JPS62259240A - 半導体レ−ザビ−ム整形光学装置 - Google Patents
半導体レ−ザビ−ム整形光学装置Info
- Publication number
- JPS62259240A JPS62259240A JP61102348A JP10234886A JPS62259240A JP S62259240 A JPS62259240 A JP S62259240A JP 61102348 A JP61102348 A JP 61102348A JP 10234886 A JP10234886 A JP 10234886A JP S62259240 A JPS62259240 A JP S62259240A
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- Japan
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- semiconductor laser
- lens
- laser
- convex cylindrical
- parallel
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 22
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザビーム整形光学装置に関し、特
に光ディスクの記録、再生に用いられる光学ヘッドの半
導体レーザビーム整形光学装置に関する。
に光ディスクの記録、再生に用いられる光学ヘッドの半
導体レーザビーム整形光学装置に関する。
従来の技術
一般に、光ディスクの記録、再生に用いられる光学ヘッ
ドの半導体レーザは第3図に示すように、接合面に垂直
な方向の拡がり角Q(例えば、±15゜〜δ°)と、接
合面に平行な方向の拡がり角Q(例えば、±5°〜10
°)とを有する橢円形の拡散ビームを出力する。したが
って、光ディスクの記録、再生を行うためには、この半
導体レーザビームを微小な円形スポット光に整形しなけ
ればならない。
ドの半導体レーザは第3図に示すように、接合面に垂直
な方向の拡がり角Q(例えば、±15゜〜δ°)と、接
合面に平行な方向の拡がり角Q(例えば、±5°〜10
°)とを有する橢円形の拡散ビームを出力する。したが
って、光ディスクの記録、再生を行うためには、この半
導体レーザビームを微小な円形スポット光に整形しなけ
ればならない。
従来この種の装置は第4図に示すように、半導体レーザ
lのビームを平行化するコリメータレンズ2と、コリメ
ータレンズ2からの橢円形の平行光のうち接合面と平行
な方向の光を拡散する凹シリンドリカルレンズ3と、凹
シリンドリカルからの接合面と平行な方向の拡散光を平
行化して円形のビームを出力する凸シリンドリカルレン
ズ4よシ構成され、凸シリンドリカルレンズ4からの平
行かつ円形のビームをコンデンサレンズ5により微小な
円形スポット光に集光していた(例えば、特開昭5.5
108612号公報)。
lのビームを平行化するコリメータレンズ2と、コリメ
ータレンズ2からの橢円形の平行光のうち接合面と平行
な方向の光を拡散する凹シリンドリカルレンズ3と、凹
シリンドリカルからの接合面と平行な方向の拡散光を平
行化して円形のビームを出力する凸シリンドリカルレン
ズ4よシ構成され、凸シリンドリカルレンズ4からの平
行かつ円形のビームをコンデンサレンズ5により微小な
円形スポット光に集光していた(例えば、特開昭5.5
108612号公報)。
また、他の従来の装置は第5図に示すように、半導体レ
ーザからの橢円形拡散ビームを平行化するコリメータレ
ンズ2と、コリメータレンズ2からの橢円形千行光を円
形に整形するウェッジプリズム6を有し、このウェッジ
プリズム6かラノ円形乎行光を集光していた(例えば、
特開昭56−41号公報、特開昭59−229753号
公報)。
ーザからの橢円形拡散ビームを平行化するコリメータレ
ンズ2と、コリメータレンズ2からの橢円形千行光を円
形に整形するウェッジプリズム6を有し、このウェッジ
プリズム6かラノ円形乎行光を集光していた(例えば、
特開昭56−41号公報、特開昭59−229753号
公報)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前者の構成にあっては、コリメータレン
ズ2と、凹凸シリンドルカルレンズ3.4を配置するた
めに十分な距離を必要とするために大型化し、また光デ
ィスクの記録、再生を行うのに十分な光強度の円形スポ
ット光を得ることができないという問題点がある。また
、この従来例では3つのレンズ系2.3.4を同一光軸
上に配置するために組立精度が要求され、高価となる問
題点がある。
ズ2と、凹凸シリンドルカルレンズ3.4を配置するた
めに十分な距離を必要とするために大型化し、また光デ
ィスクの記録、再生を行うのに十分な光強度の円形スポ
ット光を得ることができないという問題点がある。また
、この従来例では3つのレンズ系2.3.4を同一光軸
上に配置するために組立精度が要求され、高価となる問
題点がある。
他方、後者の構成にあっては、ウェッジプリズム6に対
するビーム入射角は半導体レーザ1のビーム拡がり角度
に依存するだめに、プリズム構成が複雑となる問題点が
ある。
するビーム入射角は半導体レーザ1のビーム拡がり角度
に依存するだめに、プリズム構成が複雑となる問題点が
ある。
本発明は上記従来例の問題に鑑み、簡単かつ小型の構成
で十分な光強度のスポット光を得ることができる半導体
レーザビーム整形光学装置を提供することを目的とする
。
で十分な光強度のスポット光を得ることができる半導体
レーザビーム整形光学装置を提供することを目的とする
。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するために、半導体レーザビ
ームを接合面と垂直な方向にコリメートする凸シリンド
リカルレンズと、半導体レーザビームを接合面と平行な
方向にコリメートする凸シリンドリカルレンズとを備え
たものである。
ームを接合面と垂直な方向にコリメートする凸シリンド
リカルレンズと、半導体レーザビームを接合面と平行な
方向にコリメートする凸シリンドリカルレンズとを備え
たものである。
作用
本発明は上記構成によシ、2枚のレンズ系で構成するこ
とができるために、簡単でかつ小型の構成で十分な光強
度のスポット光を得ることができる0 実施例 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する0 第1図は本発明の半導体レーザビーム整形光学装置の一
実施例を示し、第1図(イ)は半導体レーザ10の接合
面に垂直な方向(上)の光軸に沿った図であり、第1図
(ロ)は半導体レーザ10の接合面に平行な方向に沿っ
た図である。
とができるために、簡単でかつ小型の構成で十分な光強
度のスポット光を得ることができる0 実施例 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する0 第1図は本発明の半導体レーザビーム整形光学装置の一
実施例を示し、第1図(イ)は半導体レーザ10の接合
面に垂直な方向(上)の光軸に沿った図であり、第1図
(ロ)は半導体レーザ10の接合面に平行な方向に沿っ
た図である。
半導体レーザ10は前述した第3図に示すように、接合
面に垂直な方向の拡がシ角Q (例えば、±15゜〜2
0°)と、接合面に平行な方向の拡がり角Q (例えば
、±5°〜10°)の橢円形のビームを拡散する。
面に垂直な方向の拡がシ角Q (例えば、±15゜〜2
0°)と、接合面に平行な方向の拡がり角Q (例えば
、±5°〜10°)の橢円形のビームを拡散する。
第1図において、半導体レーザ10の光軸に沿って、焦
点距離f、の凸シリンドリカルレンズ11と焦点距離f
2(>L)の凸シリンドリカルレンズ12が焦点位置を
一致させて配置され、半導体レーザ10はこれら凸シリ
ンドリカルレンズ11.12の焦点位置に配置されてい
る。尚、凸シリンドリカルレンズ11.12は、半導体
レーザ10の橢円形拡散ビームの橢円率がf2/f+に
等しいものが選択される。
点距離f、の凸シリンドリカルレンズ11と焦点距離f
2(>L)の凸シリンドリカルレンズ12が焦点位置を
一致させて配置され、半導体レーザ10はこれら凸シリ
ンドリカルレンズ11.12の焦点位置に配置されてい
る。尚、凸シリンドリカルレンズ11.12は、半導体
レーザ10の橢円形拡散ビームの橢円率がf2/f+に
等しいものが選択される。
凸シリンドリカルレンズ11は、そのパワー(屈折力)
方向と半導体レーザ10の接合面と垂直な方向(−L)
に一致するように配置され、凸シリンドリカルレンズ1
2は、そのパワ一方向と半導体レーザ10の接合面と平
行な方向(//)に一致するように配置されている。す
なわち、凸シリンドリカルレンズ11.12はパワ一方
向が直交するように配置される。尚、半導体レーザ10
の光軸に沿った凸シリンドリカルレンズ12の後方には
、微小円形スポット光を形成するためのコンデンサレン
ズ13が配置される。
方向と半導体レーザ10の接合面と垂直な方向(−L)
に一致するように配置され、凸シリンドリカルレンズ1
2は、そのパワ一方向と半導体レーザ10の接合面と平
行な方向(//)に一致するように配置されている。す
なわち、凸シリンドリカルレンズ11.12はパワ一方
向が直交するように配置される。尚、半導体レーザ10
の光軸に沿った凸シリンドリカルレンズ12の後方には
、微小円形スポット光を形成するためのコンデンサレン
ズ13が配置される。
上記構成において、半導体レーザ10が凸シリンドリカ
ルレンズ11の焦点位置に配置されているために、この
レンズ11により半導体レーザ10の橢円形拡散ビーム
が半導体レーザ10の接合面と垂直な方向(上)にコリ
メートされる。
ルレンズ11の焦点位置に配置されているために、この
レンズ11により半導体レーザ10の橢円形拡散ビーム
が半導体レーザ10の接合面と垂直な方向(上)にコリ
メートされる。
また、半導体レーザ10が凸シリンドリカルレンズ12
の焦点位置に配置されているために、このレンズ12に
よシ半導体レーザ10の橢円形拡散ビームが半導体レー
ザ10の接合面と平行な方向(//)にコリメートされ
る。
の焦点位置に配置されているために、このレンズ12に
よシ半導体レーザ10の橢円形拡散ビームが半導体レー
ザ10の接合面と平行な方向(//)にコリメートされ
る。
更に、凸シリンドリカルレンズ11.12の焦点距離比
f2/f+が半導体レーザ10の橢円形ビームの断固率
に一致しているために、凸シリンドリカルレンズ12の
出射光は円形の平行ビームとなる。この円形平行ビーム
はコンデンサレンズ13によシ焦束されて微小な円形ス
ポット光に整形される。
f2/f+が半導体レーザ10の橢円形ビームの断固率
に一致しているために、凸シリンドリカルレンズ12の
出射光は円形の平行ビームとなる。この円形平行ビーム
はコンデンサレンズ13によシ焦束されて微小な円形ス
ポット光に整形される。
第2図は第1図の半導体レーザビーム整形光学装置を用
いた光デイスク記憶再生ヘッドの概略を示し、凸シリン
ドリカルレンズlL12は銃筒14によシ一体的にかつ
簡単な構成とすることができる。
いた光デイスク記憶再生ヘッドの概略を示し、凸シリン
ドリカルレンズlL12は銃筒14によシ一体的にかつ
簡単な構成とすることができる。
第2図において、半導体レーザlOの橢円形拡散ビーム
は凸シリンドリカルレンズlL12によシ円形平行ビー
ムに整形され、ミラー15によシ直角に折曲げられた後
コンデンサレンズ13に入射する。
は凸シリンドリカルレンズlL12によシ円形平行ビー
ムに整形され、ミラー15によシ直角に折曲げられた後
コンデンサレンズ13に入射する。
コンデンサレンズ13はフォーカスサーボ機構全構成す
るボイスコイル16により支持されておシ、光ディスク
17の凹凸に応じて微小な円形スポット光を結像する。
るボイスコイル16により支持されておシ、光ディスク
17の凹凸に応じて微小な円形スポット光を結像する。
発明の詳細
な説明したように本発明は、2つの凸シリンドリカルレ
ンズによシそれぞれ、半導体レーザビームの接合面と垂
直及び平行な方向のビーム整形を行うようにしたので、
簡単かつ小型の構成とすることができ、また十分な光強
度のスポット光を得ることができる。
ンズによシそれぞれ、半導体レーザビームの接合面と垂
直及び平行な方向のビーム整形を行うようにしたので、
簡単かつ小型の構成とすることができ、また十分な光強
度のスポット光を得ることができる。
第1図(イ)は、半導体レーザの接合面に垂直な方向の
光軸に沿った本発明の半導体レーザビーム整形光学装置
の一実施例を示す図、第1図(ロ)は第1図の装置の半
導体レーザの接合面に平行な方向の光軸に沿った図、第
2図は第1図の装置を用いた光デイスク記録再生ヘッド
の概略を示す図、第3図は半導体レーザビームを説明す
るグラフ、第4図(イバロ)は従来例を示す図、第5図
は他の従来例を示す図である。 lO・・・半導体レーザ、11.12・・・凸シリンド
リカルレンズ、13・・・コンデンサレンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名M
3 図 第 4 図
光軸に沿った本発明の半導体レーザビーム整形光学装置
の一実施例を示す図、第1図(ロ)は第1図の装置の半
導体レーザの接合面に平行な方向の光軸に沿った図、第
2図は第1図の装置を用いた光デイスク記録再生ヘッド
の概略を示す図、第3図は半導体レーザビームを説明す
るグラフ、第4図(イバロ)は従来例を示す図、第5図
は他の従来例を示す図である。 lO・・・半導体レーザ、11.12・・・凸シリンド
リカルレンズ、13・・・コンデンサレンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名M
3 図 第 4 図
Claims (1)
- 半導体レーザの橢円形拡散ビームを半導体レーザの接合
面と垂直な方向にコリメートする焦点距離f_1の第1
の凸シリンドリカルレンズと、前記橢円形拡散ビームを
前記接合面と平行な方向にコリメートする焦点距離f_
2の第2の凸シリンドリカルレンズとを有し、前記橢円
形状拡散ビームの橢円率はf_2/f_1であることを
特徴とする半導体レーザビーム整形光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61102348A JPS62259240A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体レ−ザビ−ム整形光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61102348A JPS62259240A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体レ−ザビ−ム整形光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62259240A true JPS62259240A (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=14324982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61102348A Pending JPS62259240A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体レ−ザビ−ム整形光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62259240A (ja) |
-
1986
- 1986-05-02 JP JP61102348A patent/JPS62259240A/ja active Pending
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