JPS6226136B2 - - Google Patents
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- JPS6226136B2 JPS6226136B2 JP54010806A JP1080679A JPS6226136B2 JP S6226136 B2 JPS6226136 B2 JP S6226136B2 JP 54010806 A JP54010806 A JP 54010806A JP 1080679 A JP1080679 A JP 1080679A JP S6226136 B2 JPS6226136 B2 JP S6226136B2
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- JP
- Japan
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- cathode
- stem
- magnetron
- anode tube
- sealing body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマグネトロンの改良に関する。
一般にマグネトロンは電子レンジなどに多用さ
れているが、従来のマグネトロンは第1図に示す
ように構成されている。即ち、真空外囲器の1部
を構成する陽極円筒1の内壁に複数のベイン2が
放射状に取着され、複数のストラツプ3により1
つおきに連結されて陽極4が形成されている。そ
して陽極円筒1の両端には、気密壁の一部を兼ね
ると共に電子作用空間(後述)に一様な軸方向磁
界を形成するためにそれぞれ中央に透孔を有する
略円錐状の磁極5,6が固着され、一方の磁極5
には陰極ステム7が他方の磁極6には出力部8が
突設されている。又、前記陽極4の軸心に沿う電
子作用空間9には、陰極つまり炭化処理を施した
トリウムタングステンからなる螺旋状の陰極フイ
ラメント10が配設され、この陰極フイラメント
10は両端がそれぞれモリブテン製のエンドハツ
ト11,12に固着されている。そして一方のエ
ンドハツト11は給電線を兼ねた筒状のモリブテ
ン製外側陰極支持体13に支持され他方のエンド
ハツト12は陰極フイラメント10及び外側陰極
支持体13の内側を貫通する給電線を兼ねたモリ
ブテン製内側陰極支持体14に支持されている。
尚、両陰極支持体13,14間には所定間隔に保
つため一部にアルミナセラミツクス製のリング1
5が配設されている。そして内側陰極支持体14
は入力端子16に固定され、外側陰極支持体13
はコバール(商品名、以下同じ)よりなる筒状の
セラミツクス接合用金属封着体17に固定されて
いる。この封着体17の内側には、アルミナセラ
ミツクス製のリング18が同軸的に配設され、こ
のリング18内を前記内側陰極支持体14が貫通
している。リング18は気密壁の一部を構成する
と共に陰極フイラメント10両端へ印加する3V
程度の入力電圧を絶縁するもので、両端面にはテ
レフンケン法によるメタライズ部18a,18b
を有し、一方のメタライズ部18aは前記入力端
子16に他方のメタライズ部18bは前記封着体
17にそれぞれ気密鑞付けされている。又、前記
封着体17の外周はコバールよりなる筒状のセラ
ミツクス接合用金属封着体19内周に固着されて
おり、この封着体19は円筒20の一端に取付け
られている。この円筒20はアルミナセラミツク
ス製にして気密壁の一部をなすと共に陰極フイラ
メント10とベイン2間の高電圧を絶縁し、両端
面にはテレフンケン法によるメタライズ部20
a,20bを有している。この円筒20の他端は
コバールよりなるセラミツクス接合用金属封着体
21に固着され、この封着体21は前記磁極5に
取付けられている。尚、封着体19,21及び円
筒20は各外側陰極支持体13,14と同軸的に
配置されていることは言う迄もない。又、前記封
着体17には入力端子22が取付けられている。
一方、磁極6には既述のように出力部8が突設さ
れているがこの出力部8は封着体23,24、円
筒25、キヤツプ26及び封着体27からなりこ
の封着体27にはアンテナフイーダ28が取付け
られており、このアンテナフイーダ28はベイン
2の1つに固着されている。尚、円筒25の両端
にもそれぞれメタライズ部25a,25bが形成
されている。 このようなマグネトロンに外装部品を装着する
と、第2図に示すようになる。即ち陽極4をはさ
んで軸方向両側に環状の永久磁石29,30が
各々陰極ステム7、出力部8の一部を取り囲むよ
うにして配置されている。更に陽極4の外周には
複数の板状冷却フイン31が取付けられている。
そしてこの冷却フイン31を始め上記の陽極4、
永久磁石29,30を取り囲むように枠状のヨー
ク32が配設されている。尚、このヨーク32の
上部と下部はそれぞれ永久磁石29,30の内径
に略対応して透孔が穿たれている。又、前記陰極
ステム7にはチヨークコイル33,34と貫通型
コンデンサ35からなるフイルタが接続され、こ
のフイルタ及び陰極ステム7を覆うようにシール
ドボツクス36が配設されている。このシールド
ボツクス36は箱状にして円筒部36aが一体に
突設されており、この円筒部36aが陰極ステム
7と永久磁石29内周の間に位置するようにシー
ルドボツクス36が取付けられている。この場
合、シールドボツクス36の一部がヨーク32に
接し、且つ円筒部36aは磁極5に接して電気的
に接続されている。尚、円筒部36aの内側には
絶縁筒37が配設されている。 ところで上記のような従来のマグネトロンを電
子レンジに使用した場合2.45GHzのマイクロ波以
外に広い帯域にわたつて雑音が発生する。そして
基本波勢力(2.45GHz)、その高調波、UHF帯、
VHF帯、ラジオ帯の雑音等の一部が陰極ステム
部7を経由して管外へ漏洩する。そこで、フイル
タ及びシールドボツクス36により雑音漏洩を抑
制している。しかし、上記のような構造の従来の
マグネトロンにおいては、その電子作用空間9と
フイルタとが基本波に対して相当強く結合してお
り、マグネトロンの基本動作がフイルタの構成に
よつて少なからず影響を受ける。その結果、発振
の負荷安定度の劣化、効率の低下、陰極逆衝撃の
過大、エミツシヨンの低下等を招くことがしばし
ばある。又、電子作用空間9より陰極ステム部7
をみたインピーダンスによつて雑音のスペクトラ
ム等も変化し、特定の帯域において雑音レベルが
非常に大きくなることがある。更にフイルタの構
成に対して非常に制約となることとしては、基本
波勢力によつてフイルタのインダクタンス素子が
焼損し易いことであり、チヨークコイル33,3
4のコイル等はフイルタの設計が悪いとエナメル
被覆が黒化剥離する。最近、エレクトロニクスの
進歩に伴い電子機器に対する低雑音化の要求は高
まりつつあり、電子レンジも例外ではない。そこ
で、低周波の雑音の抑制にはフイルタのチヨーク
コイル33,34のインダクタンス増大が有効で
あるが、これは経験的に負荷安定度の劣化、チヨ
ークコイル33,34の焼損等を招き易いことが
判つている。上記より明らかなようにフイルタの
設計が管本体と不可分となつており、従来の構造
ではフイルタのユニツト化、標準化等も困難であ
る。 この発明は上記従来の欠点を除去したマグネト
ロンを提供することを目的とする。 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。この発明のマグネトロンは第3図
乃至第9図に示すように構成され、第3図はマグ
ネトロン本体を示し、第4図は第3図の本体に外
装部品を装着したマグネトロン全体を示してい
る。又、第5図は第3図の要部を拡大したもので
あり、第6図はこの発明のマグネトロンにおける
円筒を示し、第7図は同じく誘電体を示し、第8
図及び第9図は同じく高誘電体を示している。
尚、従来例と同一箇所は同一符号を付すことにす
る。 さて、この発明では第3図及び第5図から明ら
かなように、入力端子16,22と陽極4との
間、例えば真空になつている円筒20と外側陰極
支持体13との間には、アルミナセラミツクスか
らなり、一端に通気孔38を有する高誘電率の筒
状誘電体39が配設されている。この場合、円筒
20は第5図及び第6図から明らかなように両端
面及び一端面(入力端子16側)に続く内面の一
部にメタライズ部20a,20bが形成されてい
る。そして、一方の端面が金属封着体19が鑞付
けにより電気的に接続され、他方の端面は折曲部
21aを有する金属封着体21に鑞付けにより電
気的に接続されている。又、筒状誘電体39は、
その内面及び外面にそれぞれ筒軸に沿つて互いに
反対方向に延びる電気的に絶縁された導電層39
a,39bが形成されており、一方、つまり内面
の導電層39bは端面(陽極4側)にまで延びて
いる。そして外面の導電層39aは円筒20のメ
タライズ部20aに接して鑞付けにより電気的に
接続され、内面の導電層39bは封着体21の折
曲部21aに接して鑞付けにより電気的に接続さ
れている。尚、上記の各導電層39a,39b
は、例えばテレフンケン法によるメタライズ処理
により形成されている。更に陰極支持体のフイラ
メント入力電位発生部位間つまり内側陰極支持体
14と外側陰極支持体13との間には、その一部
に第8図及び第9図に示すようなチタン系の環状
高誘電体40,41が密接して配設されている。
この高誘電体40,41はチタン酸ストロンチウ
ムからなり、それぞれ内面と外面には銀焼付膜4
0a,40b,41a,41bが形成されてい
る。そしてチタン酸ストロンチウムは常温で230
位の比誘電率を有し、誘電体損失も小さい。又、
500℃で比誘電率は常温の約1/2に低下するが、そ
れでも高誘電体40,41は20〜50pFの容量を
容易に構成し得る。更にこの発明では、第4図か
ら明らかなようにフイルタのチヨークコイル42
は、1本のNi−Zn系の直径5mmφのフエライト
コア43に直径1.6mmφのエナメル被覆銅線4
4,45をそれぞれ13ターン逆向きに巻回してな
つている。尚、この発明のマグネトロンは上記以
外は従来例(第1図及び第2図)と同様構成ゆ
え、説明を省略する。 この発明のマグネトロンは上記説明及び図示の
ように構成され、筒状誘電体39及び高誘電体4
0,41を設けているので、次の如き優れた効果
を有している。即ち、筒状誘電体39は陰極フイ
ラメント10と陽極4間に10pFの容量を形成
し、而も筒状誘電体39は導電層39a,39b
間の沿面距離を長くとれ且つ沿面は全て真空内に
あるため、耐電圧が高くなり、極めてコンパクト
に陰極ステム部に装着が可能となる。これらの容
量によつて電子作用空間9とフイルタ部の分離度
が高くなり、フイルタによつてマグネトロンの動
作が影響されることが少なくなる。また、ステム
内の筒状誘電体39による静電容量、シールドベ
ツクス36内のチヨークコイル42即ちインダク
タ素子及び貫通型コンデンサ35により、いわゆ
るπ型フイルタが構成され、FMラジオ放送帯、
テレビ放送帯周波数成分を含む雑音レベルを低く
抑えることができる。
れているが、従来のマグネトロンは第1図に示す
ように構成されている。即ち、真空外囲器の1部
を構成する陽極円筒1の内壁に複数のベイン2が
放射状に取着され、複数のストラツプ3により1
つおきに連結されて陽極4が形成されている。そ
して陽極円筒1の両端には、気密壁の一部を兼ね
ると共に電子作用空間(後述)に一様な軸方向磁
界を形成するためにそれぞれ中央に透孔を有する
略円錐状の磁極5,6が固着され、一方の磁極5
には陰極ステム7が他方の磁極6には出力部8が
突設されている。又、前記陽極4の軸心に沿う電
子作用空間9には、陰極つまり炭化処理を施した
トリウムタングステンからなる螺旋状の陰極フイ
ラメント10が配設され、この陰極フイラメント
10は両端がそれぞれモリブテン製のエンドハツ
ト11,12に固着されている。そして一方のエ
ンドハツト11は給電線を兼ねた筒状のモリブテ
ン製外側陰極支持体13に支持され他方のエンド
ハツト12は陰極フイラメント10及び外側陰極
支持体13の内側を貫通する給電線を兼ねたモリ
ブテン製内側陰極支持体14に支持されている。
尚、両陰極支持体13,14間には所定間隔に保
つため一部にアルミナセラミツクス製のリング1
5が配設されている。そして内側陰極支持体14
は入力端子16に固定され、外側陰極支持体13
はコバール(商品名、以下同じ)よりなる筒状の
セラミツクス接合用金属封着体17に固定されて
いる。この封着体17の内側には、アルミナセラ
ミツクス製のリング18が同軸的に配設され、こ
のリング18内を前記内側陰極支持体14が貫通
している。リング18は気密壁の一部を構成する
と共に陰極フイラメント10両端へ印加する3V
程度の入力電圧を絶縁するもので、両端面にはテ
レフンケン法によるメタライズ部18a,18b
を有し、一方のメタライズ部18aは前記入力端
子16に他方のメタライズ部18bは前記封着体
17にそれぞれ気密鑞付けされている。又、前記
封着体17の外周はコバールよりなる筒状のセラ
ミツクス接合用金属封着体19内周に固着されて
おり、この封着体19は円筒20の一端に取付け
られている。この円筒20はアルミナセラミツク
ス製にして気密壁の一部をなすと共に陰極フイラ
メント10とベイン2間の高電圧を絶縁し、両端
面にはテレフンケン法によるメタライズ部20
a,20bを有している。この円筒20の他端は
コバールよりなるセラミツクス接合用金属封着体
21に固着され、この封着体21は前記磁極5に
取付けられている。尚、封着体19,21及び円
筒20は各外側陰極支持体13,14と同軸的に
配置されていることは言う迄もない。又、前記封
着体17には入力端子22が取付けられている。
一方、磁極6には既述のように出力部8が突設さ
れているがこの出力部8は封着体23,24、円
筒25、キヤツプ26及び封着体27からなりこ
の封着体27にはアンテナフイーダ28が取付け
られており、このアンテナフイーダ28はベイン
2の1つに固着されている。尚、円筒25の両端
にもそれぞれメタライズ部25a,25bが形成
されている。 このようなマグネトロンに外装部品を装着する
と、第2図に示すようになる。即ち陽極4をはさ
んで軸方向両側に環状の永久磁石29,30が
各々陰極ステム7、出力部8の一部を取り囲むよ
うにして配置されている。更に陽極4の外周には
複数の板状冷却フイン31が取付けられている。
そしてこの冷却フイン31を始め上記の陽極4、
永久磁石29,30を取り囲むように枠状のヨー
ク32が配設されている。尚、このヨーク32の
上部と下部はそれぞれ永久磁石29,30の内径
に略対応して透孔が穿たれている。又、前記陰極
ステム7にはチヨークコイル33,34と貫通型
コンデンサ35からなるフイルタが接続され、こ
のフイルタ及び陰極ステム7を覆うようにシール
ドボツクス36が配設されている。このシールド
ボツクス36は箱状にして円筒部36aが一体に
突設されており、この円筒部36aが陰極ステム
7と永久磁石29内周の間に位置するようにシー
ルドボツクス36が取付けられている。この場
合、シールドボツクス36の一部がヨーク32に
接し、且つ円筒部36aは磁極5に接して電気的
に接続されている。尚、円筒部36aの内側には
絶縁筒37が配設されている。 ところで上記のような従来のマグネトロンを電
子レンジに使用した場合2.45GHzのマイクロ波以
外に広い帯域にわたつて雑音が発生する。そして
基本波勢力(2.45GHz)、その高調波、UHF帯、
VHF帯、ラジオ帯の雑音等の一部が陰極ステム
部7を経由して管外へ漏洩する。そこで、フイル
タ及びシールドボツクス36により雑音漏洩を抑
制している。しかし、上記のような構造の従来の
マグネトロンにおいては、その電子作用空間9と
フイルタとが基本波に対して相当強く結合してお
り、マグネトロンの基本動作がフイルタの構成に
よつて少なからず影響を受ける。その結果、発振
の負荷安定度の劣化、効率の低下、陰極逆衝撃の
過大、エミツシヨンの低下等を招くことがしばし
ばある。又、電子作用空間9より陰極ステム部7
をみたインピーダンスによつて雑音のスペクトラ
ム等も変化し、特定の帯域において雑音レベルが
非常に大きくなることがある。更にフイルタの構
成に対して非常に制約となることとしては、基本
波勢力によつてフイルタのインダクタンス素子が
焼損し易いことであり、チヨークコイル33,3
4のコイル等はフイルタの設計が悪いとエナメル
被覆が黒化剥離する。最近、エレクトロニクスの
進歩に伴い電子機器に対する低雑音化の要求は高
まりつつあり、電子レンジも例外ではない。そこ
で、低周波の雑音の抑制にはフイルタのチヨーク
コイル33,34のインダクタンス増大が有効で
あるが、これは経験的に負荷安定度の劣化、チヨ
ークコイル33,34の焼損等を招き易いことが
判つている。上記より明らかなようにフイルタの
設計が管本体と不可分となつており、従来の構造
ではフイルタのユニツト化、標準化等も困難であ
る。 この発明は上記従来の欠点を除去したマグネト
ロンを提供することを目的とする。 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。この発明のマグネトロンは第3図
乃至第9図に示すように構成され、第3図はマグ
ネトロン本体を示し、第4図は第3図の本体に外
装部品を装着したマグネトロン全体を示してい
る。又、第5図は第3図の要部を拡大したもので
あり、第6図はこの発明のマグネトロンにおける
円筒を示し、第7図は同じく誘電体を示し、第8
図及び第9図は同じく高誘電体を示している。
尚、従来例と同一箇所は同一符号を付すことにす
る。 さて、この発明では第3図及び第5図から明ら
かなように、入力端子16,22と陽極4との
間、例えば真空になつている円筒20と外側陰極
支持体13との間には、アルミナセラミツクスか
らなり、一端に通気孔38を有する高誘電率の筒
状誘電体39が配設されている。この場合、円筒
20は第5図及び第6図から明らかなように両端
面及び一端面(入力端子16側)に続く内面の一
部にメタライズ部20a,20bが形成されてい
る。そして、一方の端面が金属封着体19が鑞付
けにより電気的に接続され、他方の端面は折曲部
21aを有する金属封着体21に鑞付けにより電
気的に接続されている。又、筒状誘電体39は、
その内面及び外面にそれぞれ筒軸に沿つて互いに
反対方向に延びる電気的に絶縁された導電層39
a,39bが形成されており、一方、つまり内面
の導電層39bは端面(陽極4側)にまで延びて
いる。そして外面の導電層39aは円筒20のメ
タライズ部20aに接して鑞付けにより電気的に
接続され、内面の導電層39bは封着体21の折
曲部21aに接して鑞付けにより電気的に接続さ
れている。尚、上記の各導電層39a,39b
は、例えばテレフンケン法によるメタライズ処理
により形成されている。更に陰極支持体のフイラ
メント入力電位発生部位間つまり内側陰極支持体
14と外側陰極支持体13との間には、その一部
に第8図及び第9図に示すようなチタン系の環状
高誘電体40,41が密接して配設されている。
この高誘電体40,41はチタン酸ストロンチウ
ムからなり、それぞれ内面と外面には銀焼付膜4
0a,40b,41a,41bが形成されてい
る。そしてチタン酸ストロンチウムは常温で230
位の比誘電率を有し、誘電体損失も小さい。又、
500℃で比誘電率は常温の約1/2に低下するが、そ
れでも高誘電体40,41は20〜50pFの容量を
容易に構成し得る。更にこの発明では、第4図か
ら明らかなようにフイルタのチヨークコイル42
は、1本のNi−Zn系の直径5mmφのフエライト
コア43に直径1.6mmφのエナメル被覆銅線4
4,45をそれぞれ13ターン逆向きに巻回してな
つている。尚、この発明のマグネトロンは上記以
外は従来例(第1図及び第2図)と同様構成ゆ
え、説明を省略する。 この発明のマグネトロンは上記説明及び図示の
ように構成され、筒状誘電体39及び高誘電体4
0,41を設けているので、次の如き優れた効果
を有している。即ち、筒状誘電体39は陰極フイ
ラメント10と陽極4間に10pFの容量を形成
し、而も筒状誘電体39は導電層39a,39b
間の沿面距離を長くとれ且つ沿面は全て真空内に
あるため、耐電圧が高くなり、極めてコンパクト
に陰極ステム部に装着が可能となる。これらの容
量によつて電子作用空間9とフイルタ部の分離度
が高くなり、フイルタによつてマグネトロンの動
作が影響されることが少なくなる。また、ステム
内の筒状誘電体39による静電容量、シールドベ
ツクス36内のチヨークコイル42即ちインダク
タ素子及び貫通型コンデンサ35により、いわゆ
るπ型フイルタが構成され、FMラジオ放送帯、
テレビ放送帯周波数成分を含む雑音レベルを低く
抑えることができる。
第1図は従来のマグネトロンにおける本体を示
す断面図、第2図は第1図の本体に外装部品を装
着したマグネトロン全体を示す断面図、第3図は
この発明の一実施例に係るマグネトロンの本体を
示す断面図、第4図は第3図の本体に外装部品を
装着したマグネトロン全体を示す平面図、第5図
は第3図の要部を拡大して示す断面図、第6図は
この発明のマグネトロンにおいて用いる円筒を示
す斜視図、第7図は同じく筒状誘電体を一部切欠
いて示す斜視図、第8図及び第9図は同じく環状
高誘電体を示す斜視図である。 4……陽極、16,22……入力端子、39…
…筒状誘電体、39a,39b……導電層、4
0,41……高誘電体、40a,40b,41
a,41b……銀焼付膜。
す断面図、第2図は第1図の本体に外装部品を装
着したマグネトロン全体を示す断面図、第3図は
この発明の一実施例に係るマグネトロンの本体を
示す断面図、第4図は第3図の本体に外装部品を
装着したマグネトロン全体を示す平面図、第5図
は第3図の要部を拡大して示す断面図、第6図は
この発明のマグネトロンにおいて用いる円筒を示
す斜視図、第7図は同じく筒状誘電体を一部切欠
いて示す斜視図、第8図及び第9図は同じく環状
高誘電体を示す斜視図である。 4……陽極、16,22……入力端子、39…
…筒状誘電体、39a,39b……導電層、4
0,41……高誘電体、40a,40b,41
a,41b……銀焼付膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数のベイン2および一対の磁極5,6を有
する陽極筒1と、この陽極筒の中心軸部に配置さ
れた陰極10と、 上記陽極筒の一方の磁極5の外方に金属封着体
21を介して気密接合されて真空気密壁の一部を
構成し且つ端部に陰極支持体13,14が固着さ
れたセラミツクス製ステム20と、このステムを
取り囲んで設けられたシールドボツクス36と、
このボツクス内に配置され上記ステムを通して導
出された陰極入力端子16,22に直列接続され
たインダクタ素子42と、このインダクタに電気
的に接続された貫通型コンデンサ35とを具備す
るマグネトロンにおいて、 上記セラミツクス製ステム部の管内空間に、上
記陰極支持体をとりまき且つこの陰極支持体に非
接触で筒状誘電体39が同軸的に配置され、 前記筒状誘電体の内周面および外周面に各々反
対側端部から延長され互に該誘電体を間に挾んで
重なり合い且つ電気的に絶縁された一対の導電層
39a,39bが被着され、 これら導電層のうちの一方39bが上記金属封
着体21に鑞付け固定されて上記陽極筒1に電気
的に接続され、他方39aが上記陰極支持体13
に電気的に接続されてなることを特徴とするマグ
ネトロン。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080679A JPS55104051A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Magnetron |
US06/116,592 US4300072A (en) | 1979-02-01 | 1980-01-28 | Magnetron having an internal capacitor for suppressing leakage of high frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080679A JPS55104051A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Magnetron |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55104051A JPS55104051A (en) | 1980-08-09 |
JPS6226136B2 true JPS6226136B2 (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=11760578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1080679A Granted JPS55104051A (en) | 1979-02-01 | 1979-02-01 | Magnetron |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4300072A (ja) |
JP (1) | JPS55104051A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61281435A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | マグネトロン |
JPS6375935U (ja) * | 1986-03-13 | 1988-05-20 | ||
JPH06101304B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン |
KR950002361Y1 (ko) * | 1992-03-27 | 1995-03-31 | 이헌조 | 전자레인지용 마그네트론의 기본파 및 고조파 노이즈 성분 누설방지장치 |
KR0173691B1 (ko) * | 1993-07-07 | 1999-02-01 | 카나이 쯔또무 | 관통콘덴서 및 필터를 구비한 마그네트론 |
KR20040008346A (ko) * | 2002-07-18 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 마그네트론 |
GB2478990A (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | E2V Tech | Magnetron with high gfrequency cathode heater power supply |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5113003U (ja) * | 1974-07-16 | 1976-01-30 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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NL6811762A (ja) * | 1968-08-17 | 1970-02-19 | ||
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JPS5352374Y2 (ja) * | 1972-06-30 | 1978-12-14 | ||
JPS5625170Y2 (ja) * | 1975-11-10 | 1981-06-13 | ||
JPS5336156A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Hitachi Ltd | Magnetron unit |
JPS6019102B2 (ja) * | 1976-09-20 | 1985-05-14 | 株式会社東芝 | 高周波装置 |
US4163175A (en) * | 1977-01-21 | 1979-07-31 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Magnetron for which leakage of H.F. noise is minimized |
JPS5833648B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1983-07-21 | 株式会社東芝 | マグネトロン装置 |
-
1979
- 1979-02-01 JP JP1080679A patent/JPS55104051A/ja active Granted
-
1980
- 1980-01-28 US US06/116,592 patent/US4300072A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5113003U (ja) * | 1974-07-16 | 1976-01-30 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55104051A (en) | 1980-08-09 |
US4300072A (en) | 1981-11-10 |
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