
準レベル電荷に対する出力の補正を行うのに使うことが
できる。更に詳述すれば第1図では、クロックサンプル
12に基準レベル信号を取り出したいときパルス14が
発生する(この例では第3バケツトにおいて)。
バケットに対して等しい。通常この信号はシステム内で
補正され特に問題は生じない。スタート信号が与えられ
ると、第3図に関連して述べるように、COD検出器は
蓄えていた電荷をCCDに接続されているバケットへ移
す(この例では4.6および8のバケットが最初の3ケ
の検出器からの電荷を受は取る)。検出器の電荷はそれ
ぞれの検出器が受けた光量に対応するものだけではなく
、検出器に影響を及ぼすような周囲条件、主として温度
、によって生じた“暗電流°を含んでいる。通例として
最初の3ケのバケットは空にするがその個数は変えるこ
とができる。さらに空バケット信号のひとつを小さい基
準レベル電荷に対する出力の補正を行うのに使うことが
できる。更に詳述すれば第1図では、クロックサンプル
12に基準レベル信号を取り出したいときパルス14が
発生する(この例では第3バケツトにおいて)。
すると3番目のバケットの電荷量はシフトレジスタで通
常行われているように基4ルベル信号を生ずるよう動作
する。
常行われているように基4ルベル信号を生ずるよう動作
する。
シフトレジスタは動作を続けるので第1の検出器は自己
の信号を矩形パルス16で示されているようにバケット
4の中に移す。そして第1図で見られるように、このパ
ルスは、暗電流レベルを表わす斜線部分18を含んでい
る。次のバケット5は空で、次に並んだ第2の検出器は
矩形パルス20で示されているようにその電荷をバケッ
ト6の中に移す。矩形パルス20もまた暗電流を示す部
分22を含んでいる。次のバケット7は空バケットであ
る。次に並んだ第3の検出器はその電荷をバケット8に
移すがこれも矩形パルス26が示すように暗電流を表わ
す斜線部分28をやはり含んでいる。最後にバケット9
も空である。勿論、連鎖になったバケットは多数あるが
筒車のため第1図では3ケの検出器の出力のみが示しで
ある。
の信号を矩形パルス16で示されているようにバケット
4の中に移す。そして第1図で見られるように、このパ
ルスは、暗電流レベルを表わす斜線部分18を含んでい
る。次のバケット5は空で、次に並んだ第2の検出器は
矩形パルス20で示されているようにその電荷をバケッ
ト6の中に移す。矩形パルス20もまた暗電流を示す部
分22を含んでいる。次のバケット7は空バケットであ
る。次に並んだ第3の検出器はその電荷をバケット8に
移すがこれも矩形パルス26が示すように暗電流を表わ
す斜線部分28をやはり含んでいる。最後にバケット9
も空である。勿論、連鎖になったバケットは多数あるが
筒車のため第1図では3ケの検出器の出力のみが示しで
ある。
バケット8は基準レベルの電荷および暗電流の電荷に加
えて比較的大きな光検出の電荷を存しており、この全電
荷の大きさは破線30で示された電子回路上限レベルを
超えるものとなっていることが判る。このためバケット
8からの信号は先端が削りとられて(クリッピングとよ
ぶ)、レベル30より上の部分32を含まないものとな
る。この結果、第3の検出器による放射検出量は誤まっ
て得られ、誤った焦点状態が生ずるであろう。
えて比較的大きな光検出の電荷を存しており、この全電
荷の大きさは破線30で示された電子回路上限レベルを
超えるものとなっていることが判る。このためバケット
8からの信号は先端が削りとられて(クリッピングとよ
ぶ)、レベル30より上の部分32を含まないものとな
る。この結果、第3の検出器による放射検出量は誤まっ
て得られ、誤った焦点状態が生ずるであろう。
第2図は本発明が適用されたときの状態を示すものであ
る。前と同様に矩形波10はバケット1〜9の中の電荷
を表わすものとして示されており、ここでも装置内で生
じるノイズによる少量の電荷がある。また、パルス14
を有するクロックサンプル信号12は通常の方法で基準
レベル信号を発生するために使用されている。しかし、
第2図においては、第3図に関連してさらに説明される
ように、バケット3の電荷は小ノイズレベル信号だけで
はなく暗電流の信号部分15も含んでいる。
る。前と同様に矩形波10はバケット1〜9の中の電荷
を表わすものとして示されており、ここでも装置内で生
じるノイズによる少量の電荷がある。また、パルス14
を有するクロックサンプル信号12は通常の方法で基準
レベル信号を発生するために使用されている。しかし、
第2図においては、第3図に関連してさらに説明される
ように、バケット3の電荷は小ノイズレベル信号だけで
はなく暗電流の信号部分15も含んでいる。
この13号は配列の最初にある正規の検出部より上流側
に設置されるが放射検出は遮蔽されている特別の検出器
によって発生される。こうしてこの特別の検出器の信号
だけが暗電流によるものとなる。
に設置されるが放射検出は遮蔽されている特別の検出器
によって発生される。こうしてこの特別の検出器の信号
だけが暗電流によるものとなる。
従って、バケット3の電荷は暗電流信号を含んだ大きさ
のものとなり、破線40で示される新しい基準レベルを
つくるための回路にこれを利用することができる。これ
の効果としては電子回路のレンジが増加し、破線42で
示される最上限レベルは矩形パルス26のピーク32よ
りも高い。なぜなら電子回路の最上限レベルは基準レベ
ルから第1図と同じ幅をもっているためである。信号3
2はもはや先端を削られることがないので、出力に誤差
を生じないことが判る。
のものとなり、破線40で示される新しい基準レベルを
つくるための回路にこれを利用することができる。これ
の効果としては電子回路のレンジが増加し、破線42で
示される最上限レベルは矩形パルス26のピーク32よ
りも高い。なぜなら電子回路の最上限レベルは基準レベ
ルから第1図と同じ幅をもっているためである。信号3
2はもはや先端を削られることがないので、出力に誤差
を生じないことが判る。
第3図を参照して説明するに、視野内からの放射線は複
数の小レンズ(図示せず)を通り、矢印50で示される
ような線に沿って複数の検出器ペアに向けられる。簡略
して第3図では2′!Jiの検出器ペアのみが示されて
おり、最初のペアはA検出器52とB検出器54を有し
、第2のペアはA検出器56およびB検出器58を有し
、最後に昭電流検出器として設けた1ケの検出器はこれ
に組合わされるようなペアになる検出器をもたないもの
として示されている。これは各ペアの左側の“B”検出
器と同形で示されているが、各ペアの右側の“A″検出
器と同形でもよいことは言うまでもない。
数の小レンズ(図示せず)を通り、矢印50で示される
ような線に沿って複数の検出器ペアに向けられる。簡略
して第3図では2′!Jiの検出器ペアのみが示されて
おり、最初のペアはA検出器52とB検出器54を有し
、第2のペアはA検出器56およびB検出器58を有し
、最後に昭電流検出器として設けた1ケの検出器はこれ
に組合わされるようなペアになる検出器をもたないもの
として示されている。これは各ペアの左側の“B”検出
器と同形で示されているが、各ペアの右側の“A″検出
器と同形でもよいことは言うまでもない。
第3図の検出器はそれぞれ第1ゲート65に接続されて
おり、すべての第1ゲート65はΦTで表わされる信号
源に電気的に相互接続されている。
おり、すべての第1ゲート65はΦTで表わされる信号
源に電気的に相互接続されている。
ΦTスタート信号が装置に与えられると、AおよびB検
出器52〜58に蓄えられた全電荷および検出部60に
ある暗電流電荷は、これらに組合わされたゲート65の
中に移される。暗電流検出器60は点線で示すような放
射遮蔽板68を有し、光がこの暗電流検出器60に到達
することを防止していることに留意すべきである。した
がって、この検出器の電荷はすべて装置の暗電流による
ものである。
出器52〜58に蓄えられた全電荷および検出部60に
ある暗電流電荷は、これらに組合わされたゲート65の
中に移される。暗電流検出器60は点線で示すような放
射遮蔽板68を有し、光がこの暗電流検出器60に到達
することを防止していることに留意すべきである。した
がって、この検出器の電荷はすべて装置の暗電流による
ものである。
それぞれのゲート65は次にゲート70に接続され、こ
のゲート70はすべてΦ2信号と受信するように電気的
に共通接続されている。φ2信号が増加するとφT倍信
号減少し、検出器の電荷は、ゲート65からゲート70
の中に移される。それぞれのゲート70はゲート75に
接続されていて、ゲート75はすべてΦ3信号に受信す
るように電気的に共通接続されている。φ3信号が増加
するとφ2信号が減少し、検出器の電荷はゲート70か
らゲート75の中に移される。それぞれのゲート75は
ゲート80に接続されていて、ゲート80はすべてφ1
信号を受信するように電気的に共通接続されている。Φ
1信号が増加するとφ3信号が減少し、検出器からの電
荷はすべてゲート75からゲート80の中に移される。
のゲート70はすべてΦ2信号と受信するように電気的
に共通接続されている。φ2信号が増加するとφT倍信
号減少し、検出器の電荷は、ゲート65からゲート70
の中に移される。それぞれのゲート70はゲート75に
接続されていて、ゲート75はすべてΦ3信号に受信す
るように電気的に共通接続されている。φ3信号が増加
するとφ2信号が減少し、検出器の電荷はゲート70か
らゲート75の中に移される。それぞれのゲート75は
ゲート80に接続されていて、ゲート80はすべてφ1
信号を受信するように電気的に共通接続されている。Φ
1信号が増加するとφ3信号が減少し、検出器からの電
荷はすべてゲート75からゲート80の中に移される。
第3図では、ゲート80はシフトレジスタを構成するゲ
ート列のゲートに接続されたものが示されている。図に
示された配列ではゲート80は参照番号2の関連のゲー
トに接続されている。参照番号2はこの番号が付された
ゲートはすべて以下に述べる動作のため同時にφ2信号
を受信するように接続されていることを示す。シフトレ
ジスタゲ−1・2のそれぞれは右方はシフトレジスタゲ
ート3と、また左方はシフトレジスタ1と接続されゲー
トの鎖を形成しているものが示されている。参照番号1
の付されたゲートはすべてφl信号を受信するよう電気
的に接続されており、また、参照番号3の付されたゲー
トはすべてΦ3信号を受信するよう接続されていて次に
述べるような動作を行う。
ート列のゲートに接続されたものが示されている。図に
示された配列ではゲート80は参照番号2の関連のゲー
トに接続されている。参照番号2はこの番号が付された
ゲートはすべて以下に述べる動作のため同時にφ2信号
を受信するように接続されていることを示す。シフトレ
ジスタゲ−1・2のそれぞれは右方はシフトレジスタゲ
ート3と、また左方はシフトレジスタ1と接続されゲー
トの鎖を形成しているものが示されている。参照番号1
の付されたゲートはすべてφl信号を受信するよう電気
的に接続されており、また、参照番号3の付されたゲー
トはすべてΦ3信号を受信するよう接続されていて次に
述べるような動作を行う。
ゲート1.2および3のそれぞれの下には出力90およ
びバケット91〜97で表された左方に連なる複数のバ
ケットが示されている。最右端に−は参照番号3の最後
のゲートの後にリセットパケット98が正の電圧源99
に接続している。参照番号100の付された右方の出力
ゲートは接続線101によって電界効果トランジスタ1
02のケートへ接続され、またトランジスタ102のド
レインは正電圧ato3にまたそのソースは出力信号接
続線104に接続されている。接続線104は自動焦点
装置のA/D変換器(図示せず)のような高感度電子回
路に接続される。トランジスタ102の’ノ”−hには
、第2の電界効果I・ランジスタ107のソース106
が接続線105で結ばれ、トランジスタ107のドレイ
ンは接続線108により基′$雷電圧と、またゲート1
09はクロックサンプル信号へ接続されている。
びバケット91〜97で表された左方に連なる複数のバ
ケットが示されている。最右端に−は参照番号3の最後
のゲートの後にリセットパケット98が正の電圧源99
に接続している。参照番号100の付された右方の出力
ゲートは接続線101によって電界効果トランジスタ1
02のケートへ接続され、またトランジスタ102のド
レインは正電圧ato3にまたそのソースは出力信号接
続線104に接続されている。接続線104は自動焦点
装置のA/D変換器(図示せず)のような高感度電子回
路に接続される。トランジスタ102の’ノ”−hには
、第2の電界効果I・ランジスタ107のソース106
が接続線105で結ばれ、トランジスタ107のドレイ
ンは接続線108により基′$雷電圧と、またゲート1
09はクロックサンプル信号へ接続されている。
スタート信号ΦTが装置に与えられるとすべての検出器
は前述したようにその電荷をゲート65に移す。次にΦ
2信号の発生により検出器信号は前述したように参照番
号70で表わされるゲートに移される。この時点の状況
は第3図に示すとおりである。ここでパケットの唯一の
電荷は参照番号2の付されたゲートの下に存在する電荷
で、これは装置のノイズによる電荷であり、バケット内
の負符号によって示されている。
は前述したようにその電荷をゲート65に移す。次にΦ
2信号の発生により検出器信号は前述したように参照番
号70で表わされるゲートに移される。この時点の状況
は第3図に示すとおりである。ここでパケットの唯一の
電荷は参照番号2の付されたゲートの下に存在する電荷
で、これは装置のノイズによる電荷であり、バケット内
の負符号によって示されている。
次の段階では信号Φ3が始まりこのためゲート70の検
出器の電荷はゲート75に移され始める。
出器の電荷はゲート75に移され始める。
このとき同様にシフトレジスタの中で参照番号2の付さ
れたゲートに存在するバケット91〜97に示されてい
る電荷はすべて参照番号3のゲートに移され始める。次
にΦlの信号が生しると険出器からの信号はゲート80
に移され、またシフトレジスタの中では参照番号3のゲ
ートの中の信号は参照番号1のゲートに移される。次の
段階では、信号Φ2が再び与えられゲート80からの電
荷をシフトレジスタのゲート2に移動する。このときま
でにバケット90はリセットバケット98へ移り終え、
バケット91は出力ゲート100の下の位置に移動させ
られその中の電荷は接続線101を通じて電界効果トラ
ンジスタ102に伝送され、出力信号を導線104に発
生する。バケット92は右方に動いて、その結果、図の
バケット91で示した位置を占める。これと同様なこと
が第3図に示すすべてのバケットについて起こる。した
がって、暗電流検出器60に接続したゲート80にあっ
た暗電流の電荷はバケット93の中に移され、“A”検
出器56からの電荷はバケット94に移され、“B″検
出器58の電荷はバケット96に移され”A”検出器5
2の電荷はバケット97のすく左側のバケット(図示せ
ず)の中に移され、“B”検出器54の電荷についても
同様なことが行われる。
れたゲートに存在するバケット91〜97に示されてい
る電荷はすべて参照番号3のゲートに移され始める。次
にΦlの信号が生しると険出器からの信号はゲート80
に移され、またシフトレジスタの中では参照番号3のゲ
ートの中の信号は参照番号1のゲートに移される。次の
段階では、信号Φ2が再び与えられゲート80からの電
荷をシフトレジスタのゲート2に移動する。このときま
でにバケット90はリセットバケット98へ移り終え、
バケット91は出力ゲート100の下の位置に移動させ
られその中の電荷は接続線101を通じて電界効果トラ
ンジスタ102に伝送され、出力信号を導線104に発
生する。バケット92は右方に動いて、その結果、図の
バケット91で示した位置を占める。これと同様なこと
が第3図に示すすべてのバケットについて起こる。した
がって、暗電流検出器60に接続したゲート80にあっ
た暗電流の電荷はバケット93の中に移され、“A”検
出器56からの電荷はバケット94に移され、“B″検
出器58の電荷はバケット96に移され”A”検出器5
2の電荷はバケット97のすく左側のバケット(図示せ
ず)の中に移され、“B”検出器54の電荷についても
同様なことが行われる。
信号φ3が次に発生すると、バケット93の暗電流の電
荷が右に移動し、バケット94の検出器56からの電荷
も右に移動し、他も同様で、シフトレジスタの技術とし
て公知のように、φ1.φ2およびφ3の連続した位相
信号の発生にしたがって電荷は漸進的に右方に移動する
。その結果として暗電流検出器60からの信号および検
出器52〜56からの信号は電界効果トランジスタ10
2へ、かくして、出力104へと連続的に供給される。
荷が右に移動し、バケット94の検出器56からの電荷
も右に移動し、他も同様で、シフトレジスタの技術とし
て公知のように、φ1.φ2およびφ3の連続した位相
信号の発生にしたがって電荷は漸進的に右方に移動する
。その結果として暗電流検出器60からの信号および検
出器52〜56からの信号は電界効果トランジスタ10
2へ、かくして、出力104へと連続的に供給される。
接続線101と出力信号の接続線104の電圧は線10
1の電荷とシフトレジスタの出力ゲート100の下の電
荷とによって決まる。こうして暗電流とバックグランド
電荷を含んだ信号はこの点で電圧信号に変換される。接
続線101の電荷は接続線101の電圧と、接続線10
4の出力信号に影響を与えるので、接続線104のスタ
ートの電圧すなわちA/D基卓信号は接続線101を所
定の電圧にまで予め充電することにより設定することか
できる。これにより接続線104の出力信号は所望のA
/D基準レベルまで効率的にオフセットされる。従来の
技術においてはこの出力回路のり七ノドは第1図で示す
ようにクロックサイクルで行われていた。出力ゲートの
電圧がプリセットされるときに、シフトレジスタの出力
ハケ・ノド90の中に平均暗電流に比例した信号がある
ようにCCDの構造を変えることによって、回路はすべ
ての信号を効果的に、暗電流に比例した量だけオフセッ
トさせる・ 線101に接続された出力トランジスタ102のゲート
は、第2のトランジスタが導通状態になることによって
A/D基準電圧にプリセットされる。これは接続線10
9のクロックサンプル信号(第1図と第2図に示された
クロックサンプル信号と同じ)に呼応して行われる。ト
ランジスタ107が導通のときは接続線101は接続線
108の基準電圧■に接続される。そしてこの基準電圧
■は接続線104の出力信号を所望のA/Dコンバータ
の基イ1(電圧レベルにさせるに適当な直流電圧である
。接続線109にクロックサンプルパルスがないときは
トランジスタ107は非導通であり、接続線101はフ
ローティングの状態であって、シフトレジスタの出力バ
ケット90の電荷のレベルの任意の変化に感応する。
1の電荷とシフトレジスタの出力ゲート100の下の電
荷とによって決まる。こうして暗電流とバックグランド
電荷を含んだ信号はこの点で電圧信号に変換される。接
続線101の電荷は接続線101の電圧と、接続線10
4の出力信号に影響を与えるので、接続線104のスタ
ートの電圧すなわちA/D基卓信号は接続線101を所
定の電圧にまで予め充電することにより設定することか
できる。これにより接続線104の出力信号は所望のA
/D基準レベルまで効率的にオフセットされる。従来の
技術においてはこの出力回路のり七ノドは第1図で示す
ようにクロックサイクルで行われていた。出力ゲートの
電圧がプリセットされるときに、シフトレジスタの出力
ハケ・ノド90の中に平均暗電流に比例した信号がある
ようにCCDの構造を変えることによって、回路はすべ
ての信号を効果的に、暗電流に比例した量だけオフセッ
トさせる・ 線101に接続された出力トランジスタ102のゲート
は、第2のトランジスタが導通状態になることによって
A/D基準電圧にプリセットされる。これは接続線10
9のクロックサンプル信号(第1図と第2図に示された
クロックサンプル信号と同じ)に呼応して行われる。ト
ランジスタ107が導通のときは接続線101は接続線
108の基準電圧■に接続される。そしてこの基準電圧
■は接続線104の出力信号を所望のA/Dコンバータ
の基イ1(電圧レベルにさせるに適当な直流電圧である
。接続線109にクロックサンプルパルスがないときは
トランジスタ107は非導通であり、接続線101はフ
ローティングの状態であって、シフトレジスタの出力バ
ケット90の電荷のレベルの任意の変化に感応する。
かくしてA/D変換器に対する入力からは好ましからざ
る暗電流の信号成分が除かれ、その結果、先行技術によ
る回路に比してより高い精度が得られ、クリッピングも
少なくなる。
る暗電流の信号成分が除かれ、その結果、先行技術によ
る回路に比してより高い精度が得られ、クリッピングも
少なくなる。
本発明は当業者にとって多くの変更が可能であり、好ま
しい実施例の説明とじて特定して開示したものに宋定さ
れるものではない。
しい実施例の説明とじて特定して開示したものに宋定さ
れるものではない。
第1図は先行技術において、数個の検出器出力と回路の
上限値との比較を示すグラフである。 第2図は本発明において、第1図と同し信号値から暗電
流成分を減算したものを示す。 第3図はいくつかのCCD検出器とその出力を受信すべ
く動作するシフトレジスタの配列を示す図である。 52.56:“A″検出器 54.58:“B″検出器 60:暗電流検出器 65.70,75.ao:ゲート 90〜97:バケフト 98:リセットパケット
上限値との比較を示すグラフである。 第2図は本発明において、第1図と同し信号値から暗電
流成分を減算したものを示す。 第3図はいくつかのCCD検出器とその出力を受信すべ
く動作するシフトレジスタの配列を示す図である。 52.56:“A″検出器 54.58:“B″検出器 60:暗電流検出器 65.70,75.ao:ゲート 90〜97:バケフト 98:リセットパケット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数の受信バケットの前に少くともひとつの“空バ
ケット”を有するシフトレジスタの前記受信バケットに
受光量を表わす信号を転送する複数の光検出器と共に用
いられる装置であって、該装置は、前記受光量を表わす
信号に加えて前記光検出器内に発生する暗電流信号を表
わす出力をシフトレジスタから発生するように動作し、 検出されるべき光線から遮蔽され、受光量を表わす信号
成分を含まないで暗電流を表わす出力信号を発生する暗
電流検出器と、 前記“空バケット”に前記暗電流検出器の出力信号を転
送するように前記暗電流検出器をシフトレジスタに接続
する手段と、 “空バケット”内の出力信号を受信し、この値を受信バ
ケット内の各信号から減算するよう動作する受信手段 とから成る暗電流補償装置。 2、第1項において、 前記受信手段は、 ゲート、ドレインおよびソースを有する第1の電界効果
トランジスタを含み、該ゲートは出力信号を受信するよ
うに接続され、該ドレインは基準電圧源に接続され、該
ソースは次段の電子装置に接続されてなる暗電流補償装
置。 3、第2項において、 前記受信手段は、 ゲート、ドレインおよびソースを有する第2の電界効果
トランジスタを含み、前記第2の電界効果トランジスタ
のゲートがクロック信号を受信するように接続され、前
記第2の電界効果トランジスタのドレインは基準電圧を
受けるように接続され、 前記第2の電界効果トランジスタのソースは前記第1の
電界効果トランジスタのゲートに接続されてなる暗電流
補償装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US82570286A | 1986-02-03 | 1986-02-03 | |
US825702 | 1986-02-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62265575A true JPS62265575A (ja) | 1987-11-18 |
Family
ID=25244715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2343687A Pending JPS62265575A (ja) | 1986-02-03 | 1987-02-03 | 暗電流補償装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0233526B1 (ja) |
JP (1) | JPS62265575A (ja) |
CA (1) | CA1314601C (ja) |
DE (1) | DE3780321T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2508668B2 (ja) * | 1986-11-10 | 1996-06-19 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
DE4237608A1 (de) * | 1992-11-06 | 1994-05-11 | Telefunken Microelectron | Integrierte Halbleiteranordnung mit Standardelementen |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53113487A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-03 | Teii Deii Kei Fueachiyairudo K | Method of deleting dark current of charge transfer element |
JPS5527653A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Toshiba Corp | Electric charge coupling element |
JPS56102168A (en) * | 1980-01-19 | 1981-08-15 | Fujitsu Ltd | Video signal processing |
JPS60120556A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4484223A (en) * | 1980-06-12 | 1984-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor |
JPS5750177A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Drive system for solid-state image sensor |
JPS5792983A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Fujitsu Ltd | Solid-state image pickup device |
JPS57140073A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-30 | Fujitsu Ltd | Solid-state image pickup device |
JPS57188183A (en) * | 1981-05-15 | 1982-11-19 | Canon Inc | Solid-state image pickup device |
-
1986
- 1986-11-20 CA CA000523415A patent/CA1314601C/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-01-30 DE DE19873780321 patent/DE3780321T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-30 EP EP87101287A patent/EP0233526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-03 JP JP2343687A patent/JPS62265575A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53113487A (en) * | 1977-03-15 | 1978-10-03 | Teii Deii Kei Fueachiyairudo K | Method of deleting dark current of charge transfer element |
JPS5527653A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Toshiba Corp | Electric charge coupling element |
JPS56102168A (en) * | 1980-01-19 | 1981-08-15 | Fujitsu Ltd | Video signal processing |
JPS60120556A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0233526B1 (en) | 1992-07-15 |
EP0233526A2 (en) | 1987-08-26 |
CA1314601C (en) | 1993-03-16 |
DE3780321T2 (de) | 1993-02-18 |
EP0233526A3 (en) | 1989-04-26 |
DE3780321D1 (de) | 1992-08-20 |
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