JPS62260366A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPS62260366A JPS62260366A JP10413286A JP10413286A JPS62260366A JP S62260366 A JPS62260366 A JP S62260366A JP 10413286 A JP10413286 A JP 10413286A JP 10413286 A JP10413286 A JP 10413286A JP S62260366 A JPS62260366 A JP S62260366A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ダーリントン・トランジスタの破壊耐量向上
を目的として、ダーリントン・トランジスタのエミッタ
・ベース間にツェナーダイオードを挿入した半導体装置
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which a Zener diode is inserted between the emitter and base of a Darlington transistor for the purpose of improving breakdown resistance of the Darlington transistor.
従来の技術
従来、オーディオ用ダーリントン・トランジスタの破壊
耐量を向上させるため、コレクタ、ベース、エミッタに
内部抵抗を挿入し、大電流が流れた時に内部抵抗で電圧
降下を発生させ、トランジスタへ流れる電流を低下させ
る等価回路構成が取られていた。Conventional technology Conventionally, in order to improve the breakdown resistance of audio Darlington transistors, internal resistors were inserted into the collector, base, and emitter, and when a large current flowed, a voltage drop was generated across the internal resistors, reducing the current flowing to the transistor. An equivalent circuit configuration was adopted to reduce the
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述の構成では、トランジスタの主特性である
電流増幅率やコレクタ飽和電圧等が悪くなる欠点があり
、また、破壊耐量の向上も充分でなかった。Problems to be Solved by the Invention However, the above-described configuration has the disadvantage that the main characteristics of the transistor, such as the current amplification factor and collector saturation voltage, deteriorate, and the breakdown strength has not been sufficiently improved.
これは、オーディオ回路特有の負荷ショート時において
ベース電圧が上昇するため、エミッタ電流が急激に増加
し、挿入された内部抵抗によっても、充分に電流を制限
することができないという問題点のためであった。This is due to the problem that the base voltage rises when the load is shorted, which is unique to audio circuits, and the emitter current increases rapidly, making it impossible to limit the current sufficiently even with the inserted internal resistance. Ta.
本発明は、上述の従来例にみられた問題点の解消をはか
る半導体装置を実現するものである。The present invention realizes a semiconductor device that solves the problems seen in the above-mentioned conventional example.
問題点を解決するための手段
本発明は、ダーリントン・トランジスタのエミッタ・ベ
ース電極間に低電圧動作のツェナーダイオ−ドを同一基
板上に形成した構造の半導体装置である。Means for Solving the Problems The present invention is a semiconductor device having a structure in which a Zener diode operating at a low voltage is formed on the same substrate between the emitter and base electrodes of a Darlington transistor.
作用
本発明によると、ダーリントン・トランジスタのエミッ
タ・ベース電極間に低電圧動作のツェナー、ダイオード
を挿入することにより、オーディオ回路の負荷ショート
時にベース電圧が上昇すると、ツェナーダイオードがブ
レーク・ダウンを起こし、ツェナー耐圧以上の電圧がト
ランジスタに印加されることがなくなる。このため、ト
ランジスタのエミッタ電流増加が押えられ、安全動作領
域を越えた電流が流れることがな（、トランジスタの破
壊を防止することができる。また、ツェナーダイオード
は、前段回路のドライブ電流で規制されるため、その電
流容量値は、たかだか数１０ｍＡあれば充分であり、ツ
ェナー耐圧はダーリントン・トランジスタのベース・エ
ミッタ間電圧１．２〜１．５ｖより高い２〜５Ｖが適当
である。According to the present invention, by inserting a low-voltage operating Zener diode between the emitter and base electrodes of the Darlington transistor, when the base voltage increases when the load of the audio circuit is short-circuited, the Zener diode breaks down. A voltage higher than the Zener breakdown voltage is not applied to the transistor. Therefore, the increase in emitter current of the transistor is suppressed, and current exceeding the safe operating area does not flow (and destruction of the transistor can be prevented.Also, Zener diodes are regulated by the drive current of the preceding stage circuit). Therefore, a current capacity value of several tens of mA at most is sufficient, and a Zener breakdown voltage of 2 to 5 V, which is higher than the base-emitter voltage of 1.2 to 1.5 V of a Darlington transistor, is appropriate.
実施例 つぎに本発明を実施例により詳しくのべる。Example Next, the present invention will be described in detail with reference to examples.
第１図は本発明実施例半導体装置の断面図であり、また
、第２図は等価回路図である。Ｎ型シリコン基板１上に
二つのＰ型ベース領域２およびエミッタ領域３を形成す
るにあたり、まず、Ｐ型ベース領域２と共に、独立の分
離Ｐ要領域４を同時に形成する。次に領域４の内部に高
濃度Ｐ要領域５を形成する。さらに、エミッタ領域３を
形成するに際し、領域５の内部に同時にＮ型領域６を形
成する。その後、エミッタ電極７ベース電極８゜アノー
ド電極９．カソード電極１０．およびコレクタ電極１１
を各々形成し、アノード電極９はエミッタ電極７と、カ
ソード電極１０はベース電極８と、それぞれ、結線する
。なお、符号１２は内部電極、同１３は絶縁物である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram. In forming the two P-type base regions 2 and emitter regions 3 on the N-type silicon substrate 1, first, the P-type base region 2 and the independent P-required region 4 are simultaneously formed. Next, a high concentration P required region 5 is formed inside the region 4. Furthermore, when forming the emitter region 3, an N-type region 6 is simultaneously formed inside the region 5. After that, emitter electrode 7 base electrode 8° anode electrode 9. Cathode electrode 10. and collector electrode 11
are formed, and the anode electrode 9 and the cathode electrode 10 are connected to the emitter electrode 7 and the base electrode 8, respectively. Note that the reference numeral 12 is an internal electrode, and the reference numeral 13 is an insulator.
これにより、ダーリントン・トランジスタのエミッタ・
ベース電極間にツェナーダイオードが挿入された半導体
装置が形成される。ツェナー耐圧２〜５Ｖを得るために
、領域４の内部に高濃度のＰ型領域５およびＮ型領域６
を形成する。この構造により耐圧２〜５ｖのツェナーダ
イオードの形成が可能となり、また、縦方向の寄生ＮＰ
Ｎ トランジスタは、電流増幅率が低く、かつダーリン
トン・トランジスタの正常動作には、ツェナーダイオー
ドのアノード・カソード間は常に逆バイアスとなるため
、異常動作は起こらない。This makes the emitter of the Darlington transistor
A semiconductor device is formed in which a Zener diode is inserted between base electrodes. In order to obtain a Zener breakdown voltage of 2 to 5 V, a highly concentrated P-type region 5 and an N-type region 6 are provided inside the region 4.
form. This structure makes it possible to form a Zener diode with a withstand voltage of 2 to 5 V, and also prevents parasitic NP in the vertical direction.
The N transistor has a low current amplification factor, and for normal operation of the Darlington transistor, the anode and cathode of the Zener diode are always reverse biased, so no abnormal operation occurs.
本発明は、上記実施例半導体装置に限られるものではな
（、種々の変形あるいは応用が可能である。たとえば実
施例ではＮＰＮダーリントン・トランジスタについて説
明したが、ＰＮＰダーリントン・トランジスタにも適用
可能である。The present invention is not limited to the semiconductor device of the embodiment described above (various modifications and applications are possible. For example, in the embodiment, an NPN Darlington transistor has been described, but it is also applicable to a PNP Darlington transistor. .
発明の効果
本発明によれば、オーディオ用ダーリントン・トランジ
スタのエミッタ・ベース電極間に耐圧値２〜５ｖ程度の
ツェナーダイオードを挿入することにより、同ツェナー
ダイオードのブレーク−ダウンによってトランジスタの
破壊を防ぐことができる。しかも同一基板上に形成され
るため、トランジスタの破壊耐量向上とともに信頼性の
向上も可能となる。Effects of the Invention According to the present invention, by inserting a Zener diode with a breakdown voltage of about 2 to 5 V between the emitter and base electrodes of an audio Darlington transistor, destruction of the transistor due to breakdown of the Zener diode can be prevented. Can be done. Furthermore, since they are formed on the same substrate, it is possible to improve the breakdown resistance of the transistor as well as its reliability.
第１図は本発明実施例半導体装置の断面図、第２図は本
発明実施例半導体装置の等価回路図である。
１・・・・・・Ｎ型コレクタ領域、２・・・・・・Ｐ型
ベース領域、３・・・・・・Ｎ型エミッタ領域、４・・
・・・・分！Ｐ型領域、５・・・・・・高濃度Ｐ要領域
、６・・・・・・高濃度Ｎ型領域、７・・・・・・エミ
ッタ電極、８・・・・・・ベース電極、９・・・・・・
アノード電極、１０・・・・・・カソード電極、１１・
・・・・・コレクタ電極、１２・・・・・・内部電極、
１３・・・・・・絶縁物。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 1... N-type collector region, 2... P-type base region, 3... N-type emitter region, 4...
...minute! P type region, 5... High concentration P required region, 6... High concentration N type region, 7... Emitter electrode, 8... Base electrode, 9...
Anode electrode, 10...Cathode electrode, 11.
... Collector electrode, 12 ... Internal electrode,
13... Insulator.
Claims (1)
形成された分離領域を有し、同分離領域中に、高濃度領
域を形成し、この高濃度領域中に逆導電型領域を形成し
てツェナーダイオード構成とし、このツェナーダイオー
ドを前記ダーリントン・トランジスタのエミッタ電極と
、ベース電極との間に各々結線したことを特徴とする半
導体装置。It has an isolation region formed simultaneously with the two base regions of the Darlington transistor, a high concentration region is formed in the isolation region, and an opposite conductivity type region is formed in this high concentration region to form a Zener diode configuration. A semiconductor device, characterized in that the Zener diode is connected between an emitter electrode and a base electrode of the Darlington transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10413286A JPS62260366A (en) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10413286A JPS62260366A (en) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260366A true JPS62260366A (en) | 1987-11-12 |
Family
ID=14372581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10413286A Pending JPS62260366A (en) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260366A (en) |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10413286A patent/JPS62260366A/en active Pending
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