JPS62254427A - レ−ザ描画装置 - Google Patents

レ−ザ描画装置

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Publication number
JPS62254427A
JPS62254427A JP61098743A JP9874386A JPS62254427A JP S62254427 A JPS62254427 A JP S62254427A JP 61098743 A JP61098743 A JP 61098743A JP 9874386 A JP9874386 A JP 9874386A JP S62254427 A JPS62254427 A JP S62254427A
Authority
JP
Japan
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signal
scanning
sample
laser beam
scanning direction
Prior art date
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Pending
Application number
JP61098743A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsunobu Katayama
片山 光庸
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Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP61098743A priority Critical patent/JPS62254427A/ja
Publication of JPS62254427A publication Critical patent/JPS62254427A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、試料上にブランキングされたレーザ光線を照
射して所定のパターンを描画するレーザ描画装置に係り
、特に試料の速度ムラによる誤差を除去できるようした
レーザ描画装置の改良に関する。
〔背景技術とその問題点〕
近年、P CB (Print C1rcuit Bo
ard)等の試料に直接的にパターンを描画するものと
して、レーザビームを利用したレーザ描画装置が開発さ
れている。この装置は、試料を一方向(Y走査方向)に
連続移動しながら、この移動方向と直交する方向(X走
査方向)にレーザビームを走査し、ビームの0N−OF
Fを制御するいわゆるブランキングすることにより、ラ
スクスキャン方式でパターンを描画するものである。そ
して、大面積の試料であっても比較的短時間で描画でき
るという特徴を有している。
ここに、従来のレーザ描画装置を第4図、第5図を参照
して説明する。レーザ描画装置は描画装置本体80と制
御部100とがら構成されている。
すなわち、描画装置本体80は、Arレーザ等のレーザ
ビームを放射するレーザ発振器81、ビームの光路を変
える反射鏡12a〜12d、ビームをブランキングする
音響光学変調器(以下AOMと略記する)83、ビーム
を反射して試料90上でX方向に走査するポリゴンミラ
ー84、Fθレンズ85、シリンドリカルレンズ86、
対物ミラー87および試料90を載置する試料ステージ
91等から構成されている。
ポリゴンミラー84は、第1のモータ96により回転駆
動されるが、ポリゴンミラー84の回転軸には該ミラー
84の回転量を検出するロータリーエンコーダ99が設
けられている。試料90上にレザービームを集束させる
ための対物ミラー87には、該ミラー87の傾斜を調整
するための第2のモータ97が設けられている。試料ス
テージ91は、第3のモータ98によりY走査方向に連
続移動されるものであり、試料ステージ91の下面側に
は、該ステージ91のY走査方向位置を検出する磁気ス
ケール88およびこのスケール88と協働するセンサ8
9が設けられている。また、・Y走査方向に移動可能な
試料ステージ91上には、PCB等の試料90が設置さ
れている。試料ステージ91は、第5図の側断面図に示
す如く、矩形状の板体から形成され、その上面にガラス
板92a、92bで試料90を挟み込んで試料90を固
定保持するものとなっている。上側のガラス板92aは
クランプ93に固定され、クランプ93とともに二点鎖
線で示すように回転するものとなっている。試料ステー
ジ91は、ナツト94およびこのナツト94に螺合する
ボールネジ95を介してモータ98に連結されている。
そして、モータ98の回転により、試料ステージ91は
Y方向に連続移動されるものとなっている。なお、第5
図の構成は第4図と一部異なり、試料90の表裏両面に
描画できるよう下側の光学系(85′、87°)をも示
している。
一方、制御部100は、基本的にはCPUl01、磁気
テープ装置102、磁気ディスク装置103、描画パタ
ーン処理回路104、走査制御回路108、駆動制御回
路109および各種ドライバ(以下DRVと略記する)
llla、1llbから構成されている。描画パターン
処理回路104は、ダイレクトメモリアクセス回路(D
MA)105、ビット変換器106およびブランキング
信号発生器107からなるもので、CPUl0Iから与
えられる描画データおよび走査制御回路108から与え
られるシフトクロック等に基づいてブランキング信号を
発生する。そして、描画パターン処理回路104で作ら
れたブランキング信号に基づいてDRVlllaにより
前記AOM83が駆動される。走査制御回路10111
はエンコーダ99からのパルス信号に基づいてシフトク
ロックを発生するとともに、描画パターン処理回路10
4に所定の制御指令を送出する。
また、駆動制御回路109は各種モータを駆動制御する
ものであり、この回路109の信号を入力したDRVl
llbにより前記モータ96,97.98が駆動される
ものとなっている。
このように構成された従来のレーザ描画装置では、レー
ザ発振器81から放射されたレーザビームは、反射ミラ
ー12aで反射された後ビームブランキングのためのA
OM83に照射される。八〇M83を通過したレーザビ
ームは、反射ミラー82b、82c、82dを介しポリ
ゴンミラー84に照射される。ポリゴンミラー84で反
射されたレーザビームは、Fθレンズ85およびシリン
ドリカルレンズ86を通り、さらに対物ミラー87で反
射されて、前記試料90の上面に照射結像されるものと
なっている。
ところで、描画パターン処理回路104には、磁気テー
プ装置102に記憶され磁気ディスク装置103に格納
されたPCBのパターンデータがcputotから与え
られ、かつポリゴンミラー84に直結されたロータリー
エンコーダ99の回転に基づいたシフトクロックが走査
制御回路108から与えられている。
従って、描画パターン処理回路104のブランキング信
号発生器107から発生されたブランキング信号によっ
てAOM83はレーザ発振器81からのレーザビームを
ブランキングすることができる。一方、試料90を支持
するステージ91はモーフ98、駆動制御回路109を
介し走査制御回路108からの出力信号に基づいてポリ
ゴンミラー84の回転と同調されつつY走査方向に移動
制御される。
このようにして、前記試料90上に照射されるレーザビ
ームは、試料ステージ91の移動方向(Y走査方向)お
よび直交するX走査方向に走査されるものとなっている
。かくして、試料90上には、いわゆるラスクスキャン
方式で前記パターンデータに基づく所定のパターンが描
かれる。CAD等により作成された幾何学的な圧縮デー
タであるパターンデータを用意することによって準備す
べきデータ量を大幅に削減しつつ高精度な描画を短時間
で行い生産性を高めることができる。
しかしながら、上記従来のレーザ描画装置では次のよう
な問題を有していた。
すなわち、描画精度はX走査方向とY走査方向の走査精
度によって決せられるが、ビクセルピッチがO、l a
il(0,0001インチ)の細かいもので比較的大き
な面積を持つ1枚のPCBを描画しようとする場合等に
あっては、とりわけ試料ステージ91すなわち試料90
の送すムラの精度におよぼす影響が大きく最早試料ステ
ージ91の構造上の加工、組立、調整によ走行性能向上
策をもって、それを解決しようとすることは事実上不可
能となってきた。
ここに、試料ステージ91の走行とポリゴンミラー(ス
キャナー)84の回転との同期をとって、つまり試料ス
テージ91の走行性能に応じてポリゴンミラー84の回
転数を制御することが考えられるが、これによれば、た
とえポリゴンミラー84をエアベアリングとする等の軸
支手段改良を行うとしても機械的誤差は避けられず、ま
たイナーシャ等による応答性も限界が生ずる。しかも電
源電圧ないし制御電圧の変動も間接的に関与するという
新たな固有問題が生じるので精度保障が困難であり、ま
たスキャン抜けを引き起こす欠点もあり抜本的解決策と
ならなかった。
〔発明の目的〕
本発明は、試料の速度ムラに起因する描画位置誤差を光
学的に補正する高精度かつ生産性の高いレーザ描画装置
を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段および作用〕(手段) 本発明は、上述の従来問題点が試料を保持する試料ステ
ージの機械的要因に基づき生じていることおよびポリゴ
ンミラー等他の機械的手段によったとしても精度的問題
は限界にあることに着目し、光学的に補正するようした
ものである。
これがため、本発明はY走査方向に移動可能とされた試
料にブランキングされたレーザビームをX走査方向に照
射させて行うレーザ描画装置において、 前記試料のY走査方向の現在位置を検出し所定期間内に
その検出値を記憶する現在位置記憶手段と、 前記試料の次回に前記レーザビームを照射すべき位2を
特定するための目標走査位置特定手段と、前記現在位置
記憶手段と目標走査位置特定手段とからの再出力信号を
比較して位置差信号を発する差演算器と、 入力された前記差演算器からの位置差信号から補正可能
範囲か否かを確認するための補正可能範囲確認手段と、 前記補正可能範囲確認手段によって補正可能範囲内と1
i1!認したときに前記位置差信号をアナログ信号に変
換するデジタル−アナログ変換器と、前記レーザビーム
を前記試料のY走査方向に偏向させるための偏向手段と
、 入力された前記デジタル−アナログ変換器からのアナロ
グ信号に基づいて前記偏向手段を駆動するための偏向駆
動手段とを含み、前記試料のY走査方向速度ムラを補正
して描画位置誤差を除去できるよう構成した補正手段を
設け、前記目的を達成するものである。
(作用) 本発明では、上記構成とされているから、予め補正可能
範囲判断データやアドレスユニット等を設定しておけば
、任意の走査(スキャン)毎に現在位置記憶手段で試料
の現在位置を記憶するとともに、この現在位置信号と前
回の走査(スキャン)時に更新した目標走査位置特定手
段における目標位置信号とを差演算することによって差
演算器で速度ムラの有無が判定される。その結果、速度
ムラに起因する差演算器から構成される装置差信号が過
大、正常、過小であるか否かすなわち、補正可能範囲確
認手段によって補正可能か否かが判断される。
そして、補正可能範囲と判断したときに、デジタル信号
である前記位置差信号をアナログ信号に変換し、変換さ
れたデジタルアナログ変換器からのアナログ信号にゲイ
ン調整等を施し偏向駆動手段から制御信号出力する。こ
れにより、レーザ発振器から発し試料上に照射されるレ
ーザビームを偏向手段によって前記速度ムラによる位r
Il誤差を打ち消すように偏向制御する。従って、試料
(試料ステージ)にY走査方向の速度ムラが生じたとし
ても、次の走査(スキャン)までには照射すべき位置が
補正されているから誤差を生じることなく高精度な描画
をすることができる。また、速度ムラが後の走査に残存
し累積誤差とされないので高精度でPCB等を能率よく
生産することができる。
〔実施例〕
本発明に係るレーザ描画装置の一実施例を図面を参照し
ながら説明する。
本発明は、前出第4図および第5図に示した、Y走査方
向に移動可能とされた試料ステージすなわち試料にブラ
ンキングされたレーザビームをX走査方向に照射させて
行う従来レーザ描画装置と同様のレーザ描画装置におい
て、補正手段10が設けられている。なお、従来レーザ
描画装置と同一部分については同一番号を付するととも
に図示および説明を簡略化または省略する。
補正手段lOは、現在位置記憶手段1、目標走査位置特
定手段2、差演算器3、補正可能範囲確認手段4、デジ
タル−アナログ変換器5、偏向手段6および偏向駆動手
段7から構成されている。
現在位置記憶手段1は、8面とされたポリゴンミラー8
4の各面毎すなわち走査(スキャン)毎に試料90のY
走査方向の現在位置を記憶しようとするものであり、セ
ンサ89からのスケール88に対する相対変位相当信号
をパルス信号化するパルス化回路11、このパルス化回
路11からのパルス信号を計数する可逆カウンタ12 
(前記従来レーザ描画装置の場合には走査制御回路10
8の一部として説明省略した。)、ラッチ回路14およ
び同期回路13とから形成されている。
従って、同期回路13は位置ホールド指令信号PST−
HLDで駆動されパルス化回路11のパルス信号と同期
させてランチ回路14を作動し、カウンタ12の計数値
たる試料90の現在位置を所定期間記憶することができ
る。
また、目標走査位置特定手段2は、描画パターン処理回
路104でパターンデータを所定処理して得た2値化パ
ターンデータとしてのアドレスユニット(本実施例では
試料90面上に照射されたレーザビームの直径としての
アドレスサイズと絶対価が等しい。)を記憶するアドレ
スユニット記憶素子21、目標位置に1アドレスユニツ
トを加算して次回の目標走査位置を決定するデジタル加
算器22、このデジタル加算器22からの出力信号PS
T−THRまたは最初のY走査開始位置を記憶した走査
開始位置記憶素子24からの出力信号PST−3TTを
選択するデータセレクタ23およびこのデータセレクタ
23から次回に走査すべき位置を記憶し目標位置信号P
ST −NXTを出力するラッチ回路25から形成され
ている。従って、目標走査位置特定手段2では書込信号
である目標位置更新指令信号YWP −LTCHに基づ
いてラッチ回路25を駆動することによってスキャン毎
に1アドレスユニツトを加算し、データ更新を行いなが
ら次回の目標走査位置を特定することができる。
また、差演算器3は、ラッチ回路14およびラッチ回路
25でそれぞれ記憶された現在位置および目標位置であ
る両デジタル信号PST−ACT。
PST−NXTを比較してその差分を求め、位置差信号
PST−DFTを出力するものである。
補正可能範囲確認手段4は、比較器41と補正可能範囲
判断データ記憶素子42とから形成され、補正可能範囲
判断データ記憶素子42は予め設定された補正可能範囲
判断データをcputotから呼び出して記憶するとと
もに比較器41に出力する。従って、比較器41で位置
差信号PST・DFTと該補正可能範囲判断データ信号
CAA・DATとを比較し次回のスキャンに当たり補正
可能か否かを判断し、補正可能と判断したときには補正
実行指令信号RDYを出力できる。この実施例の場合、
差演算器3からの位置差信号PST・DFTが零であれ
ば該信号RDYは出力されず、正または負のデビエーシ
ヨン(±Δ)があるときであって後記する偏向手段6で
補正可能なときに限り該信号RDYを出力するよう構成
されている。
なお、現在位置信号PST−ACTが目標位置信号PS
T−NXTを大きく上廻った場合すなわち位置差信号P
ST−DFTが過大の場合には、エラー信号ERROR
をCPUI O1に出力することができる。
デジタル−アナログ変換器5は、補正実行指令信号RD
Yに基づいて発生される補正データ変換信号DAC−L
TCHによってデジタル信号たる位置差信号PST−D
FTをアナログ信号に変換できるよう形成されている。
偏向駆動手段7は、ゲイン調整回路71.バイアス回路
72、加算器73およびドライバ74から形成され、後
記偏向手段6を駆動制御するものである。加算器73は
、デジタル−アナログ変換器5からの位置差相当アナロ
グ信号にゲイン調整のための定数kを掛けた補正信号E
、と制御系全体から要求されるところの予め決定された
バイアス信号E、とを加算し、駆動信号E、を出力する
ことができる。また、ドライバー74は制御信号ECを
出力する。
偏向手段6は、レーザビームをY走査方向に微少だけ偏
向させるもので、音響光学偏向器(AOD)から形成さ
れ、ドライバ74の出力信号Ecに対応してその偏向度
合が変えられる。第1図では、説明便宜のためのAOD
をレーザ発振器81と反射ミラー82dとの間に配設し
、ポリゴンミラー84等を省略し、AODからのレーザ
ビームが反射ミラー82dから直接的に試料90へ偏光
照射されるよう模式化しているが、実際にはAODはA
OM83と反射ミラー12dとの間に配設され、また偏
向されたレーザビームはポリゴンミラー84、Fθレン
ズ85等を介し試料90上に照射されるよう構成されて
いる。
また、出力ホールド信号OTP −HLD、位置ホール
ド指令信号PST−HLD、補正実行指令信号RDY、
補正データ変換指令信号DAC−LTCHおよび目標位
置更新指令信号YWP −LTCHはCPUI 01か
らポリゴンミラー84の回転(詳しくは各面毎(スキャ
ン毎)に出力されるスキャン信号PLGN−3CN)に
依存して第2図に見るような関係で適時出力されるもの
である。
すなわち、出力ホールド信号OTP・HLDは、スキャ
ン信号PLGN−3CNによって一定時間T経過後にハ
イレベル(以下HL)からローレベル(以下LL)とな
り、次のスキャン信号PLGN−3CNで再びHLとな
るもので、HL中に描画が行われ、LL中に以下の各信
号が出力されるようホールドするものである0位置ホー
ルド指令信号PST−HLDは、一定時間T経過後すな
わち描画の完了後に信号OTP −HLDの立ち下がり
を条件としてHLから所定の短時間だけLLに保持され
るもので、この信号0TP−HLPのLLを条件として
カウンタ5の計数値をラッチ回路14にラッチする。な
お、ランチ回路6がラッチ作動中であるにかかわらずカ
ウンタ5はセンサ89の出力に追従し試料ステージ91
のY走査方向の現在位置を常に計数している。また、こ
の信号PST−HLDがLL中に、差演算器7は、ラン
チ回路14でラッチされた試料90の現在位置信号PS
T−ACTとラッチ回路25にラッチされている目標位
置信号PST−NXT (この段階では、現在到達して
いるべき位置となる)との差を求め、端子A−8より位
置差信号PST−DFTを出力するとともに、補正可能
範囲確認手段4によってその信号PST−DFTが補正
可能範囲か否かが判断される9次いで、補正可能と判断
されたときには、補正範囲確認手段4の比較FI41か
らCPUl0Iに補正実行指令信号RDYが出力される
よう形成されている。
なお、比較器14の端子Bに入力される補正可能範囲判
断データは、CPUI O1の作動能率を考慮して、一
旦補正可能範囲判断データ記憶素子42に記憶されてい
るものである。従って、差演算器3から位置差信号PS
T−DFTが出力されたときには何時でも比較器41が
比較作動することができる。
また、補正データ変換指令信号DAC−LTCHは、C
PU101を介し信号RDYを条件に出力され、LL中
に信号PST−DFTであるデジタル信号をアナログ信
号に変換すべきものである。
このためデジタル・アナログ変換器5は、この変換した
アナログ信号を次の信号DAC−LTCHがあるまで保
持することになる。また、目標位置更新指令信号YWP
 −LTCHは、以上の一連の判断、変換等が終了後に
次のスキャンが完了したときの判断をさせる準備として
、データセレクタ23を介し、デジタル加算器22で求
めた次回の目標位置データを記憶させるべくラッチ回路
25を駆動する信号である。なお、第1回目のスキャン
のために、信号YWP −LTCHは第2図の順序にか
かわらず、Y走査開始位置PST、と1アドレスユニツ
トとの合計すなわち二回目のスキャンをすべき目標位置
データをラッチ回路25にラッチすることができるよう
出力されるものである。
次に、このように構成された本実施例の作用を説明する
なお、前出の従来例として説明したレーザ描画装置の基
本的作用については説明を省略する。
(初期状Li) 描画開始前に、アドレスユ二ント記憶素子21にはアド
レスユニット、走査開始位置記憶素子24には第3図で
見るような走査開始位置PSTゆ相当Y座標値、補正可
能範囲データ記憶素子42には補正可能範囲判断データ
がそれぞれCPUl01からの出力により記憶されてい
る。また、偏向駆動手段7のゲイン調整回路71には定
数kが設定され、バイアス回路72にはバイアス信号E
、が設定されている。さらに、目標位置更新指令信号Y
WP −LTCHが出力され、ラッチ回路25には、上
記走査開始位置PST、相当Y相当値座標値ドレスユニ
ツトとの加算値がラッチされている。
(第1回目スキャン) 従来と同様に、制御部100と描画装置本体80が駆動
され、第1のモータ96によってポリゴンミラー84が
回転されると、ロータリーエンコーダ99から回転量に
応じた回転出力信号が発生する。ここに、試料ステージ
91が第3のモータ98によって走査開始位置PST、
に到達しかつポリゴンミラー84の回転に基づき所定の
スキャン信号PLGN−3CNが第2図で時刻T0に出
力されると、ポリゴンミラー84の当該−面の回転傾斜
に従ってレーザビームがX走査方向位置P。−P、に移
行し、AOM83でのプランキング制御が相俟って描画
が行われる。なお、この間にも試料ステージ91は第3
のモータ98によって移動おり、かつ対物ミラー87は
予め所定角度θだけ傾斜設置されているので、X走査方
向でのスキャンが完了したとき(位置P、)には試料9
゜上の位置P、が位置P1 と等しくなる。したがって
、試料90上には所定パターン(線分Po  Pll)
の描画がなされる。
ここに、時刻T、から所定時間T経過後において、出力
ホールド信号0TP−HLDがHLからLLとなると、
位置ホールド指令信号PST−HLDが発生される。現
在位置記憶手段1では、カウンタ12での計数値を同期
回路13で同期させつつラッチ回路14を駆動して第1
回目の描画完了時点での計数値すなわち試料ステージ9
1上の試料90の現在位置をラッチする。一方、目標走
査位置特定手段2のラッチ回路25には前記のように走
査開始位置とIAUとの合計が記憶されている。従って
、差演算器3では、ランチ回路14の端子Qから出力さ
れ端子Aに入力される現在位置信号PST−ACTとラ
ンチ回B25の端子Qから出力され端子Bに入力される
目標位置信号PST −THとの差を求め位置差信号P
ST−DFTを端子A−Bから出力する。すなわち、試
料ステージ91のY走査方向速度が一定ならば、位置差
信号PST−DFTは零となるが、その速度が速ければ
+Δの誤差が生じ、遅ければ−Δの誤差が生じることに
なる。そこで、補正可能範囲確認手段4では、補正可能
範囲判断データ記憶索子42に記憶されている補正可能
範囲判断データ±Δ。と位置差信号PST−DFTの±
Δとを比較する。±Δ−±Δ、ならば補正の必要はない
から信号RDY、信号DAC−LTCHは出力されない
一方、信号PST−DFTの誤差±Δが−Δ・く±Δ°
く+Δ。ならば補正可能範囲だから比較器41からは補
正実行指令信号RDYがCPUI O1へ出力される。
なお、試料ステージ91の速度が早すぎる速度ムラがあ
る(+へ。)+Δ)場合にはエラー信号ERRORがC
PUI O1に出力される。但し、試料ステージ91の
速度が遅すぎる速度ムラがある(−八)−Δ。)場合に
はエラー信号ERRORは出力されず、次の走査位置と
なるまでX走査は一時的に遅延させるよう制?1部10
0側が形成されている。
さて、信号RDYに基づき、補正データ変換指令信号D
AC−LTCHが出力されると、デジタル−アナログ変
換器5において、位置差信号PST−DFTはデジタル
信号からアナログ信号に変換される。なお、この変換さ
れたアナログ信号は、再び発生される信号DAC−LT
CHによって新たに変換されるまでその値が保持される
ものである。従って、偏向駆動手段7では、そのアナロ
グ信号にゲイン調整回路71で定数kを掛算して得た補
正信号E、とバイアス回路72によるバイアス信号E、
とを加゛算器73で加算するとともに、駆動信号E4に
基づきドライバー74で対応調整した制御信号ECを出
力する。これにより、偏向手段6であるAODは、その
制御信号E0に相応する角度だけレーザ発振器81から
のレーザビームをY走査方向に偏向させる。つまり、先
の描画中における試料90のY走査方向の移動量がIA
Uよりも大きな誤差がある場合には第1図における試料
90上へのレーザビーム照射位置を基準Mから進みU側
へ、反対にIAUより小さい誤差がある場合には遅れL
側に補正するのである。こうすることによって、次のス
キャンをするときに上記第1回目に生じた試料ステージ
910速度ムラによる位置誤差が解消され第3目以降に
誤差を累積してしまわないようできるのである。
また、この偏向手段6の補正動作が終了することにより
、目標位置更新指令信号YWP −LTCHがCPUI
 O1より出力される。すると、目標走査位置特定手段
2では、第1回目における目標位置信号P ST −N
XTとアドレスユニット記t9素子21の1アドレスユ
ニツト(IAU)信号とをデジタル加算して求めたデジ
タル加算器22からの出力(言号PST−THRをデー
タセレクタ23を介しラッチ回路25にランチする。
このラッチした値は、理論的または設計的に予め決定さ
れた次のY走査のための位置PST、  となる。
このように、第1回目スキャン中には、Y走査方向の第
1番目の段において描画され、この間に生じた試料90
(試料ステージ91)の速度ムラによる誤差を第2回目
スキャンに残存させないよう偏向手段6によってレーザ
ビーム照射位置を制in kl正する。と同時に、目標
走査位置特定手段2では第2回目スキャンが完了したと
きに再び速度ムラがあったか否かを判断できるよう前回
の目標位置にIAUだけ加算し、次回の目標位置に更新
するのである。
(第2回目スキャン) さらに、ポリゴンミラー84が回動し時刻T+において
次の面に対応するスキャン信号PLGN・SCNが発生
すると、第2図で図示省略したが、第1回目と同様に信
号OTP −HLD、信号psT−HLDが出力される
。ここに、現在位置記憶手段1のカウンタ12は、先の
第1回目スキャン開始位置P、からのY走査方向総移動
変位量を計数しているから、ランチ回路14でラッチす
る計数値は上記位置P0から計数した現在位置である。
対し、目標走査位置特定手段2のラッチ回路14には、
既に位置ps’roにIAtJを加算した第2回白描画
完了時に移動されているべき位置PST1に対応する値
がラッチされている。従うて、差演算器3では、入力さ
れる現在位M、信号PST・ACTと目標位置信号PS
T−NXTとを差演算し、第1回目スキャンと同様に、
補正可能範囲確認手段4、デジタル−アナログ変換器5
、偏向駆動手段7および偏向手段6を介し、第3回目ス
キャンに備えるよう作用する。
以下、同様に、第n回目まで繰り返し、試料90上への
全描画が完了する。
この実施例によれば、スキャン毎に試料90の現在位置
と目標位置とを比較して試料90の移動量変化すなわち
速度ムラを求め、この速度ムラに基づく位置誤差が次回
のスキャン時に残存させないよう偏向手段6でレーザビ
ームの試料90に対する照射位置をコントロールできる
ようしたから試料ステージ91の走行性能が狭範囲的に
変動する場合があったとしても誤差は補正されるから、
高精度な描画ができる。また偏向手段6による補正はス
キャン毎に行うことができるので位置誤差が累積されて
しまうことがなく広範囲にわたり高精度描画が保障され
、その精度は従来がIAU(IAS)を限度とされてい
たのに対し、μmオーダを達成できる。
また、試料90の現在位置と次回の目標位置との左位置
信号に基づき、偏向手段6による補正コントロールの可
否を補正可能範囲確認手段4でスキャン毎に確認してい
る。このことは、適正描画ができるか否かを自動的に判
断するいわゆる自己診断機能をもつ描画装置を提供する
ことができるという効果もある。
また、デジタル−アナログ変換器5のアナログ信号はゲ
イン調整回路71、バイアス回路72によって信号調整
できるから当該描画装置の全体的特性に即応させた補正
機能を発揮することができるので実用的価値が高い。
さらに、偏向手段6たるAODをレーザビームの光軸上
に配設すればよいから、各種レンズ等光学部品を必要と
せずかつ、機械的位置出11整やコントロールも必要と
しないので構造簡単にして確実動作ができる。
さらにまた、試料90の速度を定める試料ステージ91
の限界を超えた過度の加工組立等精度を要求されないの
で、時間的、経済的負担が軽減され描画装置の普及拡大
をすることができる。
また、補正手段10は、現在位置記憶手段1、目標走査
位置特定手段2.・・・偏向駆動手段7から構成されて
いるから、描画装置本体の構造に与える構成的影響が少
ないので、その適用性が拡大される。しかも、描画装置
本体80と関係するところは現在位置記憶手段1と偏向
手段6だけであるから、既存の装置にも採用することが
容易である。
以上の実施例によれば、描画装置本体80は、反射ミラ
ー12a・・・12dを設けたが、これらは機器配設上
任意に選択できる。また、レーザ発振器31はガスレー
ザとしたが、半導体レーザ等でもよい。このように構成
機器の台数、型式等は限定されない。スケール88、セ
ンサ89も同様である。
また、目標走査位置特定手段2の記憶手段21は1、目
標位置更新のため1アドレスユニツト(IAU>を記憶
させか、直接1アドレスサイズ(IAS)を記憶させる
ようしてもよい、さらに、現在位置記憶手段1、目標走
査位置特定手段2、差演算器3、補正可能範囲確認手段
4等々は、それら全部または一部を共通の1チツプマイ
コンとして形成し、あるいは制御部100に有機的に組
み込んで形成する場合にも本発明の技術的範囲に属する
こと明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るレーザ描画装置の一実施例を示
す全体構成図、第2図は、同じく指令信号等のタイミン
グ説明図、第3図は、同じく試料上におけるX走査方向
、スキャン開始位置等の関連を示す動作説明図、第4図
は従来のレーザ描画装置の全体構成図および第5図は従
来のレーザ描画装置の試料ステージの側断面図である。 1・・・現在位置記憶手段、2・・・目標走査位置特定
手段、3・・・差演算器、4・・・補正可能範囲確認手
段、5・・・デジタル−アナログ変換器、6・・・偏向
手段、7・・・偏向駆動手段、80・・・描画装置本体
、90・・・試料、91・・・試料ステージ、100・
・・制御部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Y走査方向に移動可能とされた試料にブランキン
    グされたレーザビームをX走査方向に照射させて行うレ
    ーザ描画装置において、 前記試料のY走査方向の現在位置を検出し所定期間内に
    その検出値を記憶する現在位置記憶手段と、 前記試料の次回に前記レーザビームを照射すべき目標位
    置を特定するための目標走査位置特定手段と、 前記現在位置記憶手段と目標走査位置特定手段とからの
    両出力信号を比較して位置差信号を発する差演算器と、 入力された前記差演算器からの位置差信号から補正可能
    範囲か否かを確認するための補正可能範囲確認手段と、 前記補正可能範囲確認手段によって補正可能範囲内と確
    認したときに前記位置差信号をアナログ信号に変換する
    デジタル−アナログ変換器と、前記レーザビームを前記
    試料のY走査方向に偏向させるための偏向手段と、 入力された前記デジタル−アナログ変換器からのアナロ
    グ信号に基づいて前記偏向手段を騒動するための偏向駆
    動手段と、を含み前記試料のY走査方向速度ムラを補正
    して描画位置誤差を除去できるよう構成した補正手段を
    備えたことを特徴としするレーザ描画装置。
  2. (2)前記特許請求の範囲第1項において、前記現在位
    置記憶手段が前記X走査方向に前記レーザビームを移動
    させるための回転ミラーの各面毎に当該検出値を記憶で
    きるよう構成されるとともに前記目標走査位置特定手段
    は該回転ミラーの各面毎に1アドレスユニットデータを
    加算して次回の目標走査位置を更新できるよう形成され
    ていることを特徴としたレーザ描画装置。
JP61098743A 1986-04-28 1986-04-28 レ−ザ描画装置 Pending JPS62254427A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0404340A2 (en) * 1989-06-22 1990-12-27 Quantum Corporation Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like

Cited By (2)

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US5221422A (en) * 1988-06-06 1993-06-22 Digital Equipment Corporation Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like
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