JPS6225209A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPS6225209A JPS6225209A JP16534785A JP16534785A JPS6225209A JP S6225209 A JPS6225209 A JP S6225209A JP 16534785 A JP16534785 A JP 16534785A JP 16534785 A JP16534785 A JP 16534785A JP S6225209 A JPS6225209 A JP S6225209A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明は、測距装置に関し、より詳細には、投光部から
被写体に変調光を照射し、このときの被写体反射光を上
記投光部より所定の基線長たけ離れた受光部で検出する
ことによって測距を行う、いわゆるアクティブ形の三角
測距方式の測距装置に関する。
被写体に変調光を照射し、このときの被写体反射光を上
記投光部より所定の基線長たけ離れた受光部で検出する
ことによって測距を行う、いわゆるアクティブ形の三角
測距方式の測距装置に関する。
[従来の技術]
この種の測距装置の概略構成と動作を第3図ないし第5
図を用いて説明する。第3図において、投光部10と受
光部20の各光軸は所定の基線長Sたけ離れて配設され
ている。この投光部10には、変調された光、例えば赤
外パルス光を発する発光ダイオード11が設けられ、こ
の発光ダイオード11の前方には投光レンズ12が設け
られられている。一方、受光部20には被写体○からの
反射光を受けるための受光レンズ21が設けられ、この
受光レンズ21の後方には距離fたけ離れた位置に半導
体装置検出器22か配置されている。
図を用いて説明する。第3図において、投光部10と受
光部20の各光軸は所定の基線長Sたけ離れて配設され
ている。この投光部10には、変調された光、例えば赤
外パルス光を発する発光ダイオード11が設けられ、こ
の発光ダイオード11の前方には投光レンズ12が設け
られられている。一方、受光部20には被写体○からの
反射光を受けるための受光レンズ21が設けられ、この
受光レンズ21の後方には距離fたけ離れた位置に半導
体装置検出器22か配置されている。
この半導体装置検出器22は、第4図に示すようにその
光電変換面22aに結像される反射光Qの位置に応じて
、第1の出力端22bからの第1の出力電流■1と第2
の出力端22cからの第2の出力電流I2が変化する。
光電変換面22aに結像される反射光Qの位置に応じて
、第1の出力端22bからの第1の出力電流■1と第2
の出力端22cからの第2の出力電流I2が変化する。
即ち、被写体距離をLとし、光電変換面22aの基準位
置に対する反射光Qの結像位置の距離をXとすると X
−5−f/Lになる。そして、両端子間22b、 22
C間の距離tにおける上記第1の出力電流11と第2の
出力電流I2のそれぞれの変化分Δ11.ΔI2は次の
ような関係を持つ。
置に対する反射光Qの結像位置の距離をXとすると X
−5−f/Lになる。そして、両端子間22b、 22
C間の距離tにおける上記第1の出力電流11と第2の
出力電流I2のそれぞれの変化分Δ11.ΔI2は次の
ような関係を持つ。
Δ11:Δl2−
(t/2)+X: (t/2)−X
従って、第1の出力電流11と第2の出力電流I2の比
は被写体距離りに対応したものとなりこの比を求めるこ
とによって被写体距離情報をiカることができる。
は被写体距離りに対応したものとなりこの比を求めるこ
とによって被写体距離情報をiカることができる。
このような被写体距離情報を求めるには、第5図に示す
ように、半導体装置検出器22の第1の出力端22bに
生じる第1の出力電流11を第1の電流/電圧変換回路
30で電圧に変換し、同じく、第2の出力端22cに生
じる第2の出力電流工。を第2の電流/電圧変換回路4
0で電圧に変換し、両回路30.40の出力の差を差出
力検出回路50で求めることによって被写体距離情報り
を得ている。そして、上記第′1の電流/電圧変換回路
30は、オペアンプ31と帰還抵抗32で形成される電
流/電圧変換器の出力端に、コンデンサ33と抵抗34
で形成されるバイパスフィルターを接続し、このバイパ
スフィルターの出力端に、オペアンプ35と対数圧縮ダ
イオード36で形成される対数変換回路が接続されてい
る。また、上記第2の電流/電圧変換回路40も第1の
電流/電圧変換回路30と同様にオペアンプ41.帰還
抵抗42.コンデンサ43.抵抗44.オペアンプ45
.対数圧縮ダイオード46で構成されている。なお、上
記抵抗34.44は正確には/%イパスフィルターを形
成すると共に次段のオペアンプ35.45と協働して電
流/電圧の変換も行うものである。また、符号V は基
準電圧源の基準電圧である。
ように、半導体装置検出器22の第1の出力端22bに
生じる第1の出力電流11を第1の電流/電圧変換回路
30で電圧に変換し、同じく、第2の出力端22cに生
じる第2の出力電流工。を第2の電流/電圧変換回路4
0で電圧に変換し、両回路30.40の出力の差を差出
力検出回路50で求めることによって被写体距離情報り
を得ている。そして、上記第′1の電流/電圧変換回路
30は、オペアンプ31と帰還抵抗32で形成される電
流/電圧変換器の出力端に、コンデンサ33と抵抗34
で形成されるバイパスフィルターを接続し、このバイパ
スフィルターの出力端に、オペアンプ35と対数圧縮ダ
イオード36で形成される対数変換回路が接続されてい
る。また、上記第2の電流/電圧変換回路40も第1の
電流/電圧変換回路30と同様にオペアンプ41.帰還
抵抗42.コンデンサ43.抵抗44.オペアンプ45
.対数圧縮ダイオード46で構成されている。なお、上
記抵抗34.44は正確には/%イパスフィルターを形
成すると共に次段のオペアンプ35.45と協働して電
流/電圧の変換も行うものである。また、符号V は基
準電圧源の基準電圧である。
従って、光位置検出器22の第1の出力端22bに得ら
れた第1の出力型tE11が電流/電圧変換され、被写
体からの反射光Qの変調成分が抽出された後対数圧縮さ
れ、第1の出力電圧V1が得られる。また、40におい
ても」二連同様にして第2の出力電圧V2が得られる。
れた第1の出力型tE11が電流/電圧変換され、被写
体からの反射光Qの変調成分が抽出された後対数圧縮さ
れ、第1の出力電圧V1が得られる。また、40におい
ても」二連同様にして第2の出力電圧V2が得られる。
この第1の出力電圧■ と第2の出力電圧■2の差を差
出力検出回路50によって求めることによって被写体距
離情報りが得られるのである。そして、得られた被写体
距離情報りに基づいてオートフォーカス制御、測距等の
所望の制御を行うことができるのである。
出力検出回路50によって求めることによって被写体距
離情報りが得られるのである。そして、得られた被写体
距離情報りに基づいてオートフォーカス制御、測距等の
所望の制御を行うことができるのである。
[発明か解決しようとする問題点]
このような従来の測距装置においては、半導体装置検出
器22に生じる第1の出力電流11と第2の出力電流I
2のそれぞれを第1および第2の出力電圧V t 、
V 2に変換する第1および第2の電流/電圧変換回
路30.40の諸特性を同一にしなければ精度の高い4
111距を行うことかできない。
器22に生じる第1の出力電流11と第2の出力電流I
2のそれぞれを第1および第2の出力電圧V t 、
V 2に変換する第1および第2の電流/電圧変換回
路30.40の諸特性を同一にしなければ精度の高い4
111距を行うことかできない。
このために、オペアンプ31.41のベア特性を良好に
し、同様にオペアンプ35.45のベア特性と、扁還抵
抗32.42のペア特性と、抵抗34.44のペア特性
と、ダイオード36.46のベア特性と、コンデンサ3
3.43のペア特性とのそれぞれを良好にする必要があ
り、その調整や選別の作業が繁雑になる。また、これら
の素子をIC化した場合には上記選別の作業が不要にな
るが、IC回路規模が大きくなってしまいコストアップ
を招くと共にICが大型化してしまうので、特に小型化
が要求されているカメラにおいては大きな問題となる。
し、同様にオペアンプ35.45のベア特性と、扁還抵
抗32.42のペア特性と、抵抗34.44のペア特性
と、ダイオード36.46のベア特性と、コンデンサ3
3.43のペア特性とのそれぞれを良好にする必要があ
り、その調整や選別の作業が繁雑になる。また、これら
の素子をIC化した場合には上記選別の作業が不要にな
るが、IC回路規模が大きくなってしまいコストアップ
を招くと共にICが大型化してしまうので、特に小型化
が要求されているカメラにおいては大きな問題となる。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的は、半導体装置検出器に生じる第1の出力電流と第2
の出力電流のそれぞれを第1および第2の出力電圧に変
換する第1および第2の電流/電圧変換回路の諸特性を
同一にするに際して、繁雑な調整や選別の作業を行う必
要のない、簡単な回路構成の測距装置を提供することに
ある。
的は、半導体装置検出器に生じる第1の出力電流と第2
の出力電流のそれぞれを第1および第2の出力電圧に変
換する第1および第2の電流/電圧変換回路の諸特性を
同一にするに際して、繁雑な調整や選別の作業を行う必
要のない、簡単な回路構成の測距装置を提供することに
ある。
[問題点をすするための手段および作用]上記目的を達
成するために、本発明は、第1図に示すように被写体に
向けて変調光Pを投光する投光手段60と、この投光手
段60による投光の被写体からの反射光Qを受け、被写
体距離に対応した第1および第2の出力電流1.、I2
を送出する受光手段70と、上記第1の出力電流1□の
一4二記変調光による変動分を対数変換して出力する第
1の電流/電圧変換回路80と、上記第2の出力電流I
2の上記変調光による変動分を対数変換して出力する第
2の電流/電圧変換回路90と、上記第1および第2の
電流/電圧変換回路80゜90の出力の差を求めて被写
体距離情報信号を得る差出力検出回路100とを備えた
俵J距装置において、 上比受光手段70からの第1の出力電流11に対応した
電流を出力する電流バッファー回路81と、同電流バッ
ファー回路81の出力端に接続されたインピーダス素子
82と、上記電流バッファー回路81の出力端にコンデ
ンサ83を介して接続され、帰還回路中に対数変換素子
84を有し、上記インピーダンス素子82のインピーダ
ンスより充分小さい人力インピーダンスを有する演算増
幅器85とを上記第1の電流/電圧変換回路80に設け
るとJ(に、」−2第2の電流/電圧変換回路90にも
上記第1の電流/電圧変換回路80と同様に電流バッフ
ァー回路91.インピーダス素子92、コンデンサ93
.対数変換素子94.演算増幅器95を設けたことを特
徴とするものである。
成するために、本発明は、第1図に示すように被写体に
向けて変調光Pを投光する投光手段60と、この投光手
段60による投光の被写体からの反射光Qを受け、被写
体距離に対応した第1および第2の出力電流1.、I2
を送出する受光手段70と、上記第1の出力電流1□の
一4二記変調光による変動分を対数変換して出力する第
1の電流/電圧変換回路80と、上記第2の出力電流I
2の上記変調光による変動分を対数変換して出力する第
2の電流/電圧変換回路90と、上記第1および第2の
電流/電圧変換回路80゜90の出力の差を求めて被写
体距離情報信号を得る差出力検出回路100とを備えた
俵J距装置において、 上比受光手段70からの第1の出力電流11に対応した
電流を出力する電流バッファー回路81と、同電流バッ
ファー回路81の出力端に接続されたインピーダス素子
82と、上記電流バッファー回路81の出力端にコンデ
ンサ83を介して接続され、帰還回路中に対数変換素子
84を有し、上記インピーダンス素子82のインピーダ
ンスより充分小さい人力インピーダンスを有する演算増
幅器85とを上記第1の電流/電圧変換回路80に設け
るとJ(に、」−2第2の電流/電圧変換回路90にも
上記第1の電流/電圧変換回路80と同様に電流バッフ
ァー回路91.インピーダス素子92、コンデンサ93
.対数変換素子94.演算増幅器95を設けたことを特
徴とするものである。
[実 施 例]
以下、本発明の実施例を第2図を用いて具体的に説明す
る。第2図において、受光手段70には、上述の半導体
装置検出器22(第3図ないし第5図参照)と同様の位
置検出器71が設けられ、この位置検出器71の第1の
出・内端71aは、電流バッファー回路を形成するオペ
アンプ81aの反転入力端一に接続されている。同オペ
アンプl1llaの出力端には、PNP形のトランジス
タ81bのベースか接続され、エミッタは反転入力端一
に接続され、コレクタはインピーダンス素子82を介し
て接地されている。このトランジスター1llbのコレ
クタ、即ち電流バッファー回路の出力端はコンデンサ8
3を介してオペアンプ(演算増幅回路)85の反転入力
端一に接続され、同反転入力端−は対数圧縮ダイオード
(対数変換素子)84のアノードに接続され、同オペア
ンプ85の出力端は対数圧縮ダイオード84のカソード
に接続されている。また、上記オペアンプ81a、85
のそれぞれの非反転入力端+は基準電圧源の基準電圧V
。
る。第2図において、受光手段70には、上述の半導体
装置検出器22(第3図ないし第5図参照)と同様の位
置検出器71が設けられ、この位置検出器71の第1の
出・内端71aは、電流バッファー回路を形成するオペ
アンプ81aの反転入力端一に接続されている。同オペ
アンプl1llaの出力端には、PNP形のトランジス
タ81bのベースか接続され、エミッタは反転入力端一
に接続され、コレクタはインピーダンス素子82を介し
て接地されている。このトランジスター1llbのコレ
クタ、即ち電流バッファー回路の出力端はコンデンサ8
3を介してオペアンプ(演算増幅回路)85の反転入力
端一に接続され、同反転入力端−は対数圧縮ダイオード
(対数変換素子)84のアノードに接続され、同オペア
ンプ85の出力端は対数圧縮ダイオード84のカソード
に接続されている。また、上記オペアンプ81a、85
のそれぞれの非反転入力端+は基準電圧源の基準電圧V
。
に接続され、同7!準電圧V は上記半導体装2検出器
71の基準電圧入力端にも接続されている。
71の基準電圧入力端にも接続されている。
そして、上記オペア・ンプ85の出力端、即ち、第1の
電流/電圧変換回路80の出力端に生じる第1の出力電
圧V1は、差出力検出回路100に入力されるようにな
っている。
電流/電圧変換回路80の出力端に生じる第1の出力電
圧V1は、差出力検出回路100に入力されるようにな
っている。
一方、第2の電tlE/電圧喰換回路90もF2第1の
電流/電圧変換回路80と同様にオペアンプ91a、9
5、トランジスタ9 l b、インピーダンス索子92
.コンデンサ93.対数圧縮ダイオード94で構成され
ている。このような第2の電流/電圧変換回路90の出
力端、即ち、オペアンプ95の出力端に生じる第2の出
力電圧V2も差出力検出回路100に入力されるように
なっている。差出力検出回路100にはオペアンプ10
1が設けられ、同オペアンプ101の反転入力端一は抵
抗102を介して第1の電流/電圧変換回路80の出力
端に接続されている。同オペアンプ101の反転入力端
一と自身の出力端の間には抵抗103が接続され、非反
転入力端+は、抵抗1.04を介して第2の電流/電圧
変換回路90の出力端に接続されると共に抵抗105を
介して基準電圧V にも接続されている。そして、この
オ「 ベアング101の出力端から差出力検出回路100の出
力として被写体距離情報りが図示しないオートフォーカ
ス制御回路等に送出されるようになっている。
電流/電圧変換回路80と同様にオペアンプ91a、9
5、トランジスタ9 l b、インピーダンス索子92
.コンデンサ93.対数圧縮ダイオード94で構成され
ている。このような第2の電流/電圧変換回路90の出
力端、即ち、オペアンプ95の出力端に生じる第2の出
力電圧V2も差出力検出回路100に入力されるように
なっている。差出力検出回路100にはオペアンプ10
1が設けられ、同オペアンプ101の反転入力端一は抵
抗102を介して第1の電流/電圧変換回路80の出力
端に接続されている。同オペアンプ101の反転入力端
一と自身の出力端の間には抵抗103が接続され、非反
転入力端+は、抵抗1.04を介して第2の電流/電圧
変換回路90の出力端に接続されると共に抵抗105を
介して基準電圧V にも接続されている。そして、この
オ「 ベアング101の出力端から差出力検出回路100の出
力として被写体距離情報りが図示しないオートフォーカ
ス制御回路等に送出されるようになっている。
このように構成された本実施例において、投光手段60
(第1図参照)から発せられた変調光Pが被写体に向け
て投光されると、被写体反射光Qが半導体装置検出器7
1によって検出され、第1の出力端71aと第2の出力
端71bのそれぞれに第1および第2の出力電流11.
■2が生じる。
(第1図参照)から発せられた変調光Pが被写体に向け
て投光されると、被写体反射光Qが半導体装置検出器7
1によって検出され、第1の出力端71aと第2の出力
端71bのそれぞれに第1および第2の出力電流11.
■2が生じる。
この第1の出力電流11は、定常的な背景光に基づく背
景光成分の電流I゛1と変調光Pに基づく変調成分の電
流ΔI°1とからなる。第2の出力電流I も同様に背
景光成分の電流I°2と変調成分の電流ΔI°2とから
なる。オペアンプ81aはトランジスタ81bによって
帰還がかけられているので反転入力端一と非反転入力端
子が同電位になり、半導体装置検出器71の第1の出力
端71aの電位を固定する働きをする。従って、トラン
ジスタ81bのコレクタ電流は、上記第1の出力電流■
1に等しいものとなる。この第1の出力電流■1のうち
背景光成分の電流I゛1は、略一定の直流レベルである
のでインピーダンス素子82を流れコンデンサ83を流
れず、変調成分の電流Δl°1は、高周波であるのでコ
ンデンサ83を流れてオペアンプ85の反転入力端一に
印加される。ここで、オペアンプ85の入力インピーダ
ンスは上記インピーダンス素子82のインピーダンスに
比べて充分に小さいので、上記コンデンサ83を流れる
変調成分の電流ΔI°1がダイオード84によって対数
圧縮され第1の変調成分出力電圧Δ■1が得られる。こ
の変調成分出力電圧Δ■1は次のようになる。
景光成分の電流I゛1と変調光Pに基づく変調成分の電
流ΔI°1とからなる。第2の出力電流I も同様に背
景光成分の電流I°2と変調成分の電流ΔI°2とから
なる。オペアンプ81aはトランジスタ81bによって
帰還がかけられているので反転入力端一と非反転入力端
子が同電位になり、半導体装置検出器71の第1の出力
端71aの電位を固定する働きをする。従って、トラン
ジスタ81bのコレクタ電流は、上記第1の出力電流■
1に等しいものとなる。この第1の出力電流■1のうち
背景光成分の電流I゛1は、略一定の直流レベルである
のでインピーダンス素子82を流れコンデンサ83を流
れず、変調成分の電流Δl°1は、高周波であるのでコ
ンデンサ83を流れてオペアンプ85の反転入力端一に
印加される。ここで、オペアンプ85の入力インピーダ
ンスは上記インピーダンス素子82のインピーダンスに
比べて充分に小さいので、上記コンデンサ83を流れる
変調成分の電流ΔI°1がダイオード84によって対数
圧縮され第1の変調成分出力電圧Δ■1が得られる。こ
の変調成分出力電圧Δ■1は次のようになる。
ΔV r −k T / q 弓n (ΔI’l/I、
)なお、k:ボルツマン定数、T:絶対温度、q:電子
電荷のエネルギー、■ =ダイオード84の逆方向の飽
和電流である。
)なお、k:ボルツマン定数、T:絶対温度、q:電子
電荷のエネルギー、■ =ダイオード84の逆方向の飽
和電流である。
一方、第2の電流/電圧変換回路90も上記第1の電流
/電圧変換回路80と同様にして第2の変調成分出力電
圧Δv2が得られる。この変調成分出力電圧ΔV2は次
のようになる。
/電圧変換回路80と同様にして第2の変調成分出力電
圧Δv2が得られる。この変調成分出力電圧ΔV2は次
のようになる。
ΔV2−kT/q 弓n (ΔI’2/l’S)なお、
Io:ダイオード94の逆方向の飽和電流である。
Io:ダイオード94の逆方向の飽和電流である。
このような第1および第2の変調成分出力電圧ΔV 、
ΔV2は、差出力検出器100によってその差が求めら
れ被写体距離情報りとしての変調成分出力電圧ΔVが求
められる。この変調成分出力電圧ΔVは、■−1゛
とすれば次のようになS S る。
ΔV2は、差出力検出器100によってその差が求めら
れ被写体距離情報りとしての変調成分出力電圧ΔVが求
められる。この変調成分出力電圧ΔVは、■−1゛
とすれば次のようになS S る。
ΔV−kT/q−1 n (ΔI’ /ΔI°2)従
って、変調成分の電流Δ1゛、Δド、を一旦、■ 電圧に変換することなく直接に対数変換すると共に電圧
に変換して被写体距離情報りとしての変調成分出力電圧
ΔVが求められるのである。
って、変調成分の電流Δ1゛、Δド、を一旦、■ 電圧に変換することなく直接に対数変換すると共に電圧
に変換して被写体距離情報りとしての変調成分出力電圧
ΔVが求められるのである。
なお、上述の実施例はインピーダンス索子82゜92の
一端が接地されているが、これに限定されることなく所
定の基準電位に接続してもよく、また、基準電圧V の
電2位も任意に設定してよいこともちろんである。
一端が接地されているが、これに限定されることなく所
定の基準電位に接続してもよく、また、基準電圧V の
電2位も任意に設定してよいこともちろんである。
また、変調光の変調形式も、背景光と容品に識別できる
ものであれば任意に設定でき、望ましくは背景光におけ
る交流成分、例えば螢光灯等の光源と容易に分離できる
変調形式と変調周波数を用いる必要がある。
ものであれば任意に設定でき、望ましくは背景光におけ
る交流成分、例えば螢光灯等の光源と容易に分離できる
変調形式と変調周波数を用いる必要がある。
[発明の効果]
このように、本発明によれば、2系統の電流/電圧変換
回路における、諸特性の同一化が繁雑な調整作業を行う
ことなく達成でき、従来の問題をことごとく解決した測
距装置を得ることができる。
回路における、諸特性の同一化が繁雑な調整作業を行う
ことなく達成でき、従来の問題をことごとく解決した測
距装置を得ることができる。
第1図は、本発明の概略図、
第2図は、本発明の実施例を示す電気回路図、第3図は
、本発明が適用されるA11l距装置の原理図、 第4図は、第3図中に示される半導体装置検出器の概略
側面図、 第5図は、従来の測距回路を示す電気回路図である。 60・・・・・・投光手段 70・・・・・・受光手段 80・・・・・・第1の電流/電圧変換回路90・・・
・・第2の電流/電圧変換回路100・・・・・・差出
力検出回路 策3図 気5図 、7・30 4゜7.j ・ 手 続 補 正 書 (自発)昭和60年 8
月22日 何
、本発明が適用されるA11l距装置の原理図、 第4図は、第3図中に示される半導体装置検出器の概略
側面図、 第5図は、従来の測距回路を示す電気回路図である。 60・・・・・・投光手段 70・・・・・・受光手段 80・・・・・・第1の電流/電圧変換回路90・・・
・・第2の電流/電圧変換回路100・・・・・・差出
力検出回路 策3図 気5図 、7・30 4゜7.j ・ 手 続 補 正 書 (自発)昭和60年 8
月22日 何
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被写体に向けて変調光を投光する投光手段と、この投光
手段による投光の被写体からの反射光を受け、被写体距
離に対応した第1および第2の出力電流を送出する受光
手段と、上記第1の出力電流の上記変調光による変動分
を対数変換して出力する第1の電流/電圧変換回路と、
上記第2の出力電流の上記変調光による変動分を対数変
換して出力する第2の電流/電圧変換回路と、上記第1
および第2の電流/電圧変換回路の出力の差を求めて被
写体距離情報信号を得る差出力検出回路とを備えた測距
装置において、 上記受光手段からの入力電流に対応した電流を出力する
電流バッファー回路と、 同電流バッファー回路の出力端に接続されたインピーダ
ンス素子と、 上記電流バッファー回路の出力端にコンデンサを介して
接続され、帰還回路中に対数変換素子を有し、上記イン
ピーダンス素子のインピーダンスより充分小さい入力イ
ンピーダンスを有する演算増幅器と、 を上記第1および第2の電流/電圧変換回路のそれぞれ
に設けたことを特徴とする測距装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16534785A JPS6225209A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16534785A JPS6225209A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 測距装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6225209A true JPS6225209A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15810622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16534785A Pending JPS6225209A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 測距装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6225209A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5895210A (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-06 | Ricoh Co Ltd | 距離検出装置 |
JPS58144707A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-08-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 測距装置 |
JPS58190710A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | 測距装置 |
JPS6079213A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Copal Co Ltd | 測距装置 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16534785A patent/JPS6225209A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58144707A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-08-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 測距装置 |
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