JPS62253685A - 螢光体 - Google Patents
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- JPS62253685A JPS62253685A JP9772986A JP9772986A JPS62253685A JP S62253685 A JPS62253685 A JP S62253685A JP 9772986 A JP9772986 A JP 9772986A JP 9772986 A JP9772986 A JP 9772986A JP S62253685 A JPS62253685 A JP S62253685A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテルビウムで付活した緑色から青色領域の発光
を有する螢光体に関するものである。
を有する螢光体に関するものである。
周知のように希土類オキシサルファイドを基体とした螢
光体は、X線の吸収量が多く、発光効率が高いことによ
ってX線増感紙、X線螢光板等に広く使用されている。
光体は、X線の吸収量が多く、発光効率が高いことによ
ってX線増感紙、X線螢光板等に広く使用されている。
しかし、希土類オキシザルファイドを基体としたGd、
O,S : Tb 。
O,S : Tb 。
(Y、ad)20.S: Tl) 、 Y、O,S :
Tb等のX線増感紙用螢光体は、従来から使用されて
いる0aWO,螢光体に比較すると発光効率は高いが、
残光が長く、残光の低減が望まれていた。
Tb等のX線増感紙用螢光体は、従来から使用されて
いる0aWO,螢光体に比較すると発光効率は高いが、
残光が長く、残光の低減が望まれていた。
希土類オキシサルファイドを基体とした螢光体の残光改
善に関しては、セリウムを少量(s×yo−’モル以上
)添加することにより残光が低減することが知られてい
る(特公昭5?−3を−gθ号公報)。
善に関しては、セリウムを少量(s×yo−’モル以上
)添加することにより残光が低減することが知られてい
る(特公昭5?−3を−gθ号公報)。
本発明者らは発光強度が高く残光の短い螢光体を得るべ
く鋭意研究を重ねた結果、セリウム含有テルビウム付活
の希土類オキシサルファイドを基体とした螢光体に微量
のネオジウム及び/又はスカンジウムを含有せしめるこ
とにより、意外にも発光強度を損うことなく、残光を格
段に短くし得ることを見い出し本発明を完成させた。
く鋭意研究を重ねた結果、セリウム含有テルビウム付活
の希土類オキシサルファイドを基体とした螢光体に微量
のネオジウム及び/又はスカンジウムを含有せしめるこ
とにより、意外にも発光強度を損うことなく、残光を格
段に短くし得ることを見い出し本発明を完成させた。
すなわち、本発明の要旨は、
(/−w−x ) R,02511wTb、O,トxc
eρ2Sで表わされる螢光体に、/ X / f”〜/
X / 0−’モルのNd、O,S及び/又は8C!
O,Sを含有させてなる螢光体に存する。
eρ2Sで表わされる螢光体に、/ X / f”〜/
X / 0−’モルのNd、O,S及び/又は8C!
O,Sを含有させてなる螢光体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明でいうセリウム含有子ルビクム付活希土類オキシ
サルファイドを基体とした螢光体とは、式 %式% で表わされる螢光体である。特にXは/×/θ−≦X≦
5×メ0′″“、更には/×IO″”bX≦3 X /
0−’の範囲とすることが発光強度の点から好ましい
0このセリウム含有テルビウム付活螢光体に含有さぜる
N(1,0,S及び/又は8 c、O,Sは、螢光体7
モル当り/X101〜/×/θ−4モル、好ましくは/
×/Q−@〜5×/θ1モルである。あまシに多いと発
光強度を低下させるおそれがある。逆にあまυに少ない
と本発明の効果が期待できなくなる。
サルファイドを基体とした螢光体とは、式 %式% で表わされる螢光体である。特にXは/×/θ−≦X≦
5×メ0′″“、更には/×IO″”bX≦3 X /
0−’の範囲とすることが発光強度の点から好ましい
0このセリウム含有テルビウム付活螢光体に含有さぜる
N(1,0,S及び/又は8 c、O,Sは、螢光体7
モル当り/X101〜/×/θ−4モル、好ましくは/
×/Q−@〜5×/θ1モルである。あまシに多いと発
光強度を低下させるおそれがある。逆にあまυに少ない
と本発明の効果が期待できなくなる。
また、本発明の螢光体は、上記したNdtO−及び/又
はBe、O−の他に、希土類以外の金属、例えばCu、
Ag、 Au+ Be、 Mg、 Ca、 Sr、
Bas Zn5Cd、Hg、Ti、Go、 Sn、P
b、V、Nb、Ta、 ○r、Mo。
はBe、O−の他に、希土類以外の金属、例えばCu、
Ag、 Au+ Be、 Mg、 Ca、 Sr、
Bas Zn5Cd、Hg、Ti、Go、 Sn、P
b、V、Nb、Ta、 ○r、Mo。
W、 Ss、Mn、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、
Pd、Os、 工r。
Pd、Os、 工r。
Pt等を含有させてもよい。上記のうちではコ価または
り価の金属、具体的にはT1が好ましい0 存在させる量は螢光体全体に対して!r Oppm以下
、好ましくは/ Oppm以下である。
り価の金属、具体的にはT1が好ましい0 存在させる量は螢光体全体に対して!r Oppm以下
、好ましくは/ Oppm以下である。
なお、本発明の螢光体中の元素分析は、徨々の公知の方
法によって行なえるが、例えばごく微量のセリウム等は
スパークソース質量分析法によって測定することができ
る◇ 本螢光体は通常の希土類オキシサルファイド系螢光体の
製造方法で容易に製造することができる。例えば前述の
一般式のR元素とテルビウムとセリウム及びスカンジウ
ム、ネオジム、希土類以外の金属の一部もしくは全部か
らなる酸化物にイオウを配合し、微細に粉砕してそれぞ
れの原料を均一に混合し焼成すれば容易に得ることがで
きる。この際融、剤として多硫化アルカリ金属(Ha、
ax等)、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等を添加して
もよい。
法によって行なえるが、例えばごく微量のセリウム等は
スパークソース質量分析法によって測定することができ
る◇ 本螢光体は通常の希土類オキシサルファイド系螢光体の
製造方法で容易に製造することができる。例えば前述の
一般式のR元素とテルビウムとセリウム及びスカンジウ
ム、ネオジム、希土類以外の金属の一部もしくは全部か
らなる酸化物にイオウを配合し、微細に粉砕してそれぞ
れの原料を均一に混合し焼成すれば容易に得ることがで
きる。この際融、剤として多硫化アルカリ金属(Ha、
ax等)、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等を添加して
もよい。
またatに添加せしめるテルビウム、セリウム、スカン
ジウム等の混合をより均一にするたまたは希土類醸化物
の代りに加熱分解くより容易に酸化物になり得る化合物
、例えば炭酸塩、シュウ酸塩等の化合物とイオウ等を配
合し均一に混合し焼成してもよい。
ジウム等の混合をより均一にするたまたは希土類醸化物
の代りに加熱分解くより容易に酸化物になり得る化合物
、例えば炭酸塩、シュウ酸塩等の化合物とイオウ等を配
合し均一に混合し焼成してもよい。
焼成後焼結体を冷却し、加剰なイオウ、多硫化アルカリ
金Mなどを水洗等で除去し、乾燥させ螢光体粉末を得る
ことができる。
金Mなどを水洗等で除去し、乾燥させ螢光体粉末を得る
ことができる。
以下実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発
明はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定される
ものではない。
明はその要旨をこえない限り以下の実施例に限定される
ものではない。
670−に溶解し、酸化物換算で3重量%の酸化テルビ
≠ウム(Tb、oりを含有する塩酸溶液ココ、7−2酸
化物換算で八θq/lの酸化セリウム((5eOりを含
有する塩酸溶液/θ、!fs!!及び酸化物換算で八〇
1Q/lの酸化ネオジム溶液/ O,J−を添加し熱
水で6θ℃、10tに希釈した。
≠ウム(Tb、oりを含有する塩酸溶液ココ、7−2酸
化物換算で八θq/lの酸化セリウム((5eOりを含
有する塩酸溶液/θ、!fs!!及び酸化物換算で八〇
1Q/lの酸化ネオジム溶液/ O,J−を添加し熱
水で6θ℃、10tに希釈した。
上記溶液を攪拌しながら60℃1.2に重量%の蓚酸溶
液へitを3分で添加し、添加後70分間攪拌を行った
。生成した蓚酸塩をデカンテーショ/でPHダ、!fに
なるまで洗浄をくシ返し蓚酸塩をP取した。この沈澱を
/θooci時間加熱分解して酸化物を取得した。
液へitを3分で添加し、添加後70分間攪拌を行った
。生成した蓚酸塩をデカンテーショ/でPHダ、!fに
なるまで洗浄をくシ返し蓚酸塩をP取した。この沈澱を
/θooci時間加熱分解して酸化物を取得した。
上記方法で得九希土酸化物、200 I?、炭酸カリウ
ムよθy1炭酸ナトリウム5oti、 リン酸リチウム
tp及びイオウ4011をよく混合し、アルミナルツボ
中で/:1!θ℃で一時間JQ分焼成し、焼成後焼結体
を冷却し、水に浸漬後、洗液のPHがIOになるまで水
洗し、sql’塩酸で洗浄し、次いで洗液のPHがqに
なるまで水洗し/コOCで乾燥し下記式で表わされる螢
光体を取得した。
ムよθy1炭酸ナトリウム5oti、 リン酸リチウム
tp及びイオウ4011をよく混合し、アルミナルツボ
中で/:1!θ℃で一時間JQ分焼成し、焼成後焼結体
を冷却し、水に浸漬後、洗液のPHがIOになるまで水
洗し、sql’塩酸で洗浄し、次いで洗液のPHがqに
なるまで水洗し/コOCで乾燥し下記式で表わされる螢
光体を取得した。
0.993Gd!01S−0,00!fTb20* S
−!rX / 0””’Ce !020−FX / 0
”’”Na*OzS発光強度の測定は上記の螢光体の粉
末に管電圧A Okvp 、管電流/mA、照射距離/
mでxiを照射し発光量を輝度計で測定した。
−!rX / 0””’Ce !020−FX / 0
”’”Na*OzS発光強度の測定は上記の螢光体の粉
末に管電圧A Okvp 、管電流/mA、照射距離/
mでxiを照射し発光量を輝度計で測定した。
X線残光の測定は螢光体粉末に管電圧&!kvp。
管電流、7mA、照射距離AOcmでX線を7分間照射
し、照射停止直後X線フィルム(富士写真フィルム■製
GRENEX ItXO−H(商標))を密着させ30
分放置し、現像を行った。
し、照射停止直後X線フィルム(富士写真フィルム■製
GRENEX ItXO−H(商標))を密着させ30
分放置し、現像を行った。
残光に、!:り生じたフィルムの黒度をMalumi社
製自動濃度測定計で黒化度測定を行い、測定した黒化度
と使用したX線フィルムの写真特性よりフィルムへの入
力光を求め残光値とした。
製自動濃度測定計で黒化度測定を行い、測定した黒化度
と使用したX線フィルムの写真特性よりフィルムへの入
力光を求め残光値とした。
紫外線残光測定は、螢光体粉末にJjb!nrnの紫外
線を3分間照射し、照射停止から3秒後にX線フィルム
(富士写真フィルム■チ製GRIIXNKXRXO〜H
)を密着させ30分放置し現像を行った。
線を3分間照射し、照射停止から3秒後にX線フィルム
(富士写真フィルム■チ製GRIIXNKXRXO〜H
)を密着させ30分放置し現像を行った。
測定はX線残光と同様の方法で行った。
測定結果を第1表に示す。
また、比較のため、従来の例としてネオジム及びセリウ
ム共に無添加の螢光体(比較例1)と、ネオジム無添加
でセリウム、lt X / 0””モル添加した螢光体
(比較例、2)の螢光特性、並びに参考例/〜3として
ネオジム無添加で表に示した量のセリウム1&:添加し
た螢光体の螢光特性を第7表に併記する。
ム共に無添加の螢光体(比較例1)と、ネオジム無添加
でセリウム、lt X / 0””モル添加した螢光体
(比較例、2)の螢光特性、並びに参考例/〜3として
ネオジム無添加で表に示した量のセリウム1&:添加し
た螢光体の螢光特性を第7表に併記する。
実施例−〜l弘
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化セリウム、酸
化ネオジム、及び酸化スカンジウムを適量混合し実施例
/と同様の方法で螢光体を製造し、式 %式% ・z8c、O,S の螢光体を得□た。
化ネオジム、及び酸化スカンジウムを適量混合し実施例
/と同様の方法で螢光体を製造し、式 %式% ・z8c、O,S の螢光体を得□た。
上記螢光体の螢光特性と!、7.Hの値を第7表に示す
。
。
」し二二J(
実施例/j〜lざ
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化セリウム、酸
化ネオジム及びチタンを適量混合し実施例/と同様の方
法で螢光体を製造し、式0式% の螢光体を得た。
化ネオジム及びチタンを適量混合し実施例/と同様の方
法で螢光体を製造し、式0式% の螢光体を得た。
この螢光体の螢光特性を第−表に示す。
本発明の螢光体は同量のセリウムのみを添加した場合と
比較すると、発光強度が同程度でかつ残光が著しく短い
ので工業的価値が大きい。
比較すると、発光強度が同程度でかつ残光が著しく短い
ので工業的価値が大きい。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士長香川 −
(ほか7名)
Claims (2)
- (1) (1−w−x)B_2O_2S・wTb_2O
_2S・xCe_2O_2S(ただし、RはY,La,
Gd及びLuからなる群から選ばれた少なくとも一種、 5×10^−^4≦w≦1×10^−^1、1×10^
−^8≦x≦1×10^−^4)で表わされる螢光体1
モルに、1×10^−^8〜1×10^−^4モルのN
d_2O_2S及び/又はSc_2O_2Sを含有させ
てなる螢光体。 - (2) 螢光体が希土類元素以外の金属を50ppmを
特徴とする特許請求範囲第(3)項記載の螢光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9772986A JPH078983B2 (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9772986A JPH078983B2 (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 螢光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62253685A true JPS62253685A (ja) | 1987-11-05 |
JPH078983B2 JPH078983B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=14199976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9772986A Expired - Fee Related JPH078983B2 (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 螢光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH078983B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312560A (en) * | 1992-03-19 | 1994-05-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Rare earth phosphor |
JP2003113375A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-04-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | 青色蛍光体を備える放電が誘電的に阻害されたガス放電ランプ |
US10207957B2 (en) * | 2013-10-08 | 2019-02-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic scintillator and its production method, and scintillator array and radiation detector |
-
1986
- 1986-04-26 JP JP9772986A patent/JPH078983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5312560A (en) * | 1992-03-19 | 1994-05-17 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Rare earth phosphor |
JP2003113375A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-04-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | 青色蛍光体を備える放電が誘電的に阻害されたガス放電ランプ |
US10207957B2 (en) * | 2013-10-08 | 2019-02-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Ceramic scintillator and its production method, and scintillator array and radiation detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH078983B2 (ja) | 1995-02-01 |
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